JPS6344862Y2

JPS6344862Y2 -

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Publication number: JPS6344862Y2
Application number: JP1980103376U
Authority: JP
Priority date: 1980-07-21
Filing date: 1980-07-21
Publication date: 1988-11-21
Also published as: JPS5725386U

Description

【考案の詳細な説明】本考案は、イルミネーシヨンの各ランプの点滅
を制御する装置に関し、小形で安価に製造できる
うえ、耐久性に優れ、しかも、点滅パターンの多
様性を簡単にもたせられるようにする事を目的と
する。

イルミネーシヨンでは、人の興味をひくため
に、一般にその点滅パターンを複数種組合せる。
例えば電光を右回りに走らせたり左回りに走らせ
たり、全部同時に点・滅を繰返したり、４点２灯
にしたり２点４灯にしたりする。

その点滅パターンの種類が増えるほど、人の興
味をひき、イルミネーシヨンの効果をよりよく発
揮できるのであるが、そのランプ点滅制御装置が
複雑化・大形化し、誤動作や故障も起り易くな
る。

最近、この種のランプ点滅制御装置として、多
数の電子素子を組合せた論理回路から成るものが
考えられたが、これでは次の欠点があつた。

(イ) 電子素子の使用個数が大変多いうえ、その結
線が更に数多くなつて非常に複雑なものとな
り、製造に手間がかかり、高価になるうえ、大
形化する。

(ロ) 制御装置の回路が非常に複雑なものとなるた
め、製造・販売価格などの実用性の面から、点
滅パターンの組合せの種類を数多くとることが
できず、多様性に欠け、イルミネーシヨンの効
果が薄い。

(ハ) 白熱球等を点灯する時には、ランプに非常に
大きな過電流（ラツシユカーレント）が流れる
ので、ランプをドライブするスイツチ素子に大
きな負担が加わり、スイツチ素子が破損しやす
く、耐久性に劣る。

ネーシヨンは一般に商用電源を使用し、各ラ
ンプには100Vまたは200Vの交流高電圧を使用
し、制御装置にはその高電圧を減圧して得られ
る５〜10V程度の直流低電圧を使用する。この
場合、商用電源に混入するノイズが制御装置の
各電子素子に直接影響し、各電子素子をそのノ
イズによる異常電圧で破損してししまい、耐久
性に劣る。

(ニ) 点滅パターンが異るごとに、制御装置の回線
が異り、点滅パターンごと別の機種を新たに設
計・製造し直す必要があるため、生産性に劣
り、製造コストが高くつく。

本考案は、このような欠点を解消するために、
集積回路（IC）を用いることにより、構造を簡
素化して、小形に安価製造できるうえ、点滅パタ
ーンの組合せの種類を簡単に数多くすることがで
きるようにし、かつ、制御装置から各ランプへの
指令回路に発光素子と受光素子（CdS光導電セ
ル）とを介装することにより、各ランプに供給さ
れる交流高電圧から電源ノイズが制御装置に逆流
する事を発光素子と受光素子との間で遮断して、
制御装置を電源ノイズから保護するとともに、ス
イツチ素子の破損を防ぐものである。

以下、本考案の実施例を図面に基き説明する。

図中、符号１はイルミネーシヨンの各ランプで
あり、各ランプ１の各灯火回路２は商用電源（パ
ワー電源100V又は200V）３に並列接続される。

各灯火回路２にスイツチ素子として各トライア
ツク４が介装され、各トライアツク４は各トラン
ジスタスイツチング回路５を介して記憶回路６で
開閉制御されるように接続されている。

記憶回路６は、二組の手動切換式のスイツチ
７，８及び二組のバイナリーカウンタ９，１０を
介して、クロツク発振回路１１で制御作動される
ように接続され、かつ、リセツト回路１２にも接
続されている。

トランジスタスイツチング回路５・記憶回路
６・バイナリーカウンタ９，１０・発振回路１１
及びリセツト回路１２は制御電源１３に給電可能
に接続している。

この制御電源１３は、5Vの直流電圧を出力す
るものであり、商用電源３の交流電圧をトランス
１４で降圧し、全波整流回路１５で全波整流し、
レギユレータ１６で5Vの直流電圧に安定させる
ように構成されている。

記憶回路６及びバイナリーカウンタ９，１０
は、それぞれ広く安価に市販されている集積回路
で構成する。記憶回路６は、所望する複数種のイ
ルミネーシヨン点滅パターンを記憶するように、
集積回路にライテイング処理を施して製造され
る。

トランジスタスイツチング回路５は、スイツチ
ングトランジスタ１７と発光ダイオード（LED）
１８と受光素子（CdS光導電セル）１９とから成
る。即ち、スイツチングトランジスタ１７が記憶
回路６の出力信号で導通したときに、発光ダイオ
ード１８が通電して発光し、その光で受光素子１
９が通電作動して、トライアツク４を導通させ、
灯火回路２のランプ１を点灯させるように構成さ
れている。

また、バイナリーカウンター９，１０は２個あ
り、そのうちの一つ９は、記憶回路６の下位アド
レスバスa₁，a₂，a₃を進行させて循環させるもの
であり、もう一つのもの１０は、記憶回路６の上
位アドレスバスa₄，a₅を切換えて、その下位アド
レスバスa₁，a₂，a₃の領域を考えることにより、
点滅パターンを自動的に切換えるものである。

即ち、一方のスイツチ７を、図に示すように、
下側に投入した状態では、一方のバイナリーカウ
ンタ９のみが働き、その各出力端子Q₁〜Q₅の組
合せからなる32種の出力信号で記憶回路６を32通
りに順を追つて制御していく。

また、そのスイツチ７を上側に投入すると、バ
イナリーカウンター９の一部の出力端子Q₄，Q₅
が遮断され、その残部Q₁〜Q₃だけしか働かなく
なる。これにより、その出力信号が８種になり、
記憶回路６を８通りに順に制御するようになる。

この状態において、他方のスイツチ８の二つの
スイツチ片８ａ，８ｂを中段と右側との間で任意
に切換えて、その投入位置を適当に選択すること
により、合計４種の領域変更を手動で設定して、
４種の点滅パターンのどれでも随時任意に選定で
きる。

即ち、両スイツチ片８ａを右側に投入すると、
記憶回路６の上位アドレスバスa₄，a₅がアース１
３ａに接続され、第１領域が選定される。する
と、バイナリーカウンタ９の前記８種の出力信号
で、記憶回路６内に予め記憶させた第１領域すな
わち０から７までのアドレスを順に進め循環させ
て行き、ランプ１群を第１点滅パターンで点滅さ
せる。

また、右側のスイツチ片８ｂのみを中段に切換
えると、第４アドレスバスa₄が制御電源１３の正
極出力線１３ｂに接続され、第２領域が選定さ
れ、上記と同様にして、記憶回路６内の第２領域
すなわち８から１６までのアドレスを循環させ
て、ランプ群を第２点パターンで点滅させる。

以下、同様にして、上側のスイツチ片８ａのみ
を中段に切換えると、第３領域が選定されて、ラ
ンプ１群を第３パターンで点滅させ、また、両ス
イツチ８ａ，８ｂとも中段に切換えると、第４領
域が選定されて、ランプ１群を第４パターンで点
滅させる。

また、他方のスイツチ８の両スイツチ片８ａ，
８ｂをともに左側に投入した場合には、記憶回路
６の上位のアドレスバスa₄，a₅が他方のバイナリ
ーカウンタ１０の上位の各出力端子Q₉，Q₁₀に接
続し、他方のバイナリーカウンタ１０が働いて、
前記４種の領域変更を一定の時間間隔をもつて自
動的に行なう。これにより、記憶回路６の動作
は、第１領域のアドレス０〜７を一定時間循環し
て、ランプ１群を第１パターンで点滅を繰返した
後、第２領域のアドレス８〜１５をまた一定時間
循環して、ランプ１群を第２パターンで点滅を繰
返させる。このようにして、そのアドレスの第１
〜第４までの領域の変更が、一定時間ごとに自動
的に切替わり、かつ循環することにより、ランプ
１群を第１から第４の各パターンに一定時間ごと
に切換えて、循環させていくものである。

なお、点滅パターンの手動切換が必要とされな
い場合には、両スイツチ７，８を省略することも
できる。

なお、上記実施例において、記憶回路６を２個
またはそれ以上用いて、これらのアドレスバスa₁
〜a₅の位の等しいもの同士を並列接続する場合に
は、記憶回路６の出力数を簡単に拡張できる。

本考案は、上記のように構成され、作用するか
ら、次の効果を奏する。

(イ) 回路構成が複雑となる記憶回路及びバイナリ
ーカウンタを、それぞれ集積回路で構成するの
で、ランプ点滅制御装置全体が構成部品及び結
線の非常に少ない簡素な構造になり、簡単に安
価に製造できるうえ、うんと小形化することも
できる。

しかも、集積回路は広く安価に大量に市販さ
れているものを購入して、所望の点滅パターン
を得るためのライテイング処理を施すだけで、
特に複雑な回路を内蔵する記憶回路に簡単に造
り変える事ができ、この点からもランプ点滅制
御装置をさらに安価に製造できる。

(ロ) 記憶回路は、集積回路で送られ、その記憶容
量が膨大であるから、一つの部品ででもイルミ
ネーシヨン点滅パターンを多種多様に得ること
ができ、イルミネーシヨンの効果が高い。

(ハ) 上記(イ)で述べたように、ランプ点滅制御装置
全体の構造が簡単で小形にまとめることがで
き、集積回路製の記憶回路を更に追加して組合
せることが簡単に自由に行なえることからも、
イルミネーシヨンの点滅パターンの組合せの数
を更に増して、イルミネーシヨンの効果を一層
高めることが、簡単にできる。

(ニ) CdS光導電セルはON時の立上がり時間が遅
れる（経時的に抵抗が変化する）という特性を
有するため、トランジスタスイツチング回路の
受光素子としてCdS光導電セルを用いることに
より、白熱球等を点灯する時にランプに流れる
過電流（ラツシユカーレント）を防ぐことがで
き、スイツチ素子の破損を無くして、耐久性を
大幅に向上させることができる。

しかも、高電圧電源に侵入したノイズは、ラ
ンプ回路から記憶回路に侵入するのを、その間
に介装した受光素子と発光素子との間で完全に
遮断するので、電源ノイズが記憶回路その他の
制御装置の電子部品を破損させることが無くな
り、ランプ点滅制御装置の耐久性を高めること
ができる。

(ホ) 記憶回路は集積回路で構成するものであり、
これに適時希望するデータを記憶させるだけ
で、１機種のランプ点滅制御装置のみで希望通
りの点滅パターンを自由に得ることができ、点
滅パターンが異るごとに別の機種を新たに造り
直す必要がなくなり、１機種で多用途に供する
ことができ、生産性に特に優れ、製造コストを
大幅に引下げることができる。

(ヘ) 記憶回路の下位アドレスバスを一方のバイナ
リーカウンタ９の各出力端子に接続するととも
に、その上位アドレスバスを他方のバイナリー
カウンタ１０の上位の出力端子に接続するの
で、他方のバイナリーカウンタの上位出力端子
の出力で、ランプ群の複数種の点滅パターンを
一定時間ごとに自動的に順に切換えて循環させ
ることができ、点滅パターンを自動的に多様に
変化させて、イルミネーシヨンの効果を高める
ことができる。

(ト) 記憶回路の上位のアドレスバスを制御電源の
正極出力線とアースと他方のバイナリーカウン
タの上位の出力端子とのどれにでも手動切換式
のスイツチで接続し換えられるように構成する
場合には、そのスイツチの切換操作でランプ群
の点滅パターンを随時切換えることができる。

【図面の簡単な説明】

図面は本考案の実施例を示す電気回路図であ
る。１……ランプ、２……灯火回路、３……パワー
電源、４……スイツチ素子、５……トランジスタ
スイツチング回路、６……記憶回路、８……手動
切換式のスイツチ、９，１０……バイナリーカウ
ンタ、１１……発振回路、１３……制御電源、１
３ａ……アース、１３ｂ……正極出力線、１７…
…スイツチングトランジスタ、１８……発光素
子、１９……受光素子、a₁〜a₅……アドレスバ
ス、Q₁，Q₂，Q₃，Q₉，Q₁₀……出力端子。

Claims

【実用新案登録請求の範囲】１イルミネーシヨンの各ランプ１の各灯火回路
２をパワー電源３に並列接続し、各灯火回路２
に各スイツチ素子４を介装し、各スイツチ素子
４を各トランジスタスイツチング回路５を介し
て記憶回路６で開閉制御可能に構成し、記憶回
路６を２個のバイナリーカウンタ９，１０を介
して発振回路１１で制御作動可能に構成し、ト
ランジスタスイツチング回路５・記憶回路６・
バイナリーカウンタ９，１０及び発振回路１１
を制御電源１３に給電可能に接続し、記憶回路
６及びバイナリーカウンタ９，１０をそれぞれ
集積回路で構成し、記憶回路６の下位のアドレ
スバスａを２個のバイナリーカウンタ９，１０
のうち一方のバイナリーカウンタ９の各出力端
子Ｑに接続するとともに、その上位のアドレス
バスａを他方のバイナリーカウンタ１０の上位
の各出力端子Ｑに接続し、トランジスタスイツ
チング回路５はスイツチングトランジスタ１７
と発光素子１８と受光素子１９とからなり、受
光素子１９をCdS光導電セルで構成し、スイツ
チングトランジスタ１７が記憶回路６の出力信
号で導通したときに、発光素子１８が通電して
発光し、その光で受光素子１９が通電作動し
て、スイツチ素子４を導通させ、灯火回路２の
ランプ１を点灯させるように構成した事を特徴
とするイルミネーシヨンのランプ点滅制御装
置。２実用新案登録請求の範囲第１項に記載したイ
ルミネーシヨンのランプ点滅制御装置におい
て、記憶回路６の上位のアドレスバスａを制御
電源１３の正極出力線１３ｂとアース１３ａと
前記他方のバイナリーカウンタ１０の上位の出
力端子Ｑとのどれにでも手動切換式のスイツチ
８で接続し換えられるように構成したイルミネ
ーシヨンのランプ点滅制御装置。