JPS6335604A - でんぷんの改質方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、でんぷんの改質方法に関する。本発明は、菓
子、麺、水産ねり製品などの食品、繊維や紙ののり剤、
医薬品（ぶどう糖、ビタミン）などの製造に利用するこ
とができる。

［従来の技術］ でんぷんの改質方法としては、従来より、次亜塩素酸溶
液による湿式化学的処理方法が主流である。これは、溶
液中におけるでんぷんに各種の酸や有機薬品を添加して
、でんぷんの酸化、分解、ｖ４導体生成などを行う方法
である。

〔発明が解決しようとする問題点１ 上記した従来の湿式化学的処理方法では、酸化、拡散、
中和、洗浄、乾燥といつ数多くの行程を必要とし、非常
に複雑で効率が低く、さらには非常にコスト高であるな
どの欠点がある。とくに、大量に発生する廃液の処理が
大きな問題である。

本発明は、上記した湿式化学的処理方法とは異なる乾式
の処理方法を提供するものであり、その目的は、廃液処
理の問題のないでんぷんの改質方法を提供することを目
的とする。

［問題点を解決するための手段］ 本発明者は、気体放電プラズマをでんぷん粒に作用させ
ることにより、でんぷんを改質することができることを
着想し、本発明を完成したものである。すなわち、本発
明にかかるでんぷんの改質方法は、でんぷんを気体放電
プラズマ発生装置の反応部に供給する供給工程と、でん
ぷんを反応部で気体放電プラズマにさらすことによりで
んぷんを改質する改質行程と、を順次大ｔＩＭすること
を特色とするものである。

ここで、気体放電プラズマとは、イオン、電子、中性粒
子のあつまりで、粒子間の平均衝突時間の何倍ものあい
だ集合状態を保持しているものを意味し、固体、液体、
気体に続く第４の状態ともいわれる。気体放電プラズマ
は一般に、直流電源や高周波電源を用いるグロー放電や
コロナ放電によっで弱Ｗｉｌ！プラズマとして発生する
。弱電離プラズマとは、電子温度、イオン温度、気体温
度の三者のあいだに平衡関係が成立していない状態の非
平衡プラズマを意味する。ここで、一般には、容易にか
つ安定で一様なプラズマが得られる低気圧高周波放電と
、真空にひく必要がないため実用上大変に有利である大
気圧コロナ放電とを用いることができる。低気圧高周波
放電では、真空にひいたあと、外部からガスを導入する
ことができるため、放電ガスをアルゴンガス、酸素ガス
、水素ガスと適宜必要に応じて変えることができる特色
がある。

本発明にかかるでんぷんの改質方法では、反応部と反応
部の上方に供給部とをもつ気体放電プラズマ発生装置を
用いることができる。この場合、改質工程は、反応部で
放電プラズマを発生させた状態で、供給部に供給したで
んぷんを落下させて反応部を通過させることにより、通
過するでんぷんを反応部で放電プラズマにさらすことに
より行なうことができる。落下させるにあたっては、メ
ツシュ部材上に収納したでんぷんをプロペラ、回転体で
撹拌しつつでんぷんを落下させたり、メツシュ部材を撮
動させたりして落下させることができる。又、落下させ
るに際してノズルから逆風を吹き出せば、でんぷんがプ
ラズマにさらされる時間を長くすることができる。

［実施例１］ 第１図に低気圧高周波放電に用いた気体放電プラズマ発
生装置を示す。この装置では内径２２０ＩＩＩ、長さ８
３５＋ｕｉのステンレス製真空容器１を用い、外部より
４個の磁場コイルを用いて、５０Ｇの磁場を印加する。

排気は３００１／ｍｉｎのロータリーポンプ２によって
排気口１０を介して行われる。そのとき、熱電対真空計
により容器１内の圧力を知ることができる。容器１内を
充分ｔＳ真空下にした状態で、スローリークバルブを介
して供給口１１から放電ガスとしてのアルゴンガスを導
入しく圧力５０〜５００ｍｍＴｏｒｒ　）　、５５Ｍｌ
−１２の高周波（パワー２０〜１００Ｗ）を高周波電源
（マツチングボックス付）１５を介して印加して弱電離
プラズマを生成する。このときプラズマパラメータは、
ダブルプローブ法によって測定し、その密度は１０８〜
１０９ｃｍ−３、電子温度３〜６ｅＶであった。

このようにして得られた気体放電プラズマのなかに、で
んぷんＳを２５０メツシユのメツシュ部材１２ａを介し
て供給部１２から反応部１３に向けて落下させる。メツ
シュ部材１２ａ上には羽根１２ｃのついたシャフト１２
ｂがウィルソンシールを介して駆動できるように装着さ
れている。そしてこの羽根１２ｃがモータ１４で回転す
ることによってでんぷんＳが容器１内の反応部１３に落
下する。この実施例では、シャフト１２ｂの回転は１５
ｒｐＩ１１とした。サンプルとしてのでんぷんＳは、ば
れいしょでんぷん（オランダ産）及びタピオカでんぷん
（タイ産）の二種類用い、予め予備排気をして水分をあ
る程度ぬいたちのを５００ｇ用い、これを２時間で落下
させる。このときの落下層は０．３８ａ−ｃｍ−’−ｍ
ｉｎ−喝テアル。

このように放電処理されたでんぷんの性質を評価するた
めに、以下のような水分含量、還元力試験、Ｘ線回折、
粘性試験、老化試験、破断強度試験を行った。

（水分台ｆｆ１） でんぷん粒子は通常大気中で１３〜２０％の平衡水分を
含んでいるが乾燥すると水分を失い、結晶性を失い、水
分が回復すると結晶性も回復する。

このことから水分を測定すればでんぶ、んの結晶性をあ
る程度評価することもできる。

水分含量測定方法としては、減圧１２０℃乾燥法を用い
た。すなわち、減圧下ででんぷんを１２０℃まで昇温さ
せて乾燥させ、乾燥前後のＩＩ差より水分含量を測定し
た。なお参考のため、低気圧気体放電プラズマにさらさ
ずに、単に真空処理を行なった後の水分台】も測定した
。

その結果を第２図（ばれいしょでんぷん）及び第３図（
タピオカでんぷん）に示す。ばれいしょでんぷん、タピ
オカでんぷんともに真空処理前と真空処理後では水分含
量がいちじるしく違う。又、真空処理後と放電処理後と
を比べると、ばれいしよでんぷんでは、放電処理後の方
がアルゴン放電では０．９０％と少なくなっている。又
、酸素放電では０．６６％、水素放電では０．７８％と
少なくなっている。

（Ｘ１回折） でんぷん粒は、アミロースとアミロペクチンの分子が分
子間で水素結合を介して整然と並んだ微結晶部分と、ば
らばらになったアモルファス部分とから成る。したがっ
てＸａ回折スペクトルはそれぞれの微結晶に対応したピ
ークを示す。結晶性が高いと鋭いピークをもった図形と
なり、結晶性が失われると回折ピークの存在しないハロ
ーのみの図形となる。

本測定では、ガイガーフレックスＲＡＤＩ［［Ａ（理学
電気）を用い、測定条件としては、ＸＳｔ＋発生条件は
ＣｕＫα線（１−５４人＞（Ｖ−３０ｋＶ、ｒ−１５ｍ
Ａ）、測定角度は４〜３０度、走査速度は１６／ｍ１ｎ
（２θ）、時定数２ｓｅｃとした。この場合、ガラス板
＜３４Ｘ５０Ｘｌ。

５）の溝（２０ｘ１４ｘ０．５）に試料をうめて行なっ
た。

第４図（Ａ）（Ｂ）にばれいしょでんぷん、第５図（△
）　（Ｂ）にタピオカでんぷんのＸ線回折スペクトルを
示す。それぞれ（Ａ＞はプラズマ処理前（Ｂ）は、プラ
ズマ処理後のスペクトルを示す。プラズマ処理前とプラ
ズマ処理後とを比べると、ばれいしょでんぷんでは、第
４図（Ａ）（Ｂ）を比較すると、放電プラズマで処理す
るとピークが失われている。すなわちでんぷんの結晶性
が失われている。

一方タビオカでんぷんでは、第５図（Ａ）（Ｂ）に示す
ように、放電プラズマ処理後のピークの変化は小さかっ
た。

（粘性試験）、 でんぷんは多くの場合のりとして利用される。

のりになると、熱と水との作用ででんぷん分子の水素結
合が切断され、膨潤する。この糊化の際、最高粘度の低
下はでんぷん分子の低分子化を示すと考えられる。

この粘性試験は、アミログラフの装置で行った。

この装置は、所定の空間を存して同軸的に配置した内筒
及び外筒からなる二重円筒から成り、その内筒及び外筒
との間の空間にでんぷん懸濁液を入れ、外筒を７５　ｒ
ｏｍで回転した。このとき液に粘性があれば内筒にトル
クが生じる。このトルクは粘度に比例する。この場合、
内蔵されたヒータにより温度を毎分１．５℃づつ昇温さ
せ、連続的に粘度を測定した。具体的にはでんぷん３０
９に、３５℃の蒸溜水５００１１１を加え、でんぷん固
形分が６％のでんぷん！ＩＦ＠液を作った。そのなかか
ら５００■１をとり、外筒と内筒との空間に入れ、３５
℃〜６５℃まで昇温しその間連続的に粘度を測定した。

第６図は、ばれいしょでんぷんのアミログラムを示し、
第７図にタピオカでんぷんのアミログラムを示す。この
図に示すように、５５℃以下では粘度はほとんどないが
、ある温度より急激に粘度が上昇するのがわかる。これ
は、でんぷんが膨潤して粘度が上昇するからである。ざ
らに温度が上界すると粘度は最高点に達しその後は序々
に減少する。これは、膨潤しきったでんぷん粒ががこわ
れていくことによるものと推定される。放電プラズマ処
理前の特性曲線へとプラズマ処ｙ！！侵の特性曲線（Ａ
ｒ・・・アルゴンガス、Ｏｔ・・・酸素ガス、１−１２
・・・水素ガス）とを比べると、第６図に示すばれいし
ょでんぷんでは、プラズマ処理前と後とでは立ち上がり
の温度が４℃低下し、最高粘度が約１０％減少している
。

一方、第７図に示すタピオカでんぷんでは、プラズマ処
理後とでは立ち上がり温度は変化しないが、プラズマ処
理後に＠＾粘度が約１０％減少している。

立ち上がり温度の低下は糊化しやすいことを示し、でん
ぷんの粘度は低分子はど低いため、最高粘度の低下はで
んぷん分子の低分子化（グルコシド結合の分解）を示す
と考えられる。従って、プラズマ処理されたでんぷんは
低分子化されていると推察される。

（老化試験） 老化とは、一度加熱してのりにしたでんぷんが時間とと
もに水とでんぷん粒に分離する現象をいい、のりの安定
性を評価できる。又、老化は実用上水産ねり製品などの
保存性などという問題で重要である。

老化試験は、具体的には、でんぷん６・４ｇを３００ｃ
ｃのビーカーに入れ、これに１００ｇの蒸溜水を加え、
６％のでんぷん懸濁液をつくる。そして撹拌しながら徐
々に昇温し、のり液が透きとおるまで続ける。その後自
然冷却し、水とでんぷん粒に分離する時間を測定する。

その結果を第８図及び第９図に示す。第８図に示すばれ
いしょでんぷんでは、プラズマ処理前が１５日間程度で
あるのに対し、プラズマ処理後では６０日間程度と約４
倍のび、第９図に示すタピオカでんぷんでは、処理前は
８日間程度であるのに対し、プラズマ処理後では２０日
間程度となり、約３倍近く老化時間がのびているのがわ
かる。

（破断強度試験） 破断強度とは、でんぷんを加熱して作った糊を急冷して
ゲルを作り、その強さを評価するものである。この種の
ゲルは、大きな圧力を受けたとぎに塑性的な変形をせず
、破壊することが多い。でんぷんは、水産練り製品に、
少ないもので２〜３％、多いもので２０％、平均して７
〜８％弾力補弾力色して含まれている。従って、この試
験は、実用上は、主に水産練り製品などの弾力補強剤と
しての特性を評価することになる。

破断強度試験の方法としては、固形。分６％の糊液を２
００ｍ１容器に採取し、１０℃で２４時間保持しゲル化
させる。こうして得たゲルの破断強度を、ガードメータ
（第１０図）を用いて測定する。即ち、試料を可動台２
０にのせ、これを付属のモータ２１により、１ｃｍ／７
ｓｅｃの速度で円形の感圧軸２２に対して押し上げて、
試料の表面が破壊されたときの単位面積あたりのｖｉ’
！ｉ＜Ｑ／ａｍ２）をもって破断強度とする。

試験結果を第１１図に示す。ばれいしょでんぷんでは第
１１図に示すように放電プラズマ処理により約５０％破
断強度が上昇しているのがわかる。

（還元力試＃） でんぷん分子には、１分子につき、還元性を示す１つの
還元性末端と、還元性を示さない１つの非還元性末端と
が存在する。還元力の増大は、還元性末端の数が増加し
たこと、つまり１つの分子がいくつもに別れたことを意
味し、グルコシド結合が分解して低分子化していること
を意味する。

還元力試験では、Ｐ　ａｒｋ　−Ｊ　ｏｈｎｓｏｎ方法
とよばれる方法を採用した。

第１２図にばれいしょでんぷんの還元力試験、第１３図
にタピオカでんぷんの還元力試験の結果を示す。

第１２図および第１３図に示すように、ばれいしょでん
ぷん、タピオカでんぷんともに、プラズマ処理により還
元力が２倍弱増加していることがわかる。これは、プラ
ズマ処理により、でんぷん１分子あたり１個のグルコシ
ド結合が分解していることを示唆する。

（放電ガスの種類） ところで、放電ガスをアルゴンガスの他に、化学的に活
性である水素ガス、酸素ガスに変えてプラズマによる改
質処理を行ない、でんぷんの物性変化を調べ、その結果
を第２図〜第１３図に示した。水分含量試験では、第２
図、第３図に示すように、放電ガスの相違はほとんどな
かった。

粘性試験では、まず第６図に示すばれいしょでんぷんで
は、立ち上がり濃度は約６０度とｔＩｌ′Ｆ＠ガスによ
らずほぼ一定温度であり、即ち、ともにプラズマ処理前
よりも約４℃低下してお、す、最高粘度の数値は、アル
ゴンガス、酸素ガス、水素ガスの順に低下している。

一方第７図に示すタピオカでんぷんでは、放電ガスの相
違による立ち上がりａ度の変化はみられなかったが、最
高粘度の数値は、第７図に示すように、ばれいしょでん
ぷんの場合と同様にアルゴンガス、酸素ガス、水素ガス
の順に低下している。

このことから放電ガスの相違による効果は、水素ガス〉
酸素ガス〉、アルゴンガスの関係がなりたち、水素ガス
が最も大きい。

老化試験では、第８図に示すばれいしょでんぶｌνでは
、放電ガスがちがってもほとんどその結果に差異がなか
った。又、第９図に示すタピオカでんぷんでは、酸素ガ
スに比べて、アルゴンガス、水素ガスの方が優れていた
。

又、破断強度試験では、放電ガスによる差異はほとんど
なかった。

還元力試験では、第１２図に示すばれいしょでんぷんと
第１３図に示すタピオカでんぷんでは、水素ガスのほう
が放電プラズマ処理による効果が著しい。即ち、ばれい
しょでんぷんとタピオカでんぷんとでは、その還元力は
、放電プラズマ処理前に比べて酸素ガスを用いた敢°眉
では約２倍に向上し、水素ガスを用いた放電では約３倍
に向上している。

これは１分子あたり、酸素放電では１つ、水素放電では
２つのグルコシド結合がきれていることを示唆する。こ
のように還元力の結果をみれば、放電ガスによる違いは
きわめて大きいことがわかる。

以上低気圧高周波放電により生成されたプラズマにより
処理することを述べた。この方法は、（１）容易に安定
かつ一様なプラズマが得られる。

（２）気相中の反応がモニターできる。（３）異なった
ガスで放電できる、など、物性変化の検証、反応ｌ１１
１の解明の点では大きなメリットをもつ。

（実施例２） 実施例２では実用化の視点に立ち、真空に引く必要がな
いので操作が簡単であり、かつ、一度に大量にできコス
ト低下も期待できる大気圧コロナ放電を用いた処理につ
いて述べる。第１４図に実験装置を示す。放電は、テス
ラコイル３０の先端の針３０ａとステンレス板３１（直
径２００ｍ）との間におこる。放電がでんぷんに一様に
あたるようにステンレス板３１を回転（３３ｒｐｍ）さ
せるとともに、テスラコイル３０の先端の針３０ａを１
字形にまげ、半径方向に放電が移動するようにした。

でんぷん２０Ｑを外縁から４ｃｍの幅で一様におく。こ
のときでんぷんの飛散を防ぐため、その両端に高さ２．
５ｃｍの紙のついたて３２をたてる。テスラコイル３０
を２台用いて１時間放電させ、前述同様にその物性変化
をみる。

（水分含量） 第１５図にばれいしょでんぷん、第１６図にタピオカで
んぷんの、それぞれ大気圧コロナ放電で１時間処理した
あとの水分含量を示す。この結果は、真空に引かなくて
も、放電プラズマとの相互作用によって水分が扱けるこ
とを示している。これから、先に述べた低気圧高周波放
電においては、真空処理後とプラズマ処理後とでは、水
分含量の変化は少なかったものの、低気圧高周波放電に
おいても、プラズマとデンプン粒との相互作用により水
分が抜けると考えられる。

（Ｘ線回折） 第１７図（Ａ）（Ｂ）にばれいしょでんぷん、第１８図
（Ａ）（Ｂ）にタピオカでんぷんのそれぞれプラズマ処
理前とプラズマ処理後のＸ線回折スペクトル（１０’〜
３０°）を示す。結晶性を評価するため、結晶ｇＡ域と
アモルファス領域とに分離した面線が入れである。この
結果より、プラズマ処理前とプラズマ処Ｉ！！後では、
Ｘａ回折スベクトルは若干変化しているものの、そんな
に大きくかわらない。これは、ｆｉ′Ｒ処理時間が少な
かったためと推察される。

第１９図に結晶性の、放電時間に対する依存性を示す。

ここで丸印はばれいしょでんぷん、三角印はタピオカで
んぷんを示す。第１９図のごとく、放電時間を増加する
と、結晶性が減少する傾向にあるといえる。

（粘性試験） 第２０図に、ばれいしょでんぷん、第２１図にタピオカ
でんぷんのそれぞれ一時間プラズマ処理した場合のアミ
ログラムを示す。特性面ＭＡはプラズマ処理面のもので
ある。双方とも、立ち上り温度にはたいした差は見られ
ないが、最高粘度は太き（減少している。従って低分子
化していることはあきらかである。前記した低気圧高周
波放電中に落下させた場合とを比較すると、一番低下の
みられた水素（ばれいしょでんぷん１８％、タピオカで
んぷん２６％）よりもさらに低下している。

（ばれしょでんぷん２５％、タピオカでんぷん３６％）
ことがわかる。

また、アミログラムの形の比較では、第２０図に示すば
れいしょでんぷんでは低気圧高周波放電の場合とよく似
た形をしているが、第２１図に示すタピオカでんぷんで
は低気圧高周波放電の場合は、最高粘度を示したあと１
０℃はど粘度の横ばい状態が続くが、大気圧コロナ放電
では、最高粘度を示したあと急激に減少している。これ
は、タピオカでんぷんでは、大気圧コロナ放電と低気圧
高周波放電とでは処理されたあとのでんぷんの力性が異
なっていることを示唆している。

（破断強度試験） 第２２図にばれいしょでんぷんの破断強度試験の結果を
示す。低気圧高周波放電の場合と比べると、破断強度の
上昇の割合が小さい。

（還元力試験） 第２３図に還元力試験の結果を示す。放電時間の影響を
みたものである。丸はばれいしょでんぷん、三角はタピ
オカでんぷんを示す。放電時間の増加とともに還元力は
増大することがわかる。また、タピオカでんぷんを１Ｏ
Ｒ＠処理したものは、処理前の約２０倍、即ら、−分子
あたり２０個のグルコシド結合が切れていることになる
。

Ｎｌ！！の実施例） 第２４図は大気圧における高周波ＩＩｌ？１２を利用し
た１例を示す。この例では、反応部４０ａをもつガラス
性の放電管４の上部４１から２５０メツシユの未処理の
ばれいしょでんぷんＳを落下させる。

そして、高周波電源４３に接続した電極４４と接地した
電極４５との間に、約１０００ｋ　１−１ｚ　、　１０
ｋ　Ｈｚ程度の高周波の弛緩振動電圧を引加して、これ
により大気圧放電を起し、放電プラズマを反応部４０ａ
で発生させる。すると、落下中のでんぷんＳが反応部４
０ａを通過する間にプラズマにさらされるため、でんぷ
んの改質が前記のごとく行われる。

第２４図に示す大気圧高周波放電処理した場合、次のよ
うなでんぷんの改質が認められた。でんぷん粒のＸ線回
折から結晶性を評価したところ、でんぷんを５００９１
１１１１ｒの落下速度で供給したところ、２４％の結晶
度をもつばれいしょでんぷんが、２０％程度まで結晶度
が低下した。

一方Ｐ　ａｒｋ　−Ｊ　ｏｈｎｓｏｎ法によりでんぷん
の還元力を測定したところ、グルコース換算では２・７
μｇｌＩ１１の還元力をもつばれいしょでんぷんが、１
００＋ｊｍｈｒの落下率で放電プラズマ処理したところ
、２倍程度に還元力が向上した。その理由は、放電プラ
ズマによるでんぷんのグルコシド結合が切断され、でん
ぷんの低分子化が生じているためと推察される。

［発明の効果］ 以上説明したように本発明にかかる改質方法によれば、
放電プラズマにより、でんぷんの性質を変えることがで
きる。これは、気体放電によって発生するプラズマは、
高エネルギーの特異な非平衡状態にあるため、プラズマ
中の高速電子は、でんぷんから発生するＨｔＯなとの気
体分子と衝突して、水素原子や酸素原子などの活性種を
多量に生成し、これらの活性種はで／νぶんと強い化学
反応を起こし、そのため主にグルコシド結合がきれ、で
んぷんの低分子化がおこっているためであると推察でき
る。また電離によって発生したイオンは、でんぷん粒の
表面に高エネルギーで衝突してでんぷん粒に強い物理的
効果を及ぼすためと推察できる。

具体的には、湿式化学的処理方法と異なり廃液の問題が
ないこと、糊化しやすくなる、破断強度の増大、最高粘
度が低下する、老化しにくくなる、保水性がよくなるな
どの性質が得られる。従って、食品工業、医薬品等の業
界にきわめて有効である。

【図面の簡単な説明】

第１図は実施例１で用いる放電プラズマ発生装置を用い
改質行程を行っている状態の概略断面図である。第２図
はばれいしょでんぷんの水分含量の変化を示すグラフで
ある。第３図はタピオカでんぷんの水分含量の変化を示
すグラフである。第４図（Ａ）（Ｂ）はばれいしょでん
ぷんのＸ線回折スペクトルを示すグラフであり、第４図
（Ａ＞はプラズマ処理前、第４１１１（Ｂ）はプラズマ
処理後を示す。第５図（Ａ）（Ｂ）はタピオカでんぶん
のＸ線回折スペクトルを示すグラフであり、第５図（Ａ
）はプラズマ処理前、第５図（Ｂ）はプラズマ処理後を
示す。第６図はばれいしょでんぷんのアミログラムを示
すグラフである。第７図はタピオカでんぷんのアミログ
ラムを示すグラフである。第８図はばれいしょでんぷん
の老化試験の結果を示すグラフである。第９図はタピオ
カでんぷんの老化試験結果を示すグラフである。第１０
図は破断強度試験に用いる！！躍の側面図である。 第１１図はばれいしょでんぷんの破断強度試験結果を示
すグラフである。第１２図はばれいしょでんぷん還元力
試験結果を示すグラフである。第１３図はタピオカでん
ぷんの還元力試験結果を示すグラフである。 第１４図は、本発明の実施例２で用いる放電プラズマ発
生装置を用いて改質している状態を示す概略斜視図であ
る。また第１５図はばれいしょでんぷんの水分含量を示
すグラフである。第１６図はタピオカでんぷんの水分含
ｍを示すグラフである。第１７図（Ａ）（Ｂ）はばれい
しょでんぷんのＸ１回折スペクトルを示すグラフであり
、第１７図（Ａ＞はプラズマ処理前、第１７図（Ｂ）は
プラズマ処理後を示す。第１８図（Ａ）（Ｂ）はタピオ
カでんぷんのＸ線回折スペクトルを示すグラフであり、
第１８図（Ａ）はプラズマ処理前、第１８図（Ｂ）はプ
ラズマ処ｌ！Ｉ！後を示す。第１９図は／ｉ５＋電時間
を結晶性との関係を示すグラフである。第２０図はばれ
いしょでんぷんのアミログラムを示すグラフである。第
２１図はタピオカでんぷんのアミログラムを示すグラフ
である。第２２図は破断強度結果を示すグラフである。 第２３図は放電時間を還元力との関係を示すグラフであ
る。 第２４図は放電プラズマ発生装置を用いて改質している
概略断面図である。 特許出願人　　　株式会社アサクラ 代理人　　　　弁理士　大川　宏 同　　　　　弁理士　丸山明夫 第４図（Ａ） 第４図（Ｂ） 回　　拍°　　肉　　２θ（°） 第５図（Ａ） 回　宵　肉　２９（’） 第５図（Ｂ） 回　　杵　　内　　２Ｑ（’） 第６図 逼　夏（°Ｃ） 第７図 第１０図 第１１図 第１８図（Ａ） 第１８図（Ｂ） 回　　杵　　Ａ　　２θ（°） 第乙図 見　　変（”Ｃ）

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）でんぷんを気体放電プラズマ発生装置の反応部に
   供給する供給工程と、 該でんぷんを該反応部で気体放電プラズマにさらすこと
   により該でんぷんを改質する改質工程と、を実施するこ
   とを特徴とするでんぷんの改質方法。
2. （２）改質工程で用いる気体放電プラズマは、直流電源
   や高周波電源を用いて発生するグロー放電やコロナ放電
   で生じる弱電離プラズマである特許請求の範囲１項記載
   のでんぷんの改質方法。
3. （３）反応部と該反応部の上方に供給部とをもつ気体放
   電プラズマ発生装置を用い、 改質工程は、該供給部に供給したでんぷんを該反応部に
   向けて落下させて該反応部を通過させて行なう特許請求
   の範囲１項記載のでんぷんの改質方法。
4. （４）放電用ガスは、水素、酸素、アルゴン、空気のい
   ずれか１種である特許請求の範囲第１項記載のでんぷん
   の改質方法。