JPS63301589A - Manufacture of conductive circuit board - Google Patents

Manufacture of conductive circuit board

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JPS63301589A
JPS63301589A JP13614387A JP13614387A JPS63301589A JP S63301589 A JPS63301589 A JP S63301589A JP 13614387 A JP13614387 A JP 13614387A JP 13614387 A JP13614387 A JP 13614387A JP S63301589 A JPS63301589 A JP S63301589A
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JP
Japan
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polymer
conductive circuit
thin plate
working electrode
plate
Prior art date
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Pending
Application number
JP13614387A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kazuhiro Tachibana
一洋 橘
Hiroshi Suyama
寛志 陶山
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Nissha Printing Co Ltd
Original Assignee
Nissha Printing Co Ltd
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Publication date
Application filed by Nissha Printing Co Ltd filed Critical Nissha Printing Co Ltd
Priority to JP13614387A priority Critical patent/JPS63301589A/en
Publication of JPS63301589A publication Critical patent/JPS63301589A/en
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/18Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
    • H05K3/188Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by direct electroplating

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
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  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)

Abstract

PURPOSE:To facilitate manufacturing a highly accurate conductive circuit board with a high productivity by a method wherein a polymer layer of a circuit pattern shape is formed in a polymer thin plate up to the middle of its thickness and a plated film is formed with the polymer layer as a core of plating. CONSTITUTION:A polymer thin plate with a thickness of 10-100mum is brought into contact with an active electrode which has a conducting part forming a conductive circuit pattern. Electrolyte containing aromatic compound monomer with heteroatoms is provided between the active electrode and a facing electrode and, by applying a current, a polymer layer with a thickness of 0.1-5mum is formed in the polymer thin plate brought into contact with the active electrode from the contact surface with the conducting part toward the inside of the plate. Then, after the polymer thin plate is peeled off from the active electrode, a plated film is built up on the part of the polymer thin plate where the polymer layer is formed. With this constitution, the conductive circuit pattern can be formed on the polymer thin plate without degrading the accuracy of the circuit pattern formed on the active electrode and, moreover, an excellent productivity can be obtained.

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 この発明は、プリント基板(特にフレキシブルプリント
基板(FPC))、フィルムコネクタ、配線板あるいは
シートスイッチ用などに用いることのできる、高分子薄
板上に高精度な導電性回路を形成する導電性回路基板の
製造方法に関するものである。
[Detailed Description of the Invention] <Industrial Application Field> The present invention is directed to a thin polymer plate that can be used for printed circuit boards (particularly flexible printed circuit boards (FPC)), film connectors, wiring boards, sheet switches, etc. The present invention relates to a method of manufacturing a conductive circuit board on which a highly accurate conductive circuit is formed.

〈従来の技術〉 従来、導電性回路基板の製造方法としては、一般には次
のような方法があった。すなわち、プラスチックフィル
ムなどの高分子薄板上に金属薄膜層を設け、この金属薄
膜層上に導電性回路形状のレジスト層を設け、次いでエ
ツチングを行うことにより金属薄膜層をパターン化し、
最後に前記レジスト層を剥離して導電性回路基板を得る
方法である。以上の方法においてパターン化されたレジ
スト層を設ける方法としてはフォトプロセス法と印刷法
がある。
<Prior Art> Conventionally, the following methods have generally been used to manufacture conductive circuit boards. That is, a metal thin film layer is provided on a polymer thin plate such as a plastic film, a conductive circuit-shaped resist layer is provided on the metal thin film layer, and then the metal thin film layer is patterned by etching.
Finally, the resist layer is peeled off to obtain a conductive circuit board. In the above method, methods for providing a patterned resist layer include a photo process method and a printing method.

フォトプロセス法は、フォトレジスト材料を金属薄膜層
上全面に塗布した後、光照射によりパターン化を行う方
法である。
The photoprocess method is a method in which a photoresist material is applied over the entire surface of a metal thin film layer and then patterned by light irradiation.

また、印刷法は、レジスト材料を金属薄膜層上へパター
ン化して形成する方法である。
Moreover, the printing method is a method of patterning and forming a resist material on a metal thin film layer.

このうち、フォトプロセス法は光を用いるため解像度が
高く、高精度な導電性回路基板の製造に適しているが、
その製造工程の性質上、連続生産に不適当でかつ生産コ
ストも高く、量産性に乏しいという欠点があった。
Among these methods, the photoprocess method uses light and has high resolution, making it suitable for manufacturing high-precision conductive circuit boards.
Due to the nature of its manufacturing process, it is unsuitable for continuous production, has high production costs, and has the drawbacks of poor mass productivity.

また、印刷法は、量産性に優れるものの、パターン精度
においては限界があり、通常最小線幅が100μm程度
までのものしか製造できなかった。
Further, although the printing method is excellent in mass production, there is a limit in pattern accuracy, and it is usually possible to manufacture only a pattern with a minimum line width of about 100 μm.

このような欠点を解決する導電性回路基板の製造方法と
して、電解重合を利用する方法がある(特開昭62−2
3195号参照)、この方法は、導電性回路のパターン
を呈する導電部を有する作用電極と高分子薄板とを接触
させ、これに対向電極を設置し、作用電極と対向電極と
の間に電解液を充満し、作用電極と対向電極との間に通
電することによって高分子薄板の導電部と接触している
部分に重合体を生成させ、次いで必要に応じて前記重合
体によって形成された導電性回路を補強するために、前
記重合体が生成した部分にメッキを施すことにより高分
子薄板上に導電性回路を形成するものであった。
As a manufacturing method for conductive circuit boards that solves these drawbacks, there is a method using electrolytic polymerization (Japanese Patent Laid-Open No. 62-2
In this method, a working electrode having a conductive part exhibiting a pattern of a conductive circuit is brought into contact with a thin polymer plate, a counter electrode is placed on this, and an electrolytic solution is placed between the working electrode and the counter electrode. The polymer is formed in the part of the thin polymer plate that is in contact with the conductive part by filling the polymer with a molten metal and passing an electric current between the working electrode and the counter electrode, and then, if necessary, the conductive material formed by the polymer is In order to reinforce the circuit, a conductive circuit was formed on the polymer thin plate by plating the portion where the polymer was produced.

〈発明が解決しようとする問題点〉 しかし、前記の電解重合を利用して導電性回路基板を製
造する方法においてはなお次のような問題点があった。
<Problems to be Solved by the Invention> However, the method of manufacturing a conductive circuit board using electrolytic polymerization described above still has the following problems.

電解重合による重合体の形成は、高分子薄板面の作用電
極の導電部に接触した部分から起こり、時間の経過と共
に高分子薄板内部に向かって進行していく。しかし、高
分子薄板内にはへテロ原子を有する芳香族化合物モノマ
ーが分散しているので、電解重合の進行は作用電極と垂
直方向のみならず接触面と平行方向にも起こる傾向があ
る。したがって、高分子薄板内に重合体によって導電性
回路を形成しようとすると、生成した重合体が十分な導
電性を得るまで通電しなければならないため、作用電極
の導電部に接触する以外の部分にも重合体が形成されて
しまう。すなわち、求める導電性回路が高精度な場合、
たとえば最小線幅が1〜100μm程度の細線パターン
などを有する導電性回路の場合には重合体による導電性
回路の精度の保証が十分に得られないという欠点があっ
た。
Formation of a polymer by electrolytic polymerization occurs from the portion of the surface of the polymer thin plate that comes into contact with the conductive portion of the working electrode, and progresses toward the interior of the polymer thin plate over time. However, since aromatic compound monomers having heteroatoms are dispersed within the thin polymer plate, electrolytic polymerization tends to proceed not only perpendicularly to the working electrode but also parallel to the contact surface. Therefore, when attempting to form a conductive circuit using a polymer in a thin polymer plate, electricity must be applied until the formed polymer becomes sufficiently conductive, which means that parts other than those in contact with the conductive part of the working electrode must be energized. Polymers are also formed. In other words, if the desired conductive circuit is highly accurate,
For example, in the case of a conductive circuit having a thin line pattern with a minimum line width of about 1 to 100 μm, there is a drawback that the accuracy of the conductive circuit cannot be sufficiently guaranteed by the polymer.

したがって、この発明の目的は、上記のような問題を解
決することにあって、高精度な導電性回路基板を製造す
る方法を提供することにある。
Therefore, an object of the present invention is to provide a method for manufacturing a highly accurate conductive circuit board in order to solve the above problems.

〈問題点を解決するための手段〉 上記の目的を達成するために、この発明は、電解重合を
利用し、回路のパターンを呈する重合体を高分子薄板上
に形成するに際し、重合体をメッキ核として機能するの
に必要な厚みだけ形成し、次いでこの重合体をメッキ核
としてメッキ被膜を成長させることにより導電性回路を
形成させるようにしな。すなわち、この発明は、導電性
回路のパターンを呈する導電部を有する作用電極と、厚
さ10〜100μmの高分子薄板とを接触させる工程、
前記作用電極と対向電極との間にヘテロ原子を有する芳
香族化合物モノマーを含む電解液を介在させ、通電させ
ることにより、作用電極と接触している高分子薄板に、
前記導電部との接触面から内部に向かって厚さ0.1μ
m〜5μmの重合体を形成する工程、高分子薄板を作用
電極から剥離する工程、前記高分子薄板の重合体が形成
された部分にメッキ被膜を成長させる工程を順に行うよ
うに構成したものである。
<Means for Solving the Problems> In order to achieve the above object, the present invention utilizes electrolytic polymerization to form a polymer exhibiting a circuit pattern on a thin polymer plate by plating the polymer. A conductive circuit is formed by forming the polymer to a thickness necessary to function as a core, and then growing a plating film using this polymer as a plating core. That is, the present invention includes a step of contacting a working electrode having a conductive portion exhibiting a pattern of a conductive circuit with a thin polymer plate having a thickness of 10 to 100 μm;
An electrolytic solution containing an aromatic compound monomer having a heteroatom is interposed between the working electrode and the counter electrode, and electricity is applied to the thin polymer plate in contact with the working electrode.
A thickness of 0.1μ from the contact surface with the conductive part toward the inside.
The method is structured so that the steps of forming a polymer of m to 5 μm, peeling off the polymer thin plate from the working electrode, and growing a plating film on the portion of the polymer thin plate where the polymer is formed are performed in order. be.

この発明についてさらに詳しく説明する。This invention will be explained in more detail.

作用電極としては、導電部と非導電部とからなるものを
用い、この導電部は所望の導電性回路のパターンを呈す
るものである。
The working electrode consists of a conductive part and a non-conductive part, and the conductive part exhibits a desired conductive circuit pattern.

作用電極の製造方法としてはフォトプロセス法などの一
般的な微細パターン加工技術を用いればよい。
As a method for manufacturing the working electrode, a general fine pattern processing technique such as a photo process method may be used.

以下にフォトプロセス法を説明する。まず、作用電極基
板上に全面に導電層を形成する。導電層の材質としては
、金・銀・銅・チタニウム・アルミニウム・ニッケル・
コバルト・スズなどの単一金属またはこれらの金属の各
種合金を用いるか、スズ・酸化インジウム・酸化スズな
どの金属酸化物との複合層を用いる。導電層の形成手段
としては、真空蒸着法・スパッタリング法・化学メッキ
法・印刷法・積層法などがある。
The photoprocessing method will be explained below. First, a conductive layer is formed all over the working electrode substrate. Materials for the conductive layer include gold, silver, copper, titanium, aluminum, nickel,
Single metals such as cobalt and tin or various alloys of these metals are used, or composite layers with metal oxides such as tin, indium oxide, and tin oxide are used. Examples of methods for forming the conductive layer include vacuum evaporation, sputtering, chemical plating, printing, and lamination.

次に、導電層の上にフォトレジスト層を形成する。フォ
トレジスト材料としては、光硬化性または光分解性の感
光性ポリマーもしくはこれを含む組成物がある。
Next, a photoresist layer is formed on the conductive layer. Photoresist materials include photocurable or photodegradable photosensitive polymers or compositions containing the same.

次に、フォトファブリケーション法にてフォトレジスト
層に所望の導電性回路のパターンを形成する。すなわち
、所定の形状を呈するフォトマスクを介して、フォトレ
ジスト層を露光し、フォトレジスト材料を選択的に光硬
化または光分解させる。
Next, a desired conductive circuit pattern is formed on the photoresist layer using a photofabrication method. That is, the photoresist layer is exposed to light through a photomask having a predetermined shape, and the photoresist material is selectively photocured or photodecomposed.

次いで、未露光部分あるいは露光部分のフォトレジスト
材料を溶解除去または洗浄除去することにより、所定の
形状を呈する、すなわち導電性回路を呈するフォトレジ
スト層を形成する。
Next, the unexposed or exposed portions of the photoresist material are dissolved or washed away to form a photoresist layer having a predetermined shape, that is, a conductive circuit.

その後、形成されたフォトレジスト層を介してエツチン
グ処理を行い、導電層を導電性回路のパターン状に形成
する。
Thereafter, an etching process is performed through the formed photoresist layer to form a conductive layer in the form of a conductive circuit pattern.

そして不要なフォトレジスト層を溶解除去または洗浄除
去することによって導電性回路のパターンを呈する導電
部を電極として有する作用電極を形成させる。
Then, by dissolving or washing away unnecessary photoresist layers, a working electrode having a conductive portion exhibiting a pattern of a conductive circuit as an electrode is formed.

なお、前記作用電極は、フォトプロセス法以外の手段を
用いて製造してよいことはいう丈でもない。また、この
発明の場合、従来技術であるフォトプロセス法による導
電性回路基板の製造方法とは異なり、一度高精度な導電
性回路のパターンを導電部として有する作用電極として
製造しておけば、後はこれを繰り返し利用できるもので
ある9次に、作用電極と高分子1板とを接触させる工程
を説明する。厚さ10〜100μmの高分子薄板は、次
の群より選ばれた少なくとも一つの高分子を基体とする
膜・フィルム・シートもしくは板のいずれかである。
Note that it is needless to say that the working electrode may be manufactured using means other than photoprocessing. In addition, in the case of the present invention, unlike the method of manufacturing a conductive circuit board using the conventional photo process method, once a working electrode having a highly accurate conductive circuit pattern as a conductive part is manufactured, it is possible to This can be used repeatedly.9 Next, the step of bringing the working electrode into contact with the polymer plate will be explained. The polymer thin plate having a thickness of 10 to 100 μm is either a membrane, a film, a sheet, or a plate having at least one polymer selected from the following group as a base.

ポリビニルアルコール・ポリビニルアセクール・ポリビ
ニルアルコールエステル・ポリビニルアルコールエーテ
ル・ビニルアルコール構造部分を有する共重合体・ポリ
ビニルピロリドン・ビニルピロリドン共重合体・ポリビ
ニルピリジン・ビニルピリジン共重合体・セルロースエ
ステル・セルロースエーテル・デン粉エステル・タンパ
ク質凝固体、ポリアミド・キチン質凝固体・炭水化物凝
固体(カラギーナン・アルギン酸・グルコマンナン・ガ
ラクトマンナン・ペクチン・セルロース。
Polyvinyl alcohol, polyvinyl acecool, polyvinyl alcohol ester, polyvinyl alcohol ether, copolymer with vinyl alcohol structure, polyvinylpyrrolidone, vinylpyrrolidone copolymer, polyvinylpyridine, vinylpyridine copolymer, cellulose ester, cellulose ether, den Powdered ester/protein coagulate, polyamide/chitin coagulate/carbohydrate coagulate (carrageenan, alginic acid, glucomannan, galactomannan, pectin, cellulose.

デン粉の化学加工物)・ポリアクリル酸系共重合物・ポ
リメタアクリル酸系共重合物・ポリアクリルアミド系共
重合物・メラミン樹脂・ウレタン樹脂・尿素樹脂・フェ
ノール樹脂。
Chemically processed products of starch), polyacrylic acid copolymers, polymethacrylic acid copolymers, polyacrylamide copolymers, melamine resins, urethane resins, urea resins, and phenolic resins.

この高分子薄板をもっとも容易に作用電極に接触させる
方法としては、以上に述べた高分子を含む溶液またはイ
ンキ・塗料を印刷法・スプレー法・塗布法などによって
作用電極面に均一に付着させたのち、溶剤を蒸発させて
高分子薄板を形成する方法がある。この際、気泡が含ま
れたり溶剤の蒸発によって気泡が発生してはならない。
The easiest way to bring this thin polymer plate into contact with the working electrode is to apply a solution containing the above-mentioned polymer or ink/paint uniformly to the working electrode surface by printing, spraying, coating, etc. Later, there is a method in which the solvent is evaporated to form a polymer thin plate. At this time, air bubbles should not be included or bubbles should not be generated due to evaporation of the solvent.

また、あらかじめ作られた高分子薄板を作用電極へ密着
させる方法もある。高分子薄板を作用電極に熱圧着など
で密着させればよい。また、高分子薄板が長尺の場合は
、両端よりロールなどで引っ張り、張力を加えて作用電
極と接触させてもよい。作用電極と高分子薄板との密着
面における空気やガス・塵埃などの混入は導電性回路基
板の品質低下に関係してくるのでこれらが著しく残留し
たり、誤入したりしないように注意し、かつ高分子薄板
に均一な力をかけて密着するようにしなければならない
。なお、必要ならば以上の工程は、減圧室内においてご
く少量の溶剤や接着剤を用いて室温下もしくは加熱下で
行うとよい。
Another method is to attach a pre-fabricated thin polymer plate to the working electrode. The thin polymer plate may be closely attached to the working electrode by thermocompression bonding or the like. If the thin polymer plate is long, it may be pulled from both ends with rolls or the like to apply tension and bring into contact with the working electrode. Air, gas, dust, etc. entering into the contact surface between the working electrode and the polymer thin plate will be related to the deterioration of the quality of the conductive circuit board, so be careful not to leave a significant amount of these substances or to prevent them from being inserted incorrectly. In addition, a uniform force must be applied to the thin polymer plate to ensure close contact. Note that, if necessary, the above steps may be performed in a reduced pressure chamber using a very small amount of solvent or adhesive at room temperature or under heating.

特に、高分子薄板として長尺のフィルムを使用した場合
は、導電性回路基板の生産を連続的に行うことが容易で
あり、量産性に富むものである。
In particular, when a long film is used as the polymer thin plate, it is easy to continuously produce conductive circuit boards, and it is highly suitable for mass production.

次に、ヘテロ原子を有する芳香族化合物モノマーを含む
電解液内で、作用電極と対向電極との間に通電すること
により、高分子薄板に重合体を形成させる工程に移る6 まず、対向電極を設置する。対向電極は、前記作用電極
と向い合わせに設置し、両電極間に前記高分子薄板が位
置するように構成するのが好ましい。しかし、必ずしも
両電極間に高分子薄板が位置するように構成する必要は
なく、高分子薄板を接触させた作用電極の背面に対向電
極を設置してもよい。対向電極の材料としては、金属・
金属化合物・炭素のいずれでもよいが、白金あるいは金
・パラジウム・ホワイトゴールド・ニッケル・チタニウ
ム・モリブデン・ステンレススチール・グラファイト・
炭素繊維などが優れており、特に便利なものは白金ある
いはニッケル・チタニウム・グラファイトを素材として
作られた電極である。
Next, in an electrolytic solution containing an aromatic compound monomer having a heteroatom, a current is passed between the working electrode and the counter electrode to form a polymer on the polymer thin plate6. Install. It is preferable that the counter electrode be disposed to face the working electrode, and the thin polymer plate be positioned between the two electrodes. However, it is not always necessary to configure the thin polymer plate to be located between both electrodes, and a counter electrode may be placed on the back side of the working electrode with which the thin polymer plate is in contact. The material for the counter electrode is metal,
Any metal compound or carbon may be used, but platinum, gold, palladium, white gold, nickel, titanium, molybdenum, stainless steel, graphite,
Materials such as carbon fiber are excellent, and electrodes made of platinum, nickel, titanium, or graphite are particularly convenient.

重合体を美しく形成させるには作用電極面積/対向電極
面積が110.5〜1060、特に好ましくは1/1〜
3の範囲になるようどちらかといえば対向電極の面積を
大きくするのがよい。また、対向電極の形状は、作用電
極が平面である場合には対向電極は平面とし、曲面であ
れば対向電極はこれに平行する曲面とし、半円筒形であ
れば対向電極は半円筒形または円筒形もしくは線状とし
、球面であれば対向電極は球面を利用するようにするの
が好ましい。
In order to form a polymer beautifully, the working electrode area/counter electrode area should be 110.5 to 1060, particularly preferably 1/1 to 1/1.
If anything, it is better to increase the area of the counter electrode so that it falls within the range of 3. In addition, the shape of the counter electrode is, if the working electrode is a flat surface, the counter electrode is a flat surface, if it is a curved surface, the counter electrode is a curved surface parallel to this, and if the working electrode is a semi-cylindrical shape, the counter electrode is a semi-cylindrical or It is preferable that the electrode is cylindrical or linear, and if it is spherical, the counter electrode uses the spherical surface.

対向電極と高分子薄板に接触させた作用電極とは適当な
電解槽中に設置し、電解液中に浸漬するとよい。
The counter electrode and the working electrode in contact with the polymer thin plate are preferably placed in a suitable electrolytic bath and immersed in an electrolytic solution.

電解液としては、ヘテロ原子を有する芳香族化合物モノ
マーおよび支持電解質・溶媒さらにもし必要なら各種添
加剤を含む液状または糊状の混合液を用いる。
As the electrolytic solution, a liquid or paste-like mixed solution containing an aromatic compound monomer having a hetero atom, a supporting electrolyte/solvent, and, if necessary, various additives, is used.

ヘテロ原子を有する芳香族化合物としては、次の群より
選ばれた少なくとも一つの化合物を用いるとよい。
As the aromatic compound having a heteroatom, at least one compound selected from the following group may be used.

アニリン・ナフチルアミン・アミノアントラセン・ビロ
ール・ピラゾール・イミダゾール・トリアゾール・ピリ
ジン・ジアジン・トリアジン・オキサジン・ベンゾピロ
ール・ベンズチアゾール・ベンズピラゾール・ベンズイ
ミダゾール・オキサジアゾール・チアジアゾール・アミ
ノアゾベンゼン・カルバゾール・キノリン・ベンズオキ
サゾール、あるいは前記化合物の誘導体。
Aniline, naphthylamine, aminoanthracene, virole, pyrazole, imidazole, triazole, pyridine, diazine, triazine, oxazine, benzopyrrole, benzthiazole, benzpyrazole, benzimidazole, oxadiazole, thiadiazole, aminoazobenzene, carbazole, quinoline, benzoxazole , or a derivative of said compound.

電解液に含まれる支持電解質は、次の(1)群から選ば
れた少なくとも一つのアニオンと、(2)群から選ばれ
た少なくとも一つのカチオンとを結合させた塩である。
The supporting electrolyte contained in the electrolytic solution is a salt in which at least one anion selected from the following group (1) and at least one cation selected from the following group (2) are combined.

(1)ハロゲンイオン・硫酸イオン・硝酸イオン・過ハ
ロゲン化水素酸イオン・ホウフッ化水素酸イオン・ヘキ
サフルオロリン酸イオン・ヘキサフルオロアセトン・ヘ
キサフルオロアンチモン酸イオン・酢酸イオン・トリフ
ルオロ酢酸イオン・パーフルオロ脂肪酸イオン・トリフ
ルオロメタンスルホン酸イオン・芳香族スルホン酸イオ
ン・フルオロスルホン酸イオン。
(1) Halogen ion, sulfate ion, nitrate ion, perhydrohalide ion, hydrofluoroborate ion, hexafluorophosphate ion, hexafluoroacetone, hexafluoroantimonate ion, acetate ion, trifluoroacetate ion, par Fluoro fatty acid ion, trifluoromethanesulfonate ion, aromatic sulfonate ion, fluorosulfonate ion.

(2)水素イオン・リチウムイオン・ナトリウムイオン
・アンモニウムイオン・第四級アンモニウムイオン・銀
イオン・第四級ホスホニウムイオン・スルホニウムイオ
ン。
(2) Hydrogen ion, lithium ion, sodium ion, ammonium ion, quaternary ammonium ion, silver ion, quaternary phosphonium ion, sulfonium ion.

溶媒はへテロ原子を含む芳香族化合物と支持電解質を共
に溶解することはもちろん必要であるが、これらを高分
子薄板中に浸透させて作用電極側にまで運ぶ役割をも有
する。したがって、溶媒は高分子薄板の種類によって自
ずと制限されることになる。
The solvent is of course necessary to dissolve both the aromatic compound containing a heteroatom and the supporting electrolyte, but it also has the role of permeating these into the polymer thin plate and transporting them to the working electrode side. Therefore, the solvent is naturally limited depending on the type of polymer thin plate.

溶媒の例としては、次に示す単独または2種以上の混合
物がある。
Examples of the solvent include the following alone or a mixture of two or more.

水・メタノール・エタノール・二塩化メチレン・エチレ
ンクロルヒドリン・クロラール・ニトロメタン・ニトロ
エタン・ニトロプロパン・トリフルオロエタノール・ペ
ンゾトリフルオリド・ヘキサフルオロアセトン・ペンタ
フルオロアセトン・O−ジクロルベンゼン・プロパツー
ル・インプロパツール・ブタノール・イソブタノール・
第二級ブタノール・第三級ブタノール・フェノール・ク
レゾール・エチレングリコール・プロピレングリコール
・ブチレングリコール・ヘキシレングリコール・グリセ
リン・テトラヒドロフラン・ブチロラクトン・メチルジ
オキソラン・アセトニトリル・プロピオニトリル・ベン
ゾニトリル・ジメチルホルムアルデヒド・ジメチルアセ
タミド・ジエチルホルムアミド・テトラメチル尿素・N
−メチルピロリドン・ジメチルスルホキシド・テトラメ
チレンスルホキシド・テトラメチレンスルホン・アセト
ン・メチルエチルケトン・アセチルアセトン・プロピレ
ンカーボネート・ブチレンカーボネート・グリコールモ
ノメチルエーテル・グリコールジメチルエーテル・硫酸
ジメチル。
Water, methanol, ethanol, methylene dichloride, ethylene chlorohydrin, chloral, nitromethane, nitroethane, nitropropane, trifluoroethanol, penzotrifluoride, hexafluoroacetone, pentafluoroacetone, O-dichlorobenzene, propatool, Improper tool, butanol, isobutanol,
Secondary butanol, tertiary butanol, phenol, cresol, ethylene glycol, propylene glycol, butylene glycol, hexylene glycol, glycerin, tetrahydrofuran, butyrolactone, methyldioxolane, acetonitrile, propionitrile, benzonitrile, dimethyl formaldehyde, dimethyl acetate Cetamide/diethylformamide/tetramethylurea/N
-Methylpyrrolidone, dimethyl sulfoxide, tetramethylene sulfoxide, tetramethylene sulfone, acetone, methyl ethyl ketone, acetylacetone, propylene carbonate, butylene carbonate, glycol monomethyl ether, glycol dimethyl ether, dimethyl sulfate.

このようにすることによって、電解液中のへテロ原子を
有する芳香族化合物モノマーが、高分子薄板の内部に取
り込まれる。
By doing so, the aromatic compound monomer having a heteroatom in the electrolyte is incorporated into the polymer thin plate.

なお、電解液の粘度は小さい方が使用しやすいが、使用
条件によっては糊状として用いてもよく、このような場
合には適当な温度まで冷却するか電解反応、つまり重合
反応に関係しないようなフィラー、たとえば不活性中性
塩とか不溶性化合物、たとえばエアロジルシリカ・エア
ロジルアルミナ・カーボンブラックなどを電解液に適量
混和してペースト状にしておくのがよい。
Note that the lower the viscosity of the electrolyte, the easier it is to use, but depending on the conditions of use it may be used in the form of a paste. It is preferable to mix an appropriate amount of a filler such as an inert neutral salt or an insoluble compound such as aerosil silica, aerosil alumina, carbon black, etc. with the electrolytic solution to form a paste.

次いで、作用電極と対向電極間に通電することによって
ヘテロ原子を有する芳香族化合物モノマーは電解酸化重
合され、高分子薄板中に重合体を形成する。この通電は
、前記高分子薄板に電解液を接触させた後、直ちに行っ
てもよく、前記高分子薄板内に前記へテロ原子を有する
芳香族化合物モノマーが充分に取り込まれた後に行って
もよい。
Next, by passing current between the working electrode and the counter electrode, the aromatic compound monomer having heteroatoms is electrolytically oxidized and polymerized to form a polymer in the polymer thin plate. This energization may be carried out immediately after the electrolytic solution is brought into contact with the thin polymer plate, or may be carried out after the aromatic compound monomer having the heteroatom is sufficiently incorporated into the thin polymer plate. .

この際、特に高精度のパターンを得るためには、重合体
の層厚が重要である。すなわち、高分子薄板に重合体か
らなる導電性回路が形成される過程において重合体の形
成は、作用電極の導電部に接触した部分の高分子薄板面
から起こり、時間の経過と共に高分子薄板内部に向かっ
て進行していく。
At this time, the layer thickness of the polymer is important, especially in order to obtain a highly accurate pattern. In other words, in the process of forming a conductive circuit made of a polymer on a thin polymer plate, the formation of polymer occurs from the surface of the thin polymer plate in the part that is in contact with the conductive part of the working electrode, and as time passes, the polymer forms inside the thin polymer plate. progress towards.

しかし、高分子薄板中にはへテロ原子を有する芳香族化
合物モノマーが分散しているので、重合の進行は作用電
極の導電部と高分子薄板との接触面と垂直方向のみなら
ず接触面と平行方向にも起こってしまう。そのため重合
体の厚さが5μmより厚くなると、作用電極の導電部に
接触する以外の部分にも重合体が形成されてしまい、結
果的には精度が悪くなってしまうからである。他方、重
合体の層厚が0.1μmより薄ければ、その後のメッキ
工程にて十分なメッキ被膜を成長させることができない
、しかし、重合体の層厚がおよそ0.1μmから5μm
であれば、前記の問題点を解消できるのである。
However, since aromatic compound monomers having heteroatoms are dispersed in the polymer thin plate, polymerization progresses not only perpendicularly to the contact surface between the conductive part of the working electrode and the polymer thin plate, but also along the contact surface. This can also occur in parallel directions. Therefore, if the thickness of the polymer becomes thicker than 5 μm, the polymer will be formed in areas other than those in contact with the conductive portion of the working electrode, resulting in poor accuracy. On the other hand, if the polymer layer thickness is less than 0.1 μm, a sufficient plating film cannot be grown in the subsequent plating process. However, if the polymer layer thickness is approximately 0.1 μm to 5 μm
If so, the above problem can be solved.

なお、ヘテロ原子を有する芳香族化合物モノマーは、電
解酸化重合により形成されると、通常かなりの導電性を
持つものが多いが、この発明の場合はメッキ形成能のみ
が必要であり、通電性を持つ必要はない。
Incidentally, when aromatic compound monomers having heteroatoms are formed by electrolytic oxidative polymerization, they usually have considerable electrical conductivity, but in the case of this invention, only the ability to form plating is required; There's no need to have it.

この層厚を前記の範囲内に実現するための一つの方法と
しては、通電する時間を制御することがある。すなわち
、通電時間を0.1〜300秒、特に好ましくは0.1
〜60秒にすれば、上記の厚さの比率を満足することが
できる。もちろん、ヘテロ原子を有する芳香族化合物モ
ノマーを電解重合させるためには電圧と電流で調節する
必要があり、直流電圧の場合は0.1〜10v、特に好
ましくは1〜3v、電流密度は0.1〜50mA/cm
2、特に好ましくは1〜20mA/ cm2である。ま
た、交流電圧の場合は1〜15V、電流密度は0.1〜
IAである。
One method for achieving this layer thickness within the above range is to control the time during which the current is applied. That is, the current application time is 0.1 to 300 seconds, particularly preferably 0.1 seconds.
If the time is set to 60 seconds, the above thickness ratio can be satisfied. Of course, in order to electrolytically polymerize an aromatic compound monomer having a heteroatom, it is necessary to adjust the voltage and current, and in the case of DC voltage, it is 0.1 to 10V, particularly preferably 1 to 3V, and the current density is 0. 1~50mA/cm
2, particularly preferably 1 to 20 mA/cm2. In addition, in the case of AC voltage, it is 1 to 15V, and the current density is 0.1 to 15V.
It is IA.

なお、前記した重合体の形成工程は必ずしも電解槽中で
行うことはなく、電解槽外で行うことも可能である。つ
まり、対向電極と高分子薄板に接触させた作用電極とを
電解槽外に設置した場合には、両電極の間隙に液状また
は糊状の電解液を完全に挿入充満して、その間隙側面か
ら外へ電解液が漏れないようバッキングなどを用いて該
側面を密封するように構成すればよい。
Note that the step of forming the polymer described above is not necessarily performed in an electrolytic cell, but can also be performed outside the electrolytic cell. In other words, when the counter electrode and the working electrode in contact with the polymer thin plate are installed outside the electrolytic cell, the gap between the two electrodes is completely filled with liquid or paste electrolyte, and the gap is filled from the side of the gap. The side surface may be sealed using a backing or the like to prevent the electrolyte from leaking outside.

次に、高分子薄板を作用電極から剥離する。まず、高分
子薄板から電解液を除去し、必要ならば付着している電
解液を水または有機溶剤で洗浄したのち、高分子薄板を
破らないように剥離する。
Next, the polymer thin plate is peeled off from the working electrode. First, the electrolytic solution is removed from the polymer thin plate, and if necessary, the adhering electrolyte is washed with water or an organic solvent, and then the polymer thin plate is peeled off without tearing.

このような剥離操作の終った高分子薄板を必要があれば
水または有機溶剤に浸漬して洗浄して不要物を除去した
のち乾燥する。
After such a peeling operation, the thin polymer plate is washed by immersing it in water or an organic solvent, if necessary, to remove unnecessary substances, and then dried.

次に、前記高分子薄板の重合体が形成された部分にメッ
キ被膜を成長させる。
Next, a plating film is grown on the portion of the thin polymer plate where the polymer is formed.

メッキの方法には無電解メッキ・気相メッキなど、通常
のメッキ手段を用いることができる。メッキの条件は重
合体の製造方法・高分子薄板の種類などに応じてそれぞ
れ最適のものを選べばよい。
Conventional plating methods such as electroless plating and vapor phase plating can be used for plating. The optimum plating conditions can be selected depending on the polymer manufacturing method, the type of polymer thin plate, etc.

−例として無電解メッキについて説明する。無電解メッ
キによりメッキ被膜を形成する金属としては、ニッケル
・コバルト・銅・銀・鉄・タングステン・マンガン・パ
ラジウム・バナジウム・スズ・亜鉛などの金属が用いら
れ、単体または2種以上の組合せで使用される。メッキ
液としては、銅メッキには硫酸鋼浴(たとえばCuSO
4・514207g/l −EDTA−4Na 13g
/l −HC)103.9g/l −NaOH4g/l
−ポリエチレングリ−y−ル(M、W、3,000〜3
,700) 0.1%)などがある。ニッケルメッキに
は次亜リン酸塩を還元剤に用いる浴(たとえばNi2S
O4・7H2053g/l・クエン酸アンモニウム97
g/I −NaH2PO2106g/l −pH10)
、水酸化ホウ素化合物を還元剤に用いる浴(たとえばN
i2SO4・7H2030g/I・マロン酸ナトリウム
34g/I−ジメチルアミンボラン0.06mol/1
−pH5,1〜6.0) 、ヒドラジンを還元剤に用い
る浴(たとえばNiCh5g/l・酒石酸ナトリウム4
.6g/l−NzH4・HCl103g/ I・p)1
10 )がある。
- Explain electroless plating as an example. The metals used to form the plating film through electroless plating include nickel, cobalt, copper, silver, iron, tungsten, manganese, palladium, vanadium, tin, and zinc, which can be used singly or in combination of two or more. be done. As a plating solution, a sulfuric acid steel bath (for example, CuSO
4.514207g/l -EDTA-4Na 13g
/l -HC)103.9g/l -NaOH4g/l
-Polyethylene glycol (M, W, 3,000-3
, 700) 0.1%). For nickel plating, a bath using hypophosphite as a reducing agent (e.g. Ni2S) is used.
O4・7H2053g/l・Ammonium citrate 97
g/I -NaH2PO2106g/l -pH10)
, a bath using a boron hydroxide compound as a reducing agent (e.g. N
i2SO4・7H2030g/I・sodium malonate 34g/I-dimethylamineborane 0.06mol/1
- pH 5,1 to 6.0), a bath using hydrazine as a reducing agent (e.g. NiCh 5 g/l, sodium tartrate 4
.. 6g/l-NzH4・HCl103g/I・p)1
10).

以上のようにして調製されたこの発明の導電性回路基板
は必要に応じて、樹脂液による表面コーティング加工も
しくは樹脂フィルムによるラミネート加工を施してもよ
い。
The conductive circuit board of the present invention prepared as described above may be surface coated with a resin liquid or laminated with a resin film, if necessary.

〈実施例〉 以下にこの発明の導電性回路基板の製造方法の実施例を
詳細に説明する。
<Example> Examples of the method for manufacturing a conductive circuit board of the present invention will be described in detail below.

犬上JLL ガラス基板上に銅を0.1μmの厚さまで蒸着したのち
、フォトレジストを塗布し、フォトマスクを介して紫外
線露光した。その後、エツチングを行い、フォトレジス
トを溶解除去し、導電性部分の線幅10μm・1ピツチ
50μmのストライプ状のパターンを有する作用電極を
得た。この作用電極上にポリエチレン(PE)−ポリビ
ニルアルコール(PVA)共重合体(PE/PVA=7
0/30)の水とn−プロピルアルコール混合溶液を塗
布し、130℃で2時間乾燥して作用電極上に厚さ30
μmの高分子薄板を形成した。
Inukami JLL After depositing copper to a thickness of 0.1 μm on a glass substrate, a photoresist was applied and exposed to ultraviolet light through a photomask. Thereafter, etching was performed to dissolve and remove the photoresist, thereby obtaining a working electrode having a striped pattern of conductive portions with a line width of 10 μm and a pitch of 50 μm. A polyethylene (PE)-polyvinyl alcohol (PVA) copolymer (PE/PVA=7
A mixed solution of 0/30) water and n-propyl alcohol was applied and dried at 130°C for 2 hours to form a 30% thick solution on the working electrode.
A micromolecular polymer thin plate was formed.

白金板を対向電極とし、作用電極と対向電極との間隔1
.0cmで平行に電解槽内に設置した。電解槽は高さ1
5c+n・直径4cmの円筒形で、電解液は0.1Mの
アニリン′と0.IMの塩酸を含む水溶液であった。
A platinum plate is used as a counter electrode, and the distance between the working electrode and the counter electrode is 1.
.. It was installed in an electrolytic cell in parallel at 0 cm. The height of the electrolytic cell is 1
It has a cylindrical shape with a diameter of 5c+n and 4cm, and the electrolytes are 0.1M aniline' and 0.1M aniline'. It was an aqueous solution containing IM hydrochloric acid.

このように電解槽中に設置された電極に電極間の電圧が
1.6vである直流電流を60秒間通電したのち、作用
電極を引き上げ5分間イオン交換した流水で水洗したの
ち高分子薄板を剥離し、さらにメタノールに2分間・イ
オン交換水で3分間浸漬して、ガラス板にていねいに貼
り付は温風乾燥した。乾燥後、ガラス板から高分子薄板
を剥離してから切断し、形成されたポリアニリンの層厚
を測定したところ、約7μmであった。また、抵抗値は
6×10−33/cmであった。
After applying a direct current with a voltage between the electrodes of 1.6 V to the electrodes installed in the electrolytic cell for 60 seconds, the working electrode was pulled up and washed with ion-exchanged running water for 5 minutes, after which the thin polymer plate was peeled off. Then, it was further immersed in methanol for 2 minutes and ion-exchanged water for 3 minutes, and then carefully attached to a glass plate and dried with warm air. After drying, the thin polymer plate was peeled off from the glass plate and cut, and the layer thickness of the formed polyaniline was measured and found to be about 7 μm. Further, the resistance value was 6×10 −33 /cm.

次いで、高分子薄板を無電解銅メッキ液に70°Cで2
分間浸漬し、線幅11.5μm・導電率0.38/cm
の銅メッキ被膜を付着させ導電性回路基板を得た。
Next, the polymer thin plate was soaked in an electroless copper plating solution at 70°C for 2 hours.
Immersed for minutes, line width 11.5 μm, conductivity 0.38/cm
A conductive circuit board was obtained by attaching a copper plating film.

メッキ液の組成は以下のものであった。The composition of the plating solution was as follows.

Cu5O,i ・5H200,03mol/ lNaO
80,10mol/ 1 )(CHOO,23mol/ I EDTA           O,04mol/ 1
2.9−シ゛メチルー1.10−フェナントロリン  
80mg/1月2竪り口LL 通電時間が60秒間のところを5分間に変えて実施例1
と同様に通電したところ、線幅30〜60μmの導電性
回路基板が得られた。
Cu5O,i ・5H200,03mol/lNaO
80,10mol/1)(CHOO,23mol/I EDTA O,04mol/1
2,9-dimethyl-1,10-phenanthroline
80mg/January 2 Vertical LL Example 1 by changing the energization time from 60 seconds to 5 minutes
When electricity was applied in the same manner as above, a conductive circuit board with a line width of 30 to 60 μm was obtained.

この場合、高分子薄板中に形成された重合体の層厚は3
0μmで、高分子薄板の裏側まで達していた。
In this case, the layer thickness of the polymer formed in the polymer thin plate is 3
It was 0 μm and reached the back side of the polymer thin plate.

止tai 通電時間が60秒間のところを300秒間に変えて実施
例1と同様通電してメッキを行ったところ、線幅約18
μmの導電性回路基板が得られた。この場合、高分子薄
板中に形成された重合体の層厚は25μmであった。以
上から重合体の層厚が20μmより大きくなるとパター
ン精度が崩れてしまうことがわかった。
When plating was carried out in the same manner as in Example 1 by changing the current application time from 60 seconds to 300 seconds, the line width was approximately 18
A μm conductive circuit board was obtained. In this case, the layer thickness of the polymer formed in the polymer sheet was 25 μm. From the above, it was found that when the layer thickness of the polymer exceeds 20 μm, pattern accuracy deteriorates.

夫1漣2 PE−PVA共重合体の代わりに厚さ20μmのポリ塩
化ビニル(分子量約63.000 )の高分子薄板を用
い、電解液には0.5Mのピロールと0.IMの過塩素
酸テトラエチルアンモニウムを含むアセトニトリル溶液
を用い、実施例1の電極と電解槽を用いて電極間の電圧
が2.0Vである直流電流を90秒間通電したところ、
ポリピロールの膜厚が約10μm・線幅約11μm・導
電率0.88/cmの導電性回路基板を得た。
Hu1 Ren2 Instead of the PE-PVA copolymer, a 20 μm thick polyvinyl chloride (molecular weight approximately 63,000) polymer thin plate was used, and the electrolyte contained 0.5 M pyrrole and 0.5 M pyrrole. Using an acetonitrile solution containing IM's tetraethylammonium perchlorate, a direct current with a voltage of 2.0 V between the electrodes was applied for 90 seconds using the electrode and electrolytic cell of Example 1.
A conductive circuit board having a polypyrrole film thickness of about 10 μm, a line width of about 11 μm, and a conductivity of 0.88/cm was obtained.

〈発明の効果〉 この発明は次のような優れた効果を有する。<Effect of the invention> This invention has the following excellent effects.

この発明は、回路パターン状に高分子薄板の厚みの途中
までに重合体を形成し、次いでこの重合体をメッキ核と
してメッキ被膜を形成構成するようにしたので、より高
精度な導電性回路基板を生産性よく製造することができ
る。すなわち、作用電極に形成された回路パターンの精
度をほぼ損なうことなく、高分子薄板に導電性の回路パ
ターンとして形成できる。また、その製造方法の特質上
、連続生産にも適しており、生産性も優れている。
In this invention, a polymer is formed halfway through the thickness of a thin polymer plate in the form of a circuit pattern, and then a plating film is formed using this polymer as a plating nucleus, so that a conductive circuit board with higher precision can be produced. can be manufactured with high productivity. That is, a conductive circuit pattern can be formed on a thin polymer plate without substantially impairing the accuracy of the circuit pattern formed on the working electrode. Furthermore, due to the characteristics of the manufacturing method, it is suitable for continuous production and has excellent productivity.

特許出願人 日本写真印刷株式会社 手  続  補  正  d (自発)7−゛ 昭和63年 5月1 日Patent applicant: Nissha Printing Co., Ltd. Hand continuation supplementary correction d (spontaneous) 7-゛ May 1, 1986

Claims (1)

【特許請求の範囲】 次の各工程を順に行うことを特徴とする導電性回路基板
の製造方法。 (a)導電性回路のパターンを呈する導電部を有する作
用電極と、厚さ10〜100μmの高分子薄板とを接触
させる工程。 (b)前記作用電極と対向電極との間にヘテロ原子を有
する芳香族化合物モノマーを含む電解液を介在させ、通
電させることにより、作用電極と接触している高分子薄
板に、前記導電部との接触面から内部に向かって厚さ0
.1μm〜5μmの重合体を形成する工程。 (c)高分子薄板を作用電極から剥離する工程。 (d)前記高分子薄板の重合体が形成された部分にメッ
キ被膜を成長させる工程。
[Claims] A method for manufacturing a conductive circuit board, characterized by performing the following steps in order. (a) A step of contacting a working electrode having a conductive portion exhibiting a pattern of a conductive circuit with a thin polymer plate having a thickness of 10 to 100 μm. (b) An electrolytic solution containing an aromatic compound monomer having a heteroatom is interposed between the working electrode and the counter electrode, and electricity is applied to the thin polymer plate in contact with the working electrode to form the conductive portion. Thickness 0 from the contact surface to the inside
.. Step of forming a polymer of 1 μm to 5 μm. (c) Peeling the polymer thin plate from the working electrode. (d) A step of growing a plating film on the portion of the polymer thin plate where the polymer is formed.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2004524149A (en) * 2001-03-02 2004-08-12 コミツサリア タ レネルジー アトミーク Method for mask-free local grafting of organics onto conductive or semiconductive parts of composite surfaces
US7019379B2 (en) 2003-01-09 2006-03-28 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor device comprising voltage regulator element

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