JPS63312627A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS63312627A JPS63312627A JP62149573A JP14957387A JPS63312627A JP S63312627 A JPS63312627 A JP S63312627A JP 62149573 A JP62149573 A JP 62149573A JP 14957387 A JP14957387 A JP 14957387A JP S63312627 A JPS63312627 A JP S63312627A
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- JP
- Japan
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- semiconductor device
- wiring pattern
- markers
- numeral
- denotes
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- Pending
Links
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- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 3
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- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims description 2
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- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 7
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Landscapes
- Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は、高密度の配線パターンを備えた高集積度の
半導体装置に関し、ダイナミックＲＡＭ等の高集積度デ
バイスの不良解析を迅速、かつ、正確に行なうための半
導体装置に関するものである。
半導体装置に関し、ダイナミックＲＡＭ等の高集積度デ
バイスの不良解析を迅速、かつ、正確に行なうための半
導体装置に関するものである。
［従来の技術］
第２図は、従来の半導体装置の一例である半導体メモリ
デバイスを示す平面図であり、（ａ）は半導体メモリデ
バイスの全体を概略的に示す平面図、（ｂ）は（ａ）の
Ａで示される部分の部分拡大図、（Ｃ）は（ｂ）の８で
示される部分の部分拡大図である。図において、１は高
密度に並んで形成された配線パターン、２は配線パター
ン１を接続するためのコンタクト、３は周辺回路、１０
は高集積化されたメモリセルである。（ａ ）において
、半導体メモリデバイスは複数個の高集積化されたメモ
リセル１０から（Ｕ成される。（ｂ）を参照して、メモ
リセル１０の周辺には各メモリに記憶されているデータ
を読出しおよび書込みをするために周辺回路３が形成さ
れている。さらに、（Ｃ）で示されるようにメモリセル
１０の配線パターン１が高密度に形成されている。配ね
パターン１は、この例では下層配線として二次電子放出
効率の低いポリシリコン等からなるワード線１ａと、上
層配線として二次電子放出効率の高いＡｌ１等からなる
ビット線１ｂとから構成されている。
デバイスを示す平面図であり、（ａ）は半導体メモリデ
バイスの全体を概略的に示す平面図、（ｂ）は（ａ）の
Ａで示される部分の部分拡大図、（Ｃ）は（ｂ）の８で
示される部分の部分拡大図である。図において、１は高
密度に並んで形成された配線パターン、２は配線パター
ン１を接続するためのコンタクト、３は周辺回路、１０
は高集積化されたメモリセルである。（ａ ）において
、半導体メモリデバイスは複数個の高集積化されたメモ
リセル１０から（Ｕ成される。（ｂ）を参照して、メモ
リセル１０の周辺には各メモリに記憶されているデータ
を読出しおよび書込みをするために周辺回路３が形成さ
れている。さらに、（Ｃ）で示されるようにメモリセル
１０の配線パターン１が高密度に形成されている。配ね
パターン１は、この例では下層配線として二次電子放出
効率の低いポリシリコン等からなるワード線１ａと、上
層配線として二次電子放出効率の高いＡｌ１等からなる
ビット線１ｂとから構成されている。
上記のように構成される半導体メモリデバイスにおいて
は、周辺回路３からデータ信号が配線パターン１によっ
て各メモリセルに転送される。
は、周辺回路３からデータ信号が配線パターン１によっ
て各メモリセルに転送される。
［発明が解決しようとする問題点コ
従来の半導体１１２における配線パターンは以上のよう
に構成されるため、特定の不良箇所を顕微鏡で観察しよ
うとする場合、周辺回路によって特定される不良箇所を
物理的に見つけ出すには配線パターンを構成する各接続
線を端から順々に数えていかねばならないので、不良箇
所を見つけ出すまでに時間を要するとともに、困難で、
かつ、不正確であるという問題点があった。特に、この
配線パターンが、たとえば、ポリシリコン等の二次電子
放出効率の低い材料で構成されている場合に上記のよう
な配線パターンを走査電子顕微鏡（以下、ＳＥＭと称す
る。）を用いて観察するとき、各接続線を数えて不良箇
所を見つけ出すことは極めて困難であった。
に構成されるため、特定の不良箇所を顕微鏡で観察しよ
うとする場合、周辺回路によって特定される不良箇所を
物理的に見つけ出すには配線パターンを構成する各接続
線を端から順々に数えていかねばならないので、不良箇
所を見つけ出すまでに時間を要するとともに、困難で、
かつ、不正確であるという問題点があった。特に、この
配線パターンが、たとえば、ポリシリコン等の二次電子
放出効率の低い材料で構成されている場合に上記のよう
な配線パターンを走査電子顕微鏡（以下、ＳＥＭと称す
る。）を用いて観察するとき、各接続線を数えて不良箇
所を見つけ出すことは極めて困難であった。
そこで、この発明は、上記のような問題点を解消するた
めになされたもので、不良箇所の観察を短時間で、容易
に、かつ、正確に行なうことができる半導体装置を得る
ことを目的とする。
めになされたもので、不良箇所の観察を短時間で、容易
に、かつ、正確に行なうことができる半導体装置を得る
ことを目的とする。
［問題点を解決するための手段］
この発明に従った半導体装置は、高密度の配線パターン
を備えた高集積度の半導体装置において、その配線パタ
ーンを構成する各接続線を区別するための指示物が備え
られていることを特徴とするものである。
を備えた高集積度の半導体装置において、その配線パタ
ーンを構成する各接続線を区別するための指示物が備え
られていることを特徴とするものである。
［作用コ
この発明における半導体装置は配線パターンを構成する
各接続線を区別するための指示物が備えられているため
、各接続線を１本１本数える必要がなく、その指示物を
目安にして接続線を数えることができる。そのため、半
導体装置の不良解析において不良箇所を早く見つけ出す
ことができる。
各接続線を区別するための指示物が備えられているため
、各接続線を１本１本数える必要がなく、その指示物を
目安にして接続線を数えることができる。そのため、半
導体装置の不良解析において不良箇所を早く見つけ出す
ことができる。
［実施例］
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図はこの発明の一実施例を示す半導体装置であり、第２
図（Ｃ）で示される従来の半導体装置の一例である半導
体メモリデバイスの部分拡大図に示された配線パターン
に対して指示物を備えた例を示す。図において、１はワ
ードｍ１ａとビット線１ｂとからなる配線パターンを示
し、２は配線パターン１を接続するためのコンタクト、
３は周辺回路、４はこの配線パターン１を構成する接続
線の１つであるビット線１ｂの１本目、および５本目ご
とに設けられた指示物としてのマーカーである。このマ
ーカー４に従って接続線であるビット線１ｂを５本ごと
に数えていくと、迅速に、かつ、正確に不良箇所を見つ
け出すことができる。このマーカー４をＷ、ＭＯ等の二
次電子放出効率の高い材料を用いて形成すれば、ＳＥＭ
による観察・不良解析を容易に行なうことができる。
図はこの発明の一実施例を示す半導体装置であり、第２
図（Ｃ）で示される従来の半導体装置の一例である半導
体メモリデバイスの部分拡大図に示された配線パターン
に対して指示物を備えた例を示す。図において、１はワ
ードｍ１ａとビット線１ｂとからなる配線パターンを示
し、２は配線パターン１を接続するためのコンタクト、
３は周辺回路、４はこの配線パターン１を構成する接続
線の１つであるビット線１ｂの１本目、および５本目ご
とに設けられた指示物としてのマーカーである。このマ
ーカー４に従って接続線であるビット線１ｂを５本ごと
に数えていくと、迅速に、かつ、正確に不良箇所を見つ
け出すことができる。このマーカー４をＷ、ＭＯ等の二
次電子放出効率の高い材料を用いて形成すれば、ＳＥＭ
による観察・不良解析を容易に行なうことができる。
これは、二次電子放出効率の高い材料からなるマーカー
４がＳＥＭによればＣＲＴ画面上で明るく輝いて映し出
されるからである。この効果は、特にこの実施例におい
てワード線１ａがポリシリコン等の二次電子放出効率の
低い材料で構成されているときに、このワード線１ａの
指示物を二次電子放出効率の高い材料で構成すれば顕著
である。
４がＳＥＭによればＣＲＴ画面上で明るく輝いて映し出
されるからである。この効果は、特にこの実施例におい
てワード線１ａがポリシリコン等の二次電子放出効率の
低い材料で構成されているときに、このワード線１ａの
指示物を二次電子放出効率の高い材料で構成すれば顕著
である。
ざらに、この指示物としてのマーカー４を集束イオンビ
ーム（ＦＩＢ）による選択的デポジションによって作成
すれば容易に形成することが可能である。あるいは、こ
のマーカー４をフォトリソグラフィ技術を用いたバター
ニングによって形成してもよい。
ーム（ＦＩＢ）による選択的デポジションによって作成
すれば容易に形成することが可能である。あるいは、こ
のマーカー４をフォトリソグラフィ技術を用いたバター
ニングによって形成してもよい。
なお、上記実施例ではマーカー４を配線パターン１を構
成する接続線の５本目ごとに作成したが、対象となる配
線パターンによって任意の本数を選択すればよい。また
、この発明の半導体装置においては配線パターンが構成
される材料の二次電子放出効率の高低を問わない。この
指示物としてのマーカー４は、この実施例のように単な
る長方形パターンのみならず、文字、もしくは数字等の
符号として形成されてもよい。
成する接続線の５本目ごとに作成したが、対象となる配
線パターンによって任意の本数を選択すればよい。また
、この発明の半導体装置においては配線パターンが構成
される材料の二次電子放出効率の高低を問わない。この
指示物としてのマーカー４は、この実施例のように単な
る長方形パターンのみならず、文字、もしくは数字等の
符号として形成されてもよい。
［発明の効果］
以上のように、この発明によれば、配線パターンを構成
する接続線に対して指示物を付与したため、不良箇所を
早く見つけ出すことができるので半導体装置の不良解析
を迅速、正確、かつ、容易に行なうことができる。
する接続線に対して指示物を付与したため、不良箇所を
早く見つけ出すことができるので半導体装置の不良解析
を迅速、正確、かつ、容易に行なうことができる。
第１図はこの発明の一実施例による半導体装置を示す平
面図、第２図は従来の半導体装置を示す平面図である。 図において、１は配線パターン、１ａはワード線、１ｂ
はピット纏、４は指示物としてのマーカー、１ｏはメモ
リセルである。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 集１ 口 １、配縁ｌぐターン １０： ワード線 １ｂ ビット張ト ４ マーカー
面図、第２図は従来の半導体装置を示す平面図である。 図において、１は配線パターン、１ａはワード線、１ｂ
はピット纏、４は指示物としてのマーカー、１ｏはメモ
リセルである。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 集１ 口 １、配縁ｌぐターン １０： ワード線 １ｂ ビット張ト ４ マーカー
Claims (5)
- （１）高密度の配線パターンを備えた高集積度の半導体
装置において、 前記配線パターンを構成する各接続線を区別するための
指示物が備えられていることを特徴とする、半導体装置
。 - （２）前記指示物は、二次電子放出効率の高い金属系材
料から形成されている、特許請求の範囲第１項記載の半
導体装置。 - （３）前記指示物は、集束イオンビームによる選択的デ
ポジションによって形成されている、特許請求の範囲第
１項または第２項記載の半導体装置。 - （４）前記指示物は、フォトリソグラフィ技術を用いた
パターニングによつて形成されている特許請求の範囲第
１項または第２項記載の半導体装置。 - （５）当該半導体装置は、ダイナミックＲＡＭである、
特許請求の範囲第１項ないし第４項のいずれかに記載の
半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62149573A JPS63312627A (ja) | 1987-06-16 | 1987-06-16 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62149573A JPS63312627A (ja) | 1987-06-16 | 1987-06-16 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63312627A true JPS63312627A (ja) | 1988-12-21 |
Family
ID=15478143
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62149573A Pending JPS63312627A (ja) | 1987-06-16 | 1987-06-16 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63312627A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4229275A1 (de) * | 1991-09-04 | 1993-03-11 | Hitachi Ltd | Steuerung fuer die position einer probe in einem system mit fokussiertem ionenstrahl |
-
1987
- 1987-06-16 JP JP62149573A patent/JPS63312627A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4229275A1 (de) * | 1991-09-04 | 1993-03-11 | Hitachi Ltd | Steuerung fuer die position einer probe in einem system mit fokussiertem ionenstrahl |
| DE4229275C2 (de) * | 1991-09-04 | 1998-07-23 | Hitachi Ltd | Steuerung für die Position einer Probe in einem System mit fokussiertem Ionenstrahl |
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