JPS6366964A - Solid-state image sensing element - Google Patents

Solid-state image sensing element

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JPS6366964A
JPS6366964A JP61210470A JP21047086A JPS6366964A JP S6366964 A JPS6366964 A JP S6366964A JP 61210470 A JP61210470 A JP 61210470A JP 21047086 A JP21047086 A JP 21047086A JP S6366964 A JPS6366964 A JP S6366964A
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JP
Japan
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solid
state image
chip
base
image sensor
Prior art date
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Pending
Application number
JP61210470A
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Japanese (ja)
Inventor
Hisao Yabe
久雄 矢部
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Olympus Corp
Original Assignee
Olympus Optical Co Ltd
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Publication date
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Publication of JPS6366964A publication Critical patent/JPS6366964A/en
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/02002Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Abstract

PURPOSE:To package a solid stage image sensing element in a small size by so providing at least part of a connecting member for electrically connecting a base side bonding pad provided on the front side of a base member to an external electrode provided on the rear side as to be overlapped on the rear surface of a solid state image sensing element chip. CONSTITUTION:A solid stage image sensing element chip 46 is secured to the front side of a base member 44, a bonding pad of the chip 46 is connected by a bonding wire 49 to a bonding pad 51 provided at the front side of the member 44, and an external electrode 31 provided at the rear side of the member 44 is conducted by a connecting member to the pad 51. In such a solid state image sensing element 17, at least part of the connecting member of the part directed toward the rear side of the member 44 from the chip 46 is formed to be overlapped on a part projected from the chip 46. For example, the pad 51 is connected to a copper foil 52, a plating layer 53 formed thereon, and a connecting member, such as a plating layer 55 of the part of a through hole 54 to a metal pin 31 as an external electrode.

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は小型にパッケージした固体撮像素子に関する。[Detailed description of the invention] [Industrial application field] The present invention relates to a solid-state image sensor packaged in a small size.

[従来の技術] 近年、電荷結合素子(COD)等の固体撮像索子を撮像
手段に用いた電子内視鏡が種々提案されている。
[Prior Art] In recent years, various electronic endoscopes using solid-state imaging devices such as charge-coupled devices (CODs) as imaging means have been proposed.

上記固体@像素子を体腔内に挿入される細径の先端部内
に実装する場合、できるだけ小型の固体搬像素子を用い
ることが望ましい。
When the above-mentioned solid-state image element is mounted in a narrow-diameter distal end portion inserted into a body cavity, it is desirable to use a solid-state image element as small as possible.

上記固体撮像素子はベース部材に固体撮像索子チップを
ダイボンディングした後、固体撮像素子チップ側のボン
ディングパッドと、ベース側のボンディングパッドとを
ワイヤボンディングし、その後樹脂等で封止していた。
In the solid-state imaging device, a solid-state imaging probe chip is die-bonded to a base member, a bonding pad on the solid-state imaging device chip side and a bonding pad on the base side are wire-bonded, and then sealed with a resin or the like.

又、このベース部材には固体撮像素子を、他の電子部品
とかPC板とか信号線と接続するための外部電極が設け
てあり、ベース側ボンディングパッドと外部z Kとは
導通させである。
Further, this base member is provided with an external electrode for connecting the solid-state image sensor to other electronic components, a PC board, or a signal line, and the base-side bonding pad and the external zK are electrically connected.

上記ベース側ボンディングパッド及び外部電極の数は、
最も少ないものでは6個のものがあるが、これは単相駆
動方式の白黒搬像用固体撮像素子で、あり、一般の4相
駆vJ方式のものでは14個ないし20個、若しくはそ
れ以上である。
The number of base side bonding pads and external electrodes is as follows:
The least number of devices is 6, but this is a solid-state image sensor for black and white image conveyance using a single-phase drive method, and a general 4-phase drive VJ method has 14 to 20 or more. be.

そこで、固体撮像素子を小型化するには、画素寸法を小
型化することが望ましいことは勿論であるが、ベース側
ボンディングパッド及び外側電極をいかに小さく形成す
ることとか、いかにスペースの無駄を少なくして効率良
く利用するかが重要である。
Therefore, in order to miniaturize a solid-state image sensor, it is of course desirable to reduce the pixel size, but it is also important to consider how small the base bonding pad and outer electrode can be made, and how to minimize wasted space. It is important to use them efficiently.

[発明が解決しようとする問題点] 従来のリードフレーム方式とかチップキャリア方式のパ
ッケージ方法を用いたものにあっては、ベース側ボンデ
ィングパッドのピッチが狭くても0.6履程度と大きく
、それだけで固体撮像素子のパッケージが大きくなって
しまうという欠陥があった。
[Problems to be Solved by the Invention] In products using the conventional lead frame method or chip carrier method packaging method, the pitch of the base side bonding pads is as large as 0.6 pitch even if it is narrow; However, there was a drawback in that the package for the solid-state image sensor became larger.

しかも固体撮像素子をベース部材に取付けた状態では、
固体撮像素子上方から見た場合、固体撮像素子チップが
取付けられる周囲部分で、ベースの表側のボンディング
パッドとベース裏側の外部電極とを連結部材で結んでい
たので、固体撮像素子を取付けたパッケージは非常に大
きくなってしまうという欠点があった。
Moreover, when the solid-state image sensor is attached to the base member,
When viewed from above the solid-state image sensor, the bonding pad on the front side of the base and the external electrode on the back side of the base are connected by a connecting member in the area around where the solid-state image sensor chip is attached, so the package with the solid-state image sensor attached is The drawback was that it became very large.

例えば、このようにパッケージされた固体搬像素子を内
視鏡の先端部内に組込むような場合、先端部が太くなり
挿入等の際患者に大きな苦痛を強いることになる。
For example, when a solid-state imaging device packaged in this manner is incorporated into the distal end of an endoscope, the distal end becomes thick and causes great pain to the patient during insertion.

本発明は上述した点にかんがみてなされたもので、小型
にパッケージすることのできる固体撮像素子を提供する
ことを目的とする。
The present invention has been made in view of the above-mentioned points, and an object of the present invention is to provide a solid-state image sensor that can be packaged in a small size.

[問題点を解決する手段及び作用] 本発明ではベース部材の表側に設けたベース側ボンディ
ングパッドと、裏側に設けた外部電極との間を、連結部
材で電気的に接続した固体撮像素子において、連結部材
の少なくとも一部を固体撮像素子チップの裏に重なるよ
うに設けることによって、パッケージ全体を小型化して
いる。
[Means and effects for solving the problem] The present invention provides a solid-state imaging device in which a base-side bonding pad provided on the front side of a base member and an external electrode provided on the back side are electrically connected by a connecting member. By providing at least a portion of the connecting member so as to overlap the back of the solid-state image sensor chip, the entire package is miniaturized.

[実施例] 以下、図面を参照して本発明を具体的に説明する。[Example] Hereinafter, the present invention will be specifically described with reference to the drawings.

第1図ないし第5図は本発明の第1実施例に係り、第1
図は第1実施例の固体撮像素子を示す第2図のA−A’
線拡大断面図、第2図は電子内視鏡の先端側における固
体撮像素子周辺を示す断面図、第3図は第2図のB−B
’線断面図、第4図は第2図のc−c’線拡大断面図、
第5図は電子内?J2 iffを示す側面図である。
FIGS. 1 to 5 relate to the first embodiment of the present invention.
The figure shows the solid-state image sensing device of the first embodiment.
Figure 2 is a cross-sectional view showing the vicinity of the solid-state image sensor on the distal end side of the electronic endoscope, and Figure 3 is a line enlarged cross-sectional view taken along line B-B in Figure 2.
Figure 4 is an enlarged cross-sectional view taken along line c-c' in Figure 2.
Is Figure 5 inside the electron? FIG. 3 is a side view showing J2 if.

第5図に示すように、電子内視鏡1は、細長で例えば可
撓性の挿入部2の後端に大径の操作部3が連設されてい
る。前記操作部3の後端にはコネクタ受け4が設けられ
、このコネクタ受け4に装着されるコネクタ5を有する
ケーブル6を介して、前記操作部3と、光源装置及び映
像信号処理回路が内蔵された制御装置7とが接続される
ようになっている。さらに、前記制御装置7には、表示
手段としてのカラーモニタ8が接続されるようになって
いる。
As shown in FIG. 5, the electronic endoscope 1 has a large-diameter operating section 3 connected to the rear end of an elongated, for example, flexible insertion section 2. As shown in FIG. A connector receiver 4 is provided at the rear end of the operating section 3, and the operating section 3, a light source device, and a video signal processing circuit are connected via a cable 6 having a connector 5 attached to the connector receiver 4. A control device 7 is connected thereto. Furthermore, a color monitor 8 as a display means is connected to the control device 7.

前記挿入部2の先端側には、硬性の先端部9及びこの先
端部9に隣接する後方側に湾曲可能な湾曲部11が順次
設【プられている。また、前記操作部3に設けられた湾
曲操作ノブ12を回動操作することによって、前記湾曲
部11を左右方向あるいは上下方向に湾曲ぐきるように
なっている。また、前記操作部3には、前記挿入部2内
に設けられた鉗子チャンネルに連通ずる挿入口13が設
けられている。
On the distal end side of the insertion portion 2, a rigid distal end portion 9 and a bendable portion 11 adjacent to the distal end portion 9 and capable of bending toward the rear side are sequentially provided. Further, by rotating a bending operation knob 12 provided on the operating section 3, the bending section 11 can be bent in the left-right direction or in the up-down direction. Further, the operation section 3 is provided with an insertion port 13 that communicates with a forceps channel provided in the insertion section 2.

前記先端部9は、第3図に示すように構成されている。The tip portion 9 is constructed as shown in FIG.

上記先端部9は、硬性の絶縁部材からなり透孔が形成さ
れた略円柱状の先端構成部材15と、この先端構成部材
15の後端側に固着した硬性の円筒枠16とを設けて例
えば8.511mの内径の収納部を形成し、この収納部
内に第1実施例の固体搬像素子17とか対物レンズ系1
8等を収納している。
The distal end portion 9 includes a substantially cylindrical distal end component 15 made of a hard insulating material and in which a through hole is formed, and a rigid cylindrical frame 16 fixed to the rear end side of the distal end component 15, for example. A storage section with an inner diameter of 8.511 m is formed, and the solid-state image carrier 17 of the first embodiment and the objective lens system 1 are placed in this storage section.
It stores 8th grade.

上記先端構成部材15の中心よりも、例えば第3図では
上部側(第2図では左側)に偏心した位置に、先端部9
の軸方向に向けて透孔を形成し、この透孔に、対物レン
ズ系18が取付けられたレンズ枠19が固着されている
。このレンズ枠19の後端には固体搬像素子支持枠21
が固着され、この支持枠21の内側に固体撮像素子17
が取付けられている。
The tip 9 is located at a position eccentric to the upper side in FIG. 3 (to the left in FIG. 2) than the center of the tip component 15.
A through hole is formed in the axial direction, and a lens frame 19 to which an objective lens system 18 is attached is fixed to this through hole. At the rear end of this lens frame 19 is a solid-state image element support frame 21.
is fixed, and a solid-state image sensor 17 is mounted inside this support frame 21.
is installed.

又、上記対物レンズ系18に隣接して形成した透孔にパ
イプ22を固着し、このバイブ22の後端側には可撓性
チューブ23の前端を固着し、これらの中空部で鉗子チ
ャンネル24が形成されている。
Further, a pipe 22 is fixed to a through hole formed adjacent to the objective lens system 18, and a front end of a flexible tube 23 is fixed to the rear end side of the vibrator 22, and the forceps channel 24 is fixed in the hollow part of the pipe 22. is formed.

上記先端構成部材15の外周及びこの後端側に固着され
た円筒枠16の外周は絶縁ゴム等のカバーチューブ25
で被覆され例えば外径が101nIRにされている。こ
の円筒枠16のMJMには180゜対向する位置に枢支
部を形成して湾曲部11を形成する関節駒26が湾曲自
在に取付けられている。
The outer periphery of the tip component 15 and the outer periphery of the cylindrical frame 16 fixed to the rear end side are covered by a cover tube 25 made of insulating rubber or the like.
For example, the outer diameter is 101nIR. A joint piece 26 that forms a pivot portion and forms a curved portion 11 is attached to the MJM of the cylindrical frame 16 so as to be freely curved at a position 180° opposite to the joint piece 26 .

上記支持部材21の内側に固定された正方形−!〈固体
撮像素子17の尖面側には外部電極としての金属ビン3
1.31.・・・、31が突設され、これら金属ビン3
1,31.・・・、31の複数本には該金属ビン31.
31が貫通する透孔を設けた回路基板32が取付けてあ
り、この回路籾板32にはプリアンプとか固体R機素子
17に信号の読出しを行うドライバ回路素子等が取付け
である。
A square fixed inside the support member 21 -! <On the peak side of the solid-state image sensor 17, there is a metal bottle 3 as an external electrode.
1.31. ..., 31 are provided protrudingly, and these metal bottles 3
1,31. . . , 31, the metal bottles 31.
A circuit board 32 with a through hole 31 passing through is mounted thereon, and a preamplifier, a driver circuit element for reading out signals from the solid state R element 17, etc. are mounted on this circuit board 32.

上記各金属ビン31は、束シールド線33の各信号線3
4等と半田付は等で接続されている。尚、この東シール
ド線33は、その前端近くの部分が束シールド線支持部
材35の透孔内壁に半田付け36で固着され、この東シ
ールド線支持部材35は円筒枠21の後端にねじ等で固
定しである。
Each of the metal bins 31 corresponds to each signal line 3 of the bundle shielded wire 33.
4th grade and soldered are connected with etc. A portion near the front end of the east shield wire 33 is fixed to the inner wall of the through hole of the bundle shield wire support member 35 by soldering 36, and the east shield wire support member 35 is fixed to the rear end of the cylindrical frame 21 with a screw or the like. It is fixed.

尚、第2図に示すように円筒枠21内において、左右に
配設した固体撮像素子17と鉗子チャンネル24の上部
側及び下部側にライトガイド38゜38を配設しである
。又、固体撮像素子17の上部側には送気・送水チIF
ンネル39が形成しである。
As shown in FIG. 2, within the cylindrical frame 21, light guides 38.degree. 38 are disposed above and below the solid-state imaging device 17 and the forceps channel 24 disposed on the left and right sides. In addition, an air/water supply channel IF is provided on the upper side of the solid-state image sensor 17.
A channel 39 is formed.

ところで、第1実施例の固体撮像素子17は、第1図に
示すような構造になっている。
By the way, the solid-state image sensor 17 of the first embodiment has a structure as shown in FIG.

基材41、この基材41の上面(表面)に固着された絶
縁層42、この絶縁層42の上面にさらに固着された絶
縁層43の3層でベース部材44を形成し、最上面の絶
縁FA43の上面には金合金を印刷してヘッダ45が設
けられ、このヘッダ45の上面には例えば3.4NRX
3.2mmの寸法の固体撮像素子チップ46が固着しで
ある。上記基材41は、ガラスエポキシ樹脂又はセラミ
ックの材質で形成される。又、絶縁層42.43も樹脂
又はセラミックの材質で形成される。上記ヘッダ45は
固体撮像素子チップ46をダイボンディングするステー
ジとなっている。
The base member 44 is formed of three layers: a base material 41, an insulating layer 42 fixed to the upper surface (surface) of this base material 41, and an insulating layer 43 further fixed to the upper surface of this insulating layer 42. A header 45 is provided on the top surface of the FA43 by printing gold alloy, and on the top surface of this header 45, for example, 3.4NRX
A solid-state image sensor chip 46 with a size of 3.2 mm is fixed. The base material 41 is made of glass epoxy resin or ceramic material. Further, the insulating layers 42 and 43 are also made of resin or ceramic material. The header 45 serves as a stage for die-bonding a solid-state image sensor chip 46.

上記固体撮像素子チップ46は、第2図に示すように周
辺を除く中央部に、2.811111X2.8Mの正方
形状のイメージエリア47が形成され、このイメージエ
リア47周辺における若干広くした一辺にはチップ側ボ
ンディングパッド48が例えば14個設けである。尚、
上記イメージエリア47は、水平及び垂直方向の画素数
が、384X384の画素数、つまり全体で約15万画
素からなる。
As shown in FIG. 2, in the solid-state image sensor chip 46, a square image area 47 of 2.811111 x 2.8M is formed in the center excluding the periphery. For example, fourteen chip-side bonding pads 48 are provided. still,
The image area 47 has 384×384 pixels in the horizontal and vertical directions, that is, approximately 150,000 pixels in total.

上記固体撮像素子デツプ46は、4相駆動力式のフィー
ルド蓄積型インターラインCODが用いてあり、このイ
メージエリア47上面にはモ警アイク状等のカラーフィ
ルタ(図示路)が取付けである。
The solid-state image pickup device depth 46 uses a four-phase driving force type field accumulation type interline COD, and a color filter (as shown) in the shape of a mirror is attached to the upper surface of this image area 47.

上記各チップ側ボンディングパッド48は、その寸法は
例えば0.11MR×0.11mで、ビッヂは0.2m
にしてあり、各チップ側ボンディングパッド48はボン
ディングワイヤ49によって、ベース側ボンディングパ
ッド51に接続されている。
The dimensions of each chip-side bonding pad 48 are, for example, 0.11MR x 0.11m, and the pad is 0.2m.
Each chip-side bonding pad 48 is connected to a base-side bonding pad 51 by a bonding wire 49.

このボンディングワイヤ49は、例えば25μの金線又
はアルミ線を用いている。
This bonding wire 49 uses, for example, a 25μ gold wire or aluminum wire.

上記ベース側ボンディングパッド51は、第1図又は第
4図に示づように銅箔52及び該銅箔52にメッキされ
たメツ−11ff153及びスルーホール54部分のメ
ッキ層55等の連結部材を介して外部電極としての金属
ビン31に接続されている。
As shown in FIG. 1 or 4, the base-side bonding pad 51 is connected via connecting members such as a copper foil 52, a metal plate 11ff 153 plated on the copper foil 52, and a plating layer 55 in the through hole 54 portion. and is connected to a metal bottle 31 as an external electrode.

上記14個のベース側ボンディングパッド51において
、その内10個は、その代表例が第1図に示しであるよ
うに固体撮像素子チップ4Gの裏側を通って、金属ビン
31に接続され、残りの4個はその代表例が第4図に示
しであるようにベース部材44の側面を通って金属ビン
31に接続される。尚、ベース側ボンディングパッド5
1の幅は0.15mmでピッチは0.25#である。
Of the 14 base-side bonding pads 51, 10 of them are connected to the metal bottle 31 through the back side of the solid-state image sensor chip 4G, as a typical example is shown in FIG. Four of them are connected to the metal bin 31 through the side surface of the base member 44, a typical example of which is shown in FIG. In addition, the base side bonding pad 5
1 has a width of 0.15 mm and a pitch of 0.25 #.

連結部材を形成する銅箔52は、接省剤56によって、
絶縁層42又は基材41に片面全部が接着されたものを
、フォトレジスト法等によって、不要部分が除去され、
第1図とか第4図に示すように所定の配線パターンに形
成しである。
The copper foil 52 forming the connecting member is coated with the contact agent 56.
An unnecessary portion is removed from the insulating layer 42 or the base material 41 with one side entirely adhered by a photoresist method, etc.
It is formed into a predetermined wiring pattern as shown in FIGS. 1 and 4.

しかして、この配線パターン化された銅箔52は、電気
銅メッキ後金メッキされたメッキ層53で被覆される。
The copper foil 52 with the wiring pattern is coated with a gold-plated plating layer 53 after electrolytic copper plating.

又、スルーホール54部分のメッキ層55は無電解銅メ
ッキによって形成され、その表面は、上記メッキ層53
で被覆される。このスルーホール54内のメッキ層55
の外径は例えば0.4φである。
Further, the plated layer 55 in the through hole 54 portion is formed by electroless copper plating, and its surface is similar to the plated layer 53 described above.
covered with. Plating layer 55 inside this through hole 54
The outer diameter is, for example, 0.4φ.

上記14本の金属ビン31のうち7木は回路基板32と
接続され、他の7本は束シールド線33の中の単線と直
接接続されている。この束シールド線33の他の単線及
びシールド線は回路基板32と接続されている。
Seven of the fourteen metal bottles 31 are connected to the circuit board 32, and the other seven are directly connected to the single wire in the bundled shielded wire 33. The other single wires and shielded wires of this bundle of shielded wires 33 are connected to the circuit board 32.

尚、上記金属ビン31はコバール等で形成され、例えば
0.3φの外径の金属棒でベース部材44の裏側の部分
のメッキFi453部分にろう付けされている。金属ビ
ン31.・・・、31は足の長いものと、短いものとが
形成して、例えば第3図に示すように回路基板32を取
付は易くしたり、均一の長さの場合よりも束シールド線
33の信号線34との接続を容易に行うことができるよ
うにしである。
The metal bottle 31 is made of Kovar or the like, and is brazed to the plated Fi453 portion on the back side of the base member 44 with a metal rod having an outer diameter of, for example, 0.3φ. Metal bottle 31. . . . , 31 is formed with long legs and short legs to make it easier to attach the circuit board 32 as shown in FIG. This allows for easy connection to the signal line 34.

尚、スルーホール54内のメッキ層53は、中空の円筒
状になっているが、円柱状に充填されていても良い。又
、スルーホール54の両端が閉塞されていても良いし、
第1図にも示されているように内部に空洞ができていて
も良い。ベース部材44の裏側においては、スルーホー
ル54がメッキ層53でうまり、スルーホール54の軸
上に金属ビン31のろう付はパッドを形成させた方が、
金属ビン31の位冒の自由度を増せるので都合が良い。
Although the plating layer 53 in the through hole 54 has a hollow cylindrical shape, it may be filled in a cylindrical shape. Further, both ends of the through hole 54 may be closed,
As shown in FIG. 1, a cavity may be formed inside. On the back side of the base member 44, the through hole 54 is filled with the plating layer 53, and it is better to form a pad for brazing the metal bottle 31 on the axis of the through hole 54.
This is convenient because the degree of freedom in moving the metal bottle 31 can be increased.

この第1実施例においては、第2図に示すようにベース
側ボンディングパッド51の幅に対しベース部材44の
側面の表面のみを通して金属ビン31に接続する場合に
は幅の広い配設パターン部分のため、ベース部材44の
側面の寸法を大きくしなければならないのに対し、第1
図に示すように固体撮像素子チップ46の裏側部分の配
設パターン部分及びスルーホール部分を通して、金属ビ
ン31に接続する手段も設けているので、ベース部材4
4の寸法を小型化できる。又、配設パターン部は、積層
化した絶縁層42及び絶縁層43に設けることによって
立体的に配設できるため、小型のベース部材44で配線
できる。さらに、金属ビン31を、固体撮像素子チップ
46の裏側に対向して設けることによっても固体Wi像
素子を小型化できる。
In this first embodiment, as shown in FIG. 2, when connecting to the metal bottle 31 through only the side surface of the base member 44, the width of the arrangement pattern portion is wide compared to the width of the base-side bonding pad 51. Therefore, the dimensions of the side surfaces of the base member 44 must be increased;
As shown in the figure, means for connecting to the metal bottle 31 through the arrangement pattern portion and through-hole portion on the back side of the solid-state image sensor chip 46 is also provided.
4 can be reduced in size. Further, since the arrangement pattern portion can be arranged three-dimensionally by providing it on the laminated insulating layer 42 and insulating layer 43, wiring can be performed using a small base member 44. Furthermore, the solid-state Wi image device can also be miniaturized by providing the metal bottle 31 opposite to the back side of the solid-state image sensor chip 46.

上記ボンディングワイヤ49を取付けた後の固体搬像素
子チップ46の表面側はエポキシ樹脂等の透光性樹脂6
1で封止されている。この透光性樹脂61の前面にはカ
バーガラス62が取付けである。
After the bonding wire 49 is attached, the surface side of the solid-state image element chip 46 is covered with a transparent resin 6 such as epoxy resin.
1 is sealed. A cover glass 62 is attached to the front surface of this translucent resin 61.

このように構成された電子内視鏡1においては、固体撮
像素子チップ46をパッケージした固体撮像素子17が
小型化して形成しである。つまり、固体撮像素子チップ
46をヘッダ45を介してベース部材44にダイボンデ
ィングし、ボンディングワイヤ49によってチップ側ボ
ンディングパッド48とベース側ボンディングパッド5
1を接続している。しかして、このベース側ボンディン
グパッド51と、ベース部材44の裏面側に設けた外部
電極としての金属ビン31とを電気的に導通さゼる連続
部材を、ベース部材44の側面に沿って導通させるもの
の他に、ベース部材44を多層化して多層化した配線パ
ターンで立体的に4通すると共に、この配線パターンの
大部分を固体R像素子チップ46の裏面側部分に形成す
ることによって、小型化している。
In the electronic endoscope 1 configured in this manner, the solid-state image sensor 17, which is a package of the solid-state image sensor chip 46, is formed in a smaller size. That is, the solid-state image sensor chip 46 is die-bonded to the base member 44 via the header 45, and the bonding pad 48 on the chip side and the bonding pad 5 on the base side
1 is connected. Thus, a continuous member that electrically connects this base-side bonding pad 51 and the metal bottle 31 as an external electrode provided on the back side of the base member 44 is brought into conduction along the side surface of the base member 44. In addition, the base member 44 is made multilayered to form four three-dimensional wiring patterns, and most of the wiring patterns are formed on the back side of the solid-state R image element chip 46, thereby reducing the size. ing.

例えば、第1実施例の固体撮像素子17はパッケージサ
イズが4.5s*X3.8m+と、非常にコンパクトに
なっている。従って、内視鏡の先端部に第1実施例を収
納して電子内視鏡1を形成した場合、先端部9の寸法を
小型化でき、挿入の際に患者に与える苦痛を大幅に軽減
できる。又、小さい挿入箇所に対しても挿入できるよう
になるため、使用範囲を拡大できる。
For example, the solid-state image sensor 17 of the first embodiment has a package size of 4.5 s*×3.8 m+, which is very compact. Therefore, when the electronic endoscope 1 is formed by storing the first embodiment in the distal end of the endoscope, the dimensions of the distal end 9 can be reduced, and the pain caused to the patient during insertion can be significantly reduced. . Furthermore, since the device can be inserted into small insertion points, the range of use can be expanded.

尚、上記第1実施例において、カバーガラス62等の透
光性ガラスが取付けであるが、赤外カットフィルタ又は
モアレ防止フィルタであっても良い。
In the first embodiment, a light-transmitting glass such as the cover glass 62 is attached, but an infrared cut filter or a moire prevention filter may be used.

又、金属ビン31は、ベース部材44の裏面側のメッキ
層53部分にろう付けしであるが、ベース部材44の裏
面に金合金を印刷(メタライズ)し、その上にろう付け
しても良い。
Further, the metal bottle 31 is brazed to the plated layer 53 on the back side of the base member 44, but it is also possible to print (metallize) a gold alloy on the back side of the base member 44 and braze it thereon. .

第6図は本発明の第2実施例の固体撮像素子71の断面
図を示す。
FIG. 6 shows a sectional view of a solid-state imaging device 71 according to a second embodiment of the present invention.

この第2実施例においても、基材41、この基材41の
上面の絶縁層42、この絶縁層42の上面の絶縁層43
でベース部材44を形成しである。
Also in this second embodiment, a base material 41, an insulating layer 42 on the upper surface of this base material 41, an insulating layer 43 on the upper surface of this insulating layer 42,
The base member 44 is then formed.

しかして、この絶1143の上面に形成したヘッダ45
の上面に、固体iIs!素子チップ46が取付けられて
いる。この固体撮像素子チップ46のイメージエリアが
形成された表面にはカラーフィルタアレイ72が取付け
られ、このカラーフィルタアレイ72の前面はカバーガ
ラス62で保護される。
Therefore, the header 45 formed on the top surface of this cutout 1143
On the top surface of the solid iIs! An element chip 46 is attached. A color filter array 72 is attached to the surface of the solid-state image sensor chip 46 on which the image area is formed, and the front surface of the color filter array 72 is protected by a cover glass 62.

ところでこの実施例゛Cは、フォトレジスト法ににって
配線パターンを形成しないで、印刷成形で配線パターン
を形成している。
By the way, in this embodiment C, the wiring pattern is not formed by a photoresist method, but is formed by printing molding.

基材41には裏側に向けて外部電極としての金属ビン7
3が埋設されている。又、この基材41の表面には金合
金による導体74aが印刷成形され、この導体74aが
印刷成形後に絶縁F、!!i 42が所定形状に形成さ
れる。その後、さらに印刷成形によって金合金による導
体74bが形成される。
The base material 41 has a metal bottle 7 as an external electrode facing toward the back side.
3 are buried. Further, a conductor 74a made of a gold alloy is printed and molded on the surface of this base material 41, and this conductor 74a is insulated F,! after being printed and molded. ! i 42 is formed into a predetermined shape. Thereafter, a conductor 74b made of a gold alloy is further formed by printing.

さらにこの印刷成形後に絶縁層43が所定パターンで積
層される。この絶縁層43の上面にヘッダ45が貼着さ
れると共に、上記導体74bに導通し、その上面がベー
ス側ボンディングパッド75となる導体74cが印刷成
形される。この導体74Cはヘッダ45の上面と面一と
なるような厚さで形成される。しかして、ヘッダ45及
び導体74Cが形成されてない部分は、さらに絶縁層7
6が形成される。
Further, after this printing, an insulating layer 43 is laminated in a predetermined pattern. A header 45 is attached to the upper surface of this insulating layer 43, and a conductor 74c is printed and formed to be electrically connected to the conductor 74b and whose upper surface becomes the base-side bonding pad 75. This conductor 74C is formed to have a thickness so that it is flush with the top surface of the header 45. Therefore, the portion where the header 45 and the conductor 74C are not formed is further covered with the insulating layer 7.
6 is formed.

上記ヘッダ45の上面にダイボンディングされた固体撮
像素子チップ46におけるチップ側ボンディングパッド
は、ボンディングワイヤ49によって、ベース側ボンデ
ィングパッド75と接続される。このボンディングワイ
ヤ49を取付けた凹部の空間部分等固体撮像デフ146
周囲は、樹脂77で封止されている。
The chip-side bonding pads of the solid-state image sensor chip 46 die-bonded to the upper surface of the header 45 are connected to the base-side bonding pads 75 by bonding wires 49 . Solid-state imaging differential 146 such as the space of the recess where this bonding wire 49 is attached
The periphery is sealed with resin 77.

尚、上記第2実施例では、外部電極を、全て金属ビン7
3としないで、例えば第1図における東シールドll1
33の信号線34と直接接続される部分に対しては該信
号線34の中心導体34aを挿入して半田付は等で接続
できる凹部状ランド78を形成しである。このランド7
8は他の導体748等と同様に金合金の導体74dを印
刷成形して設けである。
In the second embodiment, all the external electrodes are made of metal bottles 7.
3, for example, the east shield ll1 in Figure 1.
33 is directly connected to the signal line 34, a recessed land 78 is formed into which the center conductor 34a of the signal line 34 can be inserted and connected by soldering or the like. this land 7
8 is a gold alloy conductor 74d which is printed and formed like the other conductors 748 and the like.

この第2実施例によれば印刷成形によって、ベース側ボ
ンディングパッド75と外部電極とを電気的に接続する
連結部材を形成できるので、製造工程を単純化でき、又
短時門に製造できる。
According to the second embodiment, the connecting member that electrically connects the base-side bonding pad 75 and the external electrode can be formed by printing, so that the manufacturing process can be simplified and the manufacturing process can be shortened.

小型化できることについては上記第1実施例と同様であ
る。
The ability to reduce the size is the same as in the first embodiment.

尚、上記第2実施例において、ランド78に導体34a
又は被覆された信号tiA34 等を取付けて金属ビン
73と共に外部TX極を形成する構造にしても良い。
Note that in the second embodiment, the conductor 34a is attached to the land 78.
Alternatively, a structure may be adopted in which a coated signal tiA34 or the like is attached to form an external TX pole together with the metal bottle 73.

第7図は本発明の第3実旅例の固体撮像素子81を示す
FIG. 7 shows a solid-state image sensor 81 according to a third practical example of the present invention.

この実施例は、マルチワイヤ法を用いている。This embodiment uses a multi-wire method.

ベース部材82を形成する基材41の上面及び下面には
絶縁被覆ワイヤ83.・・・、83を埋め込んだ固体樹
脂層84.85が設けである。
Insulated coated wires 83. ..., 83 are embedded in solid resin layers 84, 85.

上記各絶縁被覆ワイヤ83は、銅1183Aをポリイミ
ド等の絶縁性被183Bで絶縁被覆されており、この絶
縁被覆ワイヤ83は、!H′A41の板面と平行方向に
配設したものとか、基材41の厚み方向に配設したりし
、周囲を固体樹脂層84゜85で固体されたり、被強樹
脂86T:固定されている。
Each of the insulated wires 83 has copper 1183A coated with an insulating sheath 183B such as polyimide. It can be placed parallel to the plate surface of H'A41, or it can be placed in the thickness direction of the base material 41, and the surrounding area can be solidified with a solid resin layer 84°85, or reinforced resin 86T: fixed. There is.

又、上記絶縁被覆ワイヤ83は、基材41を貫通するス
ルーボール54のメッキ層55とぎ)通させることによ
って、オーバーレイ87の上面に接石剤56を介して取
付けたメッキ部88とV通させである。隣接するメッキ
部88.88の間にメツキレシスト89が形成しである
。上記メッキ部88は、固体搬像素子チップ46のチッ
プ側ボンディングパッドに近接する端部(第7図では右
側端部)側に延設され、その上部に導体74を印刷成形
等で設け、この導体74の露出するベース側ボンディン
グパッド部分にボンディングワイヤ49の一端が取付け
られる。導体74におけるベース側ボンディングパッド
部分以外の部分は絶縁層43で覆われ、この絶縁層43
の上面にヘッダ45を介して固体撮像素子チップ46が
ダイボンディングされでいる。
In addition, the insulating coated wire 83 is passed through the plated portion 88 attached to the upper surface of the overlay 87 via the contact agent 56 by passing through the plated layer 55 of the through ball 54 that penetrates the base material 41. It is. A plating resist 89 is formed between adjacent plating parts 88 and 88. The plated portion 88 extends to the end (the right end in FIG. 7) of the solid-state image element chip 46 close to the chip-side bonding pad, and a conductor 74 is provided on the top thereof by printing molding or the like. One end of the bonding wire 49 is attached to the exposed base-side bonding pad portion of the conductor 74. The portion of the conductor 74 other than the base side bonding pad portion is covered with an insulating layer 43.
A solid-state image sensor chip 46 is die-bonded to the top surface of the device via a header 45.

この実施例では絶縁被覆ワイヤ83を連結部材の一部の
機能と、固体撮像素子81の裏面側に突出する外部電極
としての機能とを兼ねるようにしてあり、実面側に突出
する端部は他の電子部品とかPC板とか束シールド線に
接続される。上記絶縁被覆ワイヤ83における銅線83
Aは例えば0゜15φのものを用いることができる。
In this embodiment, the insulated wire 83 serves both as a part of the connecting member and as an external electrode protruding to the back side of the solid-state image sensor 81, and the end part protruding to the real side is Connected to other electronic components, PC boards, and bundled shielded wires. Copper wire 83 in the insulation coated wire 83
A can be used, for example, with a diameter of 0° and 15φ.

尚、基材41の下側の固体樹脂層85の下面(裏面)に
もメツキレシスト89が設けである。
Note that a mesh resist 89 is also provided on the lower surface (back surface) of the solid resin layer 85 on the lower side of the base material 41.

その他は上記第2実施例とtよぼ同様の構成である。The rest of the structure is almost the same as that of the second embodiment.

第8図は本発明の第4実施例の固体搬像素子91を示ず
FIG. 8 does not show the solid state image carrier 91 of the fourth embodiment of the present invention.

この第4実施例では、フレキシブルプリント基板92を
用いてベース側ボンディングバッ1593及び連結部材
さらに外部電極を形成している。
In this fourth embodiment, a flexible printed circuit board 92 is used to form a base side bonding pad 1593, a connecting member, and an external electrode.

上記フレキシブル基板92は、ベースフィルム94と、
このベースフィルム94の上面に接着剤95で金メッキ
された銅箔パターン96が取付けである。この銅箔パタ
ーン96は例えば短棚状に形成して銅箔パターン96面
側が絶縁層43の裏面に固着され、その際絶縁層43か
ら右側に突出する部分でベース側ボンディングパッド9
3が形成しである。
The flexible substrate 92 includes a base film 94,
A gold-plated copper foil pattern 96 is attached to the upper surface of this base film 94 using an adhesive 95. This copper foil pattern 96 is formed, for example, in the shape of a short shelf, and the surface side of the copper foil pattern 96 is fixed to the back surface of the insulating layer 43. At this time, the base-side bonding pad 9 is located at the part protruding from the insulating layer 43 to the right side.
3 is formed.

上記フレキシブルプリント基板92は途中で屈曲され、
その屈曲された一部を補強板97で補強すると共に、フ
レキシブルプリント基板92の裏面側も補強板98で補
強し、成形樹脂99で覆って固定している。
The flexible printed circuit board 92 is bent in the middle,
The bent part is reinforced with a reinforcing plate 97, and the back side of the flexible printed circuit board 92 is also reinforced with a reinforcing plate 98, and is fixed by being covered with molded resin 99.

この実施例は非常に簡単に小型の固体撮像素子91を形
成できる。
In this embodiment, a compact solid-state image sensor 91 can be formed very easily.

第9図は本発明の第5実施例を示す。FIG. 9 shows a fifth embodiment of the invention.

この実施例では、例えば第6図に示す第2実施例に類似
した構造のベース部材101をしている。
In this embodiment, a base member 101 has a structure similar to that of the second embodiment shown in FIG. 6, for example.

このベース部材101では、第6図のベース部材44に
おける基材41の裏面側に印刷成形等による導体102
を設け、この導体102でボンディングパッド103と
、該ボンディングパッド103と尋通する配線パターン
等を形成している。
In this base member 101, a conductor 102 is formed by printing or the like on the back side of the base material 41 in the base member 44 of FIG.
The conductor 102 forms a bonding pad 103 and a wiring pattern that communicates with the bonding pad 103.

又、この基材41の裏面には絶縁層104を設け、その
裏面に直接又は図示しないヘッダを設けて集積回路チッ
プ105が取付けである。この集積回路チップ105は
プレアンプとかドライブ回路等、固体搬像素子(チップ
)を動作させる際に必要となる回路を集積化したもので
ある。この集積回路デツプ105のボンディングパッド
はボンディングワイψ106によって上記ボンディング
パッド103部分に電気的接続がはかられている。
Further, an insulating layer 104 is provided on the back surface of this base material 41, and an integrated circuit chip 105 is attached to the back surface directly or by providing a header (not shown). This integrated circuit chip 105 is an integrated circuit that is necessary for operating a solid-state image device (chip), such as a preamplifier and a drive circuit. The bonding pad of this integrated circuit deep 105 is electrically connected to the bonding pad 103 portion by a bonding wire ψ106.

このボンディングパッド103は、上述した実施例のよ
うな連結手段を介して固体搬像素子チップ46とボンデ
ィングワイヤ49で接続されたベース側ボンディングパ
ッドと電気的に接続されたり、外部電極31に接続され
たりしている。
This bonding pad 103 is electrically connected to the base-side bonding pad connected to the solid-state image device chip 46 by the bonding wire 49 via a connecting means as in the embodiment described above, or is connected to the external electrode 31. I'm doing it.

尚、上記ボンディングワイヤ106が取付けられた集積
回路チップ105の周囲は樹脂107で封止されている
Incidentally, the periphery of the integrated circuit chip 105 to which the bonding wire 106 is attached is sealed with a resin 107.

この第5実施例では固体R像素子を動作させる場合、必
要となる周辺の回路部品も集積回路化して一体的に形成
しているため、小型化できる。
In this fifth embodiment, when operating the solid-state R image element, the peripheral circuit parts that are required are also integrally formed as integrated circuits, so that the size can be reduced.

[発明の効果] 以上述べたように本発明によればベース部材の表側に設
けたベース側ボンディングパッドと裏側に設けた外部電
極との間を連結部材で電気的に接続した固体R像素子に
おいて、連結部材の少なくとも一部を固体撮像素子チッ
プの裏に重なるように設けであるので、固体撮像素子を
小型にパッケージできる。
[Effects of the Invention] As described above, according to the present invention, in a solid-state R image element in which the base-side bonding pad provided on the front side of the base member and the external electrode provided on the back side are electrically connected by the connecting member. Since at least a portion of the connecting member is provided so as to overlap the back side of the solid-state image sensor chip, the solid-state image sensor can be packaged in a small size.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図ないし第5図は本発明の第1実施例に係り、第1
図は第1実施例の固体撮像素子を示す断面図、第2図は
第1実施例が形成された電子内視鏡の先端部を示す断面
図、第3図は第2図のB−B′線断面図、第4図は第2
図のc−c’線拡大断面図、第5図は電子内視鏡全体を
示す側面図、第6図は本発明の第2実施例を示す断面図
、第7図は本発明の第3実施例を示す断面図、第8図は
本発明の第4実施例を示す断面図、第9図は本発明の第
5実施例を示す断面図である。 1・・・電子内視鏡    9・・・先端部17・・・
固体撮像素子  31・・・金民ビン41・・・基材 
     42.43・・・絶縁層44・・・ベース部
材 4G・・・固体撮像素子チップ 49・・・ボンディングワイヤ 51・・・ベース側ボンディングパッド52・・・uA
箔      53.55・・・メッキ層54・・・ス
ルーホール  56・・・接着剤第4図 第5図 第7図
FIGS. 1 to 5 relate to the first embodiment of the present invention.
The figure is a sectional view showing the solid-state image sensor of the first embodiment, FIG. 2 is a sectional view showing the tip of an electronic endoscope in which the first embodiment is formed, and FIG. ' line cross-sectional view, Figure 4 is the 2nd
5 is a side view showing the entire electronic endoscope, FIG. 6 is a sectional view showing the second embodiment of the present invention, and FIG. 7 is a sectional view showing the third embodiment of the present invention. FIG. 8 is a cross-sectional view showing a fourth embodiment of the present invention, and FIG. 9 is a cross-sectional view showing a fifth embodiment of the present invention. 1... Electronic endoscope 9... Tip part 17...
Solid-state image sensor 31...Kinminbin 41...Base material
42.43... Insulating layer 44... Base member 4G... Solid-state image sensor chip 49... Bonding wire 51... Base side bonding pad 52... uA
Foil 53.55 Plating layer 54 Through hole 56 Adhesive Figure 4 Figure 5 Figure 7

Claims (1)

【特許請求の範囲】 ベース部材の表側に固体撮像素子チップを固定して設け
ると共に、固体撮像素子チップのボンディングパッドと
ベース部材の表側に設けたボンディングパッドとをボン
ディングワイヤにて接続すると共に、ベース部材の裏側
に設けた外部電極と、ベース側ボンディングパッドとを
連結部材にて導通させた固体撮像素子において、 固体撮像素子チップ側からベース部材の裏面側に向かう
部分の連結部材における少なくとも一部が、固体撮像素
子チップを投影した部分に重なるように形成したことを
特徴とする固体撮像素子。
[Claims] A solid-state image sensor chip is fixedly provided on the front side of the base member, and a bonding pad of the solid-state image sensor chip and a bonding pad provided on the front side of the base member are connected with a bonding wire, and In a solid-state imaging device in which an external electrode provided on the back side of the member and a base-side bonding pad are electrically connected by a connecting member, at least a portion of the connecting member from the solid-state imaging device chip side toward the back side of the base member A solid-state image sensor, characterized in that the solid-state image sensor chip is formed so as to overlap a projected portion.
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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1997023897A3 (en) * 1995-12-21 1997-08-21 Heidenhain Gmbh Dr Johannes Opto-electronic sensor component
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