JPS63307238A - ストライプ形センサ素子用の非晶質合金 - Google Patents
ストライプ形センサ素子用の非晶質合金Info
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- JPS63307238A JPS63307238A JP63118417A JP11841788A JPS63307238A JP S63307238 A JPS63307238 A JP S63307238A JP 63118417 A JP63118417 A JP 63118417A JP 11841788 A JP11841788 A JP 11841788A JP S63307238 A JPS63307238 A JP S63307238A
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- G08B—SIGNALLING OR CALLING SYSTEMS; ORDER TELEGRAPHS; ALARM SYSTEMS
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、盗難防止ラベル磁場検出器等に使用される
低飽和磁束密度のストライプ形センサ素子用の非晶質合
金に関するものである。
低飽和磁束密度のストライプ形センサ素子用の非晶質合
金に関するものである。
盗難防止ラベルは軟磁性材料の薄いストライプを必要と
する。従来市販されているストライプは結晶質のものも
非晶質のものもある。ストライプの寸法は通常３胴以下
の幅、４０μｍ以下の厚さ、５０ないし１００ｍｍの長
さであるが、これ以下のこともある。これらのストライ
プの機能上必要な点は、その材料ができるだけ低い励起
磁場によって完全に磁化又は転極されることである。磁
気飽和に達したときストライプの磁化曲線が非線形であ
ることから、盗難防止装置の対応する受信コイルには転
極に際して励起周波数の尚調波が発生し、ストライプの
検出、従って盗難の探知に役立つ。
する。従来市販されているストライプは結晶質のものも
非晶質のものもある。ストライプの寸法は通常３胴以下
の幅、４０μｍ以下の厚さ、５０ないし１００ｍｍの長
さであるが、これ以下のこともある。これらのストライ
プの機能上必要な点は、その材料ができるだけ低い励起
磁場によって完全に磁化又は転極されることである。磁
気飽和に達したときストライプの磁化曲線が非線形であ
ることから、盗難防止装置の対応する受信コイルには転
極に際して励起周波数の尚調波が発生し、ストライプの
検出、従って盗難の探知に役立つ。
ストライプの完全な磁化に必要な磁場の強さＨｓは、主
としてストライプの形態（磁気すべり効果）と横方向異
方性エネルギーによって決められる。
としてストライプの形態（磁気すべり効果）と横方向異
方性エネルギーによって決められる。
この場合ストライプ方向に次式が成立する。
−ｔ
Ｈ８−α□・Ｂｓ＋ＨＡ
Ｉ！、２
ここでＷはストライプの幅、ｔはその厚さ、ｌはその長
さ、Ｂｓは飽和磁束密度、ＨＡは異方性磁場の強さであ
る。係数αもストライプの寸法に関係するが、この関係
は極めて微弱であるから定数と見ることができる。
さ、Ｂｓは飽和磁束密度、ＨＡは異方性磁場の強さであ
る。係数αもストライプの寸法に関係するが、この関係
は極めて微弱であるから定数と見ることができる。
検出可能の有効信号を得るためには、現行の系の励起磁
場は飽和磁場Ｈ，の程度あるいはそれ以上であることが
必要である。他方別の強磁性対象物によるかあるいは励
起磁場に必要な電力の関係から生ずる誤警報を避けるた
めには、励起磁場の強さは余り大きくすることはできな
い。
場は飽和磁場Ｈ，の程度あるいはそれ以上であることが
必要である。他方別の強磁性対象物によるかあるいは励
起磁場に必要な電力の関係から生ずる誤警報を避けるた
めには、励起磁場の強さは余り大きくすることはできな
い。
同様な事態は磁場を検出するセンサにおいてもしばしば
発生する。このセンサの感度は一般にストライプの長さ
と共に上昇し、その際上記の式が適用される。
発生する。このセンサの感度は一般にストライプの長さ
と共に上昇し、その際上記の式が適用される。
ストライプ寸法の特別な選定即ち小さい幅と厚さおよび
比較的大きなラベルの長さの選定によりストライプ方向
の減磁基は上式に従い著しく低下する。これにより磁性
ストライプが比較的低い励起磁場によって転磁され、そ
れによって所望の信号が送り出されるという望ましい効
果が達成される。
比較的大きなラベルの長さの選定によりストライプ方向
の減磁基は上式に従い著しく低下する。これにより磁性
ストライプが比較的低い励起磁場によって転磁され、そ
れによって所望の信号が送り出されるという望ましい効
果が達成される。
更に特殊な熱処理によって異方性磁場ＨＡをほぼ消滅さ
せることによって、飽和磁場Ｈ，を一層低下させること
ができる。この方法は自発的に矩形の磁化曲線を示す磁
性材料に対して有効であり、従ってこの種の材料は多く
の目的に特に好適である。
せることによって、飽和磁場Ｈ，を一層低下させること
ができる。この方法は自発的に矩形の磁化曲線を示す磁
性材料に対して有効であり、従ってこの種の材料は多く
の目的に特に好適である。
盗難防止ラベルに対する磁性ストライプの最適化は、従
来市販の磁性材料の寸法の適合化の外に、一部はテープ
の長さ方向に平行する磁場中で行われる熱処理によって
達成される。
来市販の磁性材料の寸法の適合化の外に、一部はテープ
の長さ方向に平行する磁場中で行われる熱処理によって
達成される。
しかし例えば微小化等の理由により許容場所が狭くスト
ライプの長さが限定される場合には問題が起る。このよ
うな場合にも低いせん断磁場を達成するためには、上式
のｗ−ｔ−Ｂ＊をそれに応じて小さくしなければならな
い。これはある程度まで幅Ｗと厚さｔの減少によって実
現する。しかし幅と厚さを極めて小さくするとテープや
線の製作と取扱いに関して問題が大きくなる。
ライプの長さが限定される場合には問題が起る。このよ
うな場合にも低いせん断磁場を達成するためには、上式
のｗ−ｔ−Ｂ＊をそれに応じて小さくしなければならな
い。これはある程度まで幅Ｗと厚さｔの減少によって実
現する。しかし幅と厚さを極めて小さくするとテープや
線の製作と取扱いに関して問題が大きくなる。
〔発明が解決しようとする課題］
この発明の目的は、必要に応じてストライプ形センサ素
子の長さも微小化のため低減させることが可能であり、
その際所望の機能が妨害されることのない非晶質合金を
提供することである。
子の長さも微小化のため低減させることが可能であり、
その際所望の機能が妨害されることのない非晶質合金を
提供することである。
この目的は、飽和磁束密度Ｂｓが０．５Ｔ以下（Ｂｓ≦
０．５ Ｔ ”）であり０．６以上の残留磁気比Ｂｒ／
ＢＳ （Ｂｓ／Ｂｓ＞０．６）を達成するための磁場
中焼もどし処理において良好な応答性を示す磁気ひずみ
の無い非晶質合金を使用することによって達成される。
０．５ Ｔ ”）であり０．６以上の残留磁気比Ｂｒ／
ＢＳ （Ｂｓ／Ｂｓ＞０．６）を達成するための磁場
中焼もどし処理において良好な応答性を示す磁気ひずみ
の無い非晶質合金を使用することによって達成される。
この発明は、この種の特殊な応用例に対しては飽和磁場
Ｈ８の低下が断面積の減少だけではなく、飽和磁化の低
下によっても達成されるという知見に基くものである。
Ｈ８の低下が断面積の減少だけではなく、飽和磁化の低
下によっても達成されるという知見に基くものである。
この発明の応用分野において公知の市販合金は、総て０
．５７以上の飽和磁束密度Ｂｓを示す。例えば欧州特許
出願公開第０１２１６９４号明細書には、飽和磁化がＩ
Ｔに等しいかあるいはそれ以下であると特に有利である
ことが記載されている。
．５７以上の飽和磁束密度Ｂｓを示す。例えば欧州特許
出願公開第０１２１６９４号明細書には、飽和磁化がＩ
Ｔに等しいかあるいはそれ以下であると特に有利である
ことが記載されている。
飽和磁束密度の低下は磁気的に作用しない原子の組合せ
による希釈によって常に達成される。しかしこの場合に
は低飽和磁束密度Ｂｓの合金は磁場中の熱処理には所望
の応答をしないことが確かめられている。一方所望の０
．６以上残留磁気比Ｂｒ／ ＢＳを示すＺ形の磁化曲線
を達成するためには長さ方向の磁場中の熱処理に良好な
応答性を示すことが要求される。
による希釈によって常に達成される。しかしこの場合に
は低飽和磁束密度Ｂｓの合金は磁場中の熱処理には所望
の応答をしないことが確かめられている。一方所望の０
．６以上残留磁気比Ｂｒ／ ＢＳを示すＺ形の磁化曲線
を達成するためには長さ方向の磁場中の熱処理に良好な
応答性を示すことが要求される。
Ｃｏ系の低磁気ひずみ非晶質合金においてこの応答性が
特に良好であることが実験によって示される。熱処理に
対する応答性を失うことなくＢＳを低下させるのに適し
た合金成分としては、ニッケルの外に部分的にはニオブ
が挙げられる。コバルト合金の低い磁気ひずみ値の調節
には、通常鉄又はマンガンが使用される。更に鉄が著し
く良好な結果をもたらし、磁場中の熱処理に対してマン
ガンよりも良好な応答性を与えることも付加的に明らか
にされた。
特に良好であることが実験によって示される。熱処理に
対する応答性を失うことなくＢＳを低下させるのに適し
た合金成分としては、ニッケルの外に部分的にはニオブ
が挙げられる。コバルト合金の低い磁気ひずみ値の調節
には、通常鉄又はマンガンが使用される。更に鉄が著し
く良好な結果をもたらし、磁場中の熱処理に対してマン
ガンよりも良好な応答性を与えることも付加的に明らか
にされた。
飽和磁束密度と残留磁気比に関してこの発明が要求する
条件は、実験式ＣＯ＋ｏｏ−ｕ−ｘ−ｙ−ｚ Ｆｅｕ
Ｎ１）（Ｔｙ （ＳｉＢ）ｚで表わされる非晶質合金に
よって満たずことができる。ここで１１．Ｘ、７． ｚ
はｕ＝４−１０原子％ ｘ＝２０−５０原子％ ｙ＝０−１８原子％ ｚ＝５−３０原子％ であり、条件 Ｓ＝ｘ＋５．３ｙ＋４．１ｚ−０，７３ｕ−：１２０−
１３５、Ｚ＋）Ｉ＞２０原子％を満たす。更に元素Ｔが
ＮｂのときＮｂ十Ｂ＞６原子％であり、又こ゛のＮｂは
合金全体で３原子％までＭＯｌＣｒ、■、Ｚｒ、Ｔｉ、
Ｗで置き換えることができる。
条件は、実験式ＣＯ＋ｏｏ−ｕ−ｘ−ｙ−ｚ Ｆｅｕ
Ｎ１）（Ｔｙ （ＳｉＢ）ｚで表わされる非晶質合金に
よって満たずことができる。ここで１１．Ｘ、７． ｚ
はｕ＝４−１０原子％ ｘ＝２０−５０原子％ ｙ＝０−１８原子％ ｚ＝５−３０原子％ であり、条件 Ｓ＝ｘ＋５．３ｙ＋４．１ｚ−０，７３ｕ−：１２０−
１３５、Ｚ＋）Ｉ＞２０原子％を満たす。更に元素Ｔが
ＮｂのときＮｂ十Ｂ＞６原子％であり、又こ゛のＮｂは
合金全体で３原子％までＭＯｌＣｒ、■、Ｚｒ、Ｔｉ、
Ｗで置き換えることができる。
ｕ＝４．１０原子％、ｘ−２０−４５原子％、ｙ＝０−
４原子％、ｚ ＝ ２０−３０原子％で条件Ｓ＝ｘ＋５
．３ｙ＋４．１ ｚ−０，７３ｕ＝１２０−１３０を満
たす非晶質合金は特に有利である。
４原子％、ｚ ＝ ２０−３０原子％で条件Ｓ＝ｘ＋５
．３ｙ＋４．１ ｚ−０，７３ｕ＝１２０−１３０を満
たす非晶質合金は特に有利である。
この種の合金の変形としてｕ＝４−１０原子％、ｘ＝２
０−３０原子％、ｙ−１２〜１８原子％、ｚ＝５−１２
原子％で条件 Ｓ＝ｘ＋５．３ ｙ＋４．１ ｚ−０，７３ｕ；１２０
−１３０を満たすものが有利である。
０−３０原子％、ｙ−１２〜１８原子％、ｚ＝５−１２
原子％で条件 Ｓ＝ｘ＋５．３ ｙ＋４．１ ｚ−０，７３ｕ；１２０
−１３０を満たすものが有利である。
別の有利な変形はｕ＝４−１０原子％、ｘ＝３５−４５
原子％、ｙ＝ｏ−１原子％、ｚ＝２１−２３原子％のも
のである。
原子％、ｙ＝ｏ−１原子％、ｚ＝２１−２３原子％のも
のである。
縮方向磁場中の熱処理を受けた一連の合金についての結
果を表にまとめて示す。経済上の理由からこの種の熱処
理は余り長く続けることは許されないので約１日以下で
あったが、それでも０．６以上の残留磁気比（Ｂｒ／Ｂ
ｓ＞０．６）が達成された。
果を表にまとめて示す。経済上の理由からこの種の熱処
理は余り長く続けることは許されないので約１日以下で
あったが、それでも０．６以上の残留磁気比（Ｂｒ／Ｂ
ｓ＞０．６）が達成された。
表から分かるように合金１から合金６までは所望範囲内
の飽和磁束密度を示すが、ここに選ばれている熱処理温
度では充分な熱処理応答性を示さず、所望される０、
６以上の残留磁気比（Ｂｓ ／Ｂｓ＞０．６）は達成さ
れない。他方熱処理に対する応答性が良り０．６以上の
Ｂｓ／Ｂｓが達成されるが、飽和磁束密度Ｂｓが０．５
Ｔ以上（Ｂｓ＞０．５Ｔ）であって使用が疑問視される
一連の合金も公知である。その実例として次のものが挙
げられる。
の飽和磁束密度を示すが、ここに選ばれている熱処理温
度では充分な熱処理応答性を示さず、所望される０、
６以上の残留磁気比（Ｂｓ ／Ｂｓ＞０．６）は達成さ
れない。他方熱処理に対する応答性が良り０．６以上の
Ｂｓ／Ｂｓが達成されるが、飽和磁束密度Ｂｓが０．５
Ｔ以上（Ｂｓ＞０．５Ｔ）であって使用が疑問視される
一連の合金も公知である。その実例として次のものが挙
げられる。
Ｃ０５ｅＮｉ＋ｏＦｅｓＳｉ＋＋Ｂ＋ｂ Ｂ ｓ
＝ ０．５７ ＴＣｏｂ７１ン６４Ｍ０＋、 ５Ｓｉ
６．５８ＩＩ Ｂ ｓ −０，５７ＴＣｏ、ｏＰｅ
５Ｓｉ＋ｓＢ＋ｏ Ｂ ｓ
＝ ０．７ ５ ＴＦｅｎｏＮｉ４ｏＢｚｏ
Ｂ ｓ ＝ １．０ Ｔしかし表の合金７から
合金１１まではＢｓ；０．５ＴＸＢ ｒ ／ Ｂｓ ＞
０．６の両条件を満たしている。
＝ ０．５７ ＴＣｏｂ７１ン６４Ｍ０＋、 ５Ｓｉ
６．５８ＩＩ Ｂ ｓ −０，５７ＴＣｏ、ｏＰｅ
５Ｓｉ＋ｓＢ＋ｏ Ｂ ｓ
＝ ０．７ ５ ＴＦｅｎｏＮｉ４ｏＢｚｏ
Ｂ ｓ ＝ １．０ Ｔしかし表の合金７から
合金１１まではＢｓ；０．５ＴＸＢ ｒ ／ Ｂｓ ＞
０．６の両条件を満たしている。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）飽和磁束密度Ｂ＿ｓが０．５Ｔ以下（Ｂ＿ｓ≦０．
５Ｔ）であり、０．６以上の残留磁気比Ｂ＿ｒ／Ｂｓ（
Ｂｒ／Ｂｓ＞０．６）を達成するための磁場中の焼もど
し処理において良好な応答性を示す無磁気ひずみ非晶質
合金が使用されることを特徴とする盗難防止ラベル、磁
場検出器等に対する飽和磁束密度の低いストライプ形セ
ンサ素子用の非晶質合金。 ２）ｕ＝４−１０原子％ ｘ＝２０−５０原子％ ｙ＝０−１８原子％ ｚ＝５−３０原子％ として次の条件： Ｓ＝ｘ＋５．３ｙ＋４．１ｚ−０．７３ｕ■１２０〜１
３５ｚ＋ｙ＞２０原子％、Ｎｂ＋Ｂ＞６原子％ が満たされ、成分子はＮｂであるが必要に応じ３原子％
までＭｏ、Ｃｒ、Ｖ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｗで置き換えること
ができる実験式 Ｃｏ＿１＿０＿０＿−＿ｕ＿−＿ｘ＿−＿ｙ＿−＿ｚＦ
ｅ＿ｕＮｉ＿ｘＴ＿ｙ（ＳｉＢ）＿ｚで表されるもので
あることを特徴とする請求項１記載の非晶質合金。 ３）ｕ＝４−１０原子％、ｘ＝２０−４５原子％、ｙ＝
０−４原子％、ｚ＝２０−３０原子％であり、Ｓ＝ｘ＋
５．３ｙ＋４．１ｚ−０．７３ｕ■１２０〜１３０とい
う条件を満たしていることを特徴とする請求項２記載の
非晶質合金。 ４）ｕ＝４−１０原子％、ｘ＝２０−３０原子％、ｙ＝
１２−１８原子％、ｚ＝５−１２原子％であり、Ｓ＝ｘ
＋５．３ｙ＋４．１ｚ＝０．７３ｕ■１２０〜１３０と
いう条件を満たしていることを特徴とする請求項２記載
の非晶質合金。 ５）ｕ＝４−１０原子％、ｘ＝３５−４５原子％、ｙ＝
０−１原子％、ｚ＝２１−２３原子％であることを特徴
とする請求項２記載の非晶質合金。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19873717043 DE3717043A1 (de) | 1987-05-21 | 1987-05-21 | Amorphe legierung fuer streifenfoermige sensorelemente |
| DE3717043.0 | 1987-05-21 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63307238A true JPS63307238A (ja) | 1988-12-14 |
| JP3065085B2 JP3065085B2 (ja) | 2000-07-12 |
Family
ID=6328040
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63118417A Expired - Lifetime JP3065085B2 (ja) | 1987-05-21 | 1988-05-17 | ストライプ形センサ素子用の非晶質合金 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5037494A (ja) |
| EP (1) | EP0291726B1 (ja) |
| JP (1) | JP3065085B2 (ja) |
| DE (2) | DE3717043A1 (ja) |
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