JPS63314805A - 摺動接点装置 - Google Patents
摺動接点装置Info
- Publication number
- JPS63314805A JPS63314805A JP15167387A JP15167387A JPS63314805A JP S63314805 A JPS63314805 A JP S63314805A JP 15167387 A JP15167387 A JP 15167387A JP 15167387 A JP15167387 A JP 15167387A JP S63314805 A JPS63314805 A JP S63314805A
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- thick film
- sliding contact
- contact
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Links
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 11
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- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 19
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- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
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Landscapes
- Details Of Resistors (AREA)
- Adjustable Resistors (AREA)
- Contacts (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、計測器、各種機械等で、検出用、制御用、設
定用、発振器用などに使用されているボリュームスイッ
チ、ポテンシオメータ、トリマー(可変抵抗器の一種)
等で用いられる摺動接点装置の改良に関する。
定用、発振器用などに使用されているボリュームスイッ
チ、ポテンシオメータ、トリマー(可変抵抗器の一種)
等で用いられる摺動接点装置の改良に関する。
(従来の技術とその問題点)
従来より上記のボリュームスイッチ、ポテンシオメータ
、トリマー等で用いられる摺動接点装置は、セラミック
ス基板上にカーボン(C)や酸化ルテニウム(RuO□
)などの抵抗ペーストを焼成して厚膜抵抗パターンを形
成して成る配線板と、この配線板の厚膜抵抗パターンに
対向して摺動し得るようになされたスプリング端子材に
Ag接点材をかしめ或いは溶接して成るすり接点とによ
り構成されているが、この摺動接点装置は、ノイズが発
生し易く、又接触抵抗がやや高く且つ幾分ばらつきがあ
って不安定であり、しかも摩耗し易くて寿命が短く、接
触信頼性にやや欠けるものであった。
、トリマー等で用いられる摺動接点装置は、セラミック
ス基板上にカーボン(C)や酸化ルテニウム(RuO□
)などの抵抗ペーストを焼成して厚膜抵抗パターンを形
成して成る配線板と、この配線板の厚膜抵抗パターンに
対向して摺動し得るようになされたスプリング端子材に
Ag接点材をかしめ或いは溶接して成るすり接点とによ
り構成されているが、この摺動接点装置は、ノイズが発
生し易く、又接触抵抗がやや高く且つ幾分ばらつきがあ
って不安定であり、しかも摩耗し易くて寿命が短く、接
触信頼性にやや欠けるものであった。
この為、セラミックス基板上のカーボンや酸化ルテニウ
ムの厚膜抵抗パターンのすり接点と摺動する部分を、A
g−Pd系の導体ペーストに置き換えて焼成するかある
いは厚膜抵抗パターンのすり接点と摺動する部分にAg
−Pd系導体ペーストを重ねて焼成することにより、接
触信頼性を改善し、又すり接点のAg接点材を硫化防止
の為、Ag−Pd30〜50−t%に置き換えている。
ムの厚膜抵抗パターンのすり接点と摺動する部分を、A
g−Pd系の導体ペーストに置き換えて焼成するかある
いは厚膜抵抗パターンのすり接点と摺動する部分にAg
−Pd系導体ペーストを重ねて焼成することにより、接
触信頼性を改善し、又すり接点のAg接点材を硫化防止
の為、Ag−Pd30〜50−t%に置き換えている。
然し乍ら、厚膜導体パターンと接点材が同種の組合せの
為、容易に凝着、剥離が起こり、摩耗が促進される。又
Ag−Pd30〜50wt%の接点材はHV 160〜
200で硬すぎるのに対し、Ag−Pd系の導体ペース
トの焼成物である厚膜導体パターンが軟らかい為、摩耗
が多くなり、早期に寿命となる。更にAg−Pd30〜
50−t%接点材は、電気伝導度(IAC33,8〜5
.5%)が低い為、発熱する等の問題点があった。
為、容易に凝着、剥離が起こり、摩耗が促進される。又
Ag−Pd30〜50wt%の接点材はHV 160〜
200で硬すぎるのに対し、Ag−Pd系の導体ペース
トの焼成物である厚膜導体パターンが軟らかい為、摩耗
が多くなり、早期に寿命となる。更にAg−Pd30〜
50−t%接点材は、電気伝導度(IAC33,8〜5
.5%)が低い為、発熱する等の問題点があった。
(発明の目的)
本発明は、上記問題点を解決することのできる摺動接点
装置を堤供することを目的とするものである。
装置を堤供することを目的とするものである。
(問題点を解決するための手段)
前記の問題点を解決するための本発明の摺動接点装置は
、セラミックス基板上に、抵抗ペーストを焼成して厚膜
抵抗パターンを形成し、この厚膜抵抗パターンに接続し
てAu8体ペーストを焼成して厚膜導体パターンを形成
して成Σ配線板と、この配線板の厚膜導体パターンに対
向して摺動し得るようになされAg−Ni5〜20w
t%の接点材がスプリング端子材に取付けられて成るす
り接点とにより構成されていることを特徴とする。
、セラミックス基板上に、抵抗ペーストを焼成して厚膜
抵抗パターンを形成し、この厚膜抵抗パターンに接続し
てAu8体ペーストを焼成して厚膜導体パターンを形成
して成Σ配線板と、この配線板の厚膜導体パターンに対
向して摺動し得るようになされAg−Ni5〜20w
t%の接点材がスプリング端子材に取付けられて成るす
り接点とにより構成されていることを特徴とする。
本発明の摺動接点装置に於いて、すり接点の接点材をA
g−Ni5〜20−t%とした理由は、Ag中のNiが
5wt%未満だとそのすり接点がセラミックス基板上の
Auの厚膜導体パターンとの接触に於いて凝着、剥離が
生じ、2Qh t%を超えると、酸化物が生成されてノ
イズの発生原因となるからである。
g−Ni5〜20−t%とした理由は、Ag中のNiが
5wt%未満だとそのすり接点がセラミックス基板上の
Auの厚膜導体パターンとの接触に於いて凝着、剥離が
生じ、2Qh t%を超えると、酸化物が生成されてノ
イズの発生原因となるからである。
(作用)
上記の如く構成された摺動接点装置は、すり接点とセラ
ミックス基板上の厚膜導体パターンとの接触作用におい
て、すり接点のAg−Ni5〜2〇−t%接点材の硬さ
くHV80〜110)が軟らかく滑りやすいので、接触
抵抗が低く安定していて、Au厚膜導体パターンを損耗
することが無く、又凝着、剥離が殆んど無くなり、摩耗
が減少するので、良好な接触が得られる。更にすり接点
のAg−Ni5〜20−t%接点材の電気伝導度がlA
C380〜95%と良好であるので、発熱しない。
ミックス基板上の厚膜導体パターンとの接触作用におい
て、すり接点のAg−Ni5〜2〇−t%接点材の硬さ
くHV80〜110)が軟らかく滑りやすいので、接触
抵抗が低く安定していて、Au厚膜導体パターンを損耗
することが無く、又凝着、剥離が殆んど無くなり、摩耗
が減少するので、良好な接触が得られる。更にすり接点
のAg−Ni5〜20−t%接点材の電気伝導度がlA
C380〜95%と良好であるので、発熱しない。
(実施例)
本発明の摺動接点装置の実施例を説明すると、図に示す
如き板厚0.6m、直径30mの純度98%のA1□0
3基板1上の外周に幅311でRu5tの抵抗ペースト
をスクリーン印刷し、800℃で焼成して厚さlOμの
厚膜抵抗パターン2を形成し、この厚膜抵抗パターン2
に接続して、周方向に、Au導体ペーストをスクリーン
印刷し、800℃で焼成して、0.21間隔に幅0.2
mm、長さ7鶴、厚さ10μの厚膜導体パターン3を形
成して配線板4とした。一方、この配線板4の厚膜導体
パターン3に対向して夫々摺動するようになされた2種
のすり接点5は、Ag−Ni10wt%とA g −N
i 20wt%2種の接点線材(直径1.5m)から
作製した頭部径311、頭部厚さ0.6mm、脚部径1
.5鶴、脚部長1.5u+の2種のリベット接点6を、
夫々幅4鶴、厚さ0.15mmのBe−Cuより成るス
プリング端子材7の接点取付穴に挿入しかしめて成るも
のである。
如き板厚0.6m、直径30mの純度98%のA1□0
3基板1上の外周に幅311でRu5tの抵抗ペースト
をスクリーン印刷し、800℃で焼成して厚さlOμの
厚膜抵抗パターン2を形成し、この厚膜抵抗パターン2
に接続して、周方向に、Au導体ペーストをスクリーン
印刷し、800℃で焼成して、0.21間隔に幅0.2
mm、長さ7鶴、厚さ10μの厚膜導体パターン3を形
成して配線板4とした。一方、この配線板4の厚膜導体
パターン3に対向して夫々摺動するようになされた2種
のすり接点5は、Ag−Ni10wt%とA g −N
i 20wt%2種の接点線材(直径1.5m)から
作製した頭部径311、頭部厚さ0.6mm、脚部径1
.5鶴、脚部長1.5u+の2種のリベット接点6を、
夫々幅4鶴、厚さ0.15mmのBe−Cuより成るス
プリング端子材7の接点取付穴に挿入しかしめて成るも
のである。
このように構成された実施例1.2の摺動接点装置と、
A g −P d30wt%接点材を有するすり接点を
配線板のAg Pd30wt%の厚膜導体パターンと
対向させて成る従来の摺動接点装置とを、下記の試験条
件にて摺動開閉試験を行った処、下記の表に示すような
結果を得た。
A g −P d30wt%接点材を有するすり接点を
配線板のAg Pd30wt%の厚膜導体パターンと
対向させて成る従来の摺動接点装置とを、下記の試験条
件にて摺動開閉試験を行った処、下記の表に示すような
結果を得た。
試験条件
接触カニ10g、動作:回転往復型(55度)、駆動:
60ストロ一ク/winS通電:12v、100mA上
記の表で明らかなように実施例1.2の摺動接点装置は
、従来例の摺動装置に比し、寿命が大概倍増しているこ
とが判る。これはひとえにすり接点5のAg−Ni5〜
20wt%接点材の硬さが軟らかく滑りやすい為、対向
するAuの厚膜導体パターン3を損耗することが無く、
又凝着、剥離することが無く、摩耗が減少し、更にAg
−Ni5〜20w t%の接点材の電気伝導度が良好で
発熱することが無いからである。
60ストロ一ク/winS通電:12v、100mA上
記の表で明らかなように実施例1.2の摺動接点装置は
、従来例の摺動装置に比し、寿命が大概倍増しているこ
とが判る。これはひとえにすり接点5のAg−Ni5〜
20wt%接点材の硬さが軟らかく滑りやすい為、対向
するAuの厚膜導体パターン3を損耗することが無く、
又凝着、剥離することが無く、摩耗が減少し、更にAg
−Ni5〜20w t%の接点材の電気伝導度が良好で
発熱することが無いからである。
尚、前記の寿命は、厚膜導体パターン3の摩耗により、
すり接点5がA l z O:+基板との接触となって
、オーブン状態(接触抵抗無限大)となった場合と、厚
膜導体パターン3間のスリット部の目詰まりによりショ
ートした場合で判定した。
すり接点5がA l z O:+基板との接触となって
、オーブン状態(接触抵抗無限大)となった場合と、厚
膜導体パターン3間のスリット部の目詰まりによりショ
ートした場合で判定した。
尚、上記実施例の摺動接点装置の配線板4は円形である
が、矩形でも良いものである。その場合、厚膜抵抗パタ
ーンは矩形の配線板の一側端に形成し、厚膜導体パター
ンは厚膜抵抗パターンに接続してその長手方向に一定間
隔に平行に形成すると良い。そしてすり接点は厚膜導体
パターンに対向して厚膜抵抗パターンの長手方向に摺動
し得るようにする。またセラミックス基板上にベローズ
形状に前後に往復させた厚膜抵抗パターンを形成し、そ
の上に厚膜導体パターンを一定間隔に並べて形成した配
線板と、この配線板の厚膜導体パターンに対向して摺動
するようにしたすり接点とより成る摺動接点装置として
も良い。
が、矩形でも良いものである。その場合、厚膜抵抗パタ
ーンは矩形の配線板の一側端に形成し、厚膜導体パター
ンは厚膜抵抗パターンに接続してその長手方向に一定間
隔に平行に形成すると良い。そしてすり接点は厚膜導体
パターンに対向して厚膜抵抗パターンの長手方向に摺動
し得るようにする。またセラミックス基板上にベローズ
形状に前後に往復させた厚膜抵抗パターンを形成し、そ
の上に厚膜導体パターンを一定間隔に並べて形成した配
線板と、この配線板の厚膜導体パターンに対向して摺動
するようにしたすり接点とより成る摺動接点装置として
も良い。
(発明の効果)
以上の説明で判るように本発明の摺動接点装置は、すり
接点のA g−N i 5〜20wt%が硬さく HV
80〜110)が軟らかく滑りやすいので、接触作用に
おいてセラミックス基板上のAu厚膜導体パターンが損
耗することが無く、又凝着、剥離が殆んど無(なり、摩
耗が減少するので、良好な接触が得られる。
接点のA g−N i 5〜20wt%が硬さく HV
80〜110)が軟らかく滑りやすいので、接触作用に
おいてセラミックス基板上のAu厚膜導体パターンが損
耗することが無く、又凝着、剥離が殆んど無(なり、摩
耗が減少するので、良好な接触が得られる。
従って、接触信頼性が向上し、摺動接点装置の寿命が著
しく増長する。更にすり接点のAg−Ni5〜20wt
%接点材の電気伝導度が良好であるので、接触作用にお
いて、発熱せず、溶着が起こりにくい。従って、摺動接
点装置の耐溶着性が著しく向上する。
しく増長する。更にすり接点のAg−Ni5〜20wt
%接点材の電気伝導度が良好であるので、接触作用にお
いて、発熱せず、溶着が起こりにくい。従って、摺動接
点装置の耐溶着性が著しく向上する。
図は本発明の摺動接点装置の一実施例を示す概略斜視図
である。
である。
Claims (1)
- セラミックス基板上に、抵抗ペーストを焼成して厚膜抵
抗パターンを形成し、この厚膜抵抗パターンに接続して
Au導体ペーストを焼成して厚膜導体パターンを形成し
て成る配線板と、この配線板の厚膜導体パターンに対向
して摺動し得るようになされAg−Ni5〜20wt%
の接点材がスプリング端子材に取り付けられて成るすり
接点とにより構成されていることを特徴とする摺動接点
装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15167387A JPS63314805A (ja) | 1987-06-18 | 1987-06-18 | 摺動接点装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15167387A JPS63314805A (ja) | 1987-06-18 | 1987-06-18 | 摺動接点装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63314805A true JPS63314805A (ja) | 1988-12-22 |
Family
ID=15523741
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15167387A Pending JPS63314805A (ja) | 1987-06-18 | 1987-06-18 | 摺動接点装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63314805A (ja) |
-
1987
- 1987-06-18 JP JP15167387A patent/JPS63314805A/ja active Pending
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