JPS6334600B2 - - Google Patents
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- JPS6334600B2 JPS6334600B2 JP10760180A JP10760180A JPS6334600B2 JP S6334600 B2 JPS6334600 B2 JP S6334600B2 JP 10760180 A JP10760180 A JP 10760180A JP 10760180 A JP10760180 A JP 10760180A JP S6334600 B2 JPS6334600 B2 JP S6334600B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G1/00—X-ray apparatus involving X-ray tubes; Circuits therefor
- H05G1/08—Electrical details
- H05G1/26—Measuring, controlling or protecting
- H05G1/30—Controlling
Landscapes
- Health & Medical Sciences (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- X-Ray Techniques (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、3極X線管のグリツド制御によつ
てX線の開閉ならびに管球内の電子ビームの集束
を行なうように構成されたX線装置の格子制御装
置に関するものである。
てX線の開閉ならびに管球内の電子ビームの集束
を行なうように構成されたX線装置の格子制御装
置に関するものである。
3極X線管は、格子にフイラメント電位により
低い負のバイアス電圧を加えることにより、フイ
ラメントから発する電子が負の電荷をもつている
ため、格子の負の電位に反発されて陽極に達する
ことができず、一方、格子電位をフイラメントと
同電位にすると、電子が格子を通り過ぎて陽極に
到達することができる。すなわち、格子のバイア
ス電圧を0あるいは負に外部から制御することで
X線の開閉を行なえる。したがつて、電子回路の
みでX線の開閉ができて機械的な動きは何ら含ま
れないため、1/1000sec程度の短時間曝射が可
能となる。また、コンデンサ式X線装置と組み合
わせた場合、任意のところで波尾切断ができ不要
なX線曝射をなくすことができるとともに、次回
の充電時間の短縮と相まつて非常に能率的なもの
である。これらのX線装置における格子電圧制御
装置は、例えば−2000Vのバイアス電圧を外部電
源を用いないで、ケーブルの浮遊容量などを利用
して発生させるようになつたコンデンサ型に代表
される自己バイアス方式のものと、独立した格子
制御用の外部電源を設けた外部バイアス方式のも
のとに大別される。
低い負のバイアス電圧を加えることにより、フイ
ラメントから発する電子が負の電荷をもつている
ため、格子の負の電位に反発されて陽極に達する
ことができず、一方、格子電位をフイラメントと
同電位にすると、電子が格子を通り過ぎて陽極に
到達することができる。すなわち、格子のバイア
ス電圧を0あるいは負に外部から制御することで
X線の開閉を行なえる。したがつて、電子回路の
みでX線の開閉ができて機械的な動きは何ら含ま
れないため、1/1000sec程度の短時間曝射が可
能となる。また、コンデンサ式X線装置と組み合
わせた場合、任意のところで波尾切断ができ不要
なX線曝射をなくすことができるとともに、次回
の充電時間の短縮と相まつて非常に能率的なもの
である。これらのX線装置における格子電圧制御
装置は、例えば−2000Vのバイアス電圧を外部電
源を用いないで、ケーブルの浮遊容量などを利用
して発生させるようになつたコンデンサ型に代表
される自己バイアス方式のものと、独立した格子
制御用の外部電源を設けた外部バイアス方式のも
のとに大別される。
しかしながら、前者の方式は、専用の電源を必
要としない利点がある反面、高電圧のバイアス電
源をオン・オフ制御するための特別のリレーが必
要であり、このリレーは高電圧で使用されるもの
で非常に高価である。しかも、機械的に接点を作
動させるので、動作速度に限界があり、前述の電
子回路によるメリツトである1/1000sec程度の
高速制御は行ない得ない。また、単にX線開閉を
行なうだけでなく、格子のバイアス電圧によつて
電子ビームの集束をも行なう場合には、回路構成
が複雑となり、特にコンデンサ形の場合にはバイ
アス電圧により両方とも行なうことが不可能であ
る。後者の固定バイアス方式は、上記の欠点が無
い代わりに、専用のバイアス電源装置が必要で装
置が大形化し、コストも高くなるといつた問題が
ある。
要としない利点がある反面、高電圧のバイアス電
源をオン・オフ制御するための特別のリレーが必
要であり、このリレーは高電圧で使用されるもの
で非常に高価である。しかも、機械的に接点を作
動させるので、動作速度に限界があり、前述の電
子回路によるメリツトである1/1000sec程度の
高速制御は行ない得ない。また、単にX線開閉を
行なうだけでなく、格子のバイアス電圧によつて
電子ビームの集束をも行なう場合には、回路構成
が複雑となり、特にコンデンサ形の場合にはバイ
アス電圧により両方とも行なうことが不可能であ
る。後者の固定バイアス方式は、上記の欠点が無
い代わりに、専用のバイアス電源装置が必要で装
置が大形化し、コストも高くなるといつた問題が
ある。
この発明はこのような従来の問題点に鑑みてな
されたもので、X線開閉と電子ビームの集束化と
を格子のバイアス電圧により行なう格子制御装置
において、バイアス電圧の高速制御を特別な電源
を用いることなく、かつ簡単な構成により行なえ
るようにすることを技術的課題とするものであ
る。
されたもので、X線開閉と電子ビームの集束化と
を格子のバイアス電圧により行なう格子制御装置
において、バイアス電圧の高速制御を特別な電源
を用いることなく、かつ簡単な構成により行なえ
るようにすることを技術的課題とするものであ
る。
この発明は、上記課題を達成するための手段と
して、3極X線管格子制御装置を以下のように構
成した。すなわち、この発明に係る3極X線管格
子制御装置は、1次側にフイラメント電力制御回
路を設けたトランスの2次側に、少なくとも2つ
の2次巻線を設け、この一方の2次巻線を3極X
線管のフイラメント回路に接続するとともに、他
方の2次巻線を、コツククロフト・ウオルトン多
段倍圧回路および格子電圧制御回路を介して前記
3極X線管の格子に接続し、前記格子電圧制御回
路に、これから前記格子に印加されるバイアス電
圧を設定する信号を出力する格子電圧制御信号供
給回路を接続してなり、前記格子電圧制御回路
に、前記多段倍圧回路の分圧正側出力端と3極X
線管の管球印加電圧のフイードバツク回路の正側
入力端との間に接続した線形電圧制御素子と、こ
の線形電圧制御素子を前記フイードバツク回路か
らの格子電圧比例信号と前記格子電圧制御信号供
給回路からの基準設定信号との差動信号により制
御する比較回路とを備え、前記格子電圧制御信号
供給回路に、前記基準信号を切換え制御する光電
変換素子を設けたことを特徴として構成されてい
る。
して、3極X線管格子制御装置を以下のように構
成した。すなわち、この発明に係る3極X線管格
子制御装置は、1次側にフイラメント電力制御回
路を設けたトランスの2次側に、少なくとも2つ
の2次巻線を設け、この一方の2次巻線を3極X
線管のフイラメント回路に接続するとともに、他
方の2次巻線を、コツククロフト・ウオルトン多
段倍圧回路および格子電圧制御回路を介して前記
3極X線管の格子に接続し、前記格子電圧制御回
路に、これから前記格子に印加されるバイアス電
圧を設定する信号を出力する格子電圧制御信号供
給回路を接続してなり、前記格子電圧制御回路
に、前記多段倍圧回路の分圧正側出力端と3極X
線管の管球印加電圧のフイードバツク回路の正側
入力端との間に接続した線形電圧制御素子と、こ
の線形電圧制御素子を前記フイードバツク回路か
らの格子電圧比例信号と前記格子電圧制御信号供
給回路からの基準設定信号との差動信号により制
御する比較回路とを備え、前記格子電圧制御信号
供給回路に、前記基準信号を切換え制御する光電
変換素子を設けたことを特徴として構成されてい
る。
上記構成の3極X線管格子制御装置において
は、1個のトランスの2次側が少なくとも2つに
分けられており、一方の2次巻線にて3極X線管
のフイラメントが加熱され、他方の2次巻線がコ
ツククロフト・ウオルトン多段倍圧回路の低圧電
源とされることにより、3極X線管のフイラメン
ト電力制御に対し独立して、前記多段倍圧回路に
接続され3極X線管の格子に直列に接続された格
子電圧制御回路を介し格子のバイアス電圧が設定
値になるよう制御される。そして、その電圧制御
は、格子電圧制御信号供給回路から格子電圧制御
回路へ、予め設定された格子電圧に比例する信号
が発せられ、この信号が比較器の一方へ基準信号
として入力され、管球に印加される格子電圧に比
例するフイードバツク信号が比較器の他方へ入力
され、それらが比較されその差動信号によつて、
インピーダンスが線形変化する線形電圧制御素
子、例えば電圧制御トランジスタ線形電圧制御素
子を制御することにより行なわれる。さらに、格
子電圧制御信号供給回路から比較器の一方へ入力
される前記基準信号を、格子電圧制御信号供給回
路に設けられた光電変換素子による光の入射およ
び遮断により切換え制御することにより、格子の
バイアス電圧の切換え制御が行なわれ、X線の開
閉ならびに曝射中の電子ビームの集束制御が安定
して高速に行なわれる。
は、1個のトランスの2次側が少なくとも2つに
分けられており、一方の2次巻線にて3極X線管
のフイラメントが加熱され、他方の2次巻線がコ
ツククロフト・ウオルトン多段倍圧回路の低圧電
源とされることにより、3極X線管のフイラメン
ト電力制御に対し独立して、前記多段倍圧回路に
接続され3極X線管の格子に直列に接続された格
子電圧制御回路を介し格子のバイアス電圧が設定
値になるよう制御される。そして、その電圧制御
は、格子電圧制御信号供給回路から格子電圧制御
回路へ、予め設定された格子電圧に比例する信号
が発せられ、この信号が比較器の一方へ基準信号
として入力され、管球に印加される格子電圧に比
例するフイードバツク信号が比較器の他方へ入力
され、それらが比較されその差動信号によつて、
インピーダンスが線形変化する線形電圧制御素
子、例えば電圧制御トランジスタ線形電圧制御素
子を制御することにより行なわれる。さらに、格
子電圧制御信号供給回路から比較器の一方へ入力
される前記基準信号を、格子電圧制御信号供給回
路に設けられた光電変換素子による光の入射およ
び遮断により切換え制御することにより、格子の
バイアス電圧の切換え制御が行なわれ、X線の開
閉ならびに曝射中の電子ビームの集束制御が安定
して高速に行なわれる。
以下、図面によつてこの発明の実施例を説明す
る。第1図はこの発明の実施例装置の基本構成を
示すブロツク図で、1は商用電源で、例えば
AC200V、50Hzまたは60Hzのもの、2はX線高電
圧発生装置内のフイラメント電力制御回路であ
り、他の実施例を示した後述の第2図において詳
しく説明するスイツチング素子によるインバータ
のパルス幅を調整する方式に限らず、従来装置と
同じ可変抵抗器式またはインダクタンス調整器式
のものを用いてもよい。但し、設定した電圧・電
流の安定化回路を備えていることが少なくとも必
要である。3はトランスであり、2次側にフイラ
メント加熱回路の他に格子のバイアス電圧を発生
させるためのコツククロフト・ウオルトン多段回
路をも設けたものであり、1次と2次巻線の間を
管電圧の高圧に十分耐えられるだけの高絶縁を施
したものである。フイラメント加熱巻線は従来の
ものと同一であるが、上記倍圧回路4の電源とな
る2次巻線は、例えばAC250V(波高値)の低電
圧Eiを発生させればよいので、上記フイラメント
加熱用の巻線間との絶縁は容易である。さらに、
このトランス3の2次巻線は、上記以外に、後述
する格子電子制御回路に対する制御信号供給回路
6の電源となる2次巻線が設けてあり、その電圧
Egは、例えばAC15Vのものである。多段倍圧回
路4は、例えば第2図で例示して詳説するが、コ
ンデンサとダイオードとをそれぞれ6個ずつカス
ケード接続した3段形のコツククロフト・ウオル
トン多段倍圧回路であり、この場合の出力電圧
Ecは入力電圧Eiを250Vとすると、その6倍の
1500VMaxとなる。格子電圧制御回路5について
は詳しくは第2図で説明するので、ここでは第2
図を参照してその概要を述べる。すなわち、耐圧
1000V級の電圧制御トランジスタ28を、スイツ
チング素子として用いるのではなく、そのインピ
ーダンスを線形変化させるように構成した一般の
直列制御形直流安定化回路の制御素子として利用
し、X線管9の格子11に印加されるX線遮断バ
イアス電圧Eo′、およびX線曝射中における電子
ビームの集束用バイアス電圧Ep′を予め設定され
た一定値にそれぞれ保つ機能を有する。そのため
に、この格子電圧制御回路5には、上記トランジ
スタ28の他に、比較回路としての誤差増幅器3
3を設けてあり、その一方の入力端には、上記バ
イアス電圧Eo′またはEp′に比例したフイードバ
ツク信号が入力され、他方の入力端には、格子電
圧制御信号供給回路6の出力すなわち入力信号
Egを全波整流し、ツエナダイオード42,43
によつて直流定電圧をコモン端子に対してそれぞ
れ+15V、−15Vを発生させる回路からの基準信
号So,Spが択一的に入力される。これらの両基
準信号So,Spの設定は、X線制御盤7上に設け
られた、例えば粗・精の調整ダイヤルにて術者が
所望のバイアス電圧Eo′,Ep′を設定する設定器
を操作し、これに連動する格子電圧制御信号供給
回路6の可変抵抗器で調整したり、または予め固
定抵抗器で設定されるのであり、例えばEo′=−
1200V、Ep′=−600Vの設定値に比例する設定値
比例信号である。換言すると、格子のバイアス電
圧の設定基準信号である。格子電圧制御回路5の
誤差増幅器33は、上記基準信号So,Spと前述
のバイアス電圧So′,Sp′の各フイードバツク信号
とを比較し、その差を増幅して、電圧制御トラン
ジスタ28のインピーダンスを変化させることに
よつて格子に印加されるバイアス電圧Eo′,
Ep′を常に設定基準信号Eo,Epに一致するよう動
作する。基準信号Eo,Epの切換え制御は、X線
制御盤7上で同じく術者が任意に設定する設定器
のX線曝射設定タイミングに連動して、格子電圧
制御信号供給回路6の発光ダイオードに対する通
電操作により、この発光を受光したホトトランジ
スタが前述の可変抵抗器の出力を切り換えること
で行なわれる。この光信号によるバイアス電圧の
切換え制御は極めて高速で行なわれる。
る。第1図はこの発明の実施例装置の基本構成を
示すブロツク図で、1は商用電源で、例えば
AC200V、50Hzまたは60Hzのもの、2はX線高電
圧発生装置内のフイラメント電力制御回路であ
り、他の実施例を示した後述の第2図において詳
しく説明するスイツチング素子によるインバータ
のパルス幅を調整する方式に限らず、従来装置と
同じ可変抵抗器式またはインダクタンス調整器式
のものを用いてもよい。但し、設定した電圧・電
流の安定化回路を備えていることが少なくとも必
要である。3はトランスであり、2次側にフイラ
メント加熱回路の他に格子のバイアス電圧を発生
させるためのコツククロフト・ウオルトン多段回
路をも設けたものであり、1次と2次巻線の間を
管電圧の高圧に十分耐えられるだけの高絶縁を施
したものである。フイラメント加熱巻線は従来の
ものと同一であるが、上記倍圧回路4の電源とな
る2次巻線は、例えばAC250V(波高値)の低電
圧Eiを発生させればよいので、上記フイラメント
加熱用の巻線間との絶縁は容易である。さらに、
このトランス3の2次巻線は、上記以外に、後述
する格子電子制御回路に対する制御信号供給回路
6の電源となる2次巻線が設けてあり、その電圧
Egは、例えばAC15Vのものである。多段倍圧回
路4は、例えば第2図で例示して詳説するが、コ
ンデンサとダイオードとをそれぞれ6個ずつカス
ケード接続した3段形のコツククロフト・ウオル
トン多段倍圧回路であり、この場合の出力電圧
Ecは入力電圧Eiを250Vとすると、その6倍の
1500VMaxとなる。格子電圧制御回路5について
は詳しくは第2図で説明するので、ここでは第2
図を参照してその概要を述べる。すなわち、耐圧
1000V級の電圧制御トランジスタ28を、スイツ
チング素子として用いるのではなく、そのインピ
ーダンスを線形変化させるように構成した一般の
直列制御形直流安定化回路の制御素子として利用
し、X線管9の格子11に印加されるX線遮断バ
イアス電圧Eo′、およびX線曝射中における電子
ビームの集束用バイアス電圧Ep′を予め設定され
た一定値にそれぞれ保つ機能を有する。そのため
に、この格子電圧制御回路5には、上記トランジ
スタ28の他に、比較回路としての誤差増幅器3
3を設けてあり、その一方の入力端には、上記バ
イアス電圧Eo′またはEp′に比例したフイードバ
ツク信号が入力され、他方の入力端には、格子電
圧制御信号供給回路6の出力すなわち入力信号
Egを全波整流し、ツエナダイオード42,43
によつて直流定電圧をコモン端子に対してそれぞ
れ+15V、−15Vを発生させる回路からの基準信
号So,Spが択一的に入力される。これらの両基
準信号So,Spの設定は、X線制御盤7上に設け
られた、例えば粗・精の調整ダイヤルにて術者が
所望のバイアス電圧Eo′,Ep′を設定する設定器
を操作し、これに連動する格子電圧制御信号供給
回路6の可変抵抗器で調整したり、または予め固
定抵抗器で設定されるのであり、例えばEo′=−
1200V、Ep′=−600Vの設定値に比例する設定値
比例信号である。換言すると、格子のバイアス電
圧の設定基準信号である。格子電圧制御回路5の
誤差増幅器33は、上記基準信号So,Spと前述
のバイアス電圧So′,Sp′の各フイードバツク信号
とを比較し、その差を増幅して、電圧制御トラン
ジスタ28のインピーダンスを変化させることに
よつて格子に印加されるバイアス電圧Eo′,
Ep′を常に設定基準信号Eo,Epに一致するよう動
作する。基準信号Eo,Epの切換え制御は、X線
制御盤7上で同じく術者が任意に設定する設定器
のX線曝射設定タイミングに連動して、格子電圧
制御信号供給回路6の発光ダイオードに対する通
電操作により、この発光を受光したホトトランジ
スタが前述の可変抵抗器の出力を切り換えること
で行なわれる。この光信号によるバイアス電圧の
切換え制御は極めて高速で行なわれる。
X線管9は、両管端側に陽極12およびフイラ
メント10を備え、その中間に格子11が介在し
ている。この格子11としては、網目状のものを
図示しているが、現在の多くの管球では、陽極構
体の電子集束壁がグリツドとなつて優れたエミツ
シヨン特性を有しているものがあり、本発明はこ
のようなX線管にも用いることができる。以上が
この発明の実施例装置であつて、商用周波数の電
力でフイラメントならびに格子を制御する方式の
ものである。
メント10を備え、その中間に格子11が介在し
ている。この格子11としては、網目状のものを
図示しているが、現在の多くの管球では、陽極構
体の電子集束壁がグリツドとなつて優れたエミツ
シヨン特性を有しているものがあり、本発明はこ
のようなX線管にも用いることができる。以上が
この発明の実施例装置であつて、商用周波数の電
力でフイラメントならびに格子を制御する方式の
ものである。
つぎに、第2図によつてこの発明の別の実施例
として、トランスの出力つまり多段倍圧回路入力
を周波数とした装置を説明する。すなわち、コツ
ククロフト・ウオルトンなどの多段倍圧回路4で
高圧を安定して発生させるためには、これの入力
電力として高周波、例えば25KHzを用いると、平
滑コンデンサは、50Hzの場合の1/500の容量で同
一の効果が得られ、高周波トランス18は格段に
小型となりかつ製作が容易となる。図中、第1図
と同記号のものは説明を省く。15は整流回路
で、スイツチ・全波整流器および平滑コンデンサ
を含み、出力電圧Edを出力する。16は直流定
電圧回路で、例えばトランジスタを導通制御素子
とし、誤差増幅器を併用した直列制御形定電圧回
路である。その出力Eaは、高周波トランス18
の1次側中点THに入力する。17の点線のブロ
ツクは高周波インバータであり、2個のスイツチ
ングトランジスタ19,20をインバータ駆動回
路21で交互にオン・オフするもので、例えば
25KHzの高周波で制御されるものであり、一般に
スイツチングレギユレータと呼ばれ、高電圧の出
力をトランスの1次側で制御するに適したもので
ある。22はパルス発生回路で、例えば50KHzの
高周波クロツクパルスP1を出力する。23はト
ランジスタで構成された単安定マルチバイブレー
タで、上記P1のクロツクパルスをパルス幅調整
器24で設定されたパルス幅のパルスP2に変換
する。このパルスP2は、振幅が一定でパルス幅
だけが変化したものであり、前記両トランジスタ
19,20のオン・オフのデユーテイサイクルが
コントロールされるものである。24はフリツプ
フロツプ回路で、単安定マルチバイブレータ23
からの入力パルスP2を非反転および反転端子Q,
Qから交互に2個のNAND素子25,26に入
力する。NAND素子25,26の出力PQ,PQが
上記インバータ駆動回路で増幅ならびに波形整形
され、トランジスタ19,20のベースに入力す
ることで、クロツクパルスP1の振幅は一定のま
まそのパルス幅に応じてトランス18への入力電
圧を制御するものとなる。これがこの発明の1つ
の要部で、低周波の場合のような振幅制御に比し
てトランスの2次電圧の振幅変動がなく、制御性
のすぐれたもの、格子入力電圧値は、フイラメン
ト制御によつて変動することなく安定している。
高周波トランス18の2次側は、第1図で説明し
た3つの回路の電源を構成する3つの2次巻線が
設けられている。すなわち、その1つは、X線管
9のフイラメント加熱高周波電流If′の供給回路
への出力端子、その2つ目は、多段倍圧回路4
(点線の枠内ブロツク)へのEiの出力端子A1,
A2、その3つ目は、格子電圧制御信号供給回路
6(点線の枠内ブロツク)へのEgの出力端子B1,
B2を有している。この高周波トランス18は、
例えば30〜40VAの容量でよく、大きさも約50mm
3という小形のものである。4のコツククロフ
ト・ウオルトンの3段倍圧回路は、例えば耐圧
630Vの0.01μFのコンデンサ6個((そのうちC1だ
け0.022μF)と、同程度の耐圧を有する6個のダ
イオード27とで構成されている。A1,A2の出
力電圧が前述したように250Vに設定されている
ので、最大バイアス電圧は−1500Vとなる。倍圧
回路4の+端子は、第1図で説明した格子電圧制
御回路5のNPN形トランジスタ28の入力側に
接続され、倍圧回路4の2段目の端子29は、ダ
イオード30と抵抗31との並列回路と、抵抗3
2を介してトランジスタ28の出力側に結合され
る。これによつて、トランジスタ28のエミツ
タ・コレクタ間には、500Vの分圧が印加される
ことになる。ベース電流ibは比較回路すなわち誤
差増幅器33の出力でコントロールされる。誤差
増幅器33は、格子電圧設定器(図示せず)に連
動する格子電圧制御信号供給回路6内の可変抵抗
器34が発生する基準電圧Sp(格子電圧設定比例
信号)を−入力とし、管球9に実際に印加される
格子電圧Eo′,Ep′のフイードバツク回路の分圧
抵抗R1の電圧E1(X線曝射時の印加格子電圧比例
信号)を+入力とする。この構成で、Sp=E1の
平衡時、X線曝射時の格子電圧 Ep′=R1+R2/R1・Sp で、例えば−600V(電子ビーム集束電圧)が設定
される。この格子電圧Ep′の安定化は、前述した
ように電圧制御トランジスタ28のベースにかか
る増幅器33の差動信号によつてトランジスタ2
8のインピーダンスが変化して行なわれるのであ
る。格子11に流れる電流ioを1mAとし、周波
数fを25KHzとした場合、段数nは3であるか
ら、トランス18の2次電圧である多段倍圧回路
4の入力電圧Eiの電圧降下ΔVは次式で求まる。
として、トランスの出力つまり多段倍圧回路入力
を周波数とした装置を説明する。すなわち、コツ
ククロフト・ウオルトンなどの多段倍圧回路4で
高圧を安定して発生させるためには、これの入力
電力として高周波、例えば25KHzを用いると、平
滑コンデンサは、50Hzの場合の1/500の容量で同
一の効果が得られ、高周波トランス18は格段に
小型となりかつ製作が容易となる。図中、第1図
と同記号のものは説明を省く。15は整流回路
で、スイツチ・全波整流器および平滑コンデンサ
を含み、出力電圧Edを出力する。16は直流定
電圧回路で、例えばトランジスタを導通制御素子
とし、誤差増幅器を併用した直列制御形定電圧回
路である。その出力Eaは、高周波トランス18
の1次側中点THに入力する。17の点線のブロ
ツクは高周波インバータであり、2個のスイツチ
ングトランジスタ19,20をインバータ駆動回
路21で交互にオン・オフするもので、例えば
25KHzの高周波で制御されるものであり、一般に
スイツチングレギユレータと呼ばれ、高電圧の出
力をトランスの1次側で制御するに適したもので
ある。22はパルス発生回路で、例えば50KHzの
高周波クロツクパルスP1を出力する。23はト
ランジスタで構成された単安定マルチバイブレー
タで、上記P1のクロツクパルスをパルス幅調整
器24で設定されたパルス幅のパルスP2に変換
する。このパルスP2は、振幅が一定でパルス幅
だけが変化したものであり、前記両トランジスタ
19,20のオン・オフのデユーテイサイクルが
コントロールされるものである。24はフリツプ
フロツプ回路で、単安定マルチバイブレータ23
からの入力パルスP2を非反転および反転端子Q,
Qから交互に2個のNAND素子25,26に入
力する。NAND素子25,26の出力PQ,PQが
上記インバータ駆動回路で増幅ならびに波形整形
され、トランジスタ19,20のベースに入力す
ることで、クロツクパルスP1の振幅は一定のま
まそのパルス幅に応じてトランス18への入力電
圧を制御するものとなる。これがこの発明の1つ
の要部で、低周波の場合のような振幅制御に比し
てトランスの2次電圧の振幅変動がなく、制御性
のすぐれたもの、格子入力電圧値は、フイラメン
ト制御によつて変動することなく安定している。
高周波トランス18の2次側は、第1図で説明し
た3つの回路の電源を構成する3つの2次巻線が
設けられている。すなわち、その1つは、X線管
9のフイラメント加熱高周波電流If′の供給回路
への出力端子、その2つ目は、多段倍圧回路4
(点線の枠内ブロツク)へのEiの出力端子A1,
A2、その3つ目は、格子電圧制御信号供給回路
6(点線の枠内ブロツク)へのEgの出力端子B1,
B2を有している。この高周波トランス18は、
例えば30〜40VAの容量でよく、大きさも約50mm
3という小形のものである。4のコツククロフ
ト・ウオルトンの3段倍圧回路は、例えば耐圧
630Vの0.01μFのコンデンサ6個((そのうちC1だ
け0.022μF)と、同程度の耐圧を有する6個のダ
イオード27とで構成されている。A1,A2の出
力電圧が前述したように250Vに設定されている
ので、最大バイアス電圧は−1500Vとなる。倍圧
回路4の+端子は、第1図で説明した格子電圧制
御回路5のNPN形トランジスタ28の入力側に
接続され、倍圧回路4の2段目の端子29は、ダ
イオード30と抵抗31との並列回路と、抵抗3
2を介してトランジスタ28の出力側に結合され
る。これによつて、トランジスタ28のエミツ
タ・コレクタ間には、500Vの分圧が印加される
ことになる。ベース電流ibは比較回路すなわち誤
差増幅器33の出力でコントロールされる。誤差
増幅器33は、格子電圧設定器(図示せず)に連
動する格子電圧制御信号供給回路6内の可変抵抗
器34が発生する基準電圧Sp(格子電圧設定比例
信号)を−入力とし、管球9に実際に印加される
格子電圧Eo′,Ep′のフイードバツク回路の分圧
抵抗R1の電圧E1(X線曝射時の印加格子電圧比例
信号)を+入力とする。この構成で、Sp=E1の
平衡時、X線曝射時の格子電圧 Ep′=R1+R2/R1・Sp で、例えば−600V(電子ビーム集束電圧)が設定
される。この格子電圧Ep′の安定化は、前述した
ように電圧制御トランジスタ28のベースにかか
る増幅器33の差動信号によつてトランジスタ2
8のインピーダンスが変化して行なわれるのであ
る。格子11に流れる電流ioを1mAとし、周波
数fを25KHzとした場合、段数nは3であるか
ら、トランス18の2次電圧である多段倍圧回路
4の入力電圧Eiの電圧降下ΔVは次式で求まる。
ΔV=io/f・c(2/3n3+n2/2+n/3)=2
00V ここでは、Cは多段回路の合成容量で
0.0047μF。また、Eiのリツプル成分δVは同じく
次式で求まる。
00V ここでは、Cは多段回路の合成容量で
0.0047μF。また、Eiのリツプル成分δVは同じく
次式で求まる。
δV=io/f・c・n/ (n+1)/2≒51Vであ
り、 この251V(=200V+5iV)の降下分を補償するよ
うにEiを所定値だけ増しておく。これらは、トラ
ンジスタが吸収して格子電圧Eo′には現われな
い。これが格子電圧安定化手段である。ダイオー
ドはトランジスタ28の電圧負担を軽減するもの
であるが、理論的にはなくてもよい。その並列抵
抗31は、トランジスタ28が何らかの原因で
OPENしたとき、ダイオード30に高電圧がかか
らないように設けたものであるが、これもなくて
もよい。
り、 この251V(=200V+5iV)の降下分を補償するよ
うにEiを所定値だけ増しておく。これらは、トラ
ンジスタが吸収して格子電圧Eo′には現われな
い。これが格子電圧安定化手段である。ダイオー
ドはトランジスタ28の電圧負担を軽減するもの
であるが、理論的にはなくてもよい。その並列抵
抗31は、トランジスタ28が何らかの原因で
OPENしたとき、ダイオード30に高電圧がかか
らないように設けたものであるが、これもなくて
もよい。
つぎに、トランス18の2次巻線B1,B2の電
圧Egが印加される格子電圧制御信号回路6につ
いて説明する。35,36は全波(両波)整流用
ダイオード、コンデンサ37〜40と抵抗41は
平滑化のためのもの、42,43はツエナダイオ
ード、44,45はダイオードであり、この構成
で、例えば直流の(+15V)(−15)がコモン線
46に対して安定して発生される。可変抵抗34
は、前述した設定格子電圧Epの設定比例の基準
信号Sp供給源であり、その可動接点34Cに直
列に今一つの可変抵抗47を介してNPN形トラ
ンジスタ48が設けてあり、さらにそのベースに
エミツタを接続したホトトランジスタ49が設け
てある。このホトトランジスタ49への入射光L
は、例えば発光ダイオード50かから直径6mm、
長さ100mmのアクリル棒を光導体として入射され
る。高絶縁を保持するために、発光ダイオード5
0への、例えば70mA位の通電は、端子51,5
2を介してX線装置の制御盤内の格子制御器にて
行なわれるようにしてある。以上の構成によつて
光Lが入射されると、ホトトランジスタ49およ
び48がONして、上記可変抵抗47の可動接点
47Cと、コモン線46間の電圧Soとが誤差増
幅器33の一入力となる。この作用によつて、格
子には、例えば−1200Vという高いX線遮断バイ
アス電圧Eo′が印加され、フイラメント10から
の電子流を遮断し、X線の曝射を閉とする。この
ように、発光ダイオード50の遠隔操作の通電に
てタイムラグのないX線の開閉ができるので、3
極X線管の格子制御の速度は高速化できるし、ま
た発光ダイオード50の非通電にてX線は曝射す
るが、このときは前述したように電子ビームを集
束し、焦点を鋭焦点とするに適した格子電圧
Ep′を格子9に印加するので、画質の良いX線像
が得られるものである。
圧Egが印加される格子電圧制御信号回路6につ
いて説明する。35,36は全波(両波)整流用
ダイオード、コンデンサ37〜40と抵抗41は
平滑化のためのもの、42,43はツエナダイオ
ード、44,45はダイオードであり、この構成
で、例えば直流の(+15V)(−15)がコモン線
46に対して安定して発生される。可変抵抗34
は、前述した設定格子電圧Epの設定比例の基準
信号Sp供給源であり、その可動接点34Cに直
列に今一つの可変抵抗47を介してNPN形トラ
ンジスタ48が設けてあり、さらにそのベースに
エミツタを接続したホトトランジスタ49が設け
てある。このホトトランジスタ49への入射光L
は、例えば発光ダイオード50かから直径6mm、
長さ100mmのアクリル棒を光導体として入射され
る。高絶縁を保持するために、発光ダイオード5
0への、例えば70mA位の通電は、端子51,5
2を介してX線装置の制御盤内の格子制御器にて
行なわれるようにしてある。以上の構成によつて
光Lが入射されると、ホトトランジスタ49およ
び48がONして、上記可変抵抗47の可動接点
47Cと、コモン線46間の電圧Soとが誤差増
幅器33の一入力となる。この作用によつて、格
子には、例えば−1200Vという高いX線遮断バイ
アス電圧Eo′が印加され、フイラメント10から
の電子流を遮断し、X線の曝射を閉とする。この
ように、発光ダイオード50の遠隔操作の通電に
てタイムラグのないX線の開閉ができるので、3
極X線管の格子制御の速度は高速化できるし、ま
た発光ダイオード50の非通電にてX線は曝射す
るが、このときは前述したように電子ビームを集
束し、焦点を鋭焦点とするに適した格子電圧
Ep′を格子9に印加するので、画質の良いX線像
が得られるものである。
以上がこの発明の2つの実施例装置の構成と作
用であるが、この発明は図示や説明に限定される
ものではなく、例えばX線曝射時の格子電圧は、
電子ビームの集束を要しない場合はEpを0Vに設
定すればよいのである。また、ホトトランジスタ
と発光ダイオードとの組合せも、光結合を用いた
複合素子、例えばホトカプラを用いてもよい。さ
らに、3極X線管9として、立体撮影用に開発さ
れている1個の陽極に対向する一対のフイラメン
トと格子とを備えたものを用いてもよい。
用であるが、この発明は図示や説明に限定される
ものではなく、例えばX線曝射時の格子電圧は、
電子ビームの集束を要しない場合はEpを0Vに設
定すればよいのである。また、ホトトランジスタ
と発光ダイオードとの組合せも、光結合を用いた
複合素子、例えばホトカプラを用いてもよい。さ
らに、3極X線管9として、立体撮影用に開発さ
れている1個の陽極に対向する一対のフイラメン
トと格子とを備えたものを用いてもよい。
この発明によれば、格子のバイアス電圧の制御
によりX線開閉と電子ビームの集束制御を行なう
ものにおいて、フイラメント電力供給のためのト
ランスの2次側に、フイラメント電力供給回路と
格子電圧制御回路への電源供給用の少なくとも2
つの2次巻線を設けるとともに、格子電圧制御回
路と2次巻線との間に多段倍圧回路を介在させた
構成としたので、単一のトランスでX線管のフイ
ラメントと格子とにそれぞれ電力および電圧を供
給でき、格子制御用に専用の高圧直流安定化電源
を設ける必要がなく、また、光電変換素子による
光信号で格子のバイアス電圧を切換え制御するよ
うにしたので、X線開閉および電子ビームの集束
制御を高速で行なうことができる。
によりX線開閉と電子ビームの集束制御を行なう
ものにおいて、フイラメント電力供給のためのト
ランスの2次側に、フイラメント電力供給回路と
格子電圧制御回路への電源供給用の少なくとも2
つの2次巻線を設けるとともに、格子電圧制御回
路と2次巻線との間に多段倍圧回路を介在させた
構成としたので、単一のトランスでX線管のフイ
ラメントと格子とにそれぞれ電力および電圧を供
給でき、格子制御用に専用の高圧直流安定化電源
を設ける必要がなく、また、光電変換素子による
光信号で格子のバイアス電圧を切換え制御するよ
うにしたので、X線開閉および電子ビームの集束
制御を高速で行なうことができる。
さらに、他段倍圧回路を設けたことにより、ト
ランスの2次側電圧を低圧にすることができ、ト
ランスを小型化できる。
ランスの2次側電圧を低圧にすることができ、ト
ランスを小型化できる。
さらにまた、トランスの1次側に高周波インバ
ータを設けるとともに、このインバータを、振幅
が一定でパルス幅を調整されたパルスで駆動する
ようにすれば、格子のように電流が極端に少ない
ものを駆動する回路に用いる場合には、単に整
流、平滑化するだけで安定化高電圧として利用で
き、回路構成を簡略化して装置を大幅に小型化で
きる。
ータを設けるとともに、このインバータを、振幅
が一定でパルス幅を調整されたパルスで駆動する
ようにすれば、格子のように電流が極端に少ない
ものを駆動する回路に用いる場合には、単に整
流、平滑化するだけで安定化高電圧として利用で
き、回路構成を簡略化して装置を大幅に小型化で
きる。
第1図はこの発明の商用電源による実施例装置
の構成を示すブロツク図、第2図はこの発明の第
2の実施例として商用電源を高周波出力に変換し
て制御する実施例装置の構成を示すブロツク図で
ある。 1……商用電源、2……フイラメント電力制御
回路、3……トランス、4……コツククロフト・
ウオルトン多段倍圧回路、5……格子電圧制御回
路、6……格子電圧制御信号供給回路、9……3
極X線管、10……陰極フイラメント、11……
格子、17……高周波インバータ、18……高周
波トランス、28……格子電圧制御回路の線形電
圧制御素子、33……格子電圧制御回路の比較器
(誤差増幅器)、48……トランジスタ、49……
ホトトランジスタ、50……発光ダイオード、
R1・R2……フイードバツク回路、Eo′……X線閉
のときの格子印加電圧値、Ep′……X線開のとき
の格子印加電圧値、E1……格子印加電圧値Eo′ま
たはEp′に比例するフイードバツク信号、So,Sp
……基準信号。
の構成を示すブロツク図、第2図はこの発明の第
2の実施例として商用電源を高周波出力に変換し
て制御する実施例装置の構成を示すブロツク図で
ある。 1……商用電源、2……フイラメント電力制御
回路、3……トランス、4……コツククロフト・
ウオルトン多段倍圧回路、5……格子電圧制御回
路、6……格子電圧制御信号供給回路、9……3
極X線管、10……陰極フイラメント、11……
格子、17……高周波インバータ、18……高周
波トランス、28……格子電圧制御回路の線形電
圧制御素子、33……格子電圧制御回路の比較器
(誤差増幅器)、48……トランジスタ、49……
ホトトランジスタ、50……発光ダイオード、
R1・R2……フイードバツク回路、Eo′……X線閉
のときの格子印加電圧値、Ep′……X線開のとき
の格子印加電圧値、E1……格子印加電圧値Eo′ま
たはEp′に比例するフイードバツク信号、So,Sp
……基準信号。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 1次側にフイラメント電力制御回路を設けた
トランスの2次側に、少なくとも2つの2次巻線
を設け、この一方の2次巻線を3極X線管のフイ
ラメント回路に接続するとともに、他方の2次巻
線を、コツククロフト・ウオルトン多段倍圧回路
および格子電圧制御回路を介して前記3極X線管
の格子に接続し、前記格子電圧制御回路に、これ
から前記格子に印加されるバイアス電圧を設定す
る信号を出力する格子電圧制御信号供給回路を接
続してなり、前記格子電圧制御回路に、前記多段
倍圧回路の分圧正側出力端と3極X線管の管球印
加電圧のフイードバツク回路の正側入力端との間
に接続した線形電圧制御素子と、この線形電圧制
御素子を前記フイードバツク回路からの格子電圧
比例信号と前記格子電圧制御信号供給回路からの
基準設定信号との差動信号により制御する比較回
路とを備え、前記格子電圧制御信号供給回路に、
前記基準信号を切換え制御する光電変換素子を設
けたことを特徴とする3極X線管格子制御装置。 2 トランスの1次側に高周波インバータを設け
た特許請求の範囲第1項記載の3極X線管格子制
御装置。 3 高周波インバータを、振幅が一定でパルス幅
を調整したパルスにより駆動するようにした特許
請求の範囲第2項記載の3極X線管格子制御装
置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10760180A JPS5732600A (en) | 1980-08-04 | 1980-08-04 | Triode x-ray grid controller |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10760180A JPS5732600A (en) | 1980-08-04 | 1980-08-04 | Triode x-ray grid controller |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5732600A JPS5732600A (en) | 1982-02-22 |
JPS6334600B2 true JPS6334600B2 (ja) | 1988-07-11 |
Family
ID=14463298
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10760180A Granted JPS5732600A (en) | 1980-08-04 | 1980-08-04 | Triode x-ray grid controller |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5732600A (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4860202B2 (ja) * | 2005-08-04 | 2012-01-25 | 浜松ホトニクス株式会社 | X線発生装置 |
US9281156B2 (en) | 2013-03-15 | 2016-03-08 | Thermo Scientific Portable Analytical Instruments Inc. | Volumetrically efficient miniature X-ray system |
-
1980
- 1980-08-04 JP JP10760180A patent/JPS5732600A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5732600A (en) | 1982-02-22 |
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