JPS6355233B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6355233B2 JPS6355233B2 JP58242810A JP24281083A JPS6355233B2 JP S6355233 B2 JPS6355233 B2 JP S6355233B2 JP 58242810 A JP58242810 A JP 58242810A JP 24281083 A JP24281083 A JP 24281083A JP S6355233 B2 JPS6355233 B2 JP S6355233B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- uneven surface
- semiconductor
- semiconductor substrate
- semiconductor layer
- periodic structure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 146
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 52
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 30
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 22
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 21
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 claims description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 3
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 34
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 6
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明の分野
本発明は、周期性構造を有する半導体レーザの
製法に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor laser having a periodic structure.
本発明の背景
周期性構造を有する半導体レーザとして、従
来、第１図を伴なつて次に述べる構成を有するも
のが提案されている。BACKGROUND OF THE INVENTION As a semiconductor laser having a periodic structure, one having the configuration described below with reference to FIG. 1 has been proposed.
すなわち、表面を回折格子としての例えば4600
Åの周期で周期性を有する凹凸表面２としている
例えばInPでなるｎ型の半導体基板１（キヤリア
密度、例えば５×1018／cm3）を有する。 That is, for example 4600 with the surface as a diffraction grating.
It has an n-type semiconductor substrate 1 made of, for example, InP (carrier density, for example, 5×10 18 /cm 3 ) and has an uneven surface 2 having periodicity with a period of Å.
しかして、その半導体基板１上に、例えばGa
×InyAs（ただし、例えば、ｘ＝0.52、ｙ＝0.47）
でなる光ガイド層としてのｎ型の半導体層３（厚
さ、例えば0.2μm、キヤリア密度、例えば７×
1017／cm3）と、例えばGa×InyAszPw（ただし、例
えばｘ＝0.42、ｙ＝0.48、Ｚ＝0.88、Ｗ＝0.12）
でなる活性層としての半導体層４（厚さ、例えば
0.13μm、不純物は導入せず）と、例えばInPでな
るクラツド層としてのｐ型の半導体層５（厚さ、
例えば0.25μm、キヤリア密度、例えば４×1017／
cm3）と、例えばGa×ASzPw（ただし、例えば、ｘ
＝0.26、ｙ＝0.47、ｚ＝0.56、ｗ＝0.44）でなる
電極付用層としてのｐ型の半導体層６（厚さ、例
えば0.7μm、キヤリア密度、例えば１×1018／cm3）
とが、それらの順に順次、積層して形成されてい
る。 Therefore, on the semiconductor substrate 1, for example, Ga
×InyAs (for example, x=0.52, y=0.47)
An n-type semiconductor layer 3 (thickness, e.g. 0.2 μm, carrier density, e.g. 7×
10 17 /cm 3 ) and, for example, Ga×InyAs z P w (for example, x=0.42, y=0.48, Z=0.88, W=0.12)
Semiconductor layer 4 as an active layer (thickness, e.g.
0.13 μm (no impurities introduced) and a p-type semiconductor layer 5 (thickness,
For example, 0.25μm, carrier density, for example 4×10 17 /
cm 3 ) and, for example, Ga×AS z P w (where, for example, x
= 0.26, y = 0.47, z = 0.56, w = 0.44) as an electrode attachment layer (thickness, e.g. 0.7 μm, carrier density, e.g. 1×10 18 /cm 3 ).
are sequentially stacked in that order.
また、半導体基板１の半導体層３側とは反対側
の面上に電極７が付され、また、半導体層６上に
電極８が付されている。 Further, an electrode 7 is attached to the surface of the semiconductor substrate 1 opposite to the semiconductor layer 3 side, and an electrode 8 is attached to the semiconductor layer 6.
以上が従来提案されている半導体レーザの構成
である。 The above is the structure of a conventionally proposed semiconductor laser.
このような構成を有する半導体レーザによれ
ば、詳細説明は省略するが、電極７及び８間に所
要のバイアス電源を接続して動作させることによ
つて、レーザ発振が得られ、そのレーザ光（波
長、例えば1.5μm）を外部に出射して得ることが
できる。 According to the semiconductor laser having such a configuration, a detailed explanation will be omitted, but by connecting a required bias power source between the electrodes 7 and 8 and operating it, laser oscillation can be obtained, and the laser beam ( It can be obtained by emitting a wavelength (for example, 1.5 μm) to the outside.
この場合、光ガイド層としての半導体層３の厚
さが、半導体基板１の凹凸表面２の凹凸の周期性
に応じた周期性を有していることによつて、内部
に周期性構造を有しているので、レーザ発振及び
それにもとづくレーザ光が、高速変調時でも、単
一縦モードで、安定に得られる。 In this case, the thickness of the semiconductor layer 3 as a light guide layer has a periodicity corresponding to the periodicity of the unevenness of the uneven surface 2 of the semiconductor substrate 1, so that the semiconductor layer 3 has a periodic structure inside. Therefore, laser oscillation and laser light based on it can be stably obtained in a single longitudinal mode even during high-speed modulation.
従つて、第１図に示す従来の半導体レーザは、
光フアイバを用いた光通信用光源に用いて好適で
ある、という特徴を有する。 Therefore, the conventional semiconductor laser shown in FIG.
It has the characteristic that it is suitable for use as a light source for optical communications using optical fibers.
ところで、このような特徴を有する周期性構造
を有する半導体レーザの製法として、従来第２図
を伴なつて次に述べる製法が提案されている。な
お、第２図において、第１図との対応部分には同
一符号を付し詳細説明を省略する。 By the way, as a method for manufacturing a semiconductor laser having a periodic structure having such characteristics, the following manufacturing method with reference to FIG. 2 has been proposed. Note that in FIG. 2, parts corresponding to those in FIG. 1 are given the same reference numerals and detailed explanations will be omitted.
すなわち、半導体基板１を予め用意する（第２
図Ａ）。 That is, the semiconductor substrate 1 is prepared in advance (second
Figure A).
しかして、その半導体基板１の表面を、高低差
が例えば1500Åを有する凹凸表面２に形成する
（第２図Ｂ）。 Thus, the surface of the semiconductor substrate 1 is formed into an uneven surface 2 having a height difference of, for example, 1500 Å (FIG. 2B).
次に、半導体基板１の凹凸表面２上に、液相エ
ピタキシヤル成長法によつて、半導体層３，４，
５及び６を、それらの順に、順次積層して形成す
る（第２図Ｃ）。 Next, semiconductor layers 3, 4,
5 and 6 are sequentially stacked in that order (FIG. 2C).
次に、半導体基板１の半導体層３側とは反対側
の面上及び半導体層６上に、それぞれ電極７及び
８を形成する（第２図Ｄ）。 Next, electrodes 7 and 8 are formed on the surface of the semiconductor substrate 1 opposite to the semiconductor layer 3 and on the semiconductor layer 6, respectively (FIG. 2D).
以上のようにして、第１図に示す周期性構造を
有する半導体レーザを製造する。 In the manner described above, a semiconductor laser having the periodic structure shown in FIG. 1 is manufactured.
以上が、従来提案されている周期性構造を有す
る半導体レーザの製法である。 The above is a conventionally proposed method for manufacturing a semiconductor laser having a periodic structure.
このような周期性構造を有する半導体レーザの
製法によれば、半導体基板１の表面を、凹凸表面
２に形成する工程と、その半導体基板１の凹凸表
面２上に、液相エピタキシヤル成長法によつて所
要の半導体層３，４，５及び６を形成する工程を
とるという極めて簡単な工程で、第１図に示す周
期性構造を有する半導体レーザを製造することが
できる。 According to the manufacturing method of a semiconductor laser having such a periodic structure, the surface of the semiconductor substrate 1 is formed into an uneven surface 2, and the uneven surface 2 of the semiconductor substrate 1 is formed using a liquid phase epitaxial growth method. Therefore, a semiconductor laser having the periodic structure shown in FIG. 1 can be manufactured by an extremely simple process of forming the required semiconductor layers 3, 4, 5, and 6.
ところで、第２図に示す従来の周期性構造を有
する半導体レーザの製法において、液相エピタキ
シヤル成長法によつて半導体基板１の凹凸表面２
上に形成される半導体層４，５，６及び７は、表
面を凹凸表面２に形成している半導体基板１を炉
内に配し、そして、その半導体基板１に対する加
熱を開始させると共に、予め炉内に配されている
半導体層４〜７を形成するための半導体材料の加
熱を開始してその融液を得、次でその融液の温度
を徐々に低下させ、その過程で半導体基板１の凹
凸表面２上に半導体融液を接触させる、という方
法によつて、形成される。 By the way, in the conventional manufacturing method of a semiconductor laser having a periodic structure shown in FIG. 2, the uneven surface 2 of the semiconductor substrate 1 is
Semiconductor layers 4, 5, 6, and 7 to be formed on the semiconductor substrate 1 having an uneven surface 2 are placed in a furnace, heating of the semiconductor substrate 1 is started, and the semiconductor substrate 1 is heated in advance. The heating of the semiconductor material for forming the semiconductor layers 4 to 7 arranged in the furnace is started to obtain the melt, and then the temperature of the melt is gradually lowered, and in the process, the semiconductor substrate 1 is heated. It is formed by a method of bringing a semiconductor melt into contact with the uneven surface 2 of.
このため、液相エピタキシヤル成長法によつて
半導体基板１の凹凸表面２上に半導体層４〜７を
形成するまでの間において、半導体基板１上に、
その凹凸表面２に変形を生じさせる高い温度（例
えば450℃）が与えられ、よつて、半導体基板１
の凹凸表面２上に半導体層４〜６が形成された状
態において、第２図Ｄに示すように、半導体基板
１上に形成された凹凸表面２が、第１図Ａに示す
当初の高低差（例えば1500Å）よりも格段的に小
さな高低差（例えば500Å）しか有しないものに
変形する。 For this reason, until the semiconductor layers 4 to 7 are formed on the uneven surface 2 of the semiconductor substrate 1 by the liquid phase epitaxial growth method, on the semiconductor substrate 1,
A high temperature (for example, 450°C) that causes deformation of the uneven surface 2 is applied, and thus the semiconductor substrate 1
In the state in which the semiconductor layers 4 to 6 are formed on the uneven surface 2 of the semiconductor substrate 1, as shown in FIG. (for example, 1500 Å), the height difference is much smaller (for example, 500 Å).
従つて、第２図に示す従来の周期性構造を有す
る半導体レーザの製法の場合、周期性構造を有す
る半導体レーザが、周期構造を有していることに
よる特徴を十分発揮しないものとして得られる、
という欠点を有していた。 Therefore, in the case of the conventional manufacturing method of a semiconductor laser having a periodic structure shown in FIG. 2, the semiconductor laser having a periodic structure is obtained without fully exhibiting the characteristics due to the periodic structure.
It had the following drawback.
本発明の開示
よつて、本発明は、上述した従来の周期性構造
を有する半導体レーザの製法の欠点ない、新規な
周期性構造を有する半導体レーザを提案せんとす
るものである。DISCLOSURE OF THE INVENTION Accordingly, it is an object of the present invention to propose a novel semiconductor laser having a periodic structure, which does not have the drawbacks of the above-described conventional method of manufacturing a semiconductor laser having a periodic structure.
本発明による周期性構造を有する半導体レーザ
の製法によれば、半導体基板の表面を、回折格子
としての周期性を有する凹凸表面に形成する工程
と、その半導体基板の凹凸表面上に、その凹凸表
面に変形を与えない温度以下の温度で、半導体基
板とは異なる半導体材料でなる保護用半導体層を
形成する工程と、その半導体基板の凹凸表面上に
形成されている保護用半導体層を、メルトバツク
によつて、凹凸表面上から除去して、凹凸表面表
面を露呈させ、その凹凸表面上に、液相エピタキ
シヤル成長法によつて、所要の半導体層を形成す
る工程とを含んで、目的とする周期性構造を有す
る半導体レーザを製造する。 According to the method for manufacturing a semiconductor laser having a periodic structure according to the present invention, the surface of the semiconductor substrate is formed into an uneven surface having periodicity as a diffraction grating, and the uneven surface is formed on the uneven surface of the semiconductor substrate. A process of forming a protective semiconductor layer made of a semiconductor material different from that of the semiconductor substrate at a temperature below a temperature that does not cause deformation, and a process of forming a protective semiconductor layer formed on the uneven surface of the semiconductor substrate in a melt bag. Therefore, the method includes the step of removing the uneven surface to expose the uneven surface, and forming a desired semiconductor layer on the uneven surface by liquid phase epitaxial growth method. A semiconductor laser having a periodic structure is manufactured.
このため、本発明による周期性構造を有する半
導体レーザによれば、周期性構造を有する半導体
レーザを、その半導体基板の凹凸表面、当初の凹
凸表面から実質的に変形されていないものとし
て、製造することができる。 Therefore, according to the semiconductor laser having a periodic structure according to the present invention, the semiconductor laser having a periodic structure can be manufactured with the uneven surface of the semiconductor substrate substantially unchanged from the original uneven surface. be able to.
その理由は、半導体基板の凹凸表面上に保護用
半導体層を形成する工程において、その保護用半
導体層が、凹凸表面に変形を与えない温度以下の
温度で形成されるので、凹凸表面に変形が与えら
れない。また、半導体基板の凹凸表面上に形成さ
れた保護用半導体層をメルトバツクによつて、凹
凸表面上から除去するときに、半導体基板に、半
導体層を液相エピタキシヤル成長法によつて形成
するための融液が得られるに十分な高い温度が与
えられても、凹凸表面が露呈するまでの間、凹凸
表面が保護用半導体層によつて埋込まれているの
で、このときの温度によつて凹凸表面に変形が与
えられない。さらに、凹凸表面が露呈して後、直
ちに、その凹凸表面上に、液相エピタキシヤル成
長法によつて、半導体層を形成することができる
ので、凹凸表面を露呈させて、その凹凸表面上
に、液相エピタキシヤル成長法によつて半導体層
を形成するまでの間において、凹凸表面に殆んど
変形が与えられないか、与えられるとも僅かな変
形しか与えられない。また、凹凸表面を露呈させ
て後、その凹凸表面上に液相エピタキシヤル成長
法によつて半導体層を形成するとき、凹凸表面が
半導体層によつて埋込まれるので、このときの温
度によつて、凹凸表面に変形が与えられない。 The reason for this is that in the process of forming the protective semiconductor layer on the uneven surface of the semiconductor substrate, the protective semiconductor layer is formed at a temperature below the temperature that does not cause deformation to the uneven surface, so the uneven surface is not deformed. Not given. Furthermore, when the protective semiconductor layer formed on the uneven surface of the semiconductor substrate is removed from the uneven surface using a melt bag, the semiconductor layer is formed on the semiconductor substrate by liquid phase epitaxial growth. Even if a high enough temperature is applied to obtain a melt, the uneven surface is buried in the protective semiconductor layer until it is exposed, so No deformation is applied to the uneven surface. Furthermore, after the uneven surface is exposed, a semiconductor layer can be immediately formed on the uneven surface by liquid phase epitaxial growth. Until the semiconductor layer is formed by the liquid phase epitaxial growth method, the uneven surface is hardly deformed or only slightly deformed. Furthermore, when a semiconductor layer is formed on the uneven surface by liquid phase epitaxial growth after exposing the uneven surface, the uneven surface is buried by the semiconductor layer, so the temperature at this time causes Therefore, no deformation is applied to the uneven surface.
以上が、本発明による周期性構造を有する半導
体レーザの製法による場合、その半導体基板の凹
凸表面が当初の凹凸表面から変形されていないも
のとして、製造することができる理由である。 The above is the reason why, when using the method for manufacturing a semiconductor laser having a periodic structure according to the present invention, the semiconductor substrate can be manufactured with the uneven surface of the semiconductor substrate having not been deformed from the original uneven surface.
従つて、本発明による周期性構造を有する半導
体レーザの製法によれば、周期性構造を有するこ
との特徴を十分発揮する周期性構造を有する半導
体レーザを、容易に製造することができる、とい
う特徴を有する。 Therefore, according to the method for manufacturing a semiconductor laser having a periodic structure according to the present invention, a semiconductor laser having a periodic structure that fully exhibits the characteristics of having a periodic structure can be easily manufactured. has.
本発明の好適な実施例
第３図は、本発明による周期性構造を有する半
導体レーザの製法の実施例を示し、次に述べる順
次の工程をとつて、周期性構造を有する半導体レ
ーザを製造する。なお、第３図において、第１図
及び第２図との対応部分には同一符号を付し詳細
説明を省略する。Preferred Embodiment of the Present Invention FIG. 3 shows an embodiment of the method for manufacturing a semiconductor laser having a periodic structure according to the present invention. The semiconductor laser having a periodic structure is manufactured by taking the following sequential steps. . In FIG. 3, parts corresponding to those in FIGS. 1 and 2 are designated by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.
すなわち、第２図Ａの場合と同様に、半導体基
板１を予め用意する（第３図Ａ）。 That is, as in the case of FIG. 2A, the semiconductor substrate 1 is prepared in advance (FIG. 3A).
しかして、その半導体基板１の表面を、第２図
Ｂの場合と同様に凹凸表面２に形成する（第３図
Ｂ）。 Thus, the surface of the semiconductor substrate 1 is formed into an uneven surface 2 as in the case of FIG. 2B (FIG. 3B).
次に、半導体基板１の凹凸表面２上に、その凹
凸表面２に変形を与えない温度（例えば450℃）
以下の温度（例えば400℃）で、半導体基板１と
は異なる半導体材料例えばGa×InyAs（ただし、
例えばｘ＝0.53、ｙ＝0.47）でなる保護用半導体
層３０（不純物は導入せず）を、それ自体は公知
の例えば分子線エピタキシヤル成長法、気相エピ
タキシヤル成長法、液相エピタキシヤル成長法、
などによつて、例えば0.5μmの厚さに形成する
（第３図Ｃ）。 Next, the uneven surface 2 of the semiconductor substrate 1 is heated at a temperature (for example, 450° C.) that does not cause deformation of the uneven surface 2.
A semiconductor material different from the semiconductor substrate 1, such as Ga×InyAs (however,
For example, the protective semiconductor layer 30 (no impurities introduced) consisting of x=0.53, y=0.47) is formed by a method known per se, such as molecular beam epitaxial growth, vapor phase epitaxial growth, or liquid phase epitaxial growth. law,
For example, it is formed to a thickness of 0.5 μm (FIG. 3C).
次に、半導体基板１の凹凸表面２上に形成され
ている保護用半導体層３０を、例えば燐（Ｐ）が
未飽和なGaInAsP4元素でなる半導体融液（温
度、例えば593℃）を用いた、メルトバツグ（時
間、例えば10秒）によつて、凹凸表面２上から除
去して、凹凸表面２を露呈させ、次で直ちに、そ
の凹凸表面２上に、第２図Ｃの場合と同様に、液
相エピタキシヤル成長法によつて、半導体層３，
４，５及び６を、それらの順に、順次積層して形
成する（第３図Ｄ）。なお、半導体基板１の凹凸
表面２上に保護用半導体層３０を形成して後、そ
の保護用半導体層３０を、メルトバツクするまで
の間には、半導体基板１１に、その凹凸表面２が
変形する温度以上の温度を与えないように注意し
なければならない。 Next, the protective semiconductor layer 30 formed on the uneven surface 2 of the semiconductor substrate 1 is formed using a semiconductor melt (temperature, e.g., 593° C.) made of GaInAsP4 element unsaturated with phosphorus (P), for example. The uneven surface 2 is removed by melt bagging (time, e.g. 10 seconds) to expose the uneven surface 2, and then immediately the liquid is applied onto the uneven surface 2 as in the case of FIG. 2C. By phase epitaxial growth method, semiconductor layers 3,
4, 5 and 6 are formed by laminating them in that order (FIG. 3D). Note that after the protective semiconductor layer 30 is formed on the uneven surface 2 of the semiconductor substrate 1 and until the protective semiconductor layer 30 is melted back, the uneven surface 2 is deformed into the semiconductor substrate 11. Care must be taken not to exceed the temperature.
次に、半導体基板１の半導体層３側とは反対側
の面上及び半導体層６上に、第２図Ｄの場合と同
様に、それぞれ電極７及び８を形成する（第３図
Ｅ）。 Next, electrodes 7 and 8 are formed on the surface of the semiconductor substrate 1 opposite to the semiconductor layer 3 side and on the semiconductor layer 6, respectively, as in the case of FIG. 2D (FIG. 3E).
以上のようにして、第１図に示す周期性構造を
有する半導体レーザを製造する。 In the manner described above, a semiconductor laser having the periodic structure shown in FIG. 1 is manufactured.
以上が、本発明による周期性構造を有する半導
体レーザの製法の実施例である。 The above is an embodiment of the method for manufacturing a semiconductor laser having a periodic structure according to the present invention.
このような周期性構造を有する半導体レーザの
製法によれば、半導体基板１の表面を凹凸表面２
に形成する工程と、半導体基板１の凹凸表面２上
に保護用半導体層３０を形成する工程と、半導体
基板１の凹凸表面２上に形成されている保護用半
導体層３０を、メルトバツクによつて除去し、そ
れによつて露呈した凹凸表面２上に、液相エピタ
キシヤル成長法によつて、所要の半導体層３〜６
を形成する工程をとるという極めて簡単な工程
で、第１図に示す周期性構造を有する半導体レー
ザを製造することができる。 According to the manufacturing method of a semiconductor laser having such a periodic structure, the surface of the semiconductor substrate 1 is formed into an uneven surface 2.
a step of forming a protective semiconductor layer 30 on the uneven surface 2 of the semiconductor substrate 1; and a step of forming the protective semiconductor layer 30 on the uneven surface 2 of the semiconductor substrate 1 by melt-backing. Required semiconductor layers 3 to 6 are formed on the removed and exposed uneven surface 2 by a liquid phase epitaxial growth method.
A semiconductor laser having the periodic structure shown in FIG. 1 can be manufactured by an extremely simple step of forming a semiconductor laser.
ところで、この場合、半導体基板１の凹凸表面
２上に保護用半導体層３０を形成する工程におい
て、その保護用半導体層３０が、半導体基板１の
凹凸表面２に変形を与えない温度以下の温度で形
成されるので、半導体基板１の凹凸表面２に変形
が与えられない。 By the way, in this case, in the step of forming the protective semiconductor layer 30 on the uneven surface 2 of the semiconductor substrate 1, the protective semiconductor layer 30 is formed at a temperature below a temperature that does not cause deformation to the uneven surface 2 of the semiconductor substrate 1. Therefore, the uneven surface 2 of the semiconductor substrate 1 is not deformed.
また、半導体基板１の凹凸表面２上に形成され
た保護用半導体層３０をメルトバツクによつて、
凹凸表面２上から除去するときに、半導体基板１
に、半導体層３〜６を液相エピタキシヤル成長法
によつて形成するための融液が得られるに十分な
高い温度が与えられても、凹凸表面２が露呈する
までの間、凹凸表面２が保護用半導体層３０によ
つて埋込まれているので、このときの温度によつ
て凹凸表面２に変形が与えられない。また、半導
体基板１の凹凸表面２上に形成されている保護用
半導体層３０を、メルトバツクによつて、凹凸表
面２から除去するときに用いた同じ炉内で、半導
体基板１の凹凸表面２が露呈して後、直ちに凹凸
表面２上に、液相エピタキシヤル成長法によつて
半導体層３〜６を形成するこどかできるので、凹
凸表面２を露呈させて、その凹凸表面２上に、液
相エピタキシヤル成長法によつて半導体層３〜６
を形成するまでの間において、凹凸表面２に殆ん
ど変形が与えられないか、与えられるとしても僅
かな変形しか与えられない。また、凹凸表面２を
露呈して後、その凹凸表面２上に液相エピタキシ
ヤル成長法によつて半導体層３〜６を形成すると
き、凹凸表面２が半導体層３〜６によつて埋込ま
れるので、このときの温度によつて、凹凸表面２
に変形が与えられない。 Further, the protective semiconductor layer 30 formed on the uneven surface 2 of the semiconductor substrate 1 is melt-backed.
When removing from the uneven surface 2, the semiconductor substrate 1
Even if a sufficiently high temperature is applied to obtain a melt for forming the semiconductor layers 3 to 6 by the liquid phase epitaxial growth method, the uneven surface 2 remains until the uneven surface 2 is exposed. is buried by the protective semiconductor layer 30, so that the uneven surface 2 is not deformed by the temperature at this time. Further, the uneven surface 2 of the semiconductor substrate 1 was removed in the same furnace used to remove the protective semiconductor layer 30 formed on the uneven surface 2 of the semiconductor substrate 1 from the uneven surface 2 by melt bag. Immediately after the exposure, the semiconductor layers 3 to 6 can be formed on the uneven surface 2 by the liquid phase epitaxial growth method. Semiconductor layers 3 to 6 are formed by phase epitaxial growth method.
Up to the time of forming the uneven surface 2, almost no deformation is applied to the uneven surface 2, or even if it is, only a small deformation is applied. Furthermore, when the uneven surface 2 is exposed and then the semiconductor layers 3 to 6 are formed on the uneven surface 2 by the liquid phase epitaxial growth method, the uneven surface 2 is buried by the semiconductor layers 3 to 6. Therefore, depending on the temperature at this time, the uneven surface 2
No deformation is given to .
従つて、第３図に示す本発明による周期性構造
を有する半導体レーザの製法によれば、全工程を
通じて、半導体基板１の凹凸表面に変形を与えな
い。 Therefore, according to the method of manufacturing a semiconductor laser having a periodic structure according to the present invention shown in FIG. 3, the uneven surface of the semiconductor substrate 1 is not deformed throughout the entire process.
よつて、第３図に示す本発明による周期性構造
を有する半導体レーザの製法によれば、周期性構
造を有する半導体レーザを、それが周期性構造を
有することの特徴を十分発揮するものとして、容
易に製造することができる、という大なる特徴を
有する。 Therefore, according to the method of manufacturing a semiconductor laser having a periodic structure according to the present invention shown in FIG. It has the great feature of being easy to manufacture.
なお、上述においては、本発明による周期性構
造を有する半導体レーザの製法の１つの実施例を
示したに留まり、例えば保護用半導体層３０を、
GaAsIn3元素系でなるものとして形成すること
もでき、また、上述したｐ型をｎ型、ｎ型をｐ型
と読み替えた製法とすることもでき、本発明の精
神を脱することなしに種々の変形、変更をなし得
るであろう。 Note that the above description merely shows one embodiment of the method for manufacturing a semiconductor laser having a periodic structure according to the present invention, and for example, the protective semiconductor layer 30 is
It can also be formed as a GaAsIn tri-element system, and the manufacturing method can also be used in which the above-mentioned p-type is read as n-type and n-type is read as p-type. Modifications and changes may be made.
第１図は、周期性構造を有する半導体レーザの
一例を示す略線的断面図である。第２図Ａ〜Ｄ
は、従来の周期性構造を有する半導体レーザの製
法を示す順次の工程における略線的断面図であ
る。第３図Ａ〜Ｅは、本発明による周期性構造を
有する半導体レーザの製法の実施例を示す順次の
工程における略線的断面図である。
１……半導体基板、２……凹凸表面、３，４，
５，６……半導体層、７，８……電極、３０……
保護用半導体層。
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing an example of a semiconductor laser having a periodic structure. Figure 2 A-D
1A and 1B are schematic cross-sectional views showing sequential steps in a conventional manufacturing method of a semiconductor laser having a periodic structure. 3A to 3E are schematic cross-sectional views showing sequential steps of an embodiment of the method for manufacturing a semiconductor laser having a periodic structure according to the present invention. 1... Semiconductor substrate, 2... Uneven surface, 3, 4,
5, 6... semiconductor layer, 7, 8... electrode, 30...
Protective semiconductor layer.
Claims (1)
性を有する凹凸表面に形成する工程と、 上記半導体基板の凹凸表面上に、その凹凸表面
に変形を与えない温度以下の温度で、上記半導体
基板とは異なる半導体材料でなる保護用半導体層
を形成する工程と、 上記半導体基板の凹凸表面に形成されている保
護用半導体層を、メルトバツクによつて、上記凹
凸表面上から除去して、上記凹凸表面を露呈さ
せ、その凹凸表面上に、液相エピタキシヤル成長
法によつて、所要の半導体層を形成する工程とを
含むことを特徴とする周期性構造を有する半導体
レーザの製法。[Claims] 1. A step of forming the surface of a semiconductor substrate into an uneven surface having periodicity as a diffraction grating, and heating the uneven surface of the semiconductor substrate at a temperature below a temperature that does not cause deformation of the uneven surface. forming a protective semiconductor layer made of a semiconductor material different from that of the semiconductor substrate; and removing the protective semiconductor layer formed on the uneven surface of the semiconductor substrate from the uneven surface by meltback. exposing the uneven surface, and forming a desired semiconductor layer on the uneven surface by a liquid phase epitaxial growth method. Manufacturing method.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58242810A JPS60134490A (en) | 1983-12-22 | 1983-12-22 | Manufacture of semiconductor laser having periodic structure |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58242810A JPS60134490A (en) | 1983-12-22 | 1983-12-22 | Manufacture of semiconductor laser having periodic structure |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60134490A JPS60134490A (en) | 1985-07-17 |
| JPS6355233B2 true JPS6355233B2 (en) | 1988-11-01 |
Family
ID=17094620
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58242810A Granted JPS60134490A (en) | 1983-12-22 | 1983-12-22 | Manufacture of semiconductor laser having periodic structure |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60134490A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0652037U (en) * | 1992-12-11 | 1994-07-15 | 株式会社金星社 | Incorrect insertion prevention device |
-
1983
- 1983-12-22 JP JP58242810A patent/JPS60134490A/en active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0652037U (en) * | 1992-12-11 | 1994-07-15 | 株式会社金星社 | Incorrect insertion prevention device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60134490A (en) | 1985-07-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5023198A (en) | Method for fabricating self-stabilized semiconductor gratings | |
| US4782035A (en) | Method of forming a waveguide for a DFB laser using photo-assisted epitaxy | |
| US4999841A (en) | Semiconductor lasers | |
| JPS6355233B2 (en) | ||
| JPH0846300A (en) | Method for shifting wavelength in semiconductor structure containing quantum well | |
| JPH06132610A (en) | Semiconductor laser array element and manufacture thereof | |
| JP3019174B2 (en) | Manufacturing method of multi-wavelength laser | |
| JP2682482B2 (en) | Method for manufacturing compound semiconductor integrated circuit | |
| JPS6023517B2 (en) | semiconductor laser device | |
| JP2751954B2 (en) | Method for forming compound semiconductor fine pattern | |
| JPS5882585A (en) | Manufacture of semiconductor laser | |
| JPH0310222B2 (en) | ||
| JPS58194386A (en) | Manufacture of semiconductor element | |
| JP3154430B2 (en) | AlGaAs thin film growth method | |
| JPH01186693A (en) | Semiconductor device and manufacture thereof | |
| JPS61271886A (en) | Semiconductor laser device | |
| JPH0661473A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JPS6025287A (en) | Compound semiconductor device and manufacture thereof | |
| JPH1056231A (en) | Semiconductor laser element and manufacture thereof | |
| JPS6381888A (en) | Manufacture of semiconductor laser | |
| JPH01293686A (en) | Manufacture of semiconductor laser element | |
| JPS6066888A (en) | Semiconductor laser array device | |
| JPS6369287A (en) | Manufacture of semiconductor light-emitting device | |
| JP2001042373A (en) | Wavelength conversion device | |
| JPH06151944A (en) | Fabrication of photodetector |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |