JPS6366833A - 撮像管 - Google Patents
撮像管Info
- Publication number
- JPS6366833A JPS6366833A JP20949186A JP20949186A JPS6366833A JP S6366833 A JPS6366833 A JP S6366833A JP 20949186 A JP20949186 A JP 20949186A JP 20949186 A JP20949186 A JP 20949186A JP S6366833 A JPS6366833 A JP S6366833A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- stem
- getter
- electron gun
- barium
- increase
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 6
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- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
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Landscapes
- Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は電子管のゲッタ取付方法に係り、特に静電偏向
形撮像管に好適なバリウムゲッタ取付方法に関する。
形撮像管に好適なバリウムゲッタ取付方法に関する。
従来、静電偏向形撮像管(特開昭60−47351号公
報)のバリウムゲッタはステムの近い部分のステムピン
に直接取付けられていた。しかしゲッタフラッシュ時の
ステム歪の増加の点については配慮されていなかった。
報)のバリウムゲッタはステムの近い部分のステムピン
に直接取付けられていた。しかしゲッタフラッシュ時の
ステム歪の増加の点については配慮されていなかった。
上記従来例では、ゲッタフラッシュによるステム歪増加
の点について配慮がされておらず、ステム歪のばらつき
を考慮すると、ステムクラックの発生する可能性が高く
なるという問題があった。
の点について配慮がされておらず、ステム歪のばらつき
を考慮すると、ステムクラックの発生する可能性が高く
なるという問題があった。
本発明の目的はゲッタフラッシュによるステム歪増加を
低減させ、ステムクラックの可能性を減少することにあ
る。
低減させ、ステムクラックの可能性を減少することにあ
る。
上記問題点は、静電偏向形撮像管のバリウムゲッタを熱
伝導率の低い材料を介してステムピンに取付けることに
より解決される。
伝導率の低い材料を介してステムピンに取付けることに
より解決される。
バリウムゲッタが熱伝導率の低い材料を介してステムピ
ンに取付けられているので、ゲッタフラッシュ時ステム
ピンが強熱されることがなく、ステム歪の増加が低減で
きる。
ンに取付けられているので、ゲッタフラッシュ時ステム
ピンが強熱されることがなく、ステム歪の増加が低減で
きる。
以下、本発明の一実施例を第1図により説明する。第1
図は電磁集束静電偏・面形撮像管下部の要部断面図を示
す。電磁集束静電偏向形撮像管の電子銃部分はG 17
t G 28より成る下部電子銃20およびバルブ1
の内面に蒸着して形成される偏向電極9、およびこの偏
向電極9とこれにコンタクトを行なうためのコンタクト
スプリング6、ステム部分2より構成されている。ステ
ム2に植設されているステムピン3に、バリウムゲッタ
5が、熱伝導率の低い材料(例えばセラミック等)から
なるリングあるいは円板からなる熱絶縁材4を介してか
しめ等によりコネクタ10に取付けられ、このコネクタ
10はステムピンに溶接されている。
図は電磁集束静電偏・面形撮像管下部の要部断面図を示
す。電磁集束静電偏向形撮像管の電子銃部分はG 17
t G 28より成る下部電子銃20およびバルブ1
の内面に蒸着して形成される偏向電極9、およびこの偏
向電極9とこれにコンタクトを行なうためのコンタクト
スプリング6、ステム部分2より構成されている。ステ
ム2に植設されているステムピン3に、バリウムゲッタ
5が、熱伝導率の低い材料(例えばセラミック等)から
なるリングあるいは円板からなる熱絶縁材4を介してか
しめ等によりコネクタ10に取付けられ、このコネクタ
10はステムピンに溶接されている。
本発明によればバリウムゲッタのゲッタフラッシュ時、
ゲッタ5部分で発生した熱のステム2部分への伝遵が減
少するのでステム歪の増加が減少する効果がある。
ゲッタ5部分で発生した熱のステム2部分への伝遵が減
少するのでステム歪の増加が減少する効果がある。
本発明によれば、バリウムゲッタのゲッタフラッシュに
よるステム歪の増加を低減できるので、ステムクラック
防止の効果がある。
よるステム歪の増加を低減できるので、ステムクラック
防止の効果がある。
第1図は本発明の一実施例の要部断面図である。
1・・・バルブ、2・・・ステム、3・・・ステムピン
、4・・・熱絶縁材、5・・・バリウムゲッタ、6・・
・スプリング、7・・・01カツプ、8・・・02カツ
プ、9・・・偏向電極、10・・・コネクタ。 、・−”会。 代理人 弁理士 小 川 勝 男 (’:’H,”
、H:’:゛\、”−1′
、4・・・熱絶縁材、5・・・バリウムゲッタ、6・・
・スプリング、7・・・01カツプ、8・・・02カツ
プ、9・・・偏向電極、10・・・コネクタ。 、・−”会。 代理人 弁理士 小 川 勝 男 (’:’H,”
、H:’:゛\、”−1′
Claims (1)
- 1、バリウムゲッタを管内に備える撮像管において、バ
リウムゲッタとこれを固着する電子銃との接合部分に熱
伝導率の低い材料を介在させることを特徴とする撮像管
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20949186A JPS6366833A (ja) | 1986-09-08 | 1986-09-08 | 撮像管 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20949186A JPS6366833A (ja) | 1986-09-08 | 1986-09-08 | 撮像管 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6366833A true JPS6366833A (ja) | 1988-03-25 |
Family
ID=16573693
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP20949186A Pending JPS6366833A (ja) | 1986-09-08 | 1986-09-08 | 撮像管 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6366833A (ja) |
-
1986
- 1986-09-08 JP JP20949186A patent/JPS6366833A/ja active Pending
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