JPS6351554B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6351554B2 JPS6351554B2 JP57057267A JP5726782A JPS6351554B2 JP S6351554 B2 JPS6351554 B2 JP S6351554B2 JP 57057267 A JP57057267 A JP 57057267A JP 5726782 A JP5726782 A JP 5726782A JP S6351554 B2 JPS6351554 B2 JP S6351554B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wavelength
- semiconductor laser
- optical
- oscillation
- oscillation wavelength
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 62
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims description 52
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 48
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000010408 sweeping Methods 0.000 claims 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 14
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 14
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 9
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N bis(2-ethylhexyl) phthalate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC(CC)CCCC BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 229910013641 LiNbO 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
- H01S5/0687—Stabilising the frequency of the laser
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は半導体レーザの発振波長を簡易に且つ
精度良く認識して所定の波長に安定化させること
のできる半導体レーザの発振波長安定化装置に関
する。
精度良く認識して所定の波長に安定化させること
のできる半導体レーザの発振波長安定化装置に関
する。
近時、光が有する低損失、広帯域等の利点を活
かした光通信技術が注目されている。そして、そ
の光源として、半導体レーザを用いることが種々
試みられている。このような半導体レーザを用い
てヘテロダイン検波装置を構成する場合、2つの
半導体レーザの発振波長を一致させ、且つその発
振波長を安定化することが必要となる。また波長
多重化通信を行う場合、半導体レーザの発振波長
を所定の波長に一定安定化し、隣接波長チヤンネ
ルとの干渉を防ぐことも重要となる。
かした光通信技術が注目されている。そして、そ
の光源として、半導体レーザを用いることが種々
試みられている。このような半導体レーザを用い
てヘテロダイン検波装置を構成する場合、2つの
半導体レーザの発振波長を一致させ、且つその発
振波長を安定化することが必要となる。また波長
多重化通信を行う場合、半導体レーザの発振波長
を所定の波長に一定安定化し、隣接波長チヤンネ
ルとの干渉を防ぐことも重要となる。
しかして従来、半導体レーザの発振波長を測定
する場合には、例えば第1図に示すように半導体
レーザ1の発振出力光をハーフミラー2(あるい
はビームスプリツタ)を介して分光器3と波長掃
引型のフアブリペロー共振器4とに導びき、上記
分光器3によつて上記発振波長の大略的な値を知
つた上で、上記フアブリペロー共振器4の共振波
長を微少な挾帯域で掃引し、その光共振出力列を
光検出器5により検出してオシロスコープ6で表
示してその波長の細かな値を計測することにより
行われている。尚、図中7は、上記波長掃引を制
御する掃引電源である。このように、半導体レー
ザ1の発振波長を測定するだけでも分光器3とフ
アブリペロー共振器4とが必要であつた。
する場合には、例えば第1図に示すように半導体
レーザ1の発振出力光をハーフミラー2(あるい
はビームスプリツタ)を介して分光器3と波長掃
引型のフアブリペロー共振器4とに導びき、上記
分光器3によつて上記発振波長の大略的な値を知
つた上で、上記フアブリペロー共振器4の共振波
長を微少な挾帯域で掃引し、その光共振出力列を
光検出器5により検出してオシロスコープ6で表
示してその波長の細かな値を計測することにより
行われている。尚、図中7は、上記波長掃引を制
御する掃引電源である。このように、半導体レー
ザ1の発振波長を測定するだけでも分光器3とフ
アブリペロー共振器4とが必要であつた。
一方、従来、半導体レーザ1の発振波長を一定
化制御する場合、上記半導体レーザ1の温度を安
定化制御すると共に、第2図に示すように上記半
導体レーザ1の発振出力光をハーフミラー2を用
いて分光し、その一方を光検出器5aにて検出す
ると共に、他方の光を光共振器8を介して抽出し
てその透過光を光検出器5bにて検出し、これら
の光検出器5a,5bによる検出出力を差動幅幅
器9を介して帰還して、例えば前記半導体レーザ
1の注入電流量を変える等の制御を行うことによ
りなされている。このような制御ループによれ
ば、第3図に示すように光共振器8の光透過特性
における透過波長λとその透過光強度との一次的
な変化、つまり第3図中斜線部で示す領域の特性
変化を利用して半導体レーザ1の発振波長の安定
化を図ることができる。
化制御する場合、上記半導体レーザ1の温度を安
定化制御すると共に、第2図に示すように上記半
導体レーザ1の発振出力光をハーフミラー2を用
いて分光し、その一方を光検出器5aにて検出す
ると共に、他方の光を光共振器8を介して抽出し
てその透過光を光検出器5bにて検出し、これら
の光検出器5a,5bによる検出出力を差動幅幅
器9を介して帰還して、例えば前記半導体レーザ
1の注入電流量を変える等の制御を行うことによ
りなされている。このような制御ループによれ
ば、第3図に示すように光共振器8の光透過特性
における透過波長λとその透過光強度との一次的
な変化、つまり第3図中斜線部で示す領域の特性
変化を利用して半導体レーザ1の発振波長の安定
化を図ることができる。
即ち、例えば発振波長をλ1に安定化せんとする
とき、波長変動Δλによつて光共振器8の出力光
強度が一次的に変化することから、これを利用し
て上記注入電流量を負帰還制御することにより、
その波長安定化が達せられる。
とき、波長変動Δλによつて光共振器8の出力光
強度が一次的に変化することから、これを利用し
て上記注入電流量を負帰還制御することにより、
その波長安定化が達せられる。
ところが光共振出力には周期的に幾つかの安定
点があり、仮りに何らかの要因によつて波長変動
が大きく生じた場合、その制御系は正帰還作用を
受けて別の安定点、つまり波長λ2の位置に移るこ
とがある。このような現象は、発振波長が安定化
されているにも拘らず、所望とする波長から大き
くずれてしまつていることを意味する。このよう
な波長のずれを、先の安定点に戻す為には、前記
第1図に示す装置により波長測定を行わしめる必
要が生じた。つまり、半導体レーザ1の発振波長
を所定とする波長に一定とする為には、現発振波
長と、目的とする波長の光共振出力における安定
点との差異を正確に知る必要が生じた。ところが
従来にあつては、第1図および第2図に示すよう
に、発振波長の測定と、その安定化制御が別の系
で行われるので、その総合的な安定化を図ること
が繁雑であり、且つ困難であつた。
点があり、仮りに何らかの要因によつて波長変動
が大きく生じた場合、その制御系は正帰還作用を
受けて別の安定点、つまり波長λ2の位置に移るこ
とがある。このような現象は、発振波長が安定化
されているにも拘らず、所望とする波長から大き
くずれてしまつていることを意味する。このよう
な波長のずれを、先の安定点に戻す為には、前記
第1図に示す装置により波長測定を行わしめる必
要が生じた。つまり、半導体レーザ1の発振波長
を所定とする波長に一定とする為には、現発振波
長と、目的とする波長の光共振出力における安定
点との差異を正確に知る必要が生じた。ところが
従来にあつては、第1図および第2図に示すよう
に、発振波長の測定と、その安定化制御が別の系
で行われるので、その総合的な安定化を図ること
が繁雑であり、且つ困難であつた。
本発明はこのような事情を考慮してなされたも
ので、その目的とするところは、波長安定化に用
いる光共振器を有効に利用して半導体レーザの発
振波長を簡易に且つ正確に認識し、この認識結果
を基準として上記半導体レーザの発振波長を簡易
に且つ精度良く安定化することのできる半導体レ
ーザの発振波長安定化装置を提供することにあ
る。
ので、その目的とするところは、波長安定化に用
いる光共振器を有効に利用して半導体レーザの発
振波長を簡易に且つ正確に認識し、この認識結果
を基準として上記半導体レーザの発振波長を簡易
に且つ精度良く安定化することのできる半導体レ
ーザの発振波長安定化装置を提供することにあ
る。
本発明は光共振波長を微小に異にする複数の光
共振器に半導体レーザ光をそれぞれ導びくと共
に、上記半導体レーザ光の波長を特定の波長範囲
に亘つて掃引し、そのときの前記複数の光共振器
による光共振波長列の隣接波長差から前記半導体
レーザの基準となる発振波長を認識し、この認識
結果に従つて半導体レーザの発振波長を所定の隣
接波長差を有する波長領域に設定してその安定化
制御を行うようにしたものである。
共振器に半導体レーザ光をそれぞれ導びくと共
に、上記半導体レーザ光の波長を特定の波長範囲
に亘つて掃引し、そのときの前記複数の光共振器
による光共振波長列の隣接波長差から前記半導体
レーザの基準となる発振波長を認識し、この認識
結果に従つて半導体レーザの発振波長を所定の隣
接波長差を有する波長領域に設定してその安定化
制御を行うようにしたものである。
従つて本発明によれば、分光器等の広帯域波長
測定用デバイスを用いることなしに、簡易に且つ
正確に半導体レーザの発振波長を認識し、その発
振波長を所望とする波長帯域に定めてその隣接波
長差から波長安定化することが可能となる。しか
も、光共振波長を微小に異にする光共振器の透過
波長から簡易に且つ正確に絶対的な半導体レーザ
発振波長を認識することができるので、波長測定
装置としても大きな利点を奏する。また装置構成
も簡易に実現でき、その実用的利点が非常に高い
等の効果を奏する。
測定用デバイスを用いることなしに、簡易に且つ
正確に半導体レーザの発振波長を認識し、その発
振波長を所望とする波長帯域に定めてその隣接波
長差から波長安定化することが可能となる。しか
も、光共振波長を微小に異にする光共振器の透過
波長から簡易に且つ正確に絶対的な半導体レーザ
発振波長を認識することができるので、波長測定
装置としても大きな利点を奏する。また装置構成
も簡易に実現でき、その実用的利点が非常に高い
等の効果を奏する。
以下、図面を参照して本発明の一実施例につき
説明する。
説明する。
第4図は実施例装置の概略構成図であり、11
は半導体レーザ、12はこの半導体レーザ11が
発振出力したレーザ光をコリメートして平行光束
化し、光共振波長を僅かに異にしてなる2つの光
共振器を備えた光共振器13に導びくレンズであ
る。しかして、この光共振器13の上記各光共振
器を各別に介した共振出力光は光検出器14,1
5によりそれぞれ受光検知され、時間差検出回路
16に与えられている。そして、この時間差検出
回路16で検出された時間差情報は、時間差・電
圧(T/V)変換器17を介して出力されるよう
になつている。また前記半導体レーザ11は、掃
引電源18により、例えば注入電流量又は温度を
変える等して発振波長掃引されるようになつてお
り、また前記時間差検出回路16は上記波長掃引
に同期してその検出動作を行うように構成されて
いる。
は半導体レーザ、12はこの半導体レーザ11が
発振出力したレーザ光をコリメートして平行光束
化し、光共振波長を僅かに異にしてなる2つの光
共振器を備えた光共振器13に導びくレンズであ
る。しかして、この光共振器13の上記各光共振
器を各別に介した共振出力光は光検出器14,1
5によりそれぞれ受光検知され、時間差検出回路
16に与えられている。そして、この時間差検出
回路16で検出された時間差情報は、時間差・電
圧(T/V)変換器17を介して出力されるよう
になつている。また前記半導体レーザ11は、掃
引電源18により、例えば注入電流量又は温度を
変える等して発振波長掃引されるようになつてお
り、また前記時間差検出回路16は上記波長掃引
に同期してその検出動作を行うように構成されて
いる。
さて、前記光共振器13に設けられた2つの光
共振器の共振特性、つまり光透過特性は、例えば
その実効共振路長を変える等して第5図に示す如
く設定されている。第5図に示す特性は縦軸に透
過光強度、そして横軸に発振波長を示したもので
あるが、上記発振波長は、波長掃引される時間に
相当したものとなつている。但し、この波長掃引
時間は波長に対してリニアであることは云うまで
もない。又は、温度や注入電流等の電気信号量か
ら波長を計測しても良いことは云うまでもない。
共振器の共振特性、つまり光透過特性は、例えば
その実効共振路長を変える等して第5図に示す如
く設定されている。第5図に示す特性は縦軸に透
過光強度、そして横軸に発振波長を示したもので
あるが、上記発振波長は、波長掃引される時間に
相当したものとなつている。但し、この波長掃引
時間は波長に対してリニアであることは云うまで
もない。又は、温度や注入電流等の電気信号量か
ら波長を計測しても良いことは云うまでもない。
しかして、この光共振器13における2つの光
共振路の共振点が一致する波長λ0(周波数でν0)
は予め分光器等を用いて較正されている。そし
て、一方の光共振器の自由スペクトラル空間Δν1
は Δν1=C0/2nL に設定され、他方の光共振路の自由スペクトラル
空間Δν2は Δν2=C0/2n(L−ΔL) に設定されている。但し、上式においてnは光共
振器13の内部屈折率、Lは光共振路の長さ、
ΔLは2つの光共振路の長さの差、C0は真空中の
光速である。また、これらの2つの光共振路にお
ける共振波長の差の最小値は、波長検出を容易と
する為の透過光特性の半値全幅程度に設定され
る。上記一方の光共振路における半値全幅Δν1h
は、 Δν1h=C0/2nLF として与えられる。但し、上式中Fは光共振器
(共振路)13のフイネスである。
共振路の共振点が一致する波長λ0(周波数でν0)
は予め分光器等を用いて較正されている。そし
て、一方の光共振器の自由スペクトラル空間Δν1
は Δν1=C0/2nL に設定され、他方の光共振路の自由スペクトラル
空間Δν2は Δν2=C0/2n(L−ΔL) に設定されている。但し、上式においてnは光共
振器13の内部屈折率、Lは光共振路の長さ、
ΔLは2つの光共振路の長さの差、C0は真空中の
光速である。また、これらの2つの光共振路にお
ける共振波長の差の最小値は、波長検出を容易と
する為の透過光特性の半値全幅程度に設定され
る。上記一方の光共振路における半値全幅Δν1h
は、 Δν1h=C0/2nLF として与えられる。但し、上式中Fは光共振器
(共振路)13のフイネスである。
このように構成された光共振器13の2つの光
共振路に半導体レーザ11の発振出力光を波長掃
引して入力すると、上記2つの光共路における共
振周波数差は、その一致した共振点ν0から1個目
の透過率ピーク点の周波数差(波長差)として、 Δν2−Δν1=ΔLC0/2nL(L−ΔL) の整数倍として与えられる。
共振路に半導体レーザ11の発振出力光を波長掃
引して入力すると、上記2つの光共路における共
振周波数差は、その一致した共振点ν0から1個目
の透過率ピーク点の周波数差(波長差)として、 Δν2−Δν1=ΔLC0/2nL(L−ΔL) の整数倍として与えられる。
従つて、半導体レーザ11の発振波長、つまり
発振周波数の絶対値を知るダイナミツク・レンジ
は Δν1/(Δν2−Δν1)=F として示され、その周波数範囲は ±Δν1F=±C0F/2nL として示されることになる。そして、このような
ダイナミツクレンジを設定する為の、前記共振路
長の差ΔLは ΔL=L・1/(1+F) として与えられることになる。
発振周波数の絶対値を知るダイナミツク・レンジ
は Δν1/(Δν2−Δν1)=F として示され、その周波数範囲は ±Δν1F=±C0F/2nL として示されることになる。そして、このような
ダイナミツクレンジを設定する為の、前記共振路
長の差ΔLは ΔL=L・1/(1+F) として与えられることになる。
具体的には、一致共振点ν0の波長λ0が0.9μmで
あり、n=2.4、L=10(mm)、フイネスの値が20
であるとすれば、絶対波長を知ることのできるダ
イナミツクレンジは、波長λ0=0.9μmを中心とし
て、周波数にして±125GHzの範囲、つまり±
0.0.34μmの波長範囲となる。そしてこのときの
上記共振路長の差ΔLは470μmとして与えられる。
あり、n=2.4、L=10(mm)、フイネスの値が20
であるとすれば、絶対波長を知ることのできるダ
イナミツクレンジは、波長λ0=0.9μmを中心とし
て、周波数にして±125GHzの範囲、つまり±
0.0.34μmの波長範囲となる。そしてこのときの
上記共振路長の差ΔLは470μmとして与えられる。
従つて今、半導体レーザ11の発振波長を第1
の一致共振点ν0と次の一致共振点ν0′との間の共
振器出力を利用して波長安定化する。例えば、第
5図中Aで示す共振出力を用いて波長λkに半導体
レーザ11の発振波長を安定化するものとする。
この波長安定化は、前記第2図に示す如き安定化
制御ループにより、いずれかの光共振路を利用し
た光検出器14,15の出力を用いて行われる。
このとき、何らかの変動要因によつて上記安定化
がはずれ、発振波長が変化した場合には、前記半
導体レーザ11の発振波長をその安定化制御点近
傍で時間に関してリニアに且つ微小範囲で波長掃
引する。そして、このとき光検出器14,15に
より光共振特性の異なる2つの光共振出力をそれ
ぞれ検出し、各光共振出力、つまり透過率が最大
となる時点の掃引時間をそれぞれ検出する。しか
して、上記検出時間の時間差を時間差検出回路1
6により求めれば、上記掃引時間が発振波長に関
してリニアであることから、半導体レーザ11の
発振波長が上記安定点λkより長波長側、あるいは
短波長側にどれだけずれたかを検出することが可
能となる。そして、その時間差情報を以つて、前
記時間差・電圧変換器17により、前記一致共振
点ν0の情報を用いて変換処理すれば、変動によつ
てずれを生じた発振波長の絶対量を、それに対応
した電圧値として検出することが可能となる。こ
のようにして検出された波長の情報に従つて、半
導体レーザ11の注入電流量又は温度を負帰還制
御することにより、上記半導体レーザ11の発振
波長を所定の隣接波長差を有する波長制御領域に
戻すことが可能となり、この領域において発振波
長を安定化することが可能となる。
の一致共振点ν0と次の一致共振点ν0′との間の共
振器出力を利用して波長安定化する。例えば、第
5図中Aで示す共振出力を用いて波長λkに半導体
レーザ11の発振波長を安定化するものとする。
この波長安定化は、前記第2図に示す如き安定化
制御ループにより、いずれかの光共振路を利用し
た光検出器14,15の出力を用いて行われる。
このとき、何らかの変動要因によつて上記安定化
がはずれ、発振波長が変化した場合には、前記半
導体レーザ11の発振波長をその安定化制御点近
傍で時間に関してリニアに且つ微小範囲で波長掃
引する。そして、このとき光検出器14,15に
より光共振特性の異なる2つの光共振出力をそれ
ぞれ検出し、各光共振出力、つまり透過率が最大
となる時点の掃引時間をそれぞれ検出する。しか
して、上記検出時間の時間差を時間差検出回路1
6により求めれば、上記掃引時間が発振波長に関
してリニアであることから、半導体レーザ11の
発振波長が上記安定点λkより長波長側、あるいは
短波長側にどれだけずれたかを検出することが可
能となる。そして、その時間差情報を以つて、前
記時間差・電圧変換器17により、前記一致共振
点ν0の情報を用いて変換処理すれば、変動によつ
てずれを生じた発振波長の絶対量を、それに対応
した電圧値として検出することが可能となる。こ
のようにして検出された波長の情報に従つて、半
導体レーザ11の注入電流量又は温度を負帰還制
御することにより、上記半導体レーザ11の発振
波長を所定の隣接波長差を有する波長制御領域に
戻すことが可能となり、この領域において発振波
長を安定化することが可能となる。
以上のように本装置によれば、光共振器の透過
出力を利用して半導体レーザ11の波長安定化制
御を行うに際して、上記半導体レーザの発振波長
を掃引し光共振特性の僅かに異なる2つの光共振
器の共振出力を利用して発振波長の絶対的な値を
測定し、これによつて所望とする隣接波長差領域
に上記波長安定化制御領域を定めるので、簡易に
且つ精度良く半導体レーザの発振波長を安定化す
ることができる。しかも従来のように広帯域波長
測定を可能とする分光器等のデバイスを必要とす
ることなしに半導体レーザの発振波長安定化を図
ることができ、その実用点利点が大きい。従つて
ヘテロダイン光検波器における半導体レーザ光波
長安定化や、波長多重化装置の光源としての半導
体レーザの発振波長安定化に絶大なる効果を奏す
る。
出力を利用して半導体レーザ11の波長安定化制
御を行うに際して、上記半導体レーザの発振波長
を掃引し光共振特性の僅かに異なる2つの光共振
器の共振出力を利用して発振波長の絶対的な値を
測定し、これによつて所望とする隣接波長差領域
に上記波長安定化制御領域を定めるので、簡易に
且つ精度良く半導体レーザの発振波長を安定化す
ることができる。しかも従来のように広帯域波長
測定を可能とする分光器等のデバイスを必要とす
ることなしに半導体レーザの発振波長安定化を図
ることができ、その実用点利点が大きい。従つて
ヘテロダイン光検波器における半導体レーザ光波
長安定化や、波長多重化装置の光源としての半導
体レーザの発振波長安定化に絶大なる効果を奏す
る。
ところで、前記2つの光共振器は、実施例に示
したように2つの固体フアブリペローエタロンを
張り合せて一体化して実現することができるが、
その長さを高精度に制御する為に、CVD法等に
よつて直方体形状の固体フアブリペローエタロン
の端部に段差を付けて実現することもできる。ま
た第6図に示すように光導波路21上に間隔を異
ならせて回折格子22,23を形成して、光共振
器を実現することも可能である。また第7図に示
すように、例えばLiNbO3のように複屈折を示す
結晶24を用いて固体フアブリペローエタロンを
構成し、その異方性を利用することもできる。即
ち、入射光の偏向方向を結晶軸に対して45゜傾く
ようにし、上記結晶異方性による遅波と連波とに
よる実効的光路長差を利用して共振波長特性を異
にする2つの光共振器を実現することも可能であ
る。
したように2つの固体フアブリペローエタロンを
張り合せて一体化して実現することができるが、
その長さを高精度に制御する為に、CVD法等に
よつて直方体形状の固体フアブリペローエタロン
の端部に段差を付けて実現することもできる。ま
た第6図に示すように光導波路21上に間隔を異
ならせて回折格子22,23を形成して、光共振
器を実現することも可能である。また第7図に示
すように、例えばLiNbO3のように複屈折を示す
結晶24を用いて固体フアブリペローエタロンを
構成し、その異方性を利用することもできる。即
ち、入射光の偏向方向を結晶軸に対して45゜傾く
ようにし、上記結晶異方性による遅波と連波とに
よる実効的光路長差を利用して共振波長特性を異
にする2つの光共振器を実現することも可能であ
る。
以上、本発明の実施例につき説明したが、本発
明はこれに限定されるものではない。例えば波長
安定化用の光共振器と、波長測定用の複数の光共
振器とがそれぞれ独立した別個のものであつても
よい。また3つ以上の光共振器を用いて更に細か
く発振波長を測定したり、あるいはその測定信頼
性を高めるようにしてもよい。更には、光共振器
の光共振特性差の設定も、測定仕様に応じて定め
ればよいものである。以上要するに本発明はその
要旨を逸脱しない範囲で種種変形して実施するこ
とができる。
明はこれに限定されるものではない。例えば波長
安定化用の光共振器と、波長測定用の複数の光共
振器とがそれぞれ独立した別個のものであつても
よい。また3つ以上の光共振器を用いて更に細か
く発振波長を測定したり、あるいはその測定信頼
性を高めるようにしてもよい。更には、光共振器
の光共振特性差の設定も、測定仕様に応じて定め
ればよいものである。以上要するに本発明はその
要旨を逸脱しない範囲で種種変形して実施するこ
とができる。
第1図は従来の波長測定装置の概略構成図、第
2図は半導体レーザの波長安定化制御装置の基本
的な構成図、第3図は光共振器出力を利用した波
長安定化の作用を説明する為の図、第4図は本発
明の一実施例装置の要部構成図、第5図は本発明
における波長測定の原理を説明する為の図、第6
図および第7図はそれぞれ光共振器の構成例を示
す図である。 11……半導体レーザ、12……コリメータレ
ンズ、13……光共振器(2つの光共振路)、1
4,15……光検出器、16……時間差検出回
路、17……時間差・電圧変換器、18……波長
掃引電源。
2図は半導体レーザの波長安定化制御装置の基本
的な構成図、第3図は光共振器出力を利用した波
長安定化の作用を説明する為の図、第4図は本発
明の一実施例装置の要部構成図、第5図は本発明
における波長測定の原理を説明する為の図、第6
図および第7図はそれぞれ光共振器の構成例を示
す図である。 11……半導体レーザ、12……コリメータレ
ンズ、13……光共振器(2つの光共振路)、1
4,15……光検出器、16……時間差検出回
路、17……時間差・電圧変換器、18……波長
掃引電源。
Claims (1)
- 1 光共振波長を微小に異にしてなる複数の光共
振器と、これらの光共振器に半導体レーザの発振
出力光をそれぞれ導びく手段と、上記半導体レー
ザの発振出力光の波長を特定の波長範囲に亘つて
掃引する手段と、この波長掃引された前記半導体
レーザの発振出力光の前記複数の光共振器による
光共振波長列の隣接波長差から前記半導体レーザ
の基準となる発振波長を認識する手段と、この認
識結果に従つて前記半導体レーザの基準となる発
振波長を所定の隣接波長差を有する波長領域に可
変設定し、この波長領域における光共振特性を基
準として前記半導体レーザの発振波長を一定化制
御する手段とを具備したことを特徴とする半導体
レーザの発振波長安定化装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57057267A JPS58175881A (ja) | 1982-04-08 | 1982-04-08 | 半導体レ−ザの発振波長安定化装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57057267A JPS58175881A (ja) | 1982-04-08 | 1982-04-08 | 半導体レ−ザの発振波長安定化装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58175881A JPS58175881A (ja) | 1983-10-15 |
JPS6351554B2 true JPS6351554B2 (ja) | 1988-10-14 |
Family
ID=13050749
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57057267A Granted JPS58175881A (ja) | 1982-04-08 | 1982-04-08 | 半導体レ−ザの発振波長安定化装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58175881A (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3590327C2 (de) * | 1984-07-05 | 1992-02-13 | Ricoh Kk | Verfahren zum Regeln der Temperatur eines Halbleiterlasers in einer optischen Abtasteinrichtung |
NL8700108A (nl) * | 1987-01-19 | 1988-08-16 | Philips Nv | Optische zendinrichting. |
JP4626042B2 (ja) * | 2000-09-29 | 2011-02-02 | 住友電気工業株式会社 | 発光モジュール |
-
1982
- 1982-04-08 JP JP57057267A patent/JPS58175881A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS58175881A (ja) | 1983-10-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9759983B2 (en) | Frequency comb source with large comb spacing | |
US6785303B1 (en) | Generation of stabilized, ultra-short light pulses and the use thereof for synthesizing optical frequencies | |
US7257142B2 (en) | Semi-integrated designs for external cavity tunable lasers | |
US7920270B2 (en) | Apparatus for interferometric sensing | |
US7414779B2 (en) | Mode locking methods and apparatus | |
US6891149B1 (en) | Optical phase detector | |
US7499182B2 (en) | Optical signal measurement system | |
US7095776B2 (en) | Interferometric filter wavelength meter and controller | |
CN101512286A (zh) | 生成合成波长的方法和装置 | |
JP2009033078A (ja) | 波長走査型光源 | |
JP2564622B2 (ja) | 半導体レーザの発振周波数安定化方法及び装置 | |
JPS6351554B2 (ja) | ||
JP2009016396A (ja) | 波長走査型ファイバレーザ光源 | |
CN114640016A (zh) | 高精度单腔多梳频率测量控制系统及方法 | |
Surkamp et al. | Continuous wave THz system based on dual wavelength monolithic Y-branch laser diode | |
CN112082586A (zh) | 基于分布式反馈激光器阵列的光纤光栅阵列传感方法、装置及系统 | |
CN111725689A (zh) | 窄线宽快调谐激光器 | |
Gawlik et al. | Stabilization of diode-laser frequency to atomic transitions | |
US20200096417A1 (en) | Method and apparatus for chromatic dispersion measurement based on optoelectronic oscillations | |
JP4256055B2 (ja) | 周波数測定方法 | |
Seta et al. | Interferometric absolute distance measurement utilizing a mode-jump region of a laser diode | |
JPS61102081A (ja) | 半導体レ−ザの周波数安定化方法 | |
Matsumoto | Stabilization method of an infrared two-wavelength laser | |
JP3252880B2 (ja) | 波長可変素子の動特性測定装置 | |
JPH0626264B2 (ja) | 可変波長光源 |