JPS63463A - 蒸着方法 - Google Patents

蒸着方法

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Publication number
JPS63463A
JPS63463A JP14141786A JP14141786A JPS63463A JP S63463 A JPS63463 A JP S63463A JP 14141786 A JP14141786 A JP 14141786A JP 14141786 A JP14141786 A JP 14141786A JP S63463 A JPS63463 A JP S63463A
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JP
Japan
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base material
particles
vapor deposition
ionized
evaporation
Prior art date
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Pending
Application number
JP14141786A
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English (en)
Inventor
Kazuo Kanehiro
金廣 一雄
Tadashi Igarashi
五十嵐 廉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Electric Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Electric Industries Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Electric Industries Ltd filed Critical Sumitomo Electric Industries Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は蒸発粒子をイオン化させて基材に析出させるイ
オンブレーティング法の蒸着方法に関する。
〈従来の技術〉 近年、各覆の部材や製品の表面処理方法と゛、して、真
空雰囲気中で被膜を形成する方法が様々な分野で広(用
いられている。そめ中でも、被膜形成操作が比較的単純
で且つ短時間の内に被膜を形成することができる物理気
相蒸着方法(例えば真空蒸着法、イオンブレーティング
法等)が多用されているが、ここ最近では被膜の密着性
や質の向上を狙ってイオンブレーティング法による蒸着
方法の採用が急増している。
イオンブレーティング法による蒸着方法は蒸発粒子のイ
オン化方式により糎々あるが、その−例として高周波励
起方式のものを第2図に基づいて説明する。チャンバ1
内を真空に保ち、電子#A2を用いてろっぽ3内の蒸着
物4を加熱して蒸発させると共に、ガス導入口5からA
r等の不活性ガス6をチャンバ1内に導入する。そして
、蒸着物4からの蒸発粒子38及び不活性ガス6を高周
波コイル7によりイオン化し、負電位を与えられている
基材9に向かって蒸発粒子38を加速させてこの基材9
上に析出させるのである。
他のイオンブレーティング法も基本的には上記と同じ構
成であり、蒸発粒子をイオン化させ、負電位を与えた基
材に加速した蒸発粒子を析出するものである。すなわち
、イオンブレーティング法は蒸発粒子を加速させること
に意義があり、これによって被膜と基材との密着性を向
上させると共に被膜の結晶構造を制御できろものである
〈発明が解決しようとする問題点・〉 従来のイオンブレーティング法による蒸着方法にあって
は、蒸発粒子と共に不活性ガスも加速されるため、この
不活性ガスによって基材に析出しつつある被膜が叩かれ
て被膜に欠陥や損傷が生じ、品質の高い被膜が得られな
いという問題があった。更に、加速電圧が比較的大きい
場合には、被膜のスパッタリング現象が生じ、被膜生成
速度が著しく低下するという問題があった。
また、チャンバ内に酸化性ガスを導入する反応性イオン
ブレーティング法においては、基材と同極の負にイオン
化したガスが基材近傍に存在することが困難なため、十
分な反応が達成されず、良質な酸化膜を得ることができ
ないという問題があった。
また、最近の皮膜形成技術の動向である長尺の基材への
被膜形成に従来のイオンブレーティング法を用いる場合
には、蒸発粒子の加速電圧を得るために基材が接触する
ロール頭金てに絶縁対策を施さなければならず、装置が
非常に高価になってしまうという問題があった。更に、
このような絶縁対策を施した場合にあっても、時として
蒸着物が絶縁部に付着して絶縁効果が損なわれ、安定し
た加速電圧が得られないという問題があった。
本発明は上記従来の事情に鑑みなされたもので、上記問
題点を解決した蒸着方法を提供することを目的とする。
く問題点を解決するための手段〉 本発明の蒸着方法は、真空容器内で蒸発源を加熱するこ
とにより発生した蒸発粒子をイオン化して基材に析出さ
せろ蒸着方法において、基材又は基材支持台を接地する
と共に、蒸発源に正電位を与え、イオン化した蒸発粒子
を加速させて基材に析出させることを特徴とする。
く作   用〉 基材側を接地することにより、真空容器内に導入されて
正極にイオン化される不活性ガスの加速電圧を小さくし
、基材上の被膜の損傷を防止する。また、負極にイオン
化するガスを真空容器内に導入する反応性イオンブレー
ティング法においては、正極の蒸発源近傍でのイオン化
ガス濃度が高く且つ基材近傍でのイオン化ガスの離散が
なくなり、十分な反応が得られろ。
また、基材側は接地すれば良いので、長尺の基材を用い
ろ場合等にあっても別設の絶縁対策を要しない。
く実 施 例〉 本発明の一実施例を説明する。
まず、本発明を実施する装置を第1図に基づいて説明す
る。同図において、1はチャンバ、2は電子銃、3はろ
つぼ、4は蒸着物、5はガス導入口、7は高周波コイル
、91才基材、10は基材支持台、11は高周波電源、
13は電源であり、6はAr等の不活性ガス、8は蒸着
物4からの蒸発粒子、12は電子銃2からの電子線をそ
れぞれ示している。そして、チャンバ1、基材支持台1
0及びこの基材支持台10に支持された基材9は接地さ
れており、ろっぽ3及び蒸着物4ば電源13fζより正
電位が与えられている。尚、高周波コイル7は高周波電
源11に接続され、電子銃2は電源13に接続されてい
る。ここで、基材9の接地について、基材9が絶縁体の
場合には基材支持台10を接地すれば良い。また、るっ
ぽ3及び蒸着物4からなる蒸発源の印加について、るっ
ぽ3を導電体として直接的1ζ正電位を与えるのが好ま
しい。
上記構成の装置において本発明は次のように実施される
。チャンバ1内を真空に保ち、電子線12によりるつぼ
3内の′S着物4を加熱して蒸発させると共に、ガス導
入口5から不活性ガス6をチャンバ1内に導入する。そ
して、蒸着物4からの蒸発粒子8及び不活性ガス6を高
周波コイル7によりイオン化し、接地された基材9に向
かって蒸発粒子8を加速させてこの基材9上に析出させ
、被膜を得る。
上記のような本発明による蒸着方法では、加速電圧(バ
イアス電圧)自体を前述した従来のものと同じ電位とし
ても、この加速電圧は蒸発粒子8に多く与えられてイオ
ン化した不活性ガス6にはこの加速電圧の効果はさほど
ない。このため、不活性ガス6はほとんど加速されず、
基材9上に形成されろ被膜の不活性ガス6による損傷が
激減して高品質の被膜が得られる。因に、基材9が負極
となるよう加速電圧を設定した従来の方法では、正極に
イオン化した不活性ガス6が基材9に向かって大きく加
速されて極めて大きな速度をもって被膜に衝突すること
となるため、被膜の大きな損傷が生じてしまう。ここで
また、基材9を正極に設定すれば正極にイオン化した不
活性ガスの被膜への衝突は防止できるが、同じく正極(
ζイオン化した蒸発粒子8も基材9に到達しなくなるた
め、イオンブレーティングの効果が全くなくなって被膜
生成速度が極端に低下してしまう。尚、本発明において
、蒸発粒子8の加速度を上げてイオンブレーティングの
効果を上げるためにはなるべく蒸発源の近くで蒸発粒子
8をイオン化させるのが好ましく、そのためには、正極
の蒸発源に対して安定した性能を発揮する電子n12を
用いて蒸発源を加熱するのが好ましい。
また、本発明においてチャンバl内に負極にイオン化す
る酸化性ガスを導入して反応性イオンブレーティング法
を実施した場合には、蒸発源が正極であることから蒸発
源近傍でのイオン化した酸化性ガスの濃度が非常に高く
且つ基材9が接地されていることから基材9近傍でもイ
オン化した酸化性ガスの離散がないため、十分な反応性
が達成されて高品質の被膜が得られる。このような被膜
形成に際しても、イオン化した酸化性ガスの加速電圧に
よる加速作用はほとんどなく、これによって被膜が損傷
することはない。因に、従来の蒸着方法では、基材9と
イオン化した酸化性ガスとが共に負極となるため、基材
9近傍でイオン化した酸化性ガスが離散により極端に減
少し、更に蒸発源がチャンバ1と同電位の接地となって
いることから蒸発源近傍でのイオン化した酸化性ガスの
濃度があまり高くならないため、反応性が乏しくなって
高品質の被膜が得られない。
また、基材9に金属テープのような長尺のものを用いる
場合、従来の蒸着方法ではこの金属テープを負極Cζ保
つために金属テープζζ接触する全てのロール類を絶縁
する必要があったが、本発明ではこのような絶縁対策:
よ不要である。このため、装置全体としての18縁箇所
が減ることから、設備費が大巾に削減できると共に、加
速電圧の安定化及びメンテナスの容品化が図られて高品
質の被膜が得られる。
す下に本発明の比較実験結果を示す。
(実験例1) 第1図に示した装置を用いた本発明による方法、第2図
に示した装置を用いた従来の方法及び真空蒸着法により
、アセトンで洗浄したガラス基材上に表1に示す条件で
AI被被膜施した。これによゆ得られた3つのサンプル
に粘着テープによるピーリングテストを実施した結果、
真空蒸着法によるサンプルには剥離が認められたが、イ
オンブレーティング法による2つのサンプルには剥離は
認められなかった。また、これら3つのサンプルについ
てAI被被膜硬度を測定した結果、本発明のイオンブレ
ーティング法では、真空蒸着並みの膜損傷の無い低い硬
度値が得られた。これらの結果より、本発明のイオンブ
レーティング方法は、従来のイオンブレーティング法と
同様の高い密着性が得られると共に被膜の欠陥が非常に
少ないことが判る。
0印:剥離ナシ ×印:剥離アリ (実験例2) 第1図に示した装置を用いた本発明による方法と、第2
図に示した装置を用いた従来の方法とにより、アセトン
で洗浄したガラス基材上に表2に示す条件でAl2O3
被膜を施した。
尚、Al2O3被膜の形成は蒸着物としてAjを用いた
。これにより得られた2つのサンプルについてAl2O
3被膜の硬度を測定した結果、従来のイオンブレーティ
ング法ではHK:1700kg / we”と低く、本
発明のイオンブレーティング法ではHK: 2200 
kg/ m2と非常に高い値が得られた。また、被膜の
透明度にも差が認められ、従来法ではやや黄色味があっ
たが、本発明法では無色透明であった。これらの結果、
本発明により高品質の被膜が得られることが判る。
尚、本発明は上述した実施例に限定されるものではなく
、基材のM類は金属、セラミック、樹脂等なんでも良く
、更には、蒸発源の加熱方式、蒸着物の種類、蒸発粒子
のイオン化方式、チャンバ内へ導入するガスの種類及び
その有無等についても特段の制限はない。
〈発明の効果〉 本発明の蒸着方法によれば、加速電圧の印加方式として
基材側を接地すると共に蒸発源に正電位を与えるように
しているため、基材との密着性が優れ且つ損傷の少ない
高品質な被膜を得ることができろ。更に、長尺の基材へ
の被膜形成に本発明を適用すると、設備費を低減しつつ
も高品質な被膜を得ることができろ。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例に係る蒸着方法を実施するた
めの装置を表す構成図、第2図は従来の蒸着方法を実施
するための装置を表す構成図である。 図面中、 1はチャンバ、 2は電子銃、 3はるつぼ、 4は蒸着物、 7は高周波コイル、 8は蒸発粒子、 9は基材、 10は基材支持台、 12は電子線である。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)真空容器内で蒸発源を加熱することにより発生し
    た蒸発粒子をイオン化して基材に析出させる蒸着方法に
    おいて、基材又は基材支持台を接地すると共に、蒸発源
    に正電位を与え、イオン化した蒸発粒子を加速させて基
    材に析出させることを特徴とする蒸着方法。
  2. (2)電子線により蒸発源を加熱することを特徴とする
    特許請求の範囲第1項記載の蒸着方法。
  3. (3)基材が長尺の金属テープであることを特徴とする
    特許請求の範囲第1項記載の蒸着方法。
JP14141786A 1986-06-19 1986-06-19 蒸着方法 Pending JPS63463A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5952061A (en) * 1996-12-27 1999-09-14 Stanley Electric Co., Ltd. Fabrication and method of producing silicon films

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5952061A (en) * 1996-12-27 1999-09-14 Stanley Electric Co., Ltd. Fabrication and method of producing silicon films

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