JPS6358402A - Production of color separation filter - Google Patents

Production of color separation filter

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Publication number
JPS6358402A
JPS6358402A JP61204491A JP20449186A JPS6358402A JP S6358402 A JPS6358402 A JP S6358402A JP 61204491 A JP61204491 A JP 61204491A JP 20449186 A JP20449186 A JP 20449186A JP S6358402 A JPS6358402 A JP S6358402A
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JP
Japan
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chip
exposure
peripheral area
area
peripheral part
Prior art date
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Pending
Application number
JP61204491A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Osamu Kaneda
兼田 修
Hideo Saeki
佐伯 英夫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
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Publication of JPS6358402A publication Critical patent/JPS6358402A/en
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  • Optical Filters (AREA)
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  • Color Television Image Signal Generators (AREA)

Abstract

PURPOSE:To permit desired adjustment of a difference in residual film rate between the peripheral part of a chip and parts except the peripheral part of the chip by using a partial light shielding mask and projecting light in such a manner as to provide a difference between the exposure in the peripheral part of the chip and the exposure in the parts except the peripheral part of the chip and exposing again the resin film. CONSTITUTION:A negative type dyeable photosensitive resin is coated on a wafer segmented to plural pieces of the chips 9 and is dried. A photomask 12 is brought into tight contact with or proximity to the negative type dyeable photosensitive resin film 10 coated on the wafer and light 13 is projected thereto to make the 1st exposure of the resin film 10. The partial light shielding mask 15 is then used and the light 13 is so projected as to provide the difference between the exposure in the peripheral part 16 of the chip and the exposure in the parts except the peripheral part of the chip to make the 2nd exposure of the resin film 10. The uncured parts are thereafter developed and dissolved to form the pattern of the negative dyeable resin which is the residual film on the chip 9. The difference between the residual film rate in the peripheral part of the chip and the residual film rate in the parts except the peripheral part of the chip is thereby adjusted as desired.

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野〕 この発明は、リソグラフィの手法を用いてウェハ上の複
数個のチップ上にネガ型可染性樹脂のパターンを形成さ
せ、カラー撮像素子用の色分解フィルタを製造する方法
に関するものである。
[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] This invention forms a pattern of negative dyeable resin on a plurality of chips on a wafer using a lithography technique, and is applied to a color image sensor. The present invention relates to a method of manufacturing a color separation filter.

[従来の技術] カラー撮像素子はイメージセンサ、ビデオカメラ、ファ
クシミリ、8ミリカメラ等に用いられており、色光線を
分解する色分解フィルタを特徴とする 特公昭52−17375号公報に記載された色分解フィ
ルタの製造方法は、光学ガラス基板上にネガ型可染性感
光性樹脂の膜を被覆し、これをリングラフィの手法を用
いて、所定のパターンを得、これを染色するものである
[Prior Art] Color image sensors are used in image sensors, video cameras, facsimile machines, 8 mm cameras, etc., and are described in Japanese Patent Publication No. 17375/1983, which features a color separation filter that separates colored light rays. The method for manufacturing color separation filters is to coat an optical glass substrate with a negative dyeable photosensitive resin film, use phosphorography to obtain a predetermined pattern, and then dye this. .

リングラフィの手法とは(1)基板上に感光性樹脂を塗
布し、乾燥し、(2)この基板上に被覆された感光性樹
脂膜の上にフォトマスクを密着または接近させて光を照
射し、露光し、(3)フォトマスクのパターンによる未
露光部分を現像して溶解し、ネガタイプのパターンを基
板上に形成する方法をいう(科学大辞典、丸善株式会社
1985年発行、1436頁を参照されたい)。
The phosphorography method involves (1) coating a photosensitive resin on a substrate, drying it, and (2) irradiating light by placing a photomask in close contact with or close to the photosensitive resin film coated on the substrate. (3) developing and dissolving the unexposed areas of the photomask pattern to form a negative pattern on the substrate (Science Dictionary, published by Maruzen Co., Ltd. 1985, p. 1436). Please refer).

特公昭52−17375号公報記載の発明は光学ガラス
基板上にこのリソグラフィの手法を応用したものである
が、このリソグラフィの手法をウェハに応用すると、カ
ラー撮像素子用の色分解フィルタが製造され得る。
The invention described in Japanese Patent Publication No. 52-17375 applies this lithography technique to an optical glass substrate, but if this lithography technique is applied to a wafer, a color separation filter for a color image sensor can be manufactured. .

第4A、4Bおよび40図はウェハ上の複数個のチップ
の上に、リソグラフィの手法をそのまま応用した場合を
示した図であり、ダイシングラインで分割された各チッ
プの周辺部の断面の様子を模式的に示した図である。
Figures 4A, 4B, and 40 are diagrams showing the case where the lithography method is directly applied to multiple chips on a wafer, and show the cross-sectional appearance of the peripheral part of each chip divided by the dicing line. It is a diagram schematically shown.

第4A図は、ウェハ上にネガ型可染性感光性樹脂膜1が
スピン塗布により被覆されている様子を示す図である。
FIG. 4A is a diagram showing how a negative dyeable photosensitive resin film 1 is coated on a wafer by spin coating.

ウェハ上にはダイシングライン2により分割された複数
個のチップ3が形成されている。ダイシングライン2の
溝のために、チップ3周辺部のネガ型可染性感光性樹脂
膜1は凹んでいる。
A plurality of chips 3 divided by dicing lines 2 are formed on the wafer. Due to the grooves of the dicing line 2, the negative dyeable photosensitive resin film 1 around the chip 3 is recessed.

第4B図は、この状態でネガ型可染性感光性樹脂膜1に
フォトマスク4を接近させ、光5を照射している様子を
示したものである。横線で示した部分6は露光された部
分を表わす。カラー撮像素子用の色分解フィルタを形成
するために用いるフォトマスク4は、パターンのみでな
くダイシングライン2に相当する部分を光硬化させない
ように、遮光部分7を有している。
FIG. 4B shows how the photomask 4 is brought close to the negative dyeable photosensitive resin film 1 in this state and the light 5 is irradiated thereon. The portion 6 indicated by the horizontal line represents the exposed portion. A photomask 4 used to form a color separation filter for a color imaging device has a light-shielding portion 7 so that not only the pattern but also the portion corresponding to the dicing line 2 is not photocured.

次いで、フォトマスクのパターンによる未露光部分を現
像して溶解し、ネガタイプの可染性樹脂のパターン8を
各チップ3上に形成する。
Next, the unexposed portions of the photomask pattern are developed and dissolved to form a negative type dyeable resin pattern 8 on each chip 3.

[発明が解決しようとする問題点] しかし、以上のように通常のりソグラフィの手法でパタ
ーン8を形成すると第4C図に示すように、チップ3の
周辺部のパターンの膜厚が薄くなるという問題が生じて
くる。チップ3周辺部の膜厚が薄くなった色分解フィル
タを用いると光学濃度が低くなり、その結果、色が明る
くなり問題である。
[Problems to be Solved by the Invention] However, when the pattern 8 is formed using the normal lamination lithography method as described above, there is a problem that the film thickness of the pattern in the peripheral area of the chip 3 becomes thinner, as shown in FIG. 4C. will arise. If a color separation filter with a thinner film around the chip 3 is used, the optical density will be lowered, resulting in brighter colors, which is a problem.

また、逆に積極的にチップ3の周辺部分の膜厚を薄くす
る場合があるが、通常のりソグラフィ手法のみでは中途
半端であり、その効果を十分に果たし得ず問題である。
On the other hand, there are cases in which the thickness of the film around the chip 3 is actively reduced, but this is a problem because the ordinary lamination lithography method alone is half-hearted and cannot achieve its full effect.

この発明は上記の問題点を解決するためになされたもの
で、チップの周辺部のパターンの膜厚がチップの周辺部
以外の部分の膜厚に比べて薄くならないような方法、ま
た積極的にチップ周辺部を薄くする場合にはその効果を
十分に出せる方法を提供することを目的とする。
This invention was made in order to solve the above-mentioned problems, and it is a method that prevents the film thickness of the pattern on the periphery of the chip from becoming thinner than the film thickness of the part other than the periphery of the chip. It is an object of the present invention to provide a method that can sufficiently produce the effect when making the peripheral part of a chip thinner.

[問題点を解決するための手段〕 この発明に係る色分解フィルタの製造方法は次のような
手段からなる。
[Means for Solving the Problems] The method for manufacturing a color separation filter according to the present invention includes the following means.

まず、複数個のチップに区切られたウェハに、ネガ型可
染性感光性樹脂を塗布し、乾燥し、該ウェハ上に被覆さ
れたネガ型可染性感光性樹脂膜の上にフォトマスクを密
着または接近させて光を照射し、第1回目の該樹脂膜の
露光をする。
First, a negative dyeable photosensitive resin is applied to a wafer divided into multiple chips, dried, and a photomask is placed on the negative dyeable photosensitive resin film coated on the wafer. The resin film is exposed to light for the first time by irradiating the resin film with light in close contact or close to each other.

次いで、部分遮光マスクを用いてチップ周辺部の露光量
とチップ周辺部以外の部分の露光量との間に差を設ける
ように、光を照射し、第2回目の該樹脂膜の露光をする
Next, the resin film is exposed a second time by irradiating light using a partial light-shielding mask so as to create a difference between the amount of exposure around the chip and the amount of exposure outside the periphery of the chip. .

その後、未硬化部分を現像して溶解し、残膜であるネガ
型可染性樹脂のパターンをチップ上に形成する。
Thereafter, the uncured portion is developed and dissolved, and a pattern of the negative dyeable resin as a residual film is formed on the chip.

[作用] 部分遮光マスクを用いて、第2回目の露光をすることに
より、チップ周辺部の露光量とチップ周辺部以外の部分
の露光量との間に差を設けることができるので、チップ
周辺部の残膜率とチップ周辺部以外の部分の残膜率との
間の差を調節することができる。
[Operation] By performing the second exposure using a partial light-shielding mask, it is possible to create a difference between the amount of exposure around the chip and the amount of exposure outside the periphery of the chip. It is possible to adjust the difference between the remaining film rate in the area and the remaining film rate in areas other than the chip peripheral area.

[実施例] 以下、この発明の一実施例を図について説明する。[Example] An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.

第1A、IB、IC,ID図はこの発明の一実施例を示
す図である。
Figures 1A, IB, IC, and ID are diagrams showing an embodiment of the present invention.

第1A図はウェハ上の複数個のチップ9の上にスピン塗
布によりネガ型可染性感光性樹脂膜10が被覆された場
合で、ダイシングライン11の付近すなわちチップ9周
辺部の断面を示す図である。
FIG. 1A is a cross-sectional view of the vicinity of the dicing line 11, that is, the area around the chips 9, in the case where a plurality of chips 9 on a wafer are coated with a negative dyeable photosensitive resin film 10 by spin coating. It is.

第1B図は第1A図の状態にフォトマスク12を接近さ
せて光13を照射し、該樹脂膜10を露光したものであ
る。フォトマスク12はパターンのみでなく、ダイシン
グライン11に相当する部分を光硬化させないように遮
光部分14をも有している。
In FIG. 1B, the photomask 12 is brought close to the state shown in FIG. 1A and light 13 is irradiated to expose the resin film 10. The photomask 12 has not only a pattern but also a light-shielding portion 14 to prevent the portion corresponding to the dicing line 11 from being photocured.

第1C図はさらに部分遮光マスク15を用いてチップ周
辺部のみをもう一度露光したものである。
In FIG. 1C, only the peripheral area of the chip is exposed again using a partial light-shielding mask 15.

この部分遮光マスク15は、チップ周辺部16にのみ光
が当たるように、そしてチップ周辺部以外の部分17に
は光が当たらないように、設計された遮光部分18を存
している。この第1C図に示すQにより、チップ周辺部
16の部分のみが再露光されて、この部分の残膜率が上
昇する。チップ周辺部16の図で横線は第1回目の露光
を、縦線は第2回目の露光を表わしている(この表現の
仕方は以下同じである。)。
This partial light-shielding mask 15 has a light-shielding portion 18 designed to allow light to shine only on the chip peripheral area 16 and to prevent light from shining on areas 17 other than the chip peripheral area. Due to this Q shown in FIG. 1C, only the chip peripheral area 16 is re-exposed, and the remaining film rate in this area increases. In the diagram of the chip peripheral area 16, the horizontal line represents the first exposure, and the vertical line represents the second exposure (this method of representation is the same below).

第1D図はこれを現像してできたチップ上の残膜の断面
である。
FIG. 1D is a cross section of the remaining film on the chip that was developed.

一般に、露光量とネガ型可染性感光性樹脂の残膜率との
関係は第2図のようになる。たとえば、第1B図で第2
図のAで示される点の露光をし、第1C図でAからBの
露光量を追加して、チップ周辺部16のみ露光する。す
ると、チップ周辺部の残膜率は第2図のdだけ上昇する
Generally, the relationship between the exposure amount and the residual film rate of the negative dyeable photosensitive resin is as shown in FIG. For example, in Figure 1B,
The point indicated by A in the figure is exposed, and the exposure amount from A to B in FIG. 1C is added to expose only the peripheral area 16 of the chip. Then, the remaining film rate in the peripheral area of the chip increases by d in FIG.

このように、第2図のグラフを用いて、チップ周辺部1
6の残膜率とチップ周辺部以外17の部分の残膜率とが
等しくなるように第2回目の露光量を調節し、これを現
像し、未硬化部分を溶解すれば、第1D図に示すような
チップ周辺部16の残膜の膜厚とチップ周辺部以外の部
分17の残膜の膜厚とが等しいものが得られる。
In this way, using the graph in FIG.
If the second exposure is adjusted so that the residual film rate of No. 6 is equal to the residual film ratio of No. 17 other than the chip peripheral area, and this is developed and the uncured portion is dissolved, the result shown in Fig. 1D is obtained. As shown, a film in which the thickness of the remaining film in the chip peripheral area 16 is equal to the thickness of the remaining film in the area 17 other than the chip peripheral area can be obtained.

なお、上記実施例では、チップ周辺部16の残膜の厚さ
とそれ以外の部分17の残膜の厚さとが同じになるよう
に第2回目の露光をする場合を示した。しかし、この発
明はこれに限られるものでなく、第3A図に示すように
、チップ周辺部16だけを盛り上がらせることもできる
。すなわち、第2図のグラフを用いて、チップ周辺部1
6の残膜率がチップ周辺部以外の部分17の残膜率より
も大きくなるように、第2回目の露光量を調節する。そ
して、これを現像すると第3A図に示すものを得る。周
辺部の膜厚のみを厚くすることにより、色分解フィルタ
の光学的特性を変えることができる。
In the above embodiment, the second exposure is performed so that the thickness of the remaining film in the chip peripheral area 16 is equal to the thickness of the remaining film in the other part 17. However, the present invention is not limited to this, and only the chip peripheral portion 16 can be raised as shown in FIG. 3A. That is, using the graph in FIG. 2, the chip peripheral area 1
The second exposure dose is adjusted so that the remaining film rate of No. 6 is greater than the remaining film ratio of the portion 17 other than the chip peripheral area. When this is developed, what is shown in FIG. 3A is obtained. By increasing the thickness of only the peripheral portion, the optical characteristics of the color separation filter can be changed.

また、上記実施例(第3A図)の逆の場合で、第1C図
の段階でダイシングライン11部とチ)ブ周辺部16の
みを遮光する部分遮光マスクを用いて第2回目の露光を
すれば、チップ周辺部分16を積極的に薄くすることも
可能である。第3B図はこの方法を用いて得られたもの
の断面である。
In addition, in the opposite case of the above embodiment (Fig. 3A), the second exposure is carried out using a partial light-shielding mask that blocks only the dicing line 11 and the peripheral part 16 of the chip at the stage shown in Fig. 1C. For example, it is also possible to proactively make the chip peripheral portion 16 thinner. Figure 3B is a cross section obtained using this method.

チップ周辺部1Bを積極的に薄くすることにより、色分
解フィルタの光学的特性を変えることができる。
By proactively thinning the chip peripheral portion 1B, the optical characteristics of the color separation filter can be changed.

[発明の効果] この発明は、以上説明したとおり部分遮光マスクを用い
て、チップ周辺部の露光量とチップ周辺部以外の部分の
露光量との間に差を設けるように光照射し、樹脂膜を再
露光するので、チップ周辺部の残膜率とチップ周辺部以
外の部分の残膜率との間の差を任意に調節することがで
きる。その結果、種々の光学的特性を有する色分解フィ
ルタの製造が可能となる。
[Effects of the Invention] As explained above, the present invention uses a partial light-shielding mask to irradiate light so as to create a difference between the amount of exposure at the periphery of the chip and the amount of exposure at a portion other than the periphery of the chip. Since the film is re-exposed, the difference between the remaining film rate around the chip and the remaining film rate at parts other than the chip periphery can be adjusted as desired. As a result, it becomes possible to manufacture color separation filters having various optical characteristics.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1A図、第1B図、第1C図および第1D図は、この
発明の一実施例を示す図であり、第1A図はチップ上に
ネガ型可染性感光性樹脂膜が形成されていることを示す
図、第1B図は該樹脂膜にフォトマスクを接近させ光照
射している図、第1C図は部分遮光マスクを用いて該樹
脂膜を再露光している図、第1D図は現像した後の状態
を示す図である。 第2図は露光量とネガ型可染性感光性樹脂の残膜率との
関係を示す図である。 第3A図および第3B図はこの発明の他の実施例を示す
図である。 第4A図、第4B図および第4C図は通常のリングラフ
ィの手法をそのままウェハに応用した場合の様子を示し
た図であり、第4A図はチップ上にネガ型可染性感光性
樹脂膜が被覆されていることを示す図、第4B図は該樹
脂膜にフォトマスクを接近させ光照射している図、第4
C図は現像した後の状態を示す図である。 図において、9はチップ、10はネガ型可染性感光性樹
脂膜、12はフォトマスク、13は光、15は部分遮光
マスク、16はチップ周辺部分、17はチップ周辺部以
外の部分である。 第1A図         第1D図 9: 千”/ア 第2図 @ 、tl 第3A図 第38図 第4A図 第4C図 手続補正書(自発) 昭和62年642 日 昏
1A, 1B, 1C, and 1D are diagrams showing an embodiment of the present invention, and FIG. 1A shows a negative dyeable photosensitive resin film formed on a chip. Figure 1B is a diagram showing the resin film being approached with a photomask and irradiated with light, Figure 1C is a diagram showing the resin film being re-exposed using a partial light shielding mask, and Figure 1D is a diagram showing that the resin film is re-exposed to light using a partial light shielding mask. It is a figure which shows the state after development. FIG. 2 is a diagram showing the relationship between the exposure amount and the residual film rate of the negative dyeable photosensitive resin. FIGS. 3A and 3B are diagrams showing other embodiments of the present invention. Figures 4A, 4B, and 4C are diagrams showing the state in which the ordinary phosphorography method is directly applied to a wafer, and Figure 4A shows a negative dyeable photosensitive resin film on a chip. FIG. 4B is a diagram showing that the resin film is covered with light, and FIG.
Figure C is a diagram showing the state after development. In the figure, 9 is a chip, 10 is a negative dyeable photosensitive resin film, 12 is a photomask, 13 is a light, 15 is a partial light shielding mask, 16 is a chip peripheral area, and 17 is a part other than the chip peripheral area. . Figure 1A Figure 1D Figure 9: 1,000/A Figure 2 @ , tl Figure 3A Figure 38 Figure 4A Figure 4C Procedural amendment (voluntary) 642 Sun, 1988

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)複数個のチップに区切られたウェハ上に、ネガ型
可染性感光性樹脂を塗布し、乾燥し、該ウェハ上に被覆
されたネガ型可染性感光性樹脂膜の上にフォトマスクを
密着または接近させて光を照射し、該樹脂膜を露光し、 次いで、部分遮光マスクを用いてチップ周辺部の露光量
とチップ周辺部以外の部分の露光量との間に差を設ける
ように光を照射し、該樹脂膜を露光し、 その後、未硬化部分を現像して溶解し、残膜であるネガ
型可染性樹脂のパターンをチップ上に形成する色分解フ
ィルタの製造方法。
(1) A negative dyeable photosensitive resin is applied onto a wafer divided into multiple chips, dried, and then photo is applied onto the negative dyeable photosensitive resin film coated on the wafer. The resin film is exposed by irradiating light with the mask in close contact with or close to each other, and then a difference is created between the amount of exposure around the chip and the amount of exposure outside the periphery of the chip using a partial light shielding mask. A method for producing a color separation filter, in which the resin film is exposed to light, and the uncured portion is then developed and dissolved to form a residual film pattern of negative dyeable resin on the chip. .
(2)前記チップ周辺部の露光量を前記チップ周辺部以
外の部分の露光量より多くし、前記チップ周辺部の残膜
率を前記チップ周辺部以外の部分の残膜率と等しくした
特許請求の範囲第1項記載の色分解フィルタの製造方法
(2) A patent claim in which the amount of exposure of the peripheral area of the chip is greater than the amount of exposure of the area other than the peripheral area of the chip, and the remaining film rate of the peripheral area of the chip is equal to the remaining film rate of the area other than the peripheral area of the chip. A method for manufacturing a color separation filter according to item 1.
(3)前記チップ周辺部の露光量を前記チップ周辺部以
外の部分の露光量より多くし、前記チップ周辺部の残膜
率を前記チップ周辺部以外の部分の残膜率より多くした
特許請求の範囲第1項記載の色分解フィルタの製造方法
(3) A patent claim in which the amount of exposure in the peripheral area of the chip is higher than the amount of exposure in the area other than the peripheral area of the chip, and the remaining film rate in the peripheral area of the chip is higher than the rate of remaining film in the area other than the peripheral area of the chip. A method for manufacturing a color separation filter according to item 1.
(4)前記チップ周辺部の露光量を前記チップ周辺部以
外の部分の露光量より少なくし、前記チップ周辺部の残
膜率を前記チップ周辺部以外の部分の残膜率より少なく
した特許請求の範囲第1項記載の色分解フィルタの製造
方法。
(4) A patent claim in which the amount of exposure of the peripheral area of the chip is lower than the amount of exposure of the area other than the peripheral area of the chip, and the remaining film rate of the peripheral area of the chip is lower than the rate of remaining film of the area other than the peripheral area of the chip. A method for manufacturing a color separation filter according to item 1.
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