JPS6367572A - 恒温装置 - Google Patents
恒温装置Info
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- JPS6367572A JPS6367572A JP21168286A JP21168286A JPS6367572A JP S6367572 A JPS6367572 A JP S6367572A JP 21168286 A JP21168286 A JP 21168286A JP 21168286 A JP21168286 A JP 21168286A JP S6367572 A JPS6367572 A JP S6367572A
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- JP
- Japan
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- heat exchanger
- heat source
- constant
- heat
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- Pending
Links
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims abstract description 16
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- 238000001816 cooling Methods 0.000 abstract description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Control Of Temperature (AREA)
- Automatic Analysis And Handling Materials Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
本発明は自動生化学分析装置における反応部を恒温状態
に維持するのに用いられる恒温装置に関するものである
。
に維持するのに用いられる恒温装置に関するものである
。
(従来の技術)
一般に生化学分析装置に於ては、その反応部を恒温状態
に維持する必要かあり、従来より木等の恒温流体を恒温
装置を用いて所定の温度に制御し、これを反応部に導入
することによって恒温状態を維持している。そして反応
部の恒温温度は通常25°C〜37°Cであることから
、従来の恒温装置としては、37℃以上の高熱源と、2
51以下の低熱源とを用い、両熱源温度の間の所定温度
に恒温流体を制御するようになっている(第2図参照)
。
に維持する必要かあり、従来より木等の恒温流体を恒温
装置を用いて所定の温度に制御し、これを反応部に導入
することによって恒温状態を維持している。そして反応
部の恒温温度は通常25°C〜37°Cであることから
、従来の恒温装置としては、37℃以上の高熱源と、2
51以下の低熱源とを用い、両熱源温度の間の所定温度
に恒温流体を制御するようになっている(第2図参照)
。
従来の恒温装置は、第3図に示すように低熱源としてラ
ジェータや冷却機で構成された、熱交換器を有する冷却
部lと、ポンプPと、熱交換器を有する、高熱源として
のヒーター2をバイブ3で直列に接続し、パイプ3に恒
温流体を流すことによって、恒温流体を所定の温度に制
御して図示しない反応部に供給していた。
ジェータや冷却機で構成された、熱交換器を有する冷却
部lと、ポンプPと、熱交換器を有する、高熱源として
のヒーター2をバイブ3で直列に接続し、パイプ3に恒
温流体を流すことによって、恒温流体を所定の温度に制
御して図示しない反応部に供給していた。
(発明が解決しようとする問題点)
ところか従来の装置は、冷却部lとヒーター2とを直列
にvc続し、これらそれぞれの熱交換器を持って温度f
jlllを行なっていたため、ユニットとしてのスペー
スかかなり必要となり、コスト的にもかなり高いものと
なっていた。また、ヒータ一部分2の恒温水か抜ける等
のトラブルか生じた場合、ヒーターの空焚き状yEとな
って安全面ても非常に問題となつていた。
にvc続し、これらそれぞれの熱交換器を持って温度f
jlllを行なっていたため、ユニットとしてのスペー
スかかなり必要となり、コスト的にもかなり高いものと
なっていた。また、ヒータ一部分2の恒温水か抜ける等
のトラブルか生じた場合、ヒーターの空焚き状yEとな
って安全面ても非常に問題となつていた。
本発明は上記事情に基づいてなされたものであり、ユニ
ットのコンパクト化、コストの低減、安(問題点を解決
するための手段) 上記目的を達成するため末完’31は、恒温流体を流す
ケースに高熱源用の熱交換器と、低熱源用の熱交換器と
を同軸状に設けた構成とした。
ットのコンパクト化、コストの低減、安(問題点を解決
するための手段) 上記目的を達成するため末完’31は、恒温流体を流す
ケースに高熱源用の熱交換器と、低熱源用の熱交換器と
を同軸状に設けた構成とした。
(作用)
本発明は上記の構成としたのて、次のように作用する。
即ち、高熱源用の熱交換器と、低熱源用の熱交換器とを
同軸状に設けたのでコンパクト化か図られてコストも低
減し、しかも恒温水が抜けても高熱用の熱交換器に対し
て低熱源用の熱交換器が同軸状に設けであるので冷却作
用が得られて安全性が向上する。
同軸状に設けたのでコンパクト化か図られてコストも低
減し、しかも恒温水が抜けても高熱用の熱交換器に対し
て低熱源用の熱交換器が同軸状に設けであるので冷却作
用が得られて安全性が向上する。
(実施例)
以下図示の実施例について説明する。
第1図に本発明に係る恒i!装置の断面図を示す。同図
においてlは恒温流体を流すケースであり、このケース
内に高8源用の熱交換器2と、低熱源用の熱交換IA3
とが同軸状に設けである。
においてlは恒温流体を流すケースであり、このケース
内に高8源用の熱交換器2と、低熱源用の熱交換IA3
とが同軸状に設けである。
熱交換器2.3は、一体のアルミハニカムで構成されて
いる。アルミハニカムはその大きさに比べて非常に大き
な伝熱面積を有しているのて、一層熱交換器の小型化が
図られている。これら熱交換器2.3は、ケース1の内
部に恒温流体を、低熱源用の熱交換器3の内部に冷却媒
体として水をそれぞれ図中左から右に向って流すことに
より1つのパラレルフロータイブの熱交換=を構成して
いる。
いる。アルミハニカムはその大きさに比べて非常に大き
な伝熱面積を有しているのて、一層熱交換器の小型化が
図られている。これら熱交換器2.3は、ケース1の内
部に恒温流体を、低熱源用の熱交換器3の内部に冷却媒
体として水をそれぞれ図中左から右に向って流すことに
より1つのパラレルフロータイブの熱交換=を構成して
いる。
また、ケースl内には、高温用熱交換器2を挟さんで分
流室7と1合流室5が形成されており。
流室7と1合流室5が形成されており。
分流室7には恒温流体の流入管8が1合流室5には図示
しない反応部に接続される吐出管9が接続されている。
しない反応部に接続される吐出管9が接続されている。
4は、ケースlの外周面に設けられたヒータであり、ケ
ースl及び高熱用熱交換器2を通じて恒温流体を加熱す
るようになっている。温度制御は主にこのヒーター側で
行なわれる。
ースl及び高熱用熱交換器2を通じて恒温流体を加熱す
るようになっている。温度制御は主にこのヒーター側で
行なわれる。
次に本装着内の流体の流れについて説明する。
ポンプPによって駆動された恒温流体は、流入管8から
分流室7に流入し、熱交換器2,3内に分&(Eされる
。熱交換は熱交換器内を図中左から右に移動する間に終
了する。熱交換器内に於て、液体は半径方向に温度分布
を持つが、合流室5に到達すると、ここてミキシングさ
れ一定温度を持つ流体が吐出管9に流出される。
分流室7に流入し、熱交換器2,3内に分&(Eされる
。熱交換は熱交換器内を図中左から右に移動する間に終
了する。熱交換器内に於て、液体は半径方向に温度分布
を持つが、合流室5に到達すると、ここてミキシングさ
れ一定温度を持つ流体が吐出管9に流出される。
このような恒温装置によれば、高熱源用の熱交換器2と
、低熱源用の熱交換器3とを同軸状に設けたのでコンパ
クト化が図られてコストも低減する。本装置の場合、そ
のユニットの大きさは、従来の2/3〜l/2に縮少す
ることができた。
、低熱源用の熱交換器3とを同軸状に設けたのでコンパ
クト化が図られてコストも低減する。本装置の場合、そ
のユニットの大きさは、従来の2/3〜l/2に縮少す
ることができた。
また1本装置の場合、高熱用の熱交換器2に対して低熱
源用の熱交換器3が同軸状に設けであるのて、恒温水か
抜けても低熱源用の熱交換器3による冷却作用が得られ
て空焚き状態か防止され。
源用の熱交換器3が同軸状に設けであるのて、恒温水か
抜けても低熱源用の熱交換器3による冷却作用が得られ
て空焚き状態か防止され。
安全性が向上する。
以上本発明の一実施例について説明したが、本発明は上
記実施例に限定されるものではなく1本発明の要旨の範
囲内において適宜変形実施可能であることは言うまでも
ない。
記実施例に限定されるものではなく1本発明の要旨の範
囲内において適宜変形実施可能であることは言うまでも
ない。
例えば、冷却媒体は、水に限らず、その他の液体でもよ
く、又、気体であってもよい。
く、又、気体であってもよい。
[発明の効果]
以上詳述したように本発明によれば、高熱源用の熱交換
器と、低熱源用の熱交換器とを同軸状に設けたのてコン
パクト化か図られてコストも低減し、しかも恒温水が抜
けても高熱用の熱交換器に対して低MW用の熱交換器が
同軸状に設けであるので冷却作用が得られて安全性か向
上する。
器と、低熱源用の熱交換器とを同軸状に設けたのてコン
パクト化か図られてコストも低減し、しかも恒温水が抜
けても高熱用の熱交換器に対して低MW用の熱交換器が
同軸状に設けであるので冷却作用が得られて安全性か向
上する。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係る恒温装置の一実施例の断面図、第
2図は恒湿流体温度の説り1図、第3図は従来装置の概
略図ある。 1・・・ケース、2・・・高熱源用熱交換器、3・・・
低熱源用熱交換器、4・・・ヒーター、5・・・混合室
、7・・・分流室 弔1図 第2図 第3図
2図は恒湿流体温度の説り1図、第3図は従来装置の概
略図ある。 1・・・ケース、2・・・高熱源用熱交換器、3・・・
低熱源用熱交換器、4・・・ヒーター、5・・・混合室
、7・・・分流室 弔1図 第2図 第3図
Claims (1)
- 恒温流体を流すケースに高熱源用の熱交換器と、低熱源
用の熱交換器とを同軸状に設けたことを特徴とする恒温
装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21168286A JPS6367572A (ja) | 1986-09-10 | 1986-09-10 | 恒温装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21168286A JPS6367572A (ja) | 1986-09-10 | 1986-09-10 | 恒温装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6367572A true JPS6367572A (ja) | 1988-03-26 |
Family
ID=16609840
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP21168286A Pending JPS6367572A (ja) | 1986-09-10 | 1986-09-10 | 恒温装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6367572A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01239917A (ja) * | 1988-03-22 | 1989-09-25 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | プラズマ処理方法 |
-
1986
- 1986-09-10 JP JP21168286A patent/JPS6367572A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01239917A (ja) * | 1988-03-22 | 1989-09-25 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | プラズマ処理方法 |
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