JPS6332965A - Manufacture of semiconductor device - Google Patents
Manufacture of semiconductor deviceInfo
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- JPS6332965A JPS6332965A JP17600986A JP17600986A JPS6332965A JP S6332965 A JPS6332965 A JP S6332965A JP 17600986 A JP17600986 A JP 17600986A JP 17600986 A JP17600986 A JP 17600986A JP S6332965 A JPS6332965 A JP S6332965A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 5
- 230000006378 damage Effects 0.000 abstract description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、トランジスタに関し、とくに抵抗内蔵構造の
トランジスタに関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a transistor, and particularly to a transistor having a built-in resistor structure.
従来のこの種の抵抗内蔵構造のトランジスタでは、第３
図（ａ）に示すように、多結晶シリコンなど＋７）ｔａ
−に体７ 、８をエミツタ層４お工ひベース層３が形成
され几コレクタ高抵抗層２上の酸化膜６上に形成し、所
望の抵抗値が得られるよう、ポリシリコン抵抗体７．８
の上へ電極アルミニウム９を蒸着形成するなどして、ベ
ース直列抵抗７及びベース・エミッタ間並列抵抗８を形
成していた。ここで、抵抗値の典型例は２にΩから１０
０にΩ程度である。コレクタ高抵抗層２はコレクタ基板
ｌ上に気相成長法で形成されており、ベース端子１０エ
ミツタ端子１１が電極アルミニウムに取り付けられてお
り、コレクタ電極金属１２がコレクタ基板１の裏面に形
成されているこのように形成されたトランジスタの等何
回路が第３図（ｂ）に示されている。In conventional transistors with this type of resistor built-in structure, the third
As shown in figure (a), polycrystalline silicon etc.+7) ta
- Polysilicon resistors 7 and 8 are formed on the oxide film 6 on the emitter layer 4, the base layer 3 is formed, and the collector high resistance layer 2 to obtain the desired resistance value. 8
A base series resistor 7 and a base-emitter parallel resistor 8 were formed by depositing an aluminum electrode 9 on the base. Here, typical examples of resistance values range from 2 to 10Ω.
It is about Ω to 0. The collector high-resistance layer 2 is formed on the collector substrate l by a vapor phase growth method, the base terminal 10 emitter terminal 11 is attached to the electrode aluminum, and the collector electrode metal 12 is formed on the back surface of the collector substrate 1. A circuit of transistors formed in this manner is shown in FIG. 3(b).
上述した従来の抵抗内Ｒ構造のトランジスタは、酸化膜
の上に抵抗体が形成されていたため、コ／デンサ放電な
どの静電気に弱いという欠点があっ几。静電気放電上受
けたときの損傷は、つぎの２つのモードが支配的である
。ベース直列抵抗体７の損傷である。すなわち、一つは
、抵抗体の熱容量が小さいことによる静電エネルギーに
よる焼損であジ、他方は抵抗体のベース端子１０側端と
酸化膜全弁して対向するコレクタ高抵抗層２との間の酸
化膜のＰ、ｓｉｉ破壊である。第一のモードに関しては
抵抗体７の体積全増大することで耐量の向上が図られて
いｔｏしたし、第二のモードは酸化膜６の厚さを厚くす
ることが一つの耐食向上策であるが、酸化膜６の厚さが
大きくなると、抵抗体７とトランジスタ動作部との熱抵
抗が増大し第一のモードの耐を全損なうという問題があ
っ九〇〔問題点を解決するための手段〕
本発明の半導体装ｔｔは、コレクタ層お工びコレクタ層
上に形成され九ベース層お工ひエミッタ層金有するトラ
ンジスタの表面酸化層上に多結晶シリコンからなる抵抗
体とこれをベース直列抵抗及びベース・エミッタ間並列
抵抗となる様に接続するＡｅ等の″ＦＩｌｔ極配線と、
このベース直列抵抗体のベース端子（１１１１の電極配
線との接続部にコレクタ層内に形成されたダイオードと
金有している。このコレクタ層内に形成され之ダイオー
ドに工ってベース直列抵抗の絶縁破壊に来る前にダイオ
ードを降伏せしめて恒久的な絶縁破壊を防いでいる。The above-mentioned conventional transistor with an R-in-resistance structure has a resistor formed on an oxide film, so it has the disadvantage of being susceptible to static electricity such as co/capacitor discharge. Damage caused by electrostatic discharge is mainly caused by the following two modes. This is damage to the base series resistor 7. That is, one is burnout due to electrostatic energy due to the small heat capacity of the resistor, and the other is burnout between the end of the resistor on the base terminal 10 side and the collector high-resistance layer 2 that faces the entire oxide film. This is P,sii destruction of the oxide film. In the first mode, the resistance has been improved by increasing the total volume of the resistor 7, and in the second mode, one way to improve the corrosion resistance is to increase the thickness of the oxide film 6. However, as the thickness of the oxide film 6 increases, the thermal resistance between the resistor 7 and the transistor operating section increases, and the first mode resistance is completely lost. ] The semiconductor device tt of the present invention includes a resistor made of polycrystalline silicon on the surface oxide layer of a transistor formed on the collector layer, nine base layers, and an emitter layer formed on the collector layer, and a resistor made of polycrystalline silicon, and a resistor in series with the base. and “FIlt” polar wiring such as Ae, which is connected to form a parallel resistance between base and emitter,
The base terminal of this base series resistor (1111) has a diode formed in the collector layer at the connection part with the electrode wiring. This prevents permanent dielectric breakdown by allowing the diode to break down before dielectric breakdown occurs.
次に本発明について図面を参照して説明する。 Next, the present invention will be explained with reference to the drawings.
第１図は不発明の一実施例であ’） （ａｌは断面図。Figure 1 shows an embodiment of the invention. (al is a cross-sectional view.
（ｂ）は等価回路である。トランジスタはコレクタ基板
ｌ上のコレクタ高抵抗ＲＩＪ２にベース層３及びエミッ
タ層４ｔ−形成することによって構成され、コレクタ間
抵抗ｒｆｆ４２にバイパスダイオードを構成するベース
と同じ極性の層５が設けられている。トランジスタ表面
は、エミツタ層４とベース層３との電極褥出部及びバイ
パスダイオードを形成した層５のコンタクト部を除いて
酸化膜６で保護されている。この酸化膜６の上にベース
直列抵抗７とベース・エミッタ間並列抵抗８ｔ−構厄す
る多結晶シリコン抵抗体が形成され、その上に第１図（
ｂ）の等価回路が構成されるようＡ１等の電極金属配線
９が施され、ベース端子１０及びエミッタ端子１１が外
部リードと接続される。裏面にはコレクタ電極金属１２
がつけられ、外部リードと接続される。(b) is an equivalent circuit. The transistor is constructed by forming a base layer 3 and an emitter layer 4t on a collector high resistance RIJ2 on a collector substrate l, and a layer 5 of the same polarity as the base constituting a bypass diode is provided on the collector-to-collector resistance rff42. The surface of the transistor is protected with an oxide film 6 except for the electrode protrusion portions of the emitter layer 4 and the base layer 3 and the contact portion of the layer 5 forming the bypass diode. On this oxide film 6, a base series resistor 7 and a base-emitter parallel resistor 8t - a troublesome polycrystalline silicon resistor are formed.
Electrode metal wiring 9 such as A1 is provided to configure the equivalent circuit of b), and the base terminal 10 and emitter terminal 11 are connected to external leads. Collector electrode metal 12 on the back side
is attached and connected to the external lead.
第１図（ａ） 、 （ｂ）はＮＰＮ極性の場合を例示し
ているがＰＮＰ極性もＮ、ｌ！：Ｐを交換すれば同様に
構成できる。Figures 1 (a) and (b) illustrate the case of NPN polarity, but PNP polarity is also N, l! :P can be replaced in the same way.
本構造に工れば、ベース直列抵抗７がコレクタ高抵抗層
２との間で誘電破壊を起す前にバイパスダイオードがブ
レークダウンするので、恒久的な破壊である誘電破壊を
防ぐことができる。With this structure, the bypass diode breaks down before dielectric breakdown occurs between the base series resistor 7 and the collector high resistance layer 2, so that dielectric breakdown, which is permanent breakdown, can be prevented.
第２図は本発明の他の実施例の断面図である。FIG. 2 is a sectional view of another embodiment of the invention.
ベース直列抵抗７を構成する多結晶シリコンのベース端
子端よジベース層３１ｊｌｉへ所望の距離ａだけ近い部
分から、ポリシリコンを分枝してこの分枝抵抗１３全介
してバイパスダイオードの層５へのコンタクト１４が接
続されている。この実施例ではバイパスダイオードの位
置がベース端子りり離れた位置に形成できること、静電
気放電印加でバイパスダイオードがブレークダウンする
電圧が第１図の実施例ニジ、（バイパスダイオードの直
列抵抗）×（放電電流）に相当するだけ高くできる利点
がある。The polysilicon is branched from the base terminal end of the polycrystalline silicon constituting the base series resistor 7 at a desired distance a distance from the base layer 31jli, and the wire is connected to the layer 5 of the bypass diode through all of the branched resistors 13. Contact 14 is connected. In this embodiment, the bypass diode can be formed at a position far away from the base terminal, and the voltage at which the bypass diode breaks down when electrostatic discharge is applied is as follows: (Series resistance of bypass diode) x (discharge current) ) has the advantage of being as high as the
以上説明した工すに、本発明は抵抗内蔵構造のトランジ
スタのベース直列抵抗のベース端子端を、ベース層と同
じ極性のバイパスダイオードに接続することにエフ、従
来構造ではベース直列抵抗を構成する多結晶シリコンの
ベース端子側端と酸化膜を挾んで対向しているコレクタ
層の間に、静電気放電にＬる電位差が印加され絶縁破壊
する個所が、バイパスダイオードにより、破壊電圧工り
低As described above, the present invention is effective in connecting the base terminal end of the base series resistor of a transistor with a built-in resistor structure to a bypass diode having the same polarity as the base layer. A bypass diode is used to reduce the breakdown voltage at the point where dielectric breakdown occurs when a potential difference of L is applied to electrostatic discharge between the base terminal side end of the crystalline silicon and the collector layer facing each other with the oxide film in between.
第１図は、本発明の一実施例を示すもので、同図（ａＪ
は断面図、同図（ｂ）は等価回路、第２図は本発明の他
の実施例を示すもので、同図（ａ）は断面図、同図（ｂ
）は同図（ａ）のＸ−Ｘ’線で切断した断面図、第３図
は従来の半導体装置を示すもので、同図（ａ）は断面図
、同図（ｔｌは等何回路である。
１・・・コレクタ基板、２・・・コレクタ高抵抗層、３
・・・ベース層、４・・・エミツタ層、５・・・ダイオ
ードを構成するベースと同極性の層、６・・・酸化膜、
７・・・ベース直列抵抗、８・・・ベース・エミッタ間
並列抵抗、９・・・金属配線、１０・・・ベース端子、
１１・・・エミッタ端子、１２・・・コレクタ電極金属
、１３・・・抵抗、１４・・・コンタクト
代理人 弁理士 内 原 晋
（し〕
筋１図
Ｘ′
（ｂ） ＋の図１１Ｘ−Ｘ’と１庸を方向ｎ新６Ｉ
ｉａ箭Ｚ図
ｒｌ、ノ
９ｆ５３図FIG. 1 shows an embodiment of the present invention.
is a sectional view, FIG. 2(b) is an equivalent circuit, and FIG. 2 shows another embodiment of the present invention. FIG.
) is a cross-sectional view taken along the line X-X' in Figure (a), and Figure 3 shows a conventional semiconductor device; 1... Collector substrate, 2... Collector high resistance layer, 3
... base layer, 4... emitter layer, 5... layer having the same polarity as the base constituting the diode, 6... oxide film,
7... Base series resistance, 8... Base-emitter parallel resistance, 9... Metal wiring, 10... Base terminal,
11...Emitter terminal, 12...Collector electrode metal, 13...Resistor, 14...Contact agent Susumu Uchihara, patent attorney Figure 1 X' (b) + Figure 11X-X ' and one direction n new 6I
ia Z diagram RL, ノ9f53 diagram
Claims (1)
表面に絶縁膜と電極配線を有するトランジスタにおいて
、前記酸化膜上に形成された多結晶シリコンでベース電
極取出し端子と前記ベース領域との間の直列抵抗及び前
記ベース領域と前記エミッタ領域との間の並列抵抗を形
成し、前記直列抵抗の前記ベース電極取出し端子側端が
、前記コレクタ領域内に形成されたダイオード領域に接
続されていることを特徴とする半導体装置。A base region and an emitter region are formed in the collector region,
In a transistor having an insulating film and electrode wiring on its surface, polycrystalline silicon formed on the oxide film reduces the series resistance between the base electrode lead terminal and the base region and the resistance between the base region and the emitter region. 1. A semiconductor device, wherein a parallel resistor is formed, and an end of the series resistor on the base electrode extraction terminal side is connected to a diode region formed in the collector region.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17600986A JPS6332965A (en) | 1986-07-25 | 1986-07-25 | Manufacture of semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17600986A JPS6332965A (en) | 1986-07-25 | 1986-07-25 | Manufacture of semiconductor device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6332965A true JPS6332965A (en) | 1988-02-12 |
Family
ID=16006121
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17600986A Pending JPS6332965A (en) | 1986-07-25 | 1986-07-25 | Manufacture of semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6332965A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006108543A (en) * | 2004-10-08 | 2006-04-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor device |
-
1986
- 1986-07-25 JP JP17600986A patent/JPS6332965A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006108543A (en) * | 2004-10-08 | 2006-04-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor device |
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