JPS6366453A - イオン濃度計 - Google Patents
イオン濃度計Info
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- JPS6366453A JPS6366453A JP61211863A JP21186386A JPS6366453A JP S6366453 A JPS6366453 A JP S6366453A JP 61211863 A JP61211863 A JP 61211863A JP 21186386 A JP21186386 A JP 21186386A JP S6366453 A JPS6366453 A JP S6366453A
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- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
この発明はイオン電極に関し、さらに詳しく言うと、た
とえばイオン濃度を正確に検出可能な小型のイオン電極
に関する。
とえばイオン濃度を正確に検出可能な小型のイオン電極
に関する。
[従来の技術およびその問題点]
従来、イオン電極として、様々なタイプのものがあるが
、その共通するところは、外部ケース内に電極を収納す
ると共に、イオン含有溶腋に接触する膜を前記外部ケー
スに設けてなることである。
、その共通するところは、外部ケース内に電極を収納す
ると共に、イオン含有溶腋に接触する膜を前記外部ケー
スに設けてなることである。
そして、ガラス電極にあっては、概括的に言うと、筒状
の外部ケース内に内部電極を収納すると共にこの外部ケ
ースの先端開口部にガラス薄膜を付設し、外部ケース内
には内部液を満たして構成されている。
の外部ケース内に内部電極を収納すると共にこの外部ケ
ースの先端開口部にガラス薄膜を付設し、外部ケース内
には内部液を満たして構成されている。
また、固体膜電極は、筒状の外部ケースの先端開口部に
感応膜を付設し、この感応膜に先端部が接触するように
この外部ケース内に内部電極を収納している。そして、
このような固体電極にあっては、外部ケース内に内部液
は満たされていない、また、他の形式の固体電極にあっ
ては、内部電極の先端部が感応膜に接触せず、外部ケー
ス内に内部液を充填している形式のものもある。
感応膜を付設し、この感応膜に先端部が接触するように
この外部ケース内に内部電極を収納している。そして、
このような固体電極にあっては、外部ケース内に内部液
は満たされていない、また、他の形式の固体電極にあっ
ては、内部電極の先端部が感応膜に接触せず、外部ケー
ス内に内部液を充填している形式のものもある。
液膜型電極にあっては、筒状の外部ケースの先端開口部
に多孔性膜を付設し、この多孔性膜に接して外部ケース
内にはイオン交換液を収納し、さらにこの外部ケース内
に内部液を充填する構成を有する。
に多孔性膜を付設し、この多孔性膜に接して外部ケース
内にはイオン交換液を収納し、さらにこの外部ケース内
に内部液を充填する構成を有する。
しかしながら、従来のこのようなMIJ成を有する各種
のイオン電極は、いずれも外部ケース内の内部電極とこ
のイオン電極を浸漬するのと同じ溶液に浸漬している比
較電極との間に発生する電位差でもって、溶液中のイオ
ン濃度を測定することをその基本原理としているから、
たとえば、測定系の入力インピーダンスが高いので、電
極と溶液との間のインピーダンスも高いときには、外部
からの電磁誘導による雑音の影響を受は易く、また。
のイオン電極は、いずれも外部ケース内の内部電極とこ
のイオン電極を浸漬するのと同じ溶液に浸漬している比
較電極との間に発生する電位差でもって、溶液中のイオ
ン濃度を測定することをその基本原理としているから、
たとえば、測定系の入力インピーダンスが高いので、電
極と溶液との間のインピーダンスも高いときには、外部
からの電磁誘導による雑音の影響を受は易く、また。
電極のコンタミネーションも著しいと言う欠点がある。
感応膜がこれとは別体の外部ケースあるいは支持容器に
付設された構造であるから、前記膜とケースあるいは容
器との膨張率の相違により、高温条件下での使用におい
て、前記膜が前記ケースなどから外れてしまう、また、
高圧条件下での使用においても、前記膜が前記ケースな
どから外れてしまう、さらに、前記ケース内に内部液を
収容するイオン電極にあっては、膜が外れることにより
内部液が漏出してしまうことになる。感応膜と外部ケー
スなどとが別体構造であることは、換言すると、内部液
を収容するイオン電極にあっては、内部液の密封状態の
維持の困難性を示している。
付設された構造であるから、前記膜とケースあるいは容
器との膨張率の相違により、高温条件下での使用におい
て、前記膜が前記ケースなどから外れてしまう、また、
高圧条件下での使用においても、前記膜が前記ケースな
どから外れてしまう、さらに、前記ケース内に内部液を
収容するイオン電極にあっては、膜が外れることにより
内部液が漏出してしまうことになる。感応膜と外部ケー
スなどとが別体構造であることは、換言すると、内部液
を収容するイオン電極にあっては、内部液の密封状態の
維持の困難性を示している。
[発明の目的コ
この発明は前記事情に基いてなされたものである。
すなわち、この発明の目的は、計測量が電位差ではなく
、電流量の測定により、イオン濃度を、正確に検出する
ことができる、小型で、かつ故障原因が少なく、耐熱性
および耐圧性に優れた構造のイオン電極を提供すること
である。
、電流量の測定により、イオン濃度を、正確に検出する
ことができる、小型で、かつ故障原因が少なく、耐熱性
および耐圧性に優れた構造のイオン電極を提供すること
である。
[前記目的を達成するための手段]
前記目的を達成するためのこの発明の概要は、第1図に
示すように、導電性材料lの表面に、電気化学的ドーピ
ングの可街な導電性高分子膜2を形成し、イオン電流を
発生可f砒にしてなることを特徴とするイオン電極3で
ある。
示すように、導電性材料lの表面に、電気化学的ドーピ
ングの可街な導電性高分子膜2を形成し、イオン電流を
発生可f砒にしてなることを特徴とするイオン電極3で
ある。
なお、第1図において、4で示すのは、導電性材料1を
支持する支持部材であり、5で示すのは前記導電性材料
lの末端部にハンダ6などで電気的に接続されたリード
線である。
支持する支持部材であり、5で示すのは前記導電性材料
lの末端部にハンダ6などで電気的に接続されたリード
線である。
前記導電性材料lとしては、たとえば、耐腐食性があり
、水の電気分解を誘発しない導電性の材料であれば、特
に制限がなく、たとえば、銀、白金、チタン、あるいは
グラフジ−カーボン、グラファイトなどの炭素材料など
が挙げられる。好ましい導電性材料は、白金および前記
炭素材料である。
、水の電気分解を誘発しない導電性の材料であれば、特
に制限がなく、たとえば、銀、白金、チタン、あるいは
グラフジ−カーボン、グラファイトなどの炭素材料など
が挙げられる。好ましい導電性材料は、白金および前記
炭素材料である。
前記導電性高分子膜2としては、ケミカルドーピングの
可律なたとえば導電性ポリマーが挙げられ、具体的には
、ポリアセチレン、ポリ(l、6−へブタジイン)、ポ
リアニリン、ポリピロール、ポリチェニレン、ポリ(パ
ラ−フェニレン)、ポリ(メタ−フェニレン)、ポリ(
パラ−フェニレンビニレン)、ポリパラ−フェニレンス
ルフィド)、ポリ(メタ−フェニレンスルイド)、ポリ
(パラ−フェニレンオキシド)およびこれらの誘導体な
どが挙げられる。
可律なたとえば導電性ポリマーが挙げられ、具体的には
、ポリアセチレン、ポリ(l、6−へブタジイン)、ポ
リアニリン、ポリピロール、ポリチェニレン、ポリ(パ
ラ−フェニレン)、ポリ(メタ−フェニレン)、ポリ(
パラ−フェニレンビニレン)、ポリパラ−フェニレンス
ルフィド)、ポリ(メタ−フェニレンスルイド)、ポリ
(パラ−フェニレンオキシド)およびこれらの誘導体な
どが挙げられる。
このような導電性ポリマーは、゛1シ解重合法により製
造することができる。電解重合法によると、重合と同時
に導電性材料Iの表面に高分子膜を形成することができ
、一旦生成した高分子膜を、接着剤により導電性材料l
の表面に接着する工程を省略することができる。また、
高分子膜の厚みを電気的に制御することができるし、任
意の厚みの均一な高分子膜を、任意の形状の導電性材料
1の表面に容易に形成することができる。さらに、重要
なこととして、電解溶液中のイオン種を適宜に選択する
ことによって、イオン濃度測定の際のイオン電流発生に
必要なイオン種を取り込むに必要な空間ないし空孔を備
えた高分子膜を形成することができる。このことは、電
解重合法により容易にイオン選択性を高分子膜に発現さ
せることができることを意味する。したがって、電解重
合法により得られる導電性高分子膜は、他の重合法によ
り得られる導電性高分子膜よりも好適と言える。
造することができる。電解重合法によると、重合と同時
に導電性材料Iの表面に高分子膜を形成することができ
、一旦生成した高分子膜を、接着剤により導電性材料l
の表面に接着する工程を省略することができる。また、
高分子膜の厚みを電気的に制御することができるし、任
意の厚みの均一な高分子膜を、任意の形状の導電性材料
1の表面に容易に形成することができる。さらに、重要
なこととして、電解溶液中のイオン種を適宜に選択する
ことによって、イオン濃度測定の際のイオン電流発生に
必要なイオン種を取り込むに必要な空間ないし空孔を備
えた高分子膜を形成することができる。このことは、電
解重合法により容易にイオン選択性を高分子膜に発現さ
せることができることを意味する。したがって、電解重
合法により得られる導電性高分子膜は、他の重合法によ
り得られる導電性高分子膜よりも好適と言える。
前述のように、このIJ3にわける導電性高分子膜は、
前記電解重合法により得られる導電性高分子膜が好まし
いのであるが、これに限らず、他の製造方法たとえば触
媒重合法によって得た導電性ポリマーを使用することも
できる。
前記電解重合法により得られる導電性高分子膜が好まし
いのであるが、これに限らず、他の製造方法たとえば触
媒重合法によって得た導電性ポリマーを使用することも
できる。
[作用]
このイオン電極は、次のようにして、イオン濃度の測定
をすることができる。
をすることができる。
第2図に示すように、溶液7中に、このイオン電極3と
参照電極8と対電極9とを浸漬し、このイオン電極3と
参照電極8と対電極9とを回路系lOたとえばポーラロ
グラフに接続する。そして、このイオン電極3の電位を
参照電極8に対してψ(1)とする、このとき、このψ
(1)を、たとえば第3図に示すような方形パルスにす
る。この方形パルスがイオン電極3に印加されると、イ
オン電極3では、導電性高分子膜中に溶液7中のイオン
がドーピングされ、イオン電極3、回路系10および対
電極9間にTF、流I(t)が流れる。このr (t)
は、方形パルスの立ち」−りの瞬Iffに大電流となっ
ているが、時間の経過と共に低誠し、はぼ一定値になる
。そこで方形パルスの立ち上りから一定時間における電
流値ISは、溶液7中のイオン濃度と対応関係にあるか
ら、予め電流値とイオン濃度との検量線を求めておくこ
とにより、溶液7中の未知のイオン濃度を、電流値Is
t−測定することにより、決定することができるので
ある。
参照電極8と対電極9とを浸漬し、このイオン電極3と
参照電極8と対電極9とを回路系lOたとえばポーラロ
グラフに接続する。そして、このイオン電極3の電位を
参照電極8に対してψ(1)とする、このとき、このψ
(1)を、たとえば第3図に示すような方形パルスにす
る。この方形パルスがイオン電極3に印加されると、イ
オン電極3では、導電性高分子膜中に溶液7中のイオン
がドーピングされ、イオン電極3、回路系10および対
電極9間にTF、流I(t)が流れる。このr (t)
は、方形パルスの立ち」−りの瞬Iffに大電流となっ
ているが、時間の経過と共に低誠し、はぼ一定値になる
。そこで方形パルスの立ち上りから一定時間における電
流値ISは、溶液7中のイオン濃度と対応関係にあるか
ら、予め電流値とイオン濃度との検量線を求めておくこ
とにより、溶液7中の未知のイオン濃度を、電流値Is
t−測定することにより、決定することができるので
ある。
このように、この51IIJlに係るイオン電極は、た
とえばパルス状の電圧の印加により導電性高分子膜に溶
液中のイオンがドーピングされること、そのドーピング
によりイオン電流が発生すること、そのイオン電流の値
は溶液中のイオン濃度に比例していることを利用するも
のである。なお、あらかじめ高分子膜を脱ドープさせる
酸化剤あるいは還元剤に浸漬し、導電性高分子膜を脱ド
ーピング状態にし、続いてドーピングが起る電位に設定
することによっても、イオン′¥L流を発生させること
ができる。
とえばパルス状の電圧の印加により導電性高分子膜に溶
液中のイオンがドーピングされること、そのドーピング
によりイオン電流が発生すること、そのイオン電流の値
は溶液中のイオン濃度に比例していることを利用するも
のである。なお、あらかじめ高分子膜を脱ドープさせる
酸化剤あるいは還元剤に浸漬し、導電性高分子膜を脱ド
ーピング状態にし、続いてドーピングが起る電位に設定
することによっても、イオン′¥L流を発生させること
ができる。
[実施例]
次にこの発明の一実施例を示す、なお、この発明はこの
実施例に限定されないことは言うまでもない。
実施例に限定されないことは言うまでもない。
第1図に示すように、導電性材料lたとえば。
0.5mmφX5.5mmの寸法を有する白金の表面に
、この白金を0.1MのピロールとQ、I Mの塩化ナ
トリウムとを含む水溶液に浸漬して電解重合することに
より、導電性高分子膜2として厚み約0.2 gmのポ
リピロール膜を形成する。なお、この電解重合のときの
電極電位はAg /Ag C見に対して+〇、8vであ
り、単位面積あたりの電気量は約70m C/ c r
n’である。このように、白金の表面にポリピロール膜
を形成すると共に前記白金の末端にリード線を接続して
なるこのイオン電極を食塩水溶液7aに浸漬する。
、この白金を0.1MのピロールとQ、I Mの塩化ナ
トリウムとを含む水溶液に浸漬して電解重合することに
より、導電性高分子膜2として厚み約0.2 gmのポ
リピロール膜を形成する。なお、この電解重合のときの
電極電位はAg /Ag C見に対して+〇、8vであ
り、単位面積あたりの電気量は約70m C/ c r
n’である。このように、白金の表面にポリピロール膜
を形成すると共に前記白金の末端にリード線を接続して
なるこのイオン電極を食塩水溶液7aに浸漬する。
この溶液7aには、参照電極8および対電極9をも浸漬
する。
する。
参照電極8は、たとえばAg/Ag C文電極であり、
対電極9は、たとえば、この発IIに係るイオン電極の
表面積の10倍の表面積をイ■するたとえば白金電極で
ある。このように対’C極9につき、大表面積とするの
は、この対電極での電流の流れが律速段階とならないよ
うにさせるためである。
対電極9は、たとえば、この発IIに係るイオン電極の
表面積の10倍の表面積をイ■するたとえば白金電極で
ある。このように対’C極9につき、大表面積とするの
は、この対電極での電流の流れが律速段階とならないよ
うにさせるためである。
第4図に示すように、イオン電極3.参照電極8および
対電極9はたとえばボテンシオスタ−/ )11に接続
され、ボテンシオスタフ)11とこのイオン電極3との
間には電流計12が接続される。このポテンシオスタッ
ト11はトリガー回路13に接続されていて、トリガー
回路13から出力されるトリガーにより、一定間隔で所
定時間巾の方形パルス電圧がイオン電極3と参照電極8
とに出力され、このイオン電極3と参照電極8との間に
、電位ψ(L)が生じるようになっている。ポテンシオ
スタット11の出力信号は、また遅延回路14に入力し
、一定の遅延をかけられて発生する遅延信号りは、サン
プルホールド回路!5に対するゲート信号として用いら
れる。このサンプルホールド回路15では、電流計12
より出力されるTLtIt信号I(t)から、前記遅延
信号りによりサンプル信号Sが切り出され、このサンプ
ル信号Sは演算回路16に出力される。vt算回路1B
は、このイオン電極3に発生し流れるイオン電流値とイ
オン濃度との既知の検量線を記憶しており、入力するサ
ンプル信号Sをこの記憶する検量線に当てはめて・イオ
ン濃度を算出する構成を有する。この演算回路16から
出力されるイオン濃度を示す信号は、出力型2!i17
たとえばCRTでイオン濃度値として出力9表示される
。
対電極9はたとえばボテンシオスタ−/ )11に接続
され、ボテンシオスタフ)11とこのイオン電極3との
間には電流計12が接続される。このポテンシオスタッ
ト11はトリガー回路13に接続されていて、トリガー
回路13から出力されるトリガーにより、一定間隔で所
定時間巾の方形パルス電圧がイオン電極3と参照電極8
とに出力され、このイオン電極3と参照電極8との間に
、電位ψ(L)が生じるようになっている。ポテンシオ
スタット11の出力信号は、また遅延回路14に入力し
、一定の遅延をかけられて発生する遅延信号りは、サン
プルホールド回路!5に対するゲート信号として用いら
れる。このサンプルホールド回路15では、電流計12
より出力されるTLtIt信号I(t)から、前記遅延
信号りによりサンプル信号Sが切り出され、このサンプ
ル信号Sは演算回路16に出力される。vt算回路1B
は、このイオン電極3に発生し流れるイオン電流値とイ
オン濃度との既知の検量線を記憶しており、入力するサ
ンプル信号Sをこの記憶する検量線に当てはめて・イオ
ン濃度を算出する構成を有する。この演算回路16から
出力されるイオン濃度を示す信号は、出力型2!i17
たとえばCRTでイオン濃度値として出力9表示される
。
以上構成のイオン濃度計にあっては、次の作用を有する
。
。
前記トリガー回路13からたとえば0.55ec(T)
毎にトリガーパルスをポテンシオスタット11に出力す
ることにより、このポテンシオスタット11から、参照
電極3に、たとえば、T=0.5sec 、 Tp =
50msec 、 Vp = 1.2 V (Vpl=
−0,8V、 Vp2=+0.4 V) (7)方形パ
ルスψ(t)を出力する。
毎にトリガーパルスをポテンシオスタット11に出力す
ることにより、このポテンシオスタット11から、参照
電極3に、たとえば、T=0.5sec 、 Tp =
50msec 、 Vp = 1.2 V (Vpl=
−0,8V、 Vp2=+0.4 V) (7)方形パ
ルスψ(t)を出力する。
このイオン電極3と参照電極8間に方形パルスψ(1)
が印加されると、このイオン電極3にイオン電流I(t
)が発生する。このイオン電流I (t)の発生は、溶
液7a中のたとえば塩素イオンがポリピロール膜中にド
ープされるからと推定される。
が印加されると、このイオン電極3にイオン電流I(t
)が発生する。このイオン電流I (t)の発生は、溶
液7a中のたとえば塩素イオンがポリピロール膜中にド
ープされるからと推定される。
また、方形パルス状の電圧を印加するのは、もし直流を
印加するのであれば、ポリピロール膜中にドープされる
塩素イオンの量に限界があり、全塩素イオンがドープさ
れてしまうと、イオン濃度のr4定がもはや行なえなく
なるなるからであると推定されるからである。
印加するのであれば、ポリピロール膜中にドープされる
塩素イオンの量に限界があり、全塩素イオンがドープさ
れてしまうと、イオン濃度のr4定がもはや行なえなく
なるなるからであると推定されるからである。
イオン電極3で発生するイオン電流I (t)は電流計
12で測定され、遅延回路13で遅延をかけられた遅延
信号りにより、遅延時間Td (たとえば30m5e
c )におけるイオン電流I (t)がサンプルホール
ド回路15でサンプリングされ、このイオン″:rL流
Isの値がサンプル信号Sとして演算回路16に出力さ
れ、演算回路1Bでは第5図に示すような検量線にした
がってイオン濃度が算出され、出力装置17からイオン
濃度がデータとして打ち出される。
12で測定され、遅延回路13で遅延をかけられた遅延
信号りにより、遅延時間Td (たとえば30m5e
c )におけるイオン電流I (t)がサンプルホール
ド回路15でサンプリングされ、このイオン″:rL流
Isの値がサンプル信号Sとして演算回路16に出力さ
れ、演算回路1Bでは第5図に示すような検量線にした
がってイオン濃度が算出され、出力装置17からイオン
濃度がデータとして打ち出される。
[発明の効果]
この発明に係るイオン電極は、たとえばパルス電圧の印
加により発生するイオン電流の針側によりイオン濃度の
測定を可能とするものであるから、測定系の入力インピ
ーダンスが低くなり、外部からの電磁誘導雑音による影
響を受は難くなり、また、導電性材料が導電性高分子膜
に被覆されているので、汚れによる界面電位変動の影響
が少なく、それだけ正確なイオン濃度の測定を可能にす
ることができる。
加により発生するイオン電流の針側によりイオン濃度の
測定を可能とするものであるから、測定系の入力インピ
ーダンスが低くなり、外部からの電磁誘導雑音による影
響を受は難くなり、また、導電性材料が導電性高分子膜
に被覆されているので、汚れによる界面電位変動の影響
が少なく、それだけ正確なイオン濃度の測定を可能にす
ることができる。
また、このイオン電極は、イオン感応膜と導電性材料と
が一体の構造となっているので、微小構造にすることが
できると共に耐圧性の向上を達成することができ、また
MIS FETなどとの組合せが可能になる。
が一体の構造となっているので、微小構造にすることが
できると共に耐圧性の向上を達成することができ、また
MIS FETなどとの組合せが可能になる。
このイオン電極において、パルス電圧の印加により発生
するイオン電流は、導電性高分子膜にドープ、脱ドープ
するイオン種の種類および量により決定される。そして
、このイオン種は、たとえば電解重合法により導電性高
分子膜を形成する際の支持電解質により決定されるから
、この支持電解質の選択により、測定しようとするイオ
ン種を自由に決定することができる。また、電解重合法
を採用すると、任意の形状の導電性材料に導電性高分子
膜を容易に形成することができる。
するイオン電流は、導電性高分子膜にドープ、脱ドープ
するイオン種の種類および量により決定される。そして
、このイオン種は、たとえば電解重合法により導電性高
分子膜を形成する際の支持電解質により決定されるから
、この支持電解質の選択により、測定しようとするイオ
ン種を自由に決定することができる。また、電解重合法
を採用すると、任意の形状の導電性材料に導電性高分子
膜を容易に形成することができる。
第1図はこの発明に係るイオン電極の構成を示す断面図
、第2図はこのイオン電極を使用してイオン濃度を測定
するイオン濃度計の原理を示す説明図、第3図はこのイ
オン電極に印加する電圧および発生するイオン電流を示
すタイムチャート、第4図はこの発明の一実施例である
イオン濃度系を示すブロック図、および第5図は検量線
を示すグラフ図である。 l・・曇導電性材料、2・・・導電性高分子膜、3φ・
・イオン電極。 第3図 第4図 第5図
、第2図はこのイオン電極を使用してイオン濃度を測定
するイオン濃度計の原理を示す説明図、第3図はこのイ
オン電極に印加する電圧および発生するイオン電流を示
すタイムチャート、第4図はこの発明の一実施例である
イオン濃度系を示すブロック図、および第5図は検量線
を示すグラフ図である。 l・・曇導電性材料、2・・・導電性高分子膜、3φ・
・イオン電極。 第3図 第4図 第5図
Claims (2)
- (1)導電性材料の表面に、電気化学的ドーピングが可
能な導電性高分子膜を形成し、イオン電流を発生可能に
してなることを特徴とするイオン電極。 - (2)前記イオン電流は、周期的な電圧の印加により発
生する前記特許請求の範囲第1項に記載のイオン電極。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61211863A JPS6366453A (ja) | 1986-09-09 | 1986-09-09 | イオン濃度計 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61211863A JPS6366453A (ja) | 1986-09-09 | 1986-09-09 | イオン濃度計 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6366453A true JPS6366453A (ja) | 1988-03-25 |
JPH0435706B2 JPH0435706B2 (ja) | 1992-06-11 |
Family
ID=16612855
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61211863A Granted JPS6366453A (ja) | 1986-09-09 | 1986-09-09 | イオン濃度計 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6366453A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009180704A (ja) * | 2008-02-01 | 2009-08-13 | Niigata Univ | ケミカルバイオセンサー |
JP2010122115A (ja) * | 2008-11-20 | 2010-06-03 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | バイオセンサおよび該バイオセンサの製造方法 |
CN104487832A (zh) * | 2012-07-24 | 2015-04-01 | 生命扫描苏格兰有限公司 | 用于说明葡萄糖生物传感器中的干扰物的系统和方法 |
WO2017150107A1 (ja) * | 2016-03-01 | 2017-09-08 | 国立大学法人静岡大学 | イオン濃度測定装置及びイオン濃度測定方法 |
-
1986
- 1986-09-09 JP JP61211863A patent/JPS6366453A/ja active Granted
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009180704A (ja) * | 2008-02-01 | 2009-08-13 | Niigata Univ | ケミカルバイオセンサー |
JP2010122115A (ja) * | 2008-11-20 | 2010-06-03 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | バイオセンサおよび該バイオセンサの製造方法 |
CN104487832A (zh) * | 2012-07-24 | 2015-04-01 | 生命扫描苏格兰有限公司 | 用于说明葡萄糖生物传感器中的干扰物的系统和方法 |
CN104487832B (zh) * | 2012-07-24 | 2018-01-05 | 生命扫描苏格兰有限公司 | 用于说明葡萄糖生物传感器中的干扰物的系统和方法 |
WO2017150107A1 (ja) * | 2016-03-01 | 2017-09-08 | 国立大学法人静岡大学 | イオン濃度測定装置及びイオン濃度測定方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0435706B2 (ja) | 1992-06-11 |
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