JPS6332835A - イオン源装置 - Google Patents

イオン源装置

Info

Publication number
JPS6332835A
JPS6332835A JP61172737A JP17273786A JPS6332835A JP S6332835 A JPS6332835 A JP S6332835A JP 61172737 A JP61172737 A JP 61172737A JP 17273786 A JP17273786 A JP 17273786A JP S6332835 A JPS6332835 A JP S6332835A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
ion
separation
negative ions
ion source
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP61172737A
Other languages
English (en)
Inventor
Kiyoshi Hashimoto
清 橋本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP61172737A priority Critical patent/JPS6332835A/ja
Publication of JPS6332835A publication Critical patent/JPS6332835A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Plasma Technology (AREA)
  • Electron Sources, Ion Sources (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 (産業上の利用分野) この発明は、負イオン生成機能をもつイオン生成室から
負イオンを引出し、加速するイオン源に関する。
(従来の技術) イオン生成室か・ら負イオン成分を引出し加速する場合
には、第4図に示すように引き出し方向に正電場を加え
る。しかし、イオン生成室1には通常電子が存在し、引
出しビーム8には負イオンと電子が混在する。そのため
、負イオンを所要のエネルギに加速するまえに、負イオ
ンと電子の分離を行なう必要がある。第4図は、プラズ
マ加熱用中性粒子入射装置を例示した図である。同図に
よって従来技術を説明する。負イオンと電子の混合ビー
ム8は、イオン生成室lから多孔のプラズマ電極2の孔
をとおってひき出され、電子と負イオンの分離機能をも
つ分離電極4の間をとおる間に電子除去が行なわれる。
こののち、電極4,6の間に印加された電圧によつて所
要エネルギに加速され、中性化セルフで中性化された後
プラズマに入射される。
第5図は、電子と負イオンの分離の方法を模式的に示し
た図である。同図は、文献″″Ha 1me s 、A
 。
J、T、、 Green、T、S、、 Proc、3r
d Int’J Sympo、onProductio
n and Neutralization of N
egativeIons and Beams  Br
ockhaven AIP ConferencePr
oceedings  Nn l l l  (Edi
 tedby K、Prelec ) 。
P、429. (1983) ’ に開示されている方法で、磁場によって電子と負イオン
の分離を行なう。10は永久磁石、11は磁力線を示す
。質量の小さな電子は、磁場によって容易に偏向されて
分離電極4に衝突して除去され−る。一方、質量の大き
な負イオンは殆ど偏向されることなく通過する。このと
き、電子は電極2〜4の間の電位差Vextに相当する
エネルギをも・て電極に衝突するため、電極の熱負荷は
大きい。熱負荷を下げるにはVextを小さくすればよ
いが、Vextを下げると引出しビームの電流も小さく
な7てしまう。
(発明が解決しようとする問題点) 従来技術では引出し電流量を下げることなく、分離電極
4の熱負荷を小さくすることは困難であった。本発明は
この点に鑑みてなされたもので、引出し電流量を下げる
ことなく分離電極の熱・負荷を下げることを目的とする
〔発明の構成〕
(問題点を解決するための手段) 本発明では、電極2と4の間に新たな電極(以下引出し
電極)を設け、引出し電極の電位を2と4よりいずれよ
りも高くする。2と引出し電極の間の電圧はVextと
し、引出し電極と4の間には、Vextより小さな電圧
を印加する。
(作 用) 本発明の構成によると、Vextによって所要電流がひ
きだされ、そののち引出し電極と分離電極4の間に加え
られた減速電場によって、混合ビーム8のエネルギが減
少させられる。この作用によって、電子が分離電極に衝
突する際のエネルギが小さくなり、同電極の熱負荷を大
きく低減す′ることかできる。ビームを高エネルギで引
出したのち減速するという方法は、低エネルギのビーム
を大量に引出す際に用いられる方法である。例えば、文
献’ Sugawara、T、Hayashi 、に、
 、Proc、5th Sympo 、onIon 5
ource and Ion−Assisted Te
chndogy、Tokyo。
P181.(1981)’  に記載されている。
本発明は、この方法と電子と負イオンの分離手段を組合
わせて構成することによって、目的を達成したものであ
る。
(実施例) 第1図に本発明の実施例を示す。同図の3が前記引出し
電極である。2と3にはビーム引出しに必要な電圧Ve
xtを加え、3と4には減速用の電圧Vretを加える
。電子が41こ衝突する際には(Vext−Vret 
)のエネルギに減少する。電子を分離された負イオンビ
ームは4.6の間に加えられた電圧によって所要エネル
ギに加速される。同図では負イオンの最終エネルギは(
Vext −Vret −1−Vacc )となる。数
値例をあげる。ガス放電によってD−成分を得る前記中
性粒子入射装置を例示する。30)〜50 mA/dの
D−を引出した際には、概ね100〜200 mA/c
r/lの電子が混在する。このビームの引出しに必要な
Vextは約5kVである。ビーム引出しに加速−減速
の方法をとらない第4図の場合には電子による4つの熱
負荷は、500〜l kW/c!ltとなる。これに対
し、第1図の場合には、Vret==4kVとすると、
熱負荷は100〜200 W/cd  となり大幅な減
少となる。
第2図に前記の磁場を用いた分離電極の具体的な構造を
示す。13はビーム通過用の孔で、混合ビーム8はこの
孔を通過する間lこ磁場lこよって電子をはぎとられる
。12は水冷管である。
負イオン電子の別の分離方法を第3図に示す。
4本の電極に、第3図(a)に示すように直流と交流を
重畳した電圧を印加すると、質量弁別作用がある。この
方法は、41極マスフィルタとして多用されている。こ
の電極を第3図中)に示すように、構成して多孔型電極
とすることにより、分離電極4として第2図の場合と同
様の効果が得られる。
さらに当該方法は次のような利点をもつ。第2図に示す
構成の場合には、電子、イオンのエネルギが小さい場合
には、電子のみならず、イオンも偏向される。それlこ
対して、4重極フイルタの場合にはエネルギによらず質
量弁別ができ、印加電圧や、交流の周波数を適当にえら
ぶこ)とにより、イオンを偏向させることなくイオン、
電子の分離が行なえる。したがって、電子のエネルギを
充分下げることができ、本発明の効果をさらに高めるこ
とができる。
〔発明の効果〕
本発明によれば、引出し電流をへらすことなく電子と負
イオンの分離を行ない、分離電極の熱負荷を低減できる
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の実施例を示す構成図、第2図は磁場
を用いた電子自負イオン分離電極を示す断面斜視図、第
3図は4重極フイルタを用いた分離電極を示す断面斜視
図、第4図は従来の負イオン源を示す構成図、第5図は
電子会員イオンの分離方法を示す模式図である。 1・・・イオン生成室、2・・・プラズマ電極、3・・
・引出し電極、4・・・分離電極、6・・・接地電極、
7・・・中性化セル、8・・・電子・負イオン混合ビー
ム、9・・・負イオンビーム、lO・・・磁石、11・
・・磁力線、12・・・水冷管、13・・・ビーム通過
孔。

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)負イオンを生成するイオン生成室から、負イオン
    を引出し加速するイオン源において、前記負イオンの引
    出される引出し部に電子と負イオンを分離できる機能を
    有する分離電極を設け、前記イオン生成室と前記分離電
    極との間に引出し用電極を設け、各電極に与える電位を
    イオン生成室、分離電極、引出し用電極の順に高くした
    ことを特徴とするイオン源装置。
  2. (2)分離電極として、負イオンの通過路に平行して、
    その周囲に均等に4本の棒状電極を配設し、各電極に直
    流と交流の重畳した電圧を与え、通過路をはさんで相対
    する電極は同電位とし、相隣る電極は互に反対符号の電
    位としたことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の
    イオン源装置。
  3. (3)引出し部に用いる電極、及び負イオンの加速用に
    用いる電極において、各電極に多数の負イオン通過路を
    設けたことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載のイ
    オン源装置。
  4. (4)各通過路の周囲に棒状電極を配設した分離電極を
    有することを特徴とする、特許請求の範囲第2項記載の
    イオン源装置。
  5. (5)負イオン通過路と棒状電極を2次元直角方向に交
    互に配置し、各棒状電極を相隣る通過孔で共有したこと
    を特徴とする特許請求の範囲第4項記載のイオン源装置
JP61172737A 1986-07-24 1986-07-24 イオン源装置 Pending JPS6332835A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61172737A JPS6332835A (ja) 1986-07-24 1986-07-24 イオン源装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61172737A JPS6332835A (ja) 1986-07-24 1986-07-24 イオン源装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS6332835A true JPS6332835A (ja) 1988-02-12

Family

ID=15947382

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP61172737A Pending JPS6332835A (ja) 1986-07-24 1986-07-24 イオン源装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6332835A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5189303A (en) * 1991-07-23 1993-02-23 Nissin Electric Co., Ltd. Ion source having a mass separation device
CN105789012A (zh) * 2014-12-24 2016-07-20 中微半导体设备(上海)有限公司 屏蔽装置及具有该屏蔽装置的等离子体处理装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5189303A (en) * 1991-07-23 1993-02-23 Nissin Electric Co., Ltd. Ion source having a mass separation device
CN105789012A (zh) * 2014-12-24 2016-07-20 中微半导体设备(上海)有限公司 屏蔽装置及具有该屏蔽装置的等离子体处理装置
CN105789012B (zh) * 2014-12-24 2018-05-01 中微半导体设备(上海)有限公司 屏蔽装置及具有该屏蔽装置的等离子体处理装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4158589A (en) Negative ion extractor for a plasma etching apparatus
JPH0576126B2 (ja)
GB2124824A (en) Negative ion source
US5693939A (en) MeV neutral beam ion implanter
JPS6332835A (ja) イオン源装置
JP3523313B2 (ja) イオン注入システムに用いられる低エネルギによる大電流ビームの発生
JPS62122045A (ja) 荷電粒子の加減速方法
US4329586A (en) Electron energy recovery system for negative ion sources
US4924138A (en) Device comprising a vacuum ion arc source
JPH06349429A (ja) 質量分離電極を有するイオンビ−ム引出し電極系装置
JPS617542A (ja) マイクロ波イオン源
RU1766201C (ru) Источник ионов
Portillo et al. Design layout of an isobar separator based on 5th order calculations
JPH0877960A (ja) イオン打込み装置
JPS62108428A (ja) イオン源
JP2797490B2 (ja) 強集束型荷電粒子加減速管
SU1392645A1 (ru) Способ измерени поперечного распределени зар дов в пучках зар женных частиц
SU805862A1 (ru) Способ получени пучка ионов
JP2834147B2 (ja) 荷電粒子ビームの形成方法
JPS62287559A (ja) イオン注入装置
Tokiguchi et al. New microwave ion source for multiply charged ion beam production
JPS63190299A (ja) プラズマ装置
JP2738326B2 (ja) イオン源及びイオン生成方法
JPH03257181A (ja) スパッター用中性粒子源
Leung et al. Negative ion source