JPS6365425A - 駆動装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （技術分野〕 本発明は表示駆動装置、特に閾値の温度依存性の大きい
表示素子を駆動制御する駆動装置に関するものである〜 〔従来例］ 従来Ｎｅｍａｔｉｃ液晶を用いた、Ｔｗｉｓｔｅｄ　　
Ｎｅｍａｔｉｃ型もしくは、ＤＳＭ型のものさらには、
Ｃｈｏｌｅｓｔｅｒｉｃ−Ｎｅｍａｔｉｃ相転穆型のＧ
ｅ５ｔ−Ｈｏｓｔ液晶表紙素子の動作温度領域は、技術
の進歩に伴い、飛躍的に広がり、温度補償の問題をかな
り少なくすることに成功している。

しかしながら、強誘電液晶素子の場合は第２図に示す様
に閾値の温度依存性が大きい。

このような特性を有する強誘電液晶素子を駆動する場合
において従来は、セル自体の温度コントロールをする他
はなく、装置的にも大きくなり、消費電力等も無視でき
ない状況であった。

〔目的〕

本発明の目的は上述従来例の欠点を除去するとともに温
度依存性の大きい表示素子を適正に駆動することの出来
る駆動装置を提供することにある。

（実施例〕 以下図面を参照して本発明の一実施例を詳細に説明する
。

まず本実施例の表示駆動装置では、閾値が温度依存性の
大きい表示素子である強誘電性液晶が用いられている。

この強誘電性液晶としては、加えられる電界に応じて第
１の光学安定状態と第２の光学的安定状態とのいずれか
を取る、即ち電界に対する双安定状態を有する物質、或
いはそのような性質を有する液晶が用いられる。

本実施例で用いている双安定性を有する強誘電液晶とし
ては、強誘電性を有するカイラルスメクチック液晶が最
も好ましい。又、そのカイラルスメクチック液晶のうち
、カイラルスメクチックＣ相（ＳｍＣ＊）又Ｈ相（Ｓｍ
Ｈ＊）の液晶が適している。この強誘電性液晶について
は、ＬＥ　　ＬＯＵＲＮＡＬ　　ＤＥ　　Ｐ）（ＹＳＩ
ＯｌＪＥ　　ＬＥＴＴＥＲ３″ｌ至（Ｌ−６９）、１９
７５゜ｒＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ　　Ｌｉｑｕｉｄ
Ｃｒｙｓｔａｌｓ　」　；　　“ＡＰＰｌｉｅｄ　　　
ｐｈｙｓｉｃｓ　　　Ｌｅｔｔｅｒｓ″　３６（１１）
１９８０、　　ｒｓｕｂｍｉｃｒｏ　　　５ｅｃｏ　ｎ
ｄＢｉｓｔａｂｌｅ　　　ＥｌｅｃｔｒｏｏｐｔｉｃＳ
ｗｉｔｃｈｉｎｇ　　　ｉｎ　　　Ｌｉｑｕｉｄ　　　
Ｃｒｙｓｔａｌｓ」；　“固体物理”１６（１４１）１
９８１　ｒ液晶」等に記載されており、本実施例ではこ
れらに開示された強誘電性液晶を用いることができる。

より具体的には、本実施例に用いられる強誘電性液晶化
合物の例としては、デシロキシベンジリデン−Ｐ′−ア
ミノ−２−メチルブチルシンナメート（ＤＯＢＡＭＢＣ
）、ヘキシルオキシベンジリデン−Ｐ′−アミノ−２−
クロロプロピルシンナメート（ＨＯＢＡＣＰＣ）および
４−〇−（２−メチル）−ブチルレゾルシリダン−４′
−オクチルアニリン（ＭＢＲＡ８）等が挙げられる。

これらの材料を用いて、素子を構成する場合においては
、液晶化合物が温度によって異る液晶相を取る。これは
例えばＤＯＢＡＭＢＣの場合は相転移は、約１１７℃で
等労相からスメクチックＡ相へ相転移して約９３℃でカ
イラルスメクチックＣ相へ相転移する。このカイラルス
メクチックＣ相において、強誘電性を呈するが、約６１
℃において、さらに下方の相へ拡径してしまう。

カイラルスメクチックＣ相の下位の相は、カイラルスメ
クチックＩ相であるとか、カイラルスメクチックＦ相、
もしくは、カイラルスメクチックＨ相とする文献がある
が、いずれにしてもその相においても、強誘電性を示す
ことが確認されている。

スメクチックＡ相から、カイラルスメクチックＣ相への
拡径温度がキューリ一点となる。このキューリ一点以下
では、ＤＯＢＡＭＢＣは、分子双極子の向きがそろい、
自発分極を持つ。

しかし、その物性値は温度によってかなり差があること
が知られている。たとえば、液晶分子と、層の法線との
角度をチルト角θと定義すると（層は、スメクチック相
における定義と同じ）θは、キューリ一点より温度が下
がるにしたがって、増大する傾向にある。自発分極値Ｐ
ｓも温度による依存性がある。（温度が下がるにしたが
って増大する）ことが確認されている。

弾性定数や、粘性係数も、温度の関数であることが知ら
れているし、応答速度（外部電界に対する分子双極子の
反応）や、らせんピッチを解くに必要な臨界電界も異っ
てくる。

これらは、相が異ると、大巾に異ることが知られている
が、同じ相の中（たとえば、カイラルスメクチックＣ相
内で９１℃から約６１℃までの約３０℃の温度範囲にお
いて）でも物性定数が異なり、それゆえに電気的応答に
も差異が生じる。

これらは、Ｄ　ＯＢ　Ａ　ＭＢ　Ｃに限らず、いわゆる
強誘電液晶に共通な問題である。

又、これらの現象は、双安定性が生じるような薄いギャ
ップ（たとえば１μｍ〜２μｍ）においても同じで、安
定な２つの状態間を、スイッチングするしきい値の変化
となって表われる。スイツチングのしきい値は、単に直
流的な波高値で与えられるものでなく、パルス巾と波高
値に依って与えられることを我々は発見した。

そこでこのような場合には、温度変化を表示駆動信号の
パルス巾を変化させることによって補償しようというの
が、本発明の主旨である。

強誘電性液晶のセル内での配列に関する説明を次に述べ
る。

本実施例においては、セル基板は、ポリイミド樹脂をコ
ーティングしラビング処理を行なったものを使用してい
る。

第７図は、強誘電性液晶セルの例を模式的に描いたもの
である。１と１′は、Ｉｎ２Ｏ３、ＳｎＯ２やＩ　Ｔｏ
　（Ｉ　ｎｄ　ｉ　ｕｎ−Ｔｉ　ｎｏｘｉｄｅ）等の透
明電極がコートされた基板（ガラス板）であり、その間
に液晶分子層２がガラス面に垂直になるよう配向したＳ
ｍＣ＊相の液晶が封入されている。太線で示した線３が
液晶分子を表わしており、この液晶分子３は、その分子
に直交した方向に双極子モーント（Ｐ上）４を有してい
る。基板１と１′上の電極間に一定の閾値以上の電圧を
印加すると、液晶分子３のらせん構造がほどけ、双極子
モーメント（Ｐ工）４はすべて電界方向に向くよう、液
晶分子３の配向方向を変えることができる。液晶分子３
は細長い形状を有しており、その長袖方向と短軸方向で
屈折率異方性を示す。従って例えばガラス面の上下に互
いにクロスニコルの位置関係に配置した偏光子を置けば
、電圧印加極性によって光学特性が変わる液晶光学変調
素子となることは、容易に理解される。さらに液晶セル
の厚さを充分に薄くした場合（例えば１μｍ）には、第
８図に示すように電界を印加してない状態でも液晶分子
のらせん構造は、はどけ（非らせん構造）、その双極子
モーメントＰ又はＰ′は上向き（４ａ）又は下向き（４
ｂ）のどちらかの状態をとる。このようにセルに第８図
に示す如く一定の閾値以上の極性の異なる電界Ｅ又Ｅ′
を所定時間付与すると、双極子モーメントは電界Ｅ又は
Ｅ′の電界ベクトルに対応して上向き４ａ又は、下向き
４ｂと向き変え、それに応じて液晶分子は第一の配向状
態５かあるいは第二の配向状態５′の何れか一方に配向
する。

このような強誘電性液晶を光学変調素子として用いるこ
との利点は２つある。第１に、応答速度が極めて速いこ
と、第２に液晶分子の配向が双安定状態を有することで
ある。第２の点を例えば第８図によって説明すると、電
界Ｅを印加すると液晶分子は第一の配向状態５に配向す
るが、この状態は電界を切っても安定である。又、逆向
きの電界Ｅ′を印加すると、液晶分子は第二の配向状態
５′に配向して、その分子の向きを変えるが、やはり電
界を切ってもこの状態に留っている。又、与える電界Ｅ
が一定の閾値を越えない限り、それぞれの配向状態にや
はり維持されている。このような応答速度の速さと、双
安定性が有効に実現されるには、セルとしては出来るだ
け薄い方が好ましく、一般的には、０．５μｍ〜２０μ
ｍ１特に１μｍ〜５μｍが適している。

この種の強誘電性液晶を用いたマトリクス電極構造を有
する液晶−電気光学装置は、例えばクラークとラガバル
により、米国特許第４，３６７．９２４号明細書で提案
されている。

以下、本実施例における強誘電性液晶の駆動制御につい
て図面を参照して詳細に説明する。

まず第１図は本実施例の強誘電液晶の駆動装置の全体構
成を示すブロック図である。

第１図において１０は制御用Ａ／Ｄコンバータ内臓のワ
ンチップマイクロコンピュータ（以下ＣＰＵと呼ぶ）で
ある。該ＣＰＵｌ０は、Ａ／Ｄコンバータ、ＲＡＭ、Ｒ
ＯＭ等のコンピュータの周辺機器より構成されている。

１１は文字情報入力用のキーボード或いは、文字情報が
所定モードで送出される外部機器等の文字情報入力部で
ある。

１２は、液晶ディスプレイに表示されるキャラクタ情報
を記憶する為の外部ＲＡ　Ｍで、ディスプレイキャラク
タメモリである。

１３は強ＢＴＬ液晶を駆動するドライバ一部である。

１４は強誘電液晶ディスプレイ部である。

又図示しないがＣＰＵ用電源と強誘電液晶駆動用電源は
別電源であり、同じく図示しないメインＳＷのＯＮによ
り、ＣＰＵ用電源、強誘電液晶駆動用電源の順で各々へ
供給されるものである。

第３図はドライバ一部１３の構成を示すブロック図であ
る。

１３−１は強誘電液晶ディスプレイ１４のドライバー１
３−３．１３−４のアドレスを決定するアドレスドライ
バーである。

１３−２はイメージのドツトデータであるコラムデータ
をドライバー１３−３に出力するコラムデータ回路であ
る。該コラムデータは、ＣＰＵ１０よりコラムデータ回
路１３−２に出力される。

次に第４図（ａ）、（ｂ）、（ｃ）はＣＰＵ１０内部メ
モリであるＲＯＭ％ＲＡＭのメモリマツプを示した図で
ある。第４図（ｄ）は、ディスプレイキャラクタメモリ
１２のメモリマツプを示した図である。

第５図（ａ）、（ｂ）、第６図は本実施例におけるＣＰ
Ｕｌ０の制御動作を示すフローチャート図であり、以下
第５図（ａ）、（ｂ）、第６図を参照して説明する。

まず第５図（ａ）の５ｔｅｐ５０１において、不図示の
電源がオンされるにともないＩ１０ボート、内部ＲＡＭ
、ディスプレイキャラクタメモリ１２の初期化を行い、
そして第４図（ｂ）。

（ｃ）、（ｄ）に示すメモリ領域がクリアされ初期化さ
れる。

次に５ｔｅｐ５０２においてｃｐυ内臓の８チヤンネル
（入力）８ｂｉｔのＡ／Ｄコンバータの起動をかける。

ところで本実施例のＣＰＵｌ０はＡ／Ｄ変換変換動自動
的果を保持するレジスターは４個であり、自動釣にＡ／
Ｄ変換を行い保持されるチャンネル数は４チヤンネルで
あるため例えばＡｎＯ〜Ａｎ３、Ａｎ４〜Ａｎ７の２回
に分けてソフト的に処理をしなければならない（レジス
ターを８個にしてチャンネル数を８チヤンネルにすれば
２回に分ける必要はない）。そこで、５ｔｅｐ５０２に
おいてまずＡｎＯ〜Ａｎ３のＡ／Ｄ変換を起動するもの
である。又このＡ／［）’ｆｆｉ＆は４チヤンネルの変
換毎に割込が発生するため５ｔｅｐ５０３においてＡ／
Ｄ割込をＥｎａｂｌｅするものである。

次に図面上の説明として少し話は飛ぶが動作としては連
続性があるため第６図のＡ／Ｄ割込処理ルーチンの説明
に入る。２００μｓ毎にＡ／Ｄ割込が入って第６図に示
すフローチャートに処理が移行する。そして第６図５ｔ
ｅｐ６０１においてＡ／Ｄ変換されたチャンネルがＡｎ
Ｏ〜Ａｎ３なのかＡｎ４〜Ａｎ７なのかの判定を行う。

初回であれば第５図（ａ）ｓｔｅｏ５０２に、おいて指
定されたＡｎＯ〜Ａｎ３のチャンネルであるため、判定
はｙｅｓとなり第６図５ｔｅｐ６０２へ進む、５ｔｅｐ
６０２において保持されていφＡｎＯ〜Ａｎ３のＡ／Ｄ
変換結果を第４図（Ｃ）に示す内部ＲＡＭのメモリ領域
ＡＤＲＯ〜ＡＤＲ３へ穆し換える。次に５ｔｅｐ６０３
においてＡｎ４〜Ａｎ７のＡ／Ｄ変換を起動させる。そ
して、５ｔｅｐ６０４においてＡ／Ｄ割込をＥｎａｂｌ
ｅにし、５ｔｅｐ６０５においてリターン命令を実行し
、割込がかかる以前のプログラムカウンターの値をイン
クリメントする。つまり第５図側のルーチンとしては連
続的に処理が続けられるものである。又第６図５ｔａｐ
６０１における判定がＮｏであった場合、つまり偶数回
目の割込になるＡｎ４〜Ａｎ７がセレクトされていた時
である。この時は５ｔｅｐ６０６へ進み、保持されてい
るＡｎ４〜Ａｎ７のＡ／Ｄ変換結果を第４図（Ｃ）に示
す内部ＲＡＭのメモリ領域ＡＤＲ４〜ＡＤＲ７へ移し変
える。これらの処理により第４図（ｃ）に示す内部ＲＡ
Ｍのメモリ領域ＡＤＲＯ〜ＡＤＲ７に強誘電液晶パネル
の各ポイントの温度情報が全て保持されたことになり、
それ以降の温度情報を用いた処理が可能となる。従って
５ｔｅｐ６０７においてはこの事を知らせるため第４図
（ｂ）に示す内部ＲＡＭ。

アドレス０のビットＯの初期ＡｎＯ〜Ａｎ７のＡ／Ｄ変
換終了フラグ（ＡＤＥＦ）を１にする。

次に５ｔｅｐ６０８においてＡｎＯ〜Ａｎ３のＡ／Ｄ変
換を起動させ、５ｔｅｐ６０４．５ｔｅｐ６０５の各処
理を行う。これらの事はＣＰＵ用の電源が入っている限
り、繰り返し行われる為、第４図（Ｃ）の内部ＲＡＭの
メモリ領域ＡＤＲＯ〜ＡＤＲ７には常に新しい温度情報
が保持されているものである。

次に再び第５図（ａ）の説明に戻る。まず第５図（ａ）
ｓｔｅｐ５０４においては上記において説明した第４図
（ｂ）の内部ＲＡＭのアドレス０、ビット０に割付けら
れたＡＤＥＦのチェックを行い、該フラグがセットされ
るまで繰り返しチェックを行う。そして該フラグのセッ
トにより次の５ｔｅｐへ進む。５ｔｅｐ５０５において
第４図（ｂ）内部ＲＡ　、Ｍのアドレス０、ビット２に
割り付けられた画面のクリアフラグ（ＣＬＦ）をセット
し、５ｔｅｐ５０Ｂにおいて、第４図（ｂ）の内部ＲＡ
Ｍのアドレス０１ビツト１に割り付けられた書込フラグ
（Ｗ　ＲＦ　）のセットを行なう。この２つのフラグセ
ットにより後述する処理により強話電性液晶表示素子の
初期化が行なわれるものである。

次に５ｔｅｐ５０７〜５ｔｅｐ５１２の間で要求に応じ
て第４図（ｄ）に示す外部ＲＡＭのディスプレイ、キャ
ラクタメモリ１２の内容を書き変える。つまり第５図（
ａ）ｓｔｅｐ５０７において、第１図に示すキーボード
或いは外部機器からの要求を受は所定タイプで文字情報
を入力開始したり、５ｔｅｐ５０５．５ｔｅｐ５０６の
画面の初期化要求を受けるまで待機しているものである
。従って第４図（ｂ）内部ＲＡＭ、アドレスＯ、ビット
１の書込フラグのセット状態も含む要求があれば次５ｔ
ｅｐへ進む。５ｔｅｐ５０Ｂにおいて前述した第４図（
ｂ）内部ＲＡＭ、アドレス０、ビット２の画面クリアフ
ラグ（ＣＬＦ）のチェックを行う。

そして当該ＣＦＬがセットされていれば５ｔｅｐ５０９
において文字情報をクリアするための値０を格納し、上
記ＣＦＬがセットされていなければ、所定タイプで入力
された文字情報を保持しつつ５ｔｅｐ５１０へ進む。

５ｔｅｐ５１０においてキャラクタデータのアドレスデ
ータである第４図（Ｃ）の強誘電液晶マトリクスのカラ
ム・アドレス・データ（ＡＣＤ）と強誘電液晶マトリク
スのロウ・アドレス・データ（ＡＲＤ）を加え、５ｔｅ
ｐ５１１において、キャラクタ・データをＡＣＤ＋ＡＲ
Ｄ番地のディスプレイ・キャラクタ・メモリ１２に記憶
する。なおアドレスデータは１６進法で表わされている
。

次に５ｔｅｐ５１２においてＡＣＤ＋ＡＲＤを加えて番
地がディスブイレイ・キャラクタメモリ１２のエンドア
ドレス９Ｃ３（９Ｃ３＝２５００であり５０文字×５０
文字に相当する）かどうかをチェックしエンドアドレス
であれば５ｔｅｐ５１７に進み、エンドアドレスでなけ
れば５ｔｅｐ５１３に進む。

５ｔｅｐ５１３においてＡＣＤに１を加え、５ｔｅｐ５
１４においてキャラクタデータの入力が５０文字分完了
したかどうかをＡＣＤが３２であるかどうかをチェック
することによって行ない、ＡＣＤが３２であれば５ｔｅ
ｐ５１５に進み、ＡＣＤが３２でなければ５ｔｅｐ５０
７に戻ってキャラクタ・データの入力を行う。

５ｔｅｐ５１５においてＡＣＤをクリアし、５ｔｅｐ５
１６においてＡＲＤに３２を加えて５ｔｅｐ５０７に戻
る。

強誘電液晶ディスプレイ１４の１画面分のキャラクタ・
データの入力が済んで５ｔｅｐ５１２から５ｔｅｐ５１
７に進むと、５ｔｅｐ５１７においてＡＣＤを５ｔｅｐ
５１８でＡＲＤを０クリアする。この異はこれ以降の５
ｔｅｐにおいて書込を行う際に第４図（ｄ）外部ＲＡＭ
のディスプレイ・キャラクタ・メモリ１２の参照用アド
レスとして用いるため先頭アドレスに値を戻すためであ
る。

次に５ｔｅｐ５１９において、平均温度を求めるため、
強誘電性液晶ディスプレイ１４の周辺温度データである
第４図（Ｃ）の内部ＲＡＭのＡＤＲＯ〜ＡＤＲ７を用い
て演算処理し、その結果となる平均温度データを第４図
（Ｃ）の内部ＲＡＭのメモリ領域ＰＤへ格納する。又５
ｔｅｐ５２０においては上記５ｔｅｐ５１９により求め
られた平均温度、データより第４図（ａ）に示す内部Ｒ
ＯＭのアドレス８００〜ＢＦＦに割り付けられたΔτ用
タイマーコードを参照しΔτ用の時間データを抽出し、
第４図（ｃ）の内部ＲＡＭのメモリ領域ΔＴへ格納する
。この温度−ΔＴ変換は第２図（ａ）（ｂ）に示す強誘
電液晶の各温度における駆動周波数・駆動電圧を示す特
性図を参照したものであり、第２図（ａ）に示す代表的
な変換例を下記のＴｕｂｌｅ−１に示す。

この例は駆動電圧７０Ｖ一定時の変換例である。

又温度検出の分解能としては０℃〜１００℃までを８ビ
ツトのＡ／Ｄ変換をかけるため約０．４℃となり、駆動
信号のパルス巾ΔＴの分解能は１μｓｅｃとなっており
、範囲としては１μｓｅｃ〜６５．５ｍ５ｅｃまでをカ
バーできるものである。次に５ｔｅｐ５２１ではアドレ
スデータであるＡＣＤ＋ＡＲＤによって示される第４図
（ｄ）外部ＲＡＭのディスプレイ・キャラクタ・メモリ
１２の番地から文字情報を第１４図（ａ）の内部ＲＯＭ
、アドレスｃｏｏｏ〜ＦＦＦに割付けられたキャラクタ
・コードを参照しながら所定コードへ変換する。

次に５ｔｅｐ５２２において上記所定コードを、ＣＰＵ
ｌ０に内蔵のキャラクタジェネレータによってドツトデ
ータであるコラムデータに変換し、５ｔｅｐ５２３にお
いて、ＡＣＤ＋ＡＲＤのアドレスデータと上記コラムデ
ータを第３図のアドレスデコーダ１３−１とコラム・デ
ータ回路１３−２に出力する。

ここでアドレスデコーダ１３−１に出力されたＡＣＤ＋
ＡＲＤのアドレスデータは、アドレスデコーダ１３−１
によってコラムデータに対応したアドレスデータに変換
される。つまり１文字分のドツトは３２ｘ３２ドツトで
構成されており、上記ＡＣＤ＋ＡＲＤのアドレスデータ
は、ディスプレイキャラクタメモリ１２のアドレスに対
応した強誘電性液晶ディスプレイ１４のドツトのアドレ
スデータであるドツトロウアドレスデータ（ＡＲＤ’　
）とドツトコラムアドレスデータ（ＡＣＤ’　）に変換
され、ＡＣＤ’がドライバー１３−３、ＡＲＤ’がドラ
イバー１３−４に出力される。尚、ディスプレイ１４は
縦横両方向に８ドツト／　ｍ　ｍで構成されている。

次に５ｔｅｐ５２４において書き込み命令パルスがＣＰ
Ｕｌ０よりアドレスデコーダ１３−１に出力される。該
書き込み命令パルスは上記５ｔｅｐ５２０でΔＴに格納
した時間データに基づいて６１時間のパルス巾にＣＰＵ
ｌ０によって設定される。

アドレスデコーダ１３−１は書き込み命令パルスに従っ
て６１時間のパルス巾を持りた書き込み信号をドライバ
ー１３−３．１３−４に出力し、キャラクタデータの書
住込みを行う。

次に第５図（ｂ）の５ｔｅｐ５２５に於いて１文字分の
コラムデータの書き込みが行われたかどうか判断し、１
文字の書き込みが終了していなければ５ｔｅｐ５２４に
戻って書き込み命令パルスをアドレスデコーダ１３−１
に出力し、以後１文字分の書き込みが終了するまで行い
１文字の書き込みが終了すると５ｔｅｐ５２６に進む。

上記５ｔｅｐ５２５で行う１文字の書き込み終了かどう
かの判断は、１文字分のコラムデータを書き込み終了し
たときにアドレスデコーダからＣＰＵ１０に出力される
書き込み終了信号をチェックすることによって行われる
。

次に５ｔｅｐ５２６〜５ｔｅｐ５３Ｑにおいて、前記の
５ｔｅｐ５１２〜５ｔｅｐ５１６と同様にアドレスデー
タであるＡＣＤ、ＡＲＤをインクリメントする。

こうして１画面の全文字が強誘電液晶デイスプレイ１４
に書き込まれるまで５ｔｅｐ５１９〜５ｔｅｐ５３０が
繰り返され全文字の書き込みが終了すると５ｔｅｐ５２
６から５ｔｅｐ５３１に進む。

５ｔｅｐ５３１において、ＣＬＦをリセットし、５ｔｅ
ｐ５３２においてＷＲＦをリセット、５ｔｅｐ５３３，
５ｔｅｐ５３４でＡＣＤ。

ＡＲＤをそれぞれ０クリアし５ｔｅｐ５０７に戻って次
の要求があるまで待機状態となる。

以上のように本実施例は強誘電液晶ディスプレイ１４の
画面温度を検出し、その温度に応じて書き込み信号のパ
ルス巾を変え駆動制御を行うので温度コントロールのた
めのヒータ等の外部装置を用いる必要がなく装置を簡素
化できコストの低減化を達成できる。

又、上述の本実施例の応用として強誘電液晶ディスプレ
イを複数のブロックに分け、そのブロックごとの平均温
度を検出し、その平均温度に応じてパルス巾を変え駆動
制御を行うことも考えられる。そこで以下に他の実施例
とじてブロックごとの平均温度による強誘電液晶の駆動
制御について説明する。

全体構成としては第１図と第３図の本実施例の場合と同
じである。本実施例の場合と異なる点は、第４図（Ｃ）
のＰＤＡｎＯＮＡｎ７の平均温度データが第９図（ａ）
のＢＰＤＩ　　（Ａｎｄ。

Ａｎ６．Ａｎ７の平均温度データ）、ＢＰＤ２（Ａｎ４
．Ａｎ５．Ａｎ６の平均温度データ）、ＢＰＤ３　（Ａ
ｎｄ、Ａｎｔ、Ａｎ２の平均温度データ）、ＢＰＤ４　
（Ａｎ２．Ａｎ３．Ａｎ４の平均温度データ）となり、
第４図（ｄ）のディスプレイ・キャラクタメモリが第９
図（ｂ）に示すＢＰＤＩ、ＢＰＤ２．ＢＰＤ３．ＢＰＤ
４の４つのブロックに分けられる。

第１０図（ａ）、（ｂ）は、強誘電液晶ディスプレイを
、複数のブロックに分け、そのブロック毎の平均温度に
応じてパルス巾を変え強誘電液晶ディスプレイを駆動制
御する場合のＣＰＵｌ０の制御動作を示すフローチャー
ト図である。

５ｔｅｐ’　　５０１〜５ｔｅｐ’　　５１８までは第
５図（ａ）の５ｔｅｐ５０１〜５ｔｅｐ５１８までと同
じであるので説明は省略する。又第６図Ａ／Ｄ変換割込
みルーチンも、この他の実施例の場合も２００μｓ単位
で割り込み発生する。

５ｔｅｐ’　　５１９において第９図（ａ）内部ＲＡＭ
のＡＤＲＯ，ＡＤＲ６，ＡＤＲ７の温度データの平均値
をＢＰＤＩへ格納する。５ｔｅｐ’５２０において第９
図（ａ）の内部ＲＡＭのＡＤＲ４，ＡＤＲ５，ＡＤＲ６
の温度データの平均値をＢＰＤ２へ格納する。５ｔｅｐ
’　　５２１において第９図（ａ）の内部ＲＡＭのＡＤ
ＲＯ。

ＡＤＲＩ、ＡＤＲ２の温度データの平均値をＢＰＤ３へ
格納する。そして５ｔｅｐ’　　５２２において第９図
（ａ）の内部ＲＡＭのＡＤＲ２゜ＡＤＲ３，ＡＤＲ４の
温度データの平均値をＢＰＤ４へ格納する。

次に５ｔｅｐ’　　５２３においてＡＲＤとＡＣＤのア
ドレスデータよりキャラクタデータが上記ＢＰＤＩ〜Ｂ
ＰＤ４のどのブロックに存しているかな遷釈し、５ｔｅ
ｐ’　　５２４においてキャラクタデータが存在してい
るブロックの平均温度データを本実施例の場合と同様に
時間データに変換してΔＴに格納する。以下の５ｔｅｐ
’　　５２５〜５ｔｅｐ’　５３８までは第５図（ａ）
、（ｂ）のｓ　ｔ　ｅ　ｐ　５２１〜ｓ　ｔ　ｅ　ｐ　
５３４までと同様に行い、そのブロックの平均温度デー
タに応じて書き込み信号のパルス巾が変えられ、強誘電
液晶ディスプレイの駆動制御が行われる。

この様に表示面の所定領域毎に平均値化された温度デー
タに従って書き込み信号のパルス巾を変えて強誘電液晶
ディスプレイの駆動制御するのでより精度の高い表示駆
動装置を提供できる。

尚、本実施例においては強誘電液晶を用いた表示素子を
例に説明したが、スイッチングのしきち値が温度依存性
を有し、しかも書き込み駆動信号のパルス巾がスイッチ
ングに寄与する表示素子には全て適用可能である。

以上説明した様に本発明によって閾値の温度依存性の大
きい表示素子を駆動する際にヒーター等による温度コン
トロールをする必要がなくなり、又、駆動信号の電圧を
変える必要もなくなることによって装置が簡素化できコ
ストの低減化を達成できる。

又、表示素子の駆動回路は本実施例のドライバ一部に限
らず、例えば一定周期で走査しその走査に同期してドツ
トデータを表示させるものでもよい。

以上説明した実施例はＣＰＵｌ０が温度センサーからの
温度データに応じて駆動信号のパルス巾ΔＴを選択する
ものである。

次に第３図の実施例として温度に応じて駆動信号のパル
ス巾、駆動信号の電圧を変えることについてより詳細に
説明する。

第１１図、第１２図は高温（Ｔ＞Ｔｏ）においてパルス
巾Δ丁を２５０μｓ低温（Ｔ＜Ｔｏ）においてΔＴを５
００μｓと２段階にパルス巾を切換える構成を示したも
のである。切換温度Ｔ０は以下に述べる基準電圧Ｖｒｅ
ｆにより調整できる。本実施例ではＴ。＝１０℃に設定
している。

第１１図は、切換温度１０以上か、或いはＴ０以下でパ
ルス巾ΔＴを切換える場合の構成を示したブロック図で
ある。

第１１図において強誘電液晶ディスプレイに取付けた温
度検出器Ｔｈの出力がコンパレータ２３に入力され、こ
の入力端子ｖｔｅｍｐが予め設定した電圧Ｖｒｅｆより
高ければコンパレータ２３の出力は （Ｔ＞１０℃） Ｖ＝ＨＩＧＨ、Ｖ＝ＬＯＷ　　になり、Ｖｒｅｆより低
ければ（１５１０℃） Ｖ＝ＬＯＷ　　　　、　　Ｖ＝ＨＩＧＨになる。

これに従ってゲート回路２４，２５．２６によりコント
ロール回路２２の制御クロックφ。は２ＫＨｚまたはＩ
ＫＨｚになる。なおＰ−フリップフロップ２７は、２Ｋ
Ｈｚのクロックを分周しＩＫＨｚのクロックとして出力
する為のものである。

コントロール回路２２の制御クロックφ０が２ＫＨ，ｚ
の場合ドライバー２０．２１の出力ΔＴが２５０μｓに
なり、制御クロックφ０が１ＫＨｚの場合ドライバー２
０．２１の出力６丁が５００μｓになる。

次に第１２図、第１３図に基づいてコントロール回路２
２によるドライバー２０．２１の制御について説明する
。

信号側ドライバー２０はシフトレジスタ２０−１、ラッ
チ２０−２、アンプ２０−３の３段から４Ｒ成されてお
り、これは通常の液晶ドライバーと大差はない。φ！は
シフトレジスタ２０−１のシフトクロックであり、これ
に同期して画像データがコントロール回路から信号側ド
ライバー２０にシリアルに転送される。強誘電液晶ディ
スプレイの１ライン分のデータ転送が終了した時点でラ
ッチパルスφ、がコントロール回路２２から出力され、
シフトレジスタ２０−１に蓄積されていた画像データが
ラッチ２０−２にラッチされ、アンプ２０−３に伝えら
れる。これを受けたアンプ２０−３はコントロール回路
２２から出力される３相クロックφ、、φ８．φＣに基
づいてＩｊの駆動パルスをつくりディスプレイの信号電
極に出力する。この場合φ、＝φｎ＝φＣであり、この
３相クロックφ＾、φＢ、φ、によって駆動パルスのパ
ルス巾が決定されることになる。

一方走査側ドライバー２１はシフトレジスタ２１−１と
アンプ２１−１の２段から構成されており、これも通常
の液晶ドライバーと基本的に同じである。シフトレジス
タ２１−１のシフトクロックφ８は信号側ドライバー２
０のラッチパルスφ、と共通であり、データが１ライン
分転送され終ったと同時に選択走査線が１ラインずつシ
フトする。選択走査線のアンプ２１−２は信号側ドライ
バー２０と同じクロックφあ。

φ、、φＣに従ってＳｉの駆動パルスをつくりディスプ
レイの走査電極に出力する。走査側ドライバー２１の駆
動パルスも信号側ドライバー２０同様に３相クロックφ
５．φａ、φＣによってパルス巾が決定される。

なお３相クロツクφえ、φａ、φＣに基づいて駆動信号
を出力する点については、強誘電液晶ディスプレイの温
度に応じて駆動信号の電圧を変える実施例で説明する。

又、第１１図では駆動信号のパルス巾ΔＴを温度に応じ
て２段階に切換える構成を示したが、パルス巾ΔＴを温
度に応じてもっと細かく切換えることもできる。

例えば、第１４図は駆動信号のパルス巾を温度に応じて
３段階に切換える構成を示した図である。

第１４図ではＤ−フリップフロップ２７．３４によって
クロックを２段階に分周する。そして温度検出器Ｔｈの
電圧値をＡ／Ｄコンバータ２８でデジタルデータに変換
し、そのデジタルデータをデコーダ２９で解読する。そ
してその解読結果に従ってゲート回路３０，３１，３２
．３３により３　ｆｆｆｉ類のクロックを選択する。

次に、第１５図（ａ）（ｂ）は駆動信号のパルス巾を温
度に応じて自動的に連続可変にする構成を示した図であ
る。

第１５図（ｂ）は第１５図（ａ）の電圧制御発振器ＶＣ
Ｏの回路構成を示した図である。

第１５図（Ｃ）は温度Ｔとダイオード順方向電圧■、の
関係を示した図であり、第１５図（ｄ）は温度Ｔとクロ
ック周波数φ。の関係を示した図であり、第１５図（ｅ
）は温度Ｔと駆動信号のパルス巾ΔＴの関係を示した図
である。

第１５図（ａ）（ｂ）では温度検出器Ｔｈとしてダイオ
ードを用いており、その温度特性は第１５図（Ｃ）に示
す通りである。このダイオードの温度特性を利用して電
圧制御発振器ＶＣＯによりクロックをディスプレイの温
度に応じて自動的に変化させる。

第１５図（Ｃ）より明らかな様にディスプレイの温度Ｔ
が上昇するとダイオード（温度検出器Ｔｈ）の順方向電
圧Ｖ、が小さくなる。Ｖｌ−が大きいとトランジスタＱ
２のコレクタ電流は増加し抵抗Ｒ１での電圧降下が大き
くなり、Ａ点の電位は下っていく。逆に■２が小さくな
るとトランジスタＱ２のコレクタ電流が減少しＡ点の電
位は上っていく。

又、この電圧制御発振器ｖＣｏは可変容量コンデンサ（
バリキャップ）ＶｃとインタフタンスＬの共振周波数で
発振し、このＶＣとＬの値周波数が定まる。ＶＣの容量
は電圧依存であり、Ａ点の電位が変化すれば共振周波数
が変わり、従りてクロック周波数が変化する。このよう
にして得られるクロックの周波数と温度Ｔとの関係を示
した図が第１５図（ｄ）である。

なお、第１５図（ｂ）において抵抗Ｒ１、Ｒ２は、差動
増巾回路３５の差動利得を決定する為の抵抗であり、抵
抗Ｒ３はトランジスタＱ＋　１Ｑ２のエミッタ電流制限
抵抗、トランジスタＱ、は定電流源、抵抗Ｒ４、Ｒ５は
トランジスタＱ３のバイアス抵抗、抵抗Ｒ６はダイオー
ド電流制限抵抗、抵抗Ｒ２はコンデンサ■。のリーク電
流を押える為の抵抗、ＣＩ、Ｃ２はＰＣ（直流）カット
コンデンサ、抵抗Ｒ８はトランジスタＱ４のバイアス抵
抗、抵抗Ｒ７はトランジスタＱ４の電流制限抵抗と振幅
波形を得る為の抵抗である。

次にディスプレイの温度に応じて駆動信号の轡ｒｒか自
ｍｈ曲？７訂邪シすス宙槁効１について説明する。

第１６図（ａ）はディスプレイの温度に応じて駆動信号
の電圧を可変とする構成を示した図である。

第１６図（ａ）も第１５図（ａ）、（ｂ）と同様に温度
検出器Ｔｈにダイオードを用いている。この第１６図（
ａ）も第１５図（Ｃ）のダイオードの温度特性を利用し
てコンパレータＡ１〜Ａ５にかかる電圧Ｖ　Ｐ−Ｐの調
整器であるトランジスタＱ４のベース電位を差動増巾回
路によって作り出す。そしてこのベース電位をトランジ
スタＱ４のｖ　ｐ−ｐ調整信号として用い、ディスプレ
イの温度変化を駆動パルス電圧に変換する。

第１６図（ｂ）はディスプレイの温度ＴとＶｐ−ｐ　　
（液晶最大印加電圧）の関係を示した図である。

第１６図（ａ）において、トランジスタＱ４をコレクタ
接地することによって０点の電位と［有］点の電位がほ
ぼ同じになる。ここでＶＰ−Ｐが変動してもＶｌ、Ｖ３
、ＶＣ１■４、Ｖ２の比率関係が一定になる様にＲ９−
Ｒ１２の抵抗値をＲ，：Ｒ，。

：Ｒ１１：Ｒ１２＝１　：　１　：　１　：　１の比率
に設定する。これによって設定されたｖｌ、■５、ｖｃ
１ｖ４、■２をオペアンプＡ１〜Ａ５でボルテージフォ
ロワ構成し、走査側ドライバー４０のスイッチ回路４０
−３、信号側ドライバー４１のスイッチ回路４１−３に
それぞれ（Ｖｔ、　。％Ｖ２）■ （ｖ５、ｖｃ％Ｖ４）を供給する。

制御回路４２は第１６図（ｃ）に示す所要の駆動信号波
形を得るための走査側、信号側のドライバー４０．４１
の出力波形発生回路４０−１．４１−１へ制御信号を送
る。出力波形発生回路４０−１．４１−１では制御回路
４２からの制御信号に基づいて出力電位の選択データを
作り、これをスイッチ駆動回路４０−２．４１−２に出
力する。スイッチ駆動回路４０−２．４１−２は選択デ
ータに従ってスイッチ回路４０−３．４１−３を駆動し
スイッチを選択する。これによって第１６図（Ｃ）の走
査線１．２或いは信号線ｎに示す駆動信号が出力される
ことになる。

なお駆動信号のｔｌ、ｔ２、ｔ３の時間巾は第１１図、
第１２図、第１４図で上述したクロックφ＾、φＢ、φ
Ｃによって決定されるものであり、本実施例ではｔｌ　
＝ｔ２　＝ｔ、と設定されている。

又、第１６図（ａ）の差動増巾回路４３は第１５図（ｂ
）の差動増巾回路３５と同様の動作を行う。

以上説明した様に本実施例ではディスプレイの温度に応
じて走査側ドライバー、信号側ドライバーの両方の駆動
信号のパルス巾、或いは電圧を可変としている。従って
走査側ドライバー或いは信号側ドライバーの片方の駆動
信号のパルス巾や電圧を変えるものに比べて両方のパル
ス巾を変えるので高速に駆動信号のパルス巾を変えるこ
とが出来、又、両方の駆動信号の電圧を変えるので高速
にしかも濃度の変化による大きい電圧差にも対応するこ
とが出来、ディスプレイの温、度に応じた制御が効率的
に行うことが可能となる。

又、本発明は上述した実施例に限らず種々の変形が可能
である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本実施例の全体構成を示すブロック図である。 第２図（ａ）、（ｂ）は強誘電液晶の図示する各温度に
おける駆動周波数・駆動電圧を示す特性図である。 第３図は強誘電液晶のドライバ一部１３の詳細なブロッ
ク図である。 第４図（ａ）、（ｂ）、（ｃ）はＣＰｔＪｌｏの内部Ｒ
ＯＭ、ＲＡＭのメモリマツプを示す図である。 第４図（ｄ）はディスプレイキャラクタメモリ１２を示
した図である。 第５図（ａ）、（ｂ）は本実施例のＣＰＵｌ０の制御を
示すフローチャート図である。 第６図はＡ／Ｄ変換割込処理ルーチンを示した図である
。 第７図、第８図は強誘電液晶の概念図である。 第９図（ａ）は他の実施例のＣＰＵｌ０の内部ＲＡＭの
メモリ内容を示す図である。 第９図（ｂ）は他の実施例のディスプレイキャラクタメ
モリを示した図である。 第１０図（ａ）、（ｂ）は他の実施例のＣＰＵ１０の制
御を示すフローチャート図である。 第１１図は温度に応じてパルス巾を変える構成を示した
ブロック図である。 第１２図、第１３図は第１１図のタイムチャートを示し
た図である。 第１４図は第１１図の変形例を示した図である。 第１５図（ａ）、（ｂ）は温度に応じて自動的にクロッ
ク周波数を変える構成を示した図である。 第１５図（Ｃ）はダイオードの温度特性図である。 第１５図（ｄ）は温度Ｔとクロック周波数φ０の関係を
示した図である。 第１５図（ｅ）は温度Ｔと駆動パルス巾ΔＴの関係を示
した図である。 ５１６図（ａ）は温度に応じて駆動信号の電圧を変える
構成を示したブロック図である。 第１６図（ｂ）は温度↑と液晶最大印加電圧Ｖ　Ｐ−Ｐ
の関係を示した図である。 第１６図（Ｃ）は第１６図（ａ）のタイムチャート図で
ある。 １０はｃｐｕ、ｉｔはキーボードｏｒ外部機器、１２は
ディスプレイキャラクタメモリ、１３はドライバー、１
４は強誘電液晶ディスプレイである。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 表示を行う為の表示手段と、 上記表示手段の温度を検出する検出手段と、上記表示手
   段を走査する為の走査信号を出力する走査手段と、 上記表示手段にデータ信号を出力する為の信号出力手段
   と、 表示を行うべく上記走査手段と上記信号出力手段を制御
   する制御手段とを有し、 上記制御手段は上記検出手段からの出力に応じて上記走
   査信号及び上記データ信号の形態を異らせることを特徴
   とする駆動装置。