JPS6331117B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6331117B2 JPS6331117B2 JP56127511A JP12751181A JPS6331117B2 JP S6331117 B2 JPS6331117 B2 JP S6331117B2 JP 56127511 A JP56127511 A JP 56127511A JP 12751181 A JP12751181 A JP 12751181A JP S6331117 B2 JPS6331117 B2 JP S6331117B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- permalloy
- elements
- bridge circuit
- target
- magnet
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 229910000889 permalloy Inorganic materials 0.000 claims description 39
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
- Switches That Are Operated By Magnetic Or Electric Fields (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はとくにパーマロイ素子を用いた近接
スイツチに関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention particularly relates to a proximity switch using permalloy elements.
従来、鉄−ニツケル合金により構成されるパー
マロイ素子はこれに磁界が与えられたとき、その
磁界による異方性磁気抵抗効果を持つていること
が知られている。第1図はこの異方性磁気抵抗効
果の特性を示している。 It has been known that a permalloy element made of an iron-nickel alloy has an anisotropic magnetoresistance effect when a magnetic field is applied to the element. FIG. 1 shows the characteristics of this anisotropic magnetoresistive effect.
近年、半導体技術の進歩に伴つてこのパーマロ
イをシリコンウエハー上に薄膜蒸着し、これにバ
イアス用の内部磁石を密着させたものが発表され
ている。ところがパーマロイは温度変化に対し
て、非常に敏感で、温度による変化は磁界による
変化よりはるかに大きいので、これをブリツジに
組んで使用するのが普通である。第2図はパーマ
ロイ素子でブリツジ回路を形成した従来の回路を
示すものである。このブリツジ回路はパーマロイ
の異方性磁気抵抗効果のため磁界H1が矢印方向
に加わつたときには、その磁界と交差するパーマ
ロイ素子R1およびR3は磁界H1の影響を受け
て、その抵抗値が減少するが、磁界H1と平行な
パーマロイ素子R2,R4は変化しないためブリ
ツジ出力が得られる。その動作原理は第9図、第
10図および第11図に示される。 In recent years, with the advancement of semiconductor technology, a device has been announced in which a thin film of permalloy is deposited on a silicon wafer and an internal magnet for biasing is attached closely to the thin film. However, permalloy is extremely sensitive to temperature changes, and changes due to temperature are much larger than changes due to magnetic fields, so it is common to use it in a bridge. FIG. 2 shows a conventional circuit in which a bridge circuit is formed using permalloy elements. In this bridge circuit, due to the anisotropic magnetoresistive effect of permalloy, when a magnetic field H1 is applied in the direction of the arrow, the permalloy elements R1 and R3 that intersect with the magnetic field are affected by the magnetic field H1, and their resistance value decreases. , the permalloy elements R2 and R4 parallel to the magnetic field H1 do not change, so a bridge output is obtained. Its operating principle is shown in FIGS. 9, 10 and 11.
すなわち第9図において、電流端子a,cが電
源に接続されており、今、パーマロイ素子R1,
R2を飽和磁化させるに充分な強さの磁界Hを、
パーマロイ素子R1,R2のなす平面において、
パーマロイ素子R1の直線部分の方向、すなわち
電流方向に対して角度θをもつて加えると、パー
マロイ素子R1,R2の各電気抵抗ρA,ρBが変
化し、その変化は角度θにより次式で表わされ
る。 That is, in FIG. 9, current terminals a and c are connected to the power supply, and now permalloy elements R1,
A magnetic field H of sufficient strength to saturate magnetize R2,
In the plane formed by permalloy elements R1 and R2,
When added at an angle θ to the direction of the straight line portion of the permalloy element R1, that is, the current direction, the electric resistances ρA and ρB of the permalloy elements R1 and R2 change, and the change is expressed by the following equation using the angle θ. .
ρA=ρVsin2θ+ρHcos2θ ……(1)
ρB=ρVcos2θ+ρHsin2θ ……(2)
ただし、ρVはパーマロイ素子R1,R2を電流
と垂直方向に飽和磁化したときのパーマロイ素子
R1,R2の電気抵抗、ρHは同じく電流と平行方
向に飽和磁化したときのパーマロイ素子R1,R
2の電気抵抗である。また出力端子bの電圧V〓
はパーマロイ素子R1,R2が直列接続であるか
ら、電源電圧をVoとすれば、次式で表わされる。 ρA=ρ V sin 2 θ+ρ H cos 2 θ ……(1) ρB=ρ V cos 2 θ+ρ H sin 2 θ ……(2) However, ρ V saturates permalloy elements R1 and R2 in the direction perpendicular to the current. The electrical resistance of permalloy elements R1, R2 when
2 electrical resistance. Also, the voltage V of output terminal b
Since permalloy elements R1 and R2 are connected in series, if the power supply voltage is Vo, it is expressed by the following equation.
V〓=ρB/ρA+ρBVo ……(3)
(3)式に(1)(2)式を代入して整理すると、
V〓=Vo/2−Δρ/2(ρH+ρV)・cos2θ・Vo……(
4)
(ただしΔρ=ρH−ρVとする)
となり、この(4)式において右辺第1項は基準電圧
を表わし、第2項は変化量ΔV〓を表わすものとな
り、
ΔV〓=Δρ/4ρpcos2θ・Vo ……(5)
で表わされる。ただし2ρp=ρH+ρVとし、ρpは消磁
状態の電気抵抗である。したがつて出力端子bの
電圧V〓は磁界Hの方向により変化し、その出力
変化は第10図のように、0度、180度で最小値、
90度、270度で最大値をとる正げん波形となる。
第11図は等価回路を示すものでパーマロイ素子
R1,R2を可変抵抗とし、その抵抗値が磁界H
の方向により変化するものとして考えることがで
きる。なおこの動作原理は実開昭55−149971号
(出願人ソニー株式会社)の明細書および図面を
参照したものである。 V = ρB / ρA + ρBVo ... (3) Substituting equations (1) and (2) into equation (3) and rearranging, we get V = Vo / 2 - Δρ / 2 (ρ H + ρ V )・cos2θ・Vo ...(
4) (However, Δρ = ρ H - ρ V ) In this equation (4), the first term on the right side represents the reference voltage, and the second term represents the amount of change ΔV〓, so ΔV〓 = Δρ/ 4ρ p cos2θ・Vo ...(5) However, 2ρ p = ρ H + ρ V , and ρ p is the electrical resistance in the demagnetized state. Therefore, the voltage V at output terminal b changes depending on the direction of the magnetic field H, and the output change has a minimum value at 0 degrees and 180 degrees, as shown in Figure 10.
It becomes a normal waveform with maximum values at 90 degrees and 270 degrees.
Figure 11 shows an equivalent circuit in which the permalloy elements R1 and R2 are variable resistances, and the resistance value is the magnetic field H.
It can be thought of as changing depending on the direction of. Note that this operating principle is based on the specification and drawings of Utility Model Application Publication No. 149971/1983 (applicant: Sony Corporation).
また第3図は第2図におけるブリツジ出力対磁
束密度の関係を示している。しかし、このグラフ
から明らかなように、このブリツジ出力はヒステ
リシスを持つている。今、たとえば、ターゲツト
が近接スイツチから十分遠方にある時、出力は内
部磁石にバイアスされ、点Aであつたとする。そ
してターゲツトが近接スイツチに近づいて点Bに
なつたら出力回路が働くように設定されていると
する。このときここに外部から内部磁界に対して
90度の傾きを持つ外部磁界が加わると出力は点C
の方向へ移動し、この状態で外部磁界が取り去ら
れた後は、点A1に行き、点Aにはもどらない。
これはブリツジ出力のドリフトを意味し、とくに
近接スイツチに適用したばあいには感応距離が変
化してしまう欠点がある。なおこの様な外部の磁
界は、実際の近接スイツチ使用場所では、モータ
ーソレノイド等により、容易に発生される。 Further, FIG. 3 shows the relationship between the bridge output and the magnetic flux density in FIG. 2. However, as is clear from this graph, this bridge output has hysteresis. Now, for example, suppose the output is biased to the internal magnet and is at point A when the target is far enough from the proximity switch. Assume that the output circuit is set to operate when the target approaches the proximity switch and reaches point B. At this time, here is the internal magnetic field from the outside.
When an external magnetic field with an inclination of 90 degrees is applied, the output is at point C.
After the external magnetic field is removed in this state, it moves to point A1 and does not return to point A.
This means a drift in the bridge output, which has the drawback of changing the sensitive distance, especially when applied to a proximity switch. Note that such an external magnetic field is easily generated by a motor solenoid or the like in an actual location where a proximity switch is used.
この発明はこのような従来の欠点を解決するた
めのものである。 The present invention is intended to solve these conventional drawbacks.
まず、そのヒステリシスであるが、ブリツジ回
路を構成する各素子のパーマロイのヒステリシス
が避けられないものとすると、これがブリツジ出
力に出ないようにしなければならない。そこで、
第2図において、このブリツジに外部磁界がH1
に垂直に加わつたとすると、パーマロイ素子R2
およびR4は磁界の影響を受けるが、他のパーマ
ロイ素子R1およびR3はその影響を受けない。 First, regarding the hysteresis, if hysteresis of permalloy in each element constituting the bridge circuit is unavoidable, it must be prevented from appearing in the bridge output. Therefore,
In Figure 2, an external magnetic field of H1 is applied to this bridge.
permalloy element R2
and R4 are affected by the magnetic field, but the other permalloy elements R1 and R3 are not affected by it.
しかしこの外部磁界によるパーマロイ素子R2
およびR4ならびにパーマロイ素子R1およびR
3に対する反復付勢により、外部磁界と平行なパ
ーマロイ素子にわずかではあるが磁気抵抗が残留
する。ここにブリツジ出力のヒステリシスの原因
がある。ここで、4つの素子が全て外部磁界に対
して同じ影響を受けるようにするとこのヒステリ
シスがなくなるはずである。全てが同じように働
くためには、同じ方向にパーマロイ素子が配置さ
れなければならない。しかし、全ての素子が同じ
向きに配置されるということは、内部磁界の変化
も受けないということになり、ブリツジ出力は変
化しないことになる。ここで、磁石2の周囲の磁
束密度のターゲツト6による変化を第4図に示
す。この図は磁束2から4mm離れた位置、たとえ
ば磁石2の磁化方向の軸心線と交差する軸心線に
沿い、かつ磁石2から4mm離れた線L上の磁束密
度のターゲツト6による変化を示している。この
グラフによるとターゲツト6の接近のために、磁
石2の中心からターゲツト6側の磁束密度は増加
し、逆に反対側は減少する。 However, due to this external magnetic field, the permalloy element R2
and R4 and permalloy elements R1 and R
Due to the repeated energization of 3, a small amount of magnetic resistance remains in the permalloy element parallel to the external magnetic field. This is the cause of bridge output hysteresis. Here, this hysteresis should be eliminated if all four elements are made to receive the same influence from the external magnetic field. For everything to work the same way, the permalloy elements must be placed in the same direction. However, if all the elements are arranged in the same direction, the internal magnetic field will not change, and the bridge output will not change. FIG. 4 shows how the magnetic flux density around the magnet 2 changes depending on the target 6. This figure shows the change in magnetic flux density due to the target 6 at a position 4 mm away from the magnetic flux 2, for example, along a line L that intersects the axial center line of the magnetization direction of the magnet 2 and 4 mm away from the magnet 2. ing. According to this graph, as the target 6 approaches, the magnetic flux density from the center of the magnet 2 to the target 6 side increases, and conversely decreases from the opposite side.
そこで複数個のパーマロイ素子R1,R2,R
3,R4を第5図に示すようにこれらの磁気感応
方向と交差する第1の方向すなわち各素子の長手
方向にたがいに平行に配設するとともに、これら
の素子によつてブリツジ回路を形成し、またター
ゲツト6を第1の方向と交差する第2の方向にお
いて、もつとも外側に位置するパーマロイ素子の
1つたとえば符号R1で示すパーマロイ素子に対
して相対的に接近または離間するように配設す
る。そしてそのブリツジ回路には磁石2を近接し
て配設し、この磁石によつてブリツジ回路に磁気
バイアスを与える。しかもそのブリツジ回路中、
たがいに対向する第1組の辺の素子R1,R3
を、磁石2の中心からターゲツト6側に、またた
がいに対向する第2組の辺の素子R2,R4を、
磁石2の中心からターゲツト6とは反対側に配設
している。 Therefore, multiple permalloy elements R1, R2, R
3, R4 are arranged parallel to each other in the first direction intersecting the magnetic sensing direction, that is, the longitudinal direction of each element, as shown in Fig. 5, and a bridge circuit is formed by these elements. In addition, the target 6 is disposed in a second direction intersecting the first direction so as to be relatively close to or away from one of the outer permalloy elements, for example, the permalloy element indicated by the symbol R1. . A magnet 2 is disposed close to the bridge circuit, and this magnet applies a magnetic bias to the bridge circuit. Moreover, in that bridge circuit,
Elements R1 and R3 of the first set of sides facing each other
From the center of the magnet 2 to the target 6 side, elements R2 and R4 of the second set of sides facing each other,
It is arranged on the opposite side of the target 6 from the center of the magnet 2.
これによつてバイアス用の磁石2によつて発生
する磁束は素子R1およびR4に対して等しい磁
界の強さをもつて交差するとともに、素子R2お
よびR3に対しても等しい磁界の強さをもつて交
差する。すなわちすべての素子R1,R2,R
3,R4に対して等しいバイアス磁界がかかつた
ことになる。この状態においてはすべての素子は
平衡し、ブリツジ回路の出力は生じない。すなわ
ちターゲツト6がブリツジ回路から遠い位置にあ
ることを示している。この状態からターゲツト6
がブリツジ回路に接近すると、たとえば第5図に
示すように素子R1に接近するとバイアス用の磁
石2から発生する磁束はターゲツト6の透磁率に
よつてこのターゲツトに集中する。すなわち磁束
は第5図において磁石2の中心からターゲツト6
側に傾くため素子R1およびR3と交差する磁束
は多く、逆に素子R2およびR4と交差する磁束
は多くなる。このためブリツジ回路はその平衡を
失い、ターゲツト6の接近量に応じた出力を発生
する。 Thereby, the magnetic flux generated by the bias magnet 2 crosses elements R1 and R4 with equal magnetic field strength, and also has equal magnetic field strength with respect to elements R2 and R3. cross. That is, all elements R1, R2, R
3. This means that an equal bias magnetic field is applied to R4. In this state, all elements are balanced and no output from the bridge circuit is produced. That is, it shows that the target 6 is located far from the bridge circuit. From this state, target 6
When the biasing magnet 2 approaches the bridge circuit, for example, the element R1 as shown in FIG. In other words, the magnetic flux flows from the center of magnet 2 to target 6 in FIG.
Because it is tilted to the side, more magnetic flux crosses elements R1 and R3, and conversely more magnetic flux crosses elements R2 and R4. As a result, the bridge circuit loses its balance and generates an output corresponding to the amount of approach of the target 6.
そしてターゲツト6がブリツジ回路から遠のく
と各素子R1,R2,R3,R4に加わる磁界は
磁石2によるバイアス磁界のみとなるためそのブ
リツジ回路はふたたび平衡し、その出力は生じな
い。 When the target 6 moves away from the bridge circuit, the magnetic field applied to each element R1, R2, R3, R4 becomes only the bias magnetic field from the magnet 2, so the bridge circuit is balanced again and no output is produced.
このブリツジ回路の働きを第6図を参照して説
明する。今、ターゲツト6がブリツジ回路より十
分遠方にあるとき、素子R1,R3が配置されて
いる場所を点A、点Bとし、また素子R2,R4
が配置されている場合を点C、点Dとする。する
と各素子RすなわちR1,R2,R3,R4はそ
の点の磁束密度でバイアスされ、ブリツジ出力が
出る。ここにターゲツトが接近すると磁束密度が
変化し、各素子のバイアスはA1,B1,C1,
D1となり、ブリツジ回路4素子の中、たがいに
対向する第1組の辺の2素子R1,R3の抵抗は
減少し、逆にたがいに対向する第2組の辺の2素
子R2,R4の抵抗は増加する。このためにブリ
ツジ出力に変化が現われる。 The function of this bridge circuit will be explained with reference to FIG. Now, when the target 6 is sufficiently far away from the bridge circuit, the locations where elements R1 and R3 are placed are points A and B, and the locations where elements R2 and R4 are placed are
Points C and D are the cases in which . Then, each element R, that is, R1, R2, R3, R4, is biased with the magnetic flux density at that point, and a bridge output is produced. When the target approaches here, the magnetic flux density changes, and the bias of each element becomes A1, B1, C1,
D1, and among the four elements of the bridge circuit, the resistances of the two elements R1 and R3 on the sides of the first set facing each other decrease, and conversely, the resistance of the two elements R2 and R4 on the sides of the second set facing each other decreases. increases. This causes a change in the bridge output.
第7図および第8図はこの発明における近接ス
イツチの具体的な構造を示すもので、ケース3に
はキヤツプ4が嵌合され、このキヤツプの端面に
よつて感応面が形成される。ケース3内には電子
回路部品を取付けるプリント回路基板5が収容さ
れ、この基板に上記ブリツジ回路を設けた回路素
子1が設けられる。またケース3内には回路素子
1に磁気バイアスを与える磁石2がその回路素子
1に所定の距離近接して設けられている。 7 and 8 show the specific structure of the proximity switch according to the present invention. A cap 4 is fitted into the case 3, and the end surface of this cap forms a sensitive surface. A printed circuit board 5 to which electronic circuit components are attached is housed within the case 3, and a circuit element 1 provided with the bridge circuit described above is provided on this board. A magnet 2 that applies a magnetic bias to the circuit element 1 is provided within the case 3 at a predetermined distance from the circuit element 1.
第12図には第7図および第8図に示す近接ス
イツチをエアシリンダーに適用したものが示さ
れ、この図においてシリンダー11にはピストン
ロツド12がその軸心線に沿つて往復動可能に支
持され、このロツドにはシリンダーピストン13
が固定され、さらにこのシリンダーピストンには
ターゲツト6が固定されている。またシリンダー
11の外部においてこの発明における近接スイツ
チ20がターゲツト6に近接して設けられる。 FIG. 12 shows an air cylinder in which the proximity switch shown in FIGS. 7 and 8 is applied, and in this figure, a piston rod 12 is supported in a cylinder 11 so as to be able to reciprocate along its axis. , this rod has a cylinder piston 13
is fixed, and furthermore, a target 6 is fixed to this cylinder piston. Further, a proximity switch 20 according to the present invention is provided outside the cylinder 11 in close proximity to the target 6.
そしてシリンダーピストン13がある方向たと
えば第12図において右側に移動し、ターゲツト
6が近接スイツチ20に接近するとこの近接スイ
ツチは出力を発生し、また逆にシリンダーピスト
ン13が元の方向にもどり、すなわち左側に移動
し、ターゲツト6が近接スイツチ20から離れる
とこの近接スイツチは出力を発生しなくなる。 Then, the cylinder piston 13 moves in a certain direction, for example, to the right in FIG. When the target 6 moves away from the proximity switch 20, the proximity switch no longer generates an output.
第13図は第12図のブロツク回路図、第14
図はその具体的な回路図である。 Figure 13 is the block circuit diagram of Figure 12, and Figure 14 is the block circuit diagram of Figure 12.
The figure is a specific circuit diagram.
この発明は上述のように複数個のパーマロイ素
子の長手方向を第1の方向に沿つてたがいに平行
に配設するとともに、これらの素子によつてブリ
ツジ回路を形成し、またターゲツトを上記第1の
方向と交差する第2の方向においてもつとも外側
に位置するパーマロイ素子の1つに対して接近ま
たは離間させ、さらにブリツジ回路に磁石によつ
て磁気バイアスを与え、しかもブリツジ回路中、
たがいに対向する第1組の辺を、磁石の中心から
ターゲツト側に、またたがいに対向する第2組の
辺を、磁石の中心からターゲツトとは反対側に配
設しているので、パーマロイ素子の磁気抵抗効果
によるシステリシスを除去することができる利点
がある。 As described above, the present invention arranges a plurality of permalloy elements parallel to each other in the longitudinal direction along the first direction, forms a bridge circuit with these elements, and connects the target to the first direction. The permalloy elements are brought close to or separated from one of the outer permalloy elements in a second direction intersecting the direction of the permalloy element, and a magnetic bias is applied to the bridge circuit by a magnet,
Since the first set of opposing sides are arranged from the center of the magnet to the target side, and the second set of opposing sides are arranged from the center of the magnet to the opposite side from the target, the permalloy element This has the advantage of being able to eliminate systeresis caused by the magnetoresistive effect.
第1図はパーマロイの異方性磁気抵抗効果を示
す特性図、第2図は従来の近接スイツチのブリツ
ジ回路を示す図、第3図は第2図におけるブリツ
ジ回路の出力と磁束密度との関係を示すグラフ、
第4図は磁石の周囲の磁束密度のターゲツトによ
る変化を示す図、第5図はこの発明の近接スイツ
チにおけるブリツジ回路を示す図、第6図は第5
図におけるブリツジ回路の動作を説明する図、第
7図はこの発明を適用した近接スイツチの正断面
図、第8図は同側断面図、第9図、第10図およ
び第11図は一般のパーマロイ素子の原理を示す
図、第12図、第13図および第14図はこの発
明における近接スイツチの応用例を示す図であ
る。
1……回路素子、2……磁石、3……ケース、
4……キヤツプ、5……プリント回路基板、6…
…ターゲツト、R1,R2,R3,R4……パー
マロイ素子。
Figure 1 is a characteristic diagram showing the anisotropic magnetoresistive effect of permalloy, Figure 2 is a diagram showing the bridge circuit of a conventional proximity switch, and Figure 3 is the relationship between the output of the bridge circuit and magnetic flux density in Figure 2. A graph showing,
FIG. 4 is a diagram showing changes in the magnetic flux density around the magnet depending on the target, FIG. 5 is a diagram showing a bridge circuit in the proximity switch of the present invention, and FIG.
7 is a front sectional view of the proximity switch to which the present invention is applied, FIG. 8 is a sectional view of the same side, and FIGS. 9, 10 and 11 are diagrams explaining the operation of the bridge circuit in the figure. Figures 12, 13 and 14, which illustrate the principle of the permalloy element, are diagrams illustrating application examples of the proximity switch of the present invention. 1...Circuit element, 2...Magnet, 3...Case,
4...Cap, 5...Printed circuit board, 6...
...Target, R1, R2, R3, R4... Permalloy element.
Claims (1)
路を形成するとともに、磁性体からなるターゲツ
トを上記ブリツジ回路に対して接近または離間さ
せることにより、このブリツジ回路の出力を変化
させるものにおいて、上記各パーマロイ素子の長
手方向を第1の方向に沿つてたがいに平行に配設
するとともに、上記ターゲツトは上記第1の軸心
線と交差する第2の方向において、上記パーマロ
イ素子の中、もつとも外側に位置するパーマロイ
素子の1つに対して接近または離間させ、かつ上
記ブリツジ回路に近接してこのブリツジ回路に磁
気バイアスを与える磁石を設け、しかも上記ブリ
ツジ回路中、たがいに対向する第1組の辺を上記
磁石の中心から上記ターゲツト側に、またたがい
に対向する第2組の辺を上記磁石の中心から上記
ターゲツトとは反対側に配設したことを特徴とす
る近接スイツチ。1. In a device in which a bridge circuit is formed by a plurality of permalloy elements and the output of the bridge circuit is changed by moving a target made of a magnetic substance toward or away from the bridge circuit, each of the permalloy elements are arranged so that their longitudinal directions are parallel to each other along the first direction, and the target is located inside the permalloy element, and at least outside the permalloy element, in a second direction intersecting the first axis. A magnet is provided close to or away from one of the permalloy elements and is close to the bridge circuit to apply a magnetic bias to the bridge circuit, and in the bridge circuit, the first set of opposing sides are arranged as described above. A proximity switch characterized in that a second set of opposite sides are arranged from the center of the magnet toward the target, and a second set of opposing sides are arranged from the center of the magnet to the opposite side from the target.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56127511A JPS5830026A (en) | 1981-08-14 | 1981-08-14 | Proximity switch |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56127511A JPS5830026A (en) | 1981-08-14 | 1981-08-14 | Proximity switch |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5830026A JPS5830026A (en) | 1983-02-22 |
JPS6331117B2 true JPS6331117B2 (en) | 1988-06-22 |
Family
ID=14961802
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56127511A Granted JPS5830026A (en) | 1981-08-14 | 1981-08-14 | Proximity switch |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5830026A (en) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6416977A (en) * | 1987-07-10 | 1989-01-20 | Ckd Controls | Method for stabilizing output of sensor |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55130187A (en) * | 1979-03-30 | 1980-10-08 | Sony Corp | Magnetoelectric transducer |
JPS55130186A (en) * | 1979-03-30 | 1980-10-08 | Sony Corp | Magnetoelectric transducer |
-
1981
- 1981-08-14 JP JP56127511A patent/JPS5830026A/en active Granted
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55130187A (en) * | 1979-03-30 | 1980-10-08 | Sony Corp | Magnetoelectric transducer |
JPS55130186A (en) * | 1979-03-30 | 1980-10-08 | Sony Corp | Magnetoelectric transducer |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5830026A (en) | 1983-02-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4361805A (en) | Magnetoresistive displacement sensor arrangement | |
DE19580095C2 (en) | Proximity sensor using magneto-resistive elements and permanent magnet | |
EP0721563B1 (en) | Magnetoresistive linear displacement sensor, angular displacement sensor, and variable resistor | |
US5585719A (en) | Magnetoresistance effect element sensor and an electronic circuit therefor | |
EP1300687B1 (en) | Device for measuring magnetic fields | |
CN110837067B (en) | Magnetic field sensing device | |
KR19990022160A (en) | Magnetic field sensor including bridge circuit of magnetoresistive bridge element | |
US5554964A (en) | Microswitch with a magnetic field sensor | |
JPS6022726B2 (en) | displacement detector | |
US4712083A (en) | Position sensor | |
JPS61134601A (en) | Magnetic type displacement sensor | |
CN110837066B (en) | Magnetic field sensing device | |
JPS6331117B2 (en) | ||
JPH0943327A (en) | Magneto-resistive current sensor | |
JPH09292202A (en) | Linear displacement detecting device | |
JP2576763B2 (en) | Ferromagnetic magnetoresistive element | |
JPH02189484A (en) | Magnetic sensor | |
JPH02285212A (en) | Displacement sensor and ic for the same | |
JPH069306Y2 (en) | Position detector | |
JP3067278B2 (en) | Magnetic sensor | |
JPS5830027A (en) | Proximity switch | |
KR940008887B1 (en) | Magnetic resistance element | |
JPH03115824A (en) | Pressure sensor | |
EP1224483A1 (en) | A thin magnetoresistive current sensor system | |
JPH0473087B2 (en) |