JPS63138736A - Method for patterning resist - Google Patents
Method for patterning resistInfo
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- JPS63138736A JPS63138736A JP61286483A JP28648386A JPS63138736A JP S63138736 A JPS63138736 A JP S63138736A JP 61286483 A JP61286483 A JP 61286483A JP 28648386 A JP28648386 A JP 28648386A JP S63138736 A JPS63138736 A JP S63138736A
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Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造におけるレジストのパターニ
ング方法に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a resist patterning method in the manufacture of semiconductor devices.
ポジ型レジスト層に、露光部と未露光部を作りこれをベ
ークし、さらに全面露光を行うことにより、初めの露光
における未露光部を現像液によって溶解させる、いわゆ
る画像反転によるレジストパターニング方法において、
ポジ型レジスト層上にコントラスト増強層（以下ＣＫＬ
という）を形成し、最初の露光を行うことにより、レジ
ストパターンの断面形状をオーバーハング型から直立型
にしたものである。In a resist patterning method using so-called image reversal, in which an exposed area and an unexposed area are created in a positive resist layer, this is baked, and the entire surface is exposed, the unexposed area in the first exposure is dissolved by a developer.
A contrast enhancement layer (hereinafter referred to as CKL) is placed on the positive resist layer.
The cross-sectional shape of the resist pattern is changed from an overhang type to an upright type by forming a resist pattern and performing an initial exposure.
従来の画像反転によるレジストパターニング方法は、第
２図（α）〜（ｄ）に示すごとく、ポジ型レジスト層上
に直接露光を行っていた。In the conventional resist patterning method using image reversal, as shown in FIGS. 2(α) to (d), a positive resist layer is directly exposed to light.
しかし、前述の従来技術では、ガラスマスクからの透過
光はコントラストを低下したまま、レジストを感光する
ために、これから画像反転して得られるレジストパター
ンの断面形状は第１図ｃｄ）のようなオーバーハング型
となり易かった。このオーバーハング型のレジストパタ
ーンでは寸法制御が離しく、エツチングに困難を生じさ
せていた。However, in the above-mentioned conventional technology, since the transmitted light from the glass mask exposes the resist while reducing the contrast, the cross-sectional shape of the resist pattern obtained by inverting the image has an overlapping shape as shown in Figure 1 c). It could easily become a hang type. With this overhang type resist pattern, dimensional control is difficult, making etching difficult.
本発明はこの様な問題点を解決するもので、その目的と
するところは、０１！Ｌを介してレジストを感光するこ
とによって、低下したコントラストを増強させ、画像反
転によって得られるレジストパターン形状を直立にする
ことにある。The present invention is intended to solve these problems, and its purpose is 01! By exposing the resist to light through L, the reduced contrast is enhanced and the shape of the resist pattern obtained by image reversal is made upright.
本発明のレジストのパターニング方法は、α）レジスト
層上に０ＥＬＩを形成し、ガラスマスクを介して露光す
る工程と、
ｂ＞Ｏ’ｌ、Ｌを剥離し、ベークを行う工程と、Ｃ）全
面一光を行う工程と、
ｄ）レジスト層を現像する工程と、
かうなることを特徴とする。The resist patterning method of the present invention includes α) a step of forming 0ELI on the resist layer and exposing it to light through a glass mask, a step of peeling off b>O'l, L, and baking, and C) the entire surface. The method is characterized by the following steps: d) developing the resist layer.
以下、本発明について、実施例に基づき詳細に説明する
。Hereinafter, the present invention will be described in detail based on examples.
第１図（α）〜（ｄ）は本発明の実施例を工程順に示す
図である。まず（ａ）の如く加工基板１上に、画像反転
処理用のポジ型レジストＮ２を形成する。実施例では、
ヘキスト製のポジ型しジス）、ＡＺ５２１４を使用し、
１．’ｌｐｍ厚のぎジ型レジスト層２をスピンコード法
により形成した。FIGS. 1(α) to 1(d) are diagrams showing an embodiment of the present invention in the order of steps. First, as shown in (a), a positive resist N2 for image reversal processing is formed on the processed substrate 1. In the example,
Using Hoechst's positive type resistor, AZ5214,
1. A resist layer 2 having a thickness of 1 pm was formed by a spin code method.
ＡＺ５２１４は４５６ｎｍの露光波長に対し、はとんど
感光性を持たない、非常に感度の低いポジ型レジストで
ある。プレベークは、ホットプレートにより、９０℃で
、５分間行った。このポジ型レジスト層２の上に、０Ｋ
Ｌ５を形成する。実施例としては、ゼネラル、士しクト
リック社製のＣＥＭ−４２０を使用した。ＣＩＣＭ−４
２０は、露光波長λが、４５６ｎｒｎＯ時、最も効果的
にブリーチング特性を示すよう合成された０ＫＬ５であ
る。ＯＥＭ−４２０は、スピンコード法により、約８０
００にの膜厚に形成する。AZ5214 is a positive resist with very low sensitivity, having almost no photosensitivity to the exposure wavelength of 456 nm. Prebaking was performed at 90° C. for 5 minutes using a hot plate. On this positive resist layer 2, 0K
Form L5. As an example, CEM-420 manufactured by General Medical Co., Ltd. was used. CICM-4
No. 20 is 0KL5 synthesized so as to exhibit the most effective bleaching property when the exposure wavelength λ is 456nrnO. OEM-420 is approximately 80
It is formed to a film thickness of 0.00.
この後、ベークは行わず、第一の露光４を行う。After this, first exposure 4 is performed without baking.
この第一の露光４では、通常のパターニングで、露光部
と来露光部が逆となるようなパターンをマスクとする。In this first exposure 4, a pattern is used as a mask in which the exposed area and the next exposed area are reversed in normal patterning.
実施例では、日本光学工業Ｃ株°）の縮少露光装置ｓ
Ｎ Ｓ Ｒ１５０５−Ｇ Ｓ Ａ （縮少率１１５ｔｉ
ｉ！光波長λ＝４５６３ｍ）で、照度が、４００ｎｓＷ
の時、２．５秒面の露光を行った。この露光時間は、加
工基板１の反射率などによりて異なり、２．５秒間とは
、加工基板１がｐｏ１７５１１の時である。In the example, a reduction exposure device s manufactured by Nippon Kogaku Kogyo C Co., Ltd.
NSR1505-GSA (Reduction rate 115ti
i! Light wavelength λ = 4563 m), illumination intensity is 400 nsW
At this time, exposure was performed for 2.5 seconds. This exposure time varies depending on the reflectance of the processed substrate 1, etc., and 2.5 seconds is when the processed substrate 1 is po17511.
次いで（Ａ）の如（、ＣＫ１．５を専用液によって剥離
する。０１！！Ｍ−４２０を使った場合、専用液はＣＥ
ｉＭストリッパー人−１５となる。ＯＥＭストリッパー
Ａ−１５は、ウェハな回転させた所へ、加圧によりスプ
レーされる。ａｘＬｓを剥離した後、ベーク７５を行う
、実施例では、ホットプレートにより、１１５℃で１５
０秒間行った。Next, as shown in (A), CK1.5 is removed using a special solution.01!!When using M-420, the special solution is CE
iM stripper person-15. OEM Stripper A-15 is sprayed under pressure onto the rotating wafer. After peeling off the axLs, baking 75 is performed.
This was done for 0 seconds.
次に＜ｃ＞の如く全面一光４を行う。実施例では、キャ
ノン販売（株）のＰＬＡにより、１０秒１１ｊ （１２
５ｍ Ｊ ／ ｃｊ ｓ露光波長λ；４０５ルｍ）行っ
た。Next, the entire surface is illuminated 4 as shown in <c>. In the example, 10 seconds 11j (12
5 m J/cj s exposure wavelength λ; 405 lm).
この後、現像を行う、実施例では、ヘキスト社製、ＡＺ
５１２ＭＩＩＦ（１：１）で６０秒間ツバドル現像を行
った。After this, development is performed. In the example, AZ
512 MIIF (1:1) was used for 60 seconds of Tsubadoru development.
従来の方法は、第２図（α）〜（ｄ）に示すように、０
ＩＬ３の形成、並びに剥離工程がないだけで、他は上述
と同じ方法である。ただ第一の露光４の露光時間が、本
発明よりも短かく、１程度度となる。The conventional method, as shown in Fig. 2 (α) to (d),
The method is the same as described above except for the formation of IL3 and the peeling process. However, the exposure time of the first exposure 4 is shorter than that of the present invention, and is about 1 degree.
上述の如く本発明のレジストのパターニング工程によれ
ば、従来のようなパターン形状のオーバーハング化がな
くなり、寸法制御、並びにエツチングを容易にした。As described above, according to the resist patterning process of the present invention, overhanging of the pattern shape as in the conventional method is eliminated, and dimensional control and etching are facilitated.
このパターニング方法は、レジストパターン寸法が１μ
ｍ以下でも可能であり、これは、パターンサイズの微細
化を容易にすることにつながる。In this patterning method, the resist pattern size is 1 μm.
It is also possible to make the pattern size smaller than m, which facilitates miniaturization of the pattern size.
【図面の簡単な説明】
第１図（α）〜（ｄ）は、本発明の笑施ｍｊによるレジ
ストのパターニング方法を示す工程断面図第２図（α）
〜Ｃｄ）は、従来の技術によるレジストのパターニング
方法を示す工１断面図。
１・・・・・・加工基板
２・・・・・・ポジ型レジスト
３ ・・・・・・ ０ＷＬ
４・・・・・・露光
５・・・・・・ベーク
以上
出願人 セイコーエプソン株式会社
第７０ 第２０[BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS] FIGS. 1(α) to (d) are process cross-sectional views showing a method for patterning a resist using a photomask according to the present invention. FIG. 2(α)
~Cd) is a cross-sectional view of process 1 showing a resist patterning method according to a conventional technique. 1...Processed substrate 2...Positive resist 3...0WL 4...Exposure 5...Bake and above Applicant: Seiko Epson Corporation 70th 20th
Claims (1)
スマスクを介して露光する工程と、 ｂ）前記コントラスト増強層を剥離し、ベークを行う工
程と、 ｃ）全面露光を行う工程と、 ｄ）レジスト層を現像する工程からなることを特徴とす
るレジストのパターニング方法。[Claims] a) forming a contrast-enhancing layer on the resist layer and exposing it to light through a glass mask; b) peeling off the contrast-enhancing layer and baking; c) exposing the entire surface to light. d) developing the resist layer.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61286483A JPS63138736A (en) | 1986-12-01 | 1986-12-01 | Method for patterning resist |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61286483A JPS63138736A (en) | 1986-12-01 | 1986-12-01 | Method for patterning resist |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63138736A true JPS63138736A (en) | 1988-06-10 |
Family
ID=17704980
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61286483A Pending JPS63138736A (en) | 1986-12-01 | 1986-12-01 | Method for patterning resist |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63138736A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63215038A (en) * | 1987-03-04 | 1988-09-07 | Toshiba Corp | Formation of resist pattern |
| JP2002365806A (en) * | 2001-06-07 | 2002-12-18 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | Fine pattern drawing material, drawing method using the same and fine pattern forming method |
-
1986
- 1986-12-01 JP JP61286483A patent/JPS63138736A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63215038A (en) * | 1987-03-04 | 1988-09-07 | Toshiba Corp | Formation of resist pattern |
| JP2002365806A (en) * | 2001-06-07 | 2002-12-18 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | Fine pattern drawing material, drawing method using the same and fine pattern forming method |
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