JPH0318755B2 - - Google Patents

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JPH0318755B2
JPH0318755B2 JP60163753A JP16375385A JPH0318755B2 JP H0318755 B2 JPH0318755 B2 JP H0318755B2 JP 60163753 A JP60163753 A JP 60163753A JP 16375385 A JP16375385 A JP 16375385A JP H0318755 B2 JPH0318755 B2 JP H0318755B2
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JP
Japan
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circuit pattern
plate
metal
base material
thin
Prior art date
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Application number
JP60163753A
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Japanese (ja)
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JPS6223195A (en
Inventor
Kazuhiro Tachibana
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Nissha Printing Co Ltd
Original Assignee
Nissha Printing Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Nissha Printing Co Ltd filed Critical Nissha Printing Co Ltd
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Publication of JPS6223195A publication Critical patent/JPS6223195A/en
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Description

【発明の詳細な説明】 <産業上の利用分野> 本発明は新規なる導電性回路基板とその製造に
関するものであつて、その目的とするところはプ
リント基板、フイルムコネクタ、配線板あるいは
シートスイツチ用などの精密な導電性回路図柄を
有する品質のすぐれた基板を生産し、産業用、工
業用、日用品等の素材として市場に提供せんとす
るものである。
[Detailed Description of the Invention] <Industrial Application Field> The present invention relates to a new conductive circuit board and its manufacture, and its purpose is for use in printed circuit boards, film connectors, wiring boards, or sheet switches. The aim is to produce high-quality substrates with precise conductive circuit patterns such as these and provide them to the market as materials for industrial use, industrial use, daily necessities, etc.

<従来の技術と発明が解決しようとする課題> 導電性回路基板は従来、印刷法、フオトレジス
トエツチング法、マスキング蒸着法、レーザーエ
ツチング法あるいは化学的溶解法等により作成さ
れているのであるが、精度、生産性、経済性ある
いは技術面等における種々の困難性がその各々に
ついて常に発現し、特に複雑な図柄とか微細な図
柄とかに至つてはいずれの公知の製造法をとつて
みても精密、美麗な品質の良い製品を定常的に製
造し難いという欠点を有しているのである。ここ
において本発明者はこの欠点を一挙に解決するた
めの新方法について永年にわたり研究を続行して
きたが今般遂に乱目すべき本発明を完成するに至
つたものである。
<Prior art and problems to be solved by the invention> Conventionally, conductive circuit boards have been produced by printing methods, photoresist etching methods, masking vapor deposition methods, laser etching methods, chemical dissolution methods, etc. Various difficulties in precision, productivity, economic efficiency, and technical aspects always appear in each of them, and when it comes to particularly complex or minute designs, no matter which known manufacturing method is used, precision, The drawback is that it is difficult to consistently produce beautiful, high-quality products. The present inventor has been conducting research for many years on a new method to solve these drawbacks all at once, and has now finally completed the surprising invention.

<課題を解決するための手段> すなわち本発明者は、金属板または金属薄膜が
形成された基体の上に所望の回路図柄部分のみを
除去したフオトレジスト層が形成された電極基材
上におけるヘテロ原子を有する芳香族化合物の電
解重合によつて形成された回路図柄が、プラスチ
ツクス薄板中に形成され、その回路図柄上のみに
電解鍍金によつて金属層が形成されてなることを
特徴とする導電性回路基板、および、金属板また
は金属薄膜が形成された基体の上に所望の回路図
柄部分のみを除去したフオトレジスト層が形成さ
れた電極基材を得る工程、電極基材のフオトレジ
スト層が形成された面にプラスチツクス薄板を密
着する工程、プラスチツクス薄板に対向する電極
を設置して、プラスチツクス薄板と電極との間に
ヘテロ原子を有する芳香族化合物、強電解質およ
び活性水素原子不含の極性有機溶剤よりなる液状
または糊状の電解液を充満する工程、電極基材と
電極との間に通電して電解しプラスチツクス薄板
中に回路図柄を形成する工程、プラスチツクス薄
板を電極基材ならびに電解液から分離する工程、
プラスチツクス薄板と鍍金液と接触させて電気鍍
金を行い回路図柄上のみに金属層を形成する工程
からなることを特徴とする導電性回路基板の製造
法を発明したものである。
<Means for Solving the Problems> In other words, the present inventors have proposed a method for forming a heterogeneous film on an electrode base material in which a photoresist layer is formed by removing only a desired circuit pattern portion on a base body on which a metal plate or a metal thin film is formed. A circuit pattern formed by electrolytic polymerization of an aromatic compound having atoms is formed in a thin plastic plate, and a metal layer is formed only on the circuit pattern by electrolytic plating. A step of obtaining an electrode base material in which a photoresist layer is formed by removing only a desired circuit pattern portion on a conductive circuit board and a base material on which a metal plate or metal thin film is formed, a photoresist layer of the electrode base material. A step in which a thin plastic plate is closely attached to the surface on which a A process of filling a liquid or pasty electrolyte made of a polar organic solvent, a process of applying electricity between the electrode base material and the electrode to electrolyze and forming a circuit pattern in a thin plastic plate, and a process of forming a circuit pattern in a thin plastic plate as an electrode. a step of separating from the base material and the electrolyte;
The present invention has invented a method for manufacturing a conductive circuit board characterized by comprising a step of bringing a thin plastic plate into contact with a plating solution and performing electroplating to form a metal layer only on the circuit pattern.

まず、金属板または金属薄膜上に導電性回路図
柄を形成するフオトレジスト層を設ける。金属板
または金属薄膜の材料としては、金、銀、銅、ア
ルミニウム、ニツケル等の単一金属又は前記金属
の合金、或いは酸化インジウム、酸化スズ等の金
属酸化物を用いる。基体上に金属薄膜を設ける場
合は、真空蒸着法、スパツタリング法、CVD法、
化学メツキ法等を適用する。金属板または金属薄
膜上に形成するフオトレジスト層は、市販の感光
性フオトポリマーを用いるとよい。フオトレジス
ト層の形成方法としては、コーテイング法、スプ
レー法、印刷法等がある。
First, a photoresist layer for forming a conductive circuit pattern is provided on a metal plate or metal thin film. As the material for the metal plate or metal thin film, a single metal such as gold, silver, copper, aluminum, or nickel, an alloy of the metals, or a metal oxide such as indium oxide or tin oxide is used. When forming a metal thin film on a substrate, vacuum evaporation method, sputtering method, CVD method,
Apply chemical plating method etc. For the photoresist layer formed on the metal plate or metal thin film, a commercially available photosensitive photopolymer may be used. Methods for forming the photoresist layer include coating methods, spraying methods, printing methods, and the like.

次に、前記フオトレジスト層にフオトフアブリ
ケーシヨン方法にて、回路図柄を形成する。即
ち、所定の回路図柄を呈するフオトマスクを介し
て前記フオトレジスト層を露光し、フオトレジス
ト層を選択的に焼付、光硬化または光分解せしめ
る。次いで、未露光部または露光部のフオトレジ
スト層を溶解除去または洗浄除去する。このよう
にして、回路図柄部分のみを除去したフオトレジ
スト層が形成され電極基材が得られる。従つて該
回路図柄部分には金属板又は金属薄膜の表面が露
呈する状態になる。
Next, a circuit pattern is formed on the photoresist layer by a photoablation method. That is, the photoresist layer is exposed to light through a photomask exhibiting a predetermined circuit pattern, and the photoresist layer is selectively baked, photocured, or photodecomposed. Next, the photoresist layer in the unexposed or exposed areas is removed by dissolving or washing away. In this way, a photoresist layer is formed from which only the circuit pattern portion is removed, and an electrode base material is obtained. Therefore, the surface of the metal plate or metal thin film is exposed in the circuit pattern portion.

次に、以上のごとき留意にもとずいて作られた
電極基材のフオトレジスト層が形成された面にプ
ラスチツクス薄板を密着する工程を述べる。まず
プラスチツクス薄板というのは、プラスチツクス
薄板がポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、塩
化ビニル系共重合体、ポリフツ化ビニル、ポリフ
ツ化ビニリデン、ポリエステル、ポリアミド、ポ
リビニルエーテル、ポリアルキレンエーテル、ポ
リエーテルエステル、塩素化ポリオレフイン、ポ
リアミドイミド、ポリエーテルスルホン、ポリイ
ミド、ポリアミノビスマレイミド、ポリスルホ
ン、ポリスチレンよりなる群より選ばれた少なく
とも一つの耐溶剤性高分子を基体とする膜、フイ
ルム、シートもしくは板のいずれかである。
Next, we will describe the process of closely adhering a thin plastic plate to the surface on which the photoresist layer of the electrode base material prepared based on the above considerations is formed. First of all, plastic thin plate is made of polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, vinyl chloride copolymer, polyvinyl fluoride, polyvinylidene fluoride, polyester, polyamide, polyvinyl ether, polyalkylene ether, polyether ester, Either a membrane, film, sheet or plate based on at least one solvent-resistant polymer selected from the group consisting of chlorinated polyolefin, polyamideimide, polyethersulfone, polyimide, polyamino bismaleimide, polysulfone, and polystyrene. be.

このプラスチツクス薄板を最も容易に密着させ
るのはこのプラスチツクスを含む溶液またはイン
キもしくは塗料を印刷法、スプレー法、塗布法等
によつて金属板又は金属薄膜の表面に均一に付着
させた後、溶液を蒸発させ薄板を形成させる方法
であるがこの際、気泡が含まれたり溶剤の蒸発に
よる発泡があつてはならない。一方、金属板又は
金属薄膜の表面への密着は、必要とすれば減圧室
内で、極く少しの溶剤とか接着剤を存在させて室
温下もしくは加熱下で行われるべきである。この
場合も密着面における空気、ガス、溶剤、可塑
剤、塵埃等の混入は製品の損失に関係してくるの
でこれらが著しく残留したり、誤入したりしない
ように注意し、且つ金属又は金属薄膜を形成した
基材に均一な力をかけて密着してやるようにしな
ければならない。この場合にあつても不必要な内
部歪を金属板又は金属薄膜を形成した基材の中に
残したり、厚さに不均一さが生じた場合には導電
性回路図柄の美しい形成が阻害される恐れが多分
にあるので、厚さの不同を必要とする基板は後加
工で肉盛りをすべきである。
The easiest way to adhere this thin plastic plate is to uniformly adhere a solution, ink, or paint containing this plastic to the surface of the metal plate or thin metal film by printing, spraying, coating, etc. This is a method of forming a thin plate by evaporating a solution, but at this time, there must be no air bubbles or foaming due to evaporation of the solvent. On the other hand, adhesion to the surface of a metal plate or metal thin film should be carried out in a reduced pressure chamber, if necessary, in the presence of a very small amount of solvent or adhesive at room temperature or under heating. In this case as well, the contamination of air, gas, solvents, plasticizers, dust, etc. on the contact surface is related to the loss of the product, so care should be taken to ensure that these do not remain significantly or enter by mistake. It is necessary to apply uniform force to the base material on which the thin film is formed so that it adheres closely. Even in this case, if unnecessary internal distortion is left in the metal plate or the base material on which the metal thin film is formed, or if the thickness is uneven, the beautiful formation of the conductive circuit pattern will be hindered. Since there is a high possibility that the thickness will vary, boards that require uneven thickness should be built up in post-processing.

以上の工程が終了すると次にプラスチツクス薄
板に対向する電極を設置する必要がある。この薄
板が平面である場合には対向電極は平面とし、こ
の薄板が曲面であれば対向電極はこれに並行する
曲面とし、薄板が半円筒形であれば対向電極は半
円筒形または円筒形もしくは線状とし、薄板が球
面であれば対向電極は球面を利用するようにす
る。薄板と対向電極は通常適当な電解槽中に設置
されるが、薄板の面積が大きくなると乾燥室内で
薄板と対向電極とを一定の間隙を保つようにスペ
ーサー等を用いて設置される。このいずれにせよ
薄板と対向電極の中に充分量の電解液を充満させ
ることが必要で、電解槽を用いる場合には電解液
中に浸漬すればよく、乾燥室内に設置した場合に
はその間隙に液状または糊状電解液を完全に挿入
充満して、その間隙から外へ電解液が漏れないよ
うパツキング等を用いて側面を密封してやる必要
がある。ここに用いる電解液はヘテロ原子を有す
る芳香族化合物、強電解質および活性水素原子不
含の極性有機溶剤よりなる液状または糊状の電解
液であり、この電気液の使用温度は−20℃〜+70
℃とくに好ましくは−10℃〜+50℃である。
Once the above steps are completed, it is next necessary to install electrodes facing the thin plastic plate. If this thin plate is flat, the counter electrode should be flat; if this thin plate is curved, the counter electrode should be a curved surface parallel to this; if the thin plate is semicylindrical, the counter electrode should be semicylindrical, cylindrical, or If the thin plate has a spherical surface, the counter electrode uses the spherical surface. The thin plate and the counter electrode are usually installed in a suitable electrolytic cell, but when the area of the thin plate becomes large, a spacer or the like is used to maintain a constant gap between the thin plate and the counter electrode in a drying chamber. In any case, it is necessary to fill the thin plate and the counter electrode with a sufficient amount of electrolyte. If an electrolytic bath is used, it is sufficient to immerse it in the electrolyte, or if it is installed in a drying chamber, there is a gap between the two. It is necessary to completely insert and fill the liquid or pasty electrolyte into the gap, and then seal the sides using packing or the like to prevent the electrolyte from leaking out from the gap. The electrolytic solution used here is a liquid or paste-like electrolytic solution consisting of an aromatic compound having a hetero atom, a strong electrolyte, and a polar organic solvent containing no active hydrogen atoms, and the operating temperature of this electrolytic solution is -20°C to +70°C.
The temperature is particularly preferably -10°C to +50°C.

ヘテロ原子を有する芳香族化合物とは、アニリ
ン、核置換アニリン、ナフチルアミン、核置換ナ
フチルアミン、アミノアンスラセン、核置換アミ
ノアンスラセン、チオフエン、核置換チオフエ
ン、ピロール、置換ピロール、ピラゾール、置換
ピラゾール、イミダゾール、置換イミダゾール、
トリアゾール、置換トリアゾール、ピリジン、核
置換ピリジン、ジアジン、置換ジアジン、トリア
ジン、置換トリアジン、オキサジン、置換オキサ
ジン、ベンゾチオフエン、置換ベンゾチオフエ
ン、ベンゾピロール、置換ベンゾピロール、ベン
ズピラゾール、置換ベンズピラゾール、ベンズイ
ミダゾール、置換ベンズイミダゾール、オキサジ
アゾール、チアジアゾール、アゾベンゼン、置換
アゾベンゼン、フタロシアニン、核置換フタロシ
アニン、カルバゾール、置換カルバゾール、キノ
リン、核置換キノリン、ベンズオキサゾール、置
換ベンズオキサゾール、テトラ(ナフチロ)テト
ラアザポルフイリンおよびテトラ(フエナンス
ロ)テトラアザポルフイリンよりなる群より選ば
れた少なくとも一つの化合物である。
Aromatic compounds having heteroatoms include aniline, nuclear-substituted aniline, naphthylamine, nuclear-substituted naphthylamine, aminoanthracene, nuclear-substituted aminoanthracene, thiophene, nuclear-substituted thiophene, pyrrole, substituted pyrrole, pyrazole, substituted pyrazole, imidazole, substituted imidazole,
Triazole, substituted triazole, pyridine, nuclear substituted pyridine, diazine, substituted diazine, triazine, substituted triazine, oxazine, substituted oxazine, benzothiophene, substituted benzothiophene, benzopyrrole, substituted benzopyrrole, benzpyrazole, substituted benzpyrazole, benzimidazole, substituted benz Imidazole, oxadiazole, thiadiazole, azobenzene, substituted azobenzene, phthalocyanine, nuclear substituted phthalocyanine, carbazole, substituted carbazole, quinoline, nuclear substituted quinoline, benzoxazole, substituted benzoxazole, tetra(naphthylo)tetraazaporphyrin and tetra(phenanthro) At least one compound selected from the group consisting of tetraazaporphyrin.

強電解質とは、過ハロゲン化水素酸、ホウフツ
化水素酸、ヘキサフルオロリン酸、ヘキサフルオ
ロヒ酸、ヘキサフルオロアンチモン酸、トリフル
オロ酢酸、パーフルオロ脂肪酸、トリフルオロメ
タンスルホン酸、芳香族スルホン酸およびヘキサ
フルオロケイ酸よりなる群から選ばれた少なくと
も一つの強酸のアニオンとリチウム塩、ナトリウ
ム塩、アンモニウム塩、第四級アンモニウム塩、
ホスホニウム酸、銀塩、第四級ホスホニウム塩お
よびスルホニウム塩よりなる群から選ばれた少な
くとも一つの塩を構成しているカチオンとを結合
させた塩である。
Strong electrolytes include perhalogenated acid, hydroborofluoric acid, hexafluorophosphoric acid, hexafluoroarsenic acid, hexafluoroantimonic acid, trifluoroacetic acid, perfluorofatty acid, trifluoromethanesulfonic acid, aromatic sulfonic acid, and hexafluoroacetic acid. at least one strong acid anion selected from the group consisting of fluorosilicic acid and lithium salt, sodium salt, ammonium salt, quaternary ammonium salt,
It is a salt in which a cation is combined with at least one salt selected from the group consisting of phosphonic acid, silver salt, quaternary phosphonium salt, and sulfonium salt.

活性水素原子不含の極性有機溶剤とは、二塩化
メタン、アセトニトリル、プロピオニトリル、ベ
ンゾニトリル、ジメチルホルムアミド、ジエチル
ホルムアミド、ジメチルアセタミド、テトラメチ
ル尿素、N−メチルピロリドン、N−ホルミルピ
ペリジン、N−アセチルピペリジン、N,N−ジ
ホルミルピペラジン、N,N−ジアセチルピペラ
ジン、ジメチルスルホキシド、ジメチルスルホ
ン、テトラメチレンスルホキシド、テトラメチレ
ンスルホン、テトラヒドロフラン、グリコールカ
ーボネート、グリコールエーテル、環状ラクト
ン、ニトロベンゼンおよびヘキサメチルホスホル
トリアミドよりなる群から選ばれた少なくとも一
つの非プロトン極性溶剤である。
Polar organic solvents containing no active hydrogen atoms include methane dichloride, acetonitrile, propionitrile, benzonitrile, dimethylformamide, diethylformamide, dimethylacetamide, tetramethylurea, N-methylpyrrolidone, N-formylpiperidine, N-acetylpiperidine, N,N-diformylpiperazine, N,N-diacetylpiperazine, dimethylsulfoxide, dimethylsulfone, tetramethylenesulfoxide, tetramethylenesulfone, tetrahydrofuran, glycol carbonate, glycol ether, cyclic lactone, nitrobenzene and hexamethylphosphor at least one aprotic polar solvent selected from the group consisting of lutriamides;

以上のうち経済的に用いられるヘテロ原子を有
する芳香族化合物はアニリン、チオフエン、ビチ
エニル、ピロール、メチルピロール等であり、ま
た強電解質というのは化学式で示すならば
LiBF4、LiPF6、LiClO4、R4NPF6、R4NClO4
R4NBF4、R4NSO3C6H4R、R4NAsF6、LiAsF6
(ただしRはC1〜C4のアルキル基)等である。ま
た活性水素原子不含の極性有機溶剤はアセトニト
リル、プロピオニトリル、ベンゾニトリル、テト
ラヒドロフラン、プロピレンカーボネート、γ−
ブチロラクトン、エチレングリコールジメチルエ
ーテル、メチルジオキソラン、N−メチルピロリ
ドン、ニトロベンゼン、二塩化メタン等が安価で
ある。本発明の電解液の組成は原則として任意に
とりうるものであるが、ヘテロ原子を有する芳香
族化合物/強電解質/活性水素原子不含の極性有
機溶剤の使用比率(モル量/モル量/溶剤はml)
は0.01〜1.50/0.02〜2.00/1000、特に好ましく
は0.05〜1.00/0.03〜1.5/1000の範囲である。な
お、電解液の粘度は小であるほうが通電し易い
が、使用条件によつて糊状である場合があり、こ
のような場合には適当な温度まで冷却するが、電
解反応に関係しないフイラー例えば不活性中性塩
とか不溶性化合物例えばエアロジルシリカ等を電
解液が固化しない程度に若干量添加するのであ
る。
Among the above, economically used aromatic compounds with heteroatoms are aniline, thiophene, bitienyl, pyrrole, methylpyrrole, etc., and strong electrolytes are
LiBF 4 , LiPF 6 , LiClO 4 , R 4 NPF 6 , R 4 NClO 4 ,
R 4 NBF 4 , R 4 NSO 3 C 6 H 4 R, R 4 NAsF 6 , LiAsF 6
(However, R is a C 1 to C 4 alkyl group). Polar organic solvents containing no active hydrogen atoms include acetonitrile, propionitrile, benzonitrile, tetrahydrofuran, propylene carbonate, γ-
Butyrolactone, ethylene glycol dimethyl ether, methyl dioxolane, N-methylpyrrolidone, nitrobenzene, methane dichloride, etc. are inexpensive. The composition of the electrolytic solution of the present invention can be arbitrarily selected in principle, but the ratio of aromatic compound having a hetero atom/strong electrolyte/polar organic solvent containing no active hydrogen atoms (mole amount/mole amount/solvent ml)
is in the range of 0.01 to 1.50/0.02 to 2.00/1000, particularly preferably 0.05 to 1.00/0.03 to 1.5/1000. Note that the lower the viscosity of the electrolyte, the easier it is to conduct electricity, but depending on the conditions of use, it may be pasty. A small amount of an inert neutral salt or an insoluble compound such as aerosil silica is added to prevent the electrolyte from solidifying.

本発明において用いられる対向する電極材料と
しては金属、金属化合物、炭素のいずれでもよい
が、本発明者らによつて試験された結果、白金、
金、パラジウム、ホワイトゴールド、ニツケル、
チタニウム、モリブデン、ステンレススチール、
グラフアイトあるいは炭素繊維等が優れており、
特に便利なものは白金、ニツケル、チタニウムあ
るいはグラフアイトを電極素材として作られた電
極である。本発明にいう基材面と上記の電解の間
に通電して電解する工程は直流電圧0.1〜100V、
特に好ましくは1〜30V、電流密度は0.1〜50m
A/cm2、特に好ましくは1〜20mA/cm2である。
この電解操業時間は数分〜数時間である。電解操
業時間とはプラスチツクス薄板上に回路図柄が形
成されるまでの時間であり、長時間かけると相当
に厚手の強固なやや太めの回路図柄が形成される
のに対し、細線図柄では比較的短時間の電解操業
を行なうべきである。
The opposing electrode material used in the present invention may be any metal, metal compound, or carbon, but as a result of testing by the present inventors, platinum,
gold, palladium, white gold, nickel,
titanium, molybdenum, stainless steel,
Graphite or carbon fiber are excellent.
Particularly useful are electrodes made from platinum, nickel, titanium or graphite. The step of electrolyzing by applying electricity between the base material surface and the above-mentioned electrolysis according to the present invention is a DC voltage of 0.1 to 100V,
Particularly preferably 1-30V, current density 0.1-50m
A/cm 2 , particularly preferably 1 to 20 mA/cm 2 .
The electrolysis operation time is several minutes to several hours. Electrolysis operation time is the time it takes for a circuit pattern to be formed on a thin plastic plate. If it takes a long time, a fairly thick and strong circuit pattern will be formed, whereas a thin line pattern will take a relatively long time. Short-term electrolysis operations should be performed.

プラスチツクス薄板上に回路図柄が形成される
過程は、電解の進行と共に金属板又は金属薄膜に
密着した薄板面から起こり時間の経過と共に薄板
内部に向かつて進行する。
The process of forming a circuit pattern on a plastic thin plate starts from the surface of the thin plate that is in close contact with the metal plate or thin metal film as electrolysis progresses, and progresses toward the inside of the thin plate as time passes.

本発明に利用される電解重合反応というのは、
通常モノマーの酸化電位である数Vの電圧により
重合が開始されるものであり、ピロールからポリ
ピロールを形成させる場合、LiBF4をCH3CNに
溶解した電解液を用いて3V、0.3mA/cm2程で重
合反応が進行する。しかしチオフエンからポリチ
オフエンを形成させる場合には20V、10〜20m
A/cm2の通電が必要である。陽極と陰極の間隙は
0.5〜5cm程度であり、電解液は適当に機械撹拌
することが望ましい。重合反応は陽極側で起こる
ため、陽極の材料に注意しなければならないが、
上記したごとく陰極の材料は限定されない。重合
に際してサイクリツクボルタモグラムを測定した
い時に参照電極を電解液中に挿入しておくのが便
利である。なお通常のポリピロールやポリチオフ
エンの電解重合においては同じ電圧を印加しても
重合電流はモノマー、電解質、溶剤(およびそれ
らの濃度)によつて異なつてくるが、重合効率は
両者とも大体一定で1クーロン当たり(0.4〜
0.5)×10-5モルのモノマーが高分子化し、大体40
〜50%になる。一般に電圧は低い方が効率はよい
が高電圧にするとバツクグラウンド電流が増加し
効率は低下する傾向があることも本発明者によつ
て明らかにされた。
The electrolytic polymerization reaction used in the present invention is
Polymerization is usually initiated by a voltage of several V, which is the oxidation potential of the monomer, and when forming polypyrrole from pyrrole, an electrolytic solution of LiBF 4 dissolved in CH 3 CN is used at 3 V, 0.3 mA/cm 2 The polymerization reaction progresses in this step. However, when forming polythiophene from thiophene, 20V, 10-20m
A current of A/cm 2 is required. The gap between the anode and cathode is
It is approximately 0.5 to 5 cm, and it is desirable that the electrolyte be appropriately mechanically stirred. Since the polymerization reaction occurs on the anode side, care must be taken regarding the material of the anode.
As mentioned above, the material of the cathode is not limited. When it is desired to measure a cyclic voltammogram during polymerization, it is convenient to insert a reference electrode into the electrolyte. In addition, in ordinary electrolytic polymerization of polypyrrole or polythiophene, the polymerization current varies depending on the monomer, electrolyte, and solvent (and their concentrations) even if the same voltage is applied, but the polymerization efficiency is approximately constant for both, 1 coulomb. Hit (0.4~
0.5) × 10 -5 mol of monomer is polymerized, approximately 40
~50%. The inventors have also found that, in general, the lower the voltage, the better the efficiency, but when the voltage is increased, the background current increases and the efficiency tends to decrease.

さて、本発明の電解工程ではプラスチツクス薄
板側を陽極とし対向する電極を陰極とし、陽極側
に所要の回路図柄を形成させるのであるが、回路
図柄を美しく形成させるには陽極表面積/陰極表
面積との比は1/0.5〜10.0、特に好ましくは
1/1〜3の範囲になるようどちらかといえば陰
極面積を大きくしてやるのがよい。この電解重合
反応において陽極側に析出した回路図柄を構成す
る高分子物質には電解質の解離による陰イオンの
一部がドーパントとして取り込まれているが、そ
の程度は以上示してきた各工程の条件によりかな
り変化してくる。しかしながらここに生成する回
路図柄を構成する高分子物質はいずれも導電性を
有していることが保証されている。次に以上のよ
うな回路図柄が形成されたプラスチツクス薄板面
からまず電解板を除去し要すれば付着している電
解液を有機溶剤で洗浄した後、金属板又は金属薄
膜の表面およびフオトレジスト層表面から薄板を
破らないように剥離する。このような分離操作の
終わつた薄板は有機溶剤に浸漬して洗浄して不要
物を除去した後乾燥される。なお、ここに得られ
た回路図柄の導電性はσ=10-3〜103S/cmの程度
であるが、これをさらに向上させるには別途適当
なドーパント(例えばH2SO4、I2、AlCl3
InCl3、AsF5、SbF5等)をもつてドーピングして
やればよいのは当然である。
Now, in the electrolytic process of the present invention, the thin plastic plate side is used as an anode and the opposite electrode is used as a cathode, and the desired circuit pattern is formed on the anode side.In order to form a beautiful circuit pattern, the anode surface area/cathode surface area is If anything, it is better to increase the cathode area so that the ratio is in the range of 1/0.5 to 10.0, particularly preferably 1/1 to 3. In this electrolytic polymerization reaction, some of the anions resulting from the dissociation of the electrolyte are incorporated as dopants into the polymeric substance constituting the circuit pattern deposited on the anode side, but the extent depends on the conditions of each process shown above. It's going to change quite a bit. However, it is guaranteed that all the polymeric substances that make up the circuit pattern produced here are electrically conductive. Next, first remove the electrolytic plate from the surface of the plastic thin plate on which the circuit pattern as described above is formed, and if necessary, wash the adhering electrolyte with an organic solvent, and then remove the surface of the metal plate or metal thin film and the photoresist. Peel the thin plate from the surface of the layer without breaking it. After this separation operation, the thin plate is immersed in an organic solvent to be washed to remove unnecessary substances, and then dried. The conductivity of the circuit pattern obtained here is approximately σ = 10 -3 to 10 3 S/cm, but in order to further improve this, a suitable dopant (for example, H 2 SO 4 , I 2 , AlCl 3 ,
Naturally, doping with InCl 3 , AsF 5 , SbF 5 , etc.) is sufficient.

さらに上述のごとくして調製された導電性回路
基板を鍍金液と接触させ、電気鍍金を行い回路図
柄のみに金属を析出させることにより導電性回路
基板の導電性改善に成功したのである。すなわち
以上の導電性回路基板の回路図柄を長期間の使用
に耐えるよう安定化するとともに優れた導電性を
付与するための方法が本発明者によつて種々の方
法が研究された結果、最も好ましい方法は回路図
柄を電気鍍金する方法であることが見出された。
鍍金される金属は特に限定されないが、用いられ
る金属単体はAl、Cd、Cr、Co、Au、In、Fe、
Pb、Ni、Pt、Ag、Su、Zn等で、特に工業的に
重要なものはCu、Au、Ni、Pt、Ag、Coおよび
各種合金であり、好ましくは光沢鍍金される金属
である。銅鍍金にはシアン化銅浴(例えば
CuCN26g/、NaCN35g/、Na2CO330
g/、KNaC4H4O6・4H2O45g/、PH12.6)、
硫酸銅浴(例えばCuSO4・5H2O188g/、
H2SO474g/)、ホウフツ化銅浴〔例えばCu
(BF42224g/、HBF415/1、H3BO315g/
、PH1.2〜1.7〕、ピロリン酸銅浴(Cu++22〜38
g/、P2O7 ----150〜250g/、NO3 -5〜10
g/、NH31〜3g/、PH8.2〜8.8)等が用
いられる。金鍍金にはシアン化金浴(例えば
Au4.0g/、KCN30g/、K2HPO430g/
、K2CO330g/、PH11〜11.5)等が用いられ
る。ニツケル鍍金には混合ニツケル塩浴(例えば
NiSO4・7H2O240〜340g/、NiCl2・6H2O30
〜60g/、H3BO330〜40g/、PH2.4)、ホウ
フツ化ニツケル浴〔例えば、Ni(BF42220g/
、Ni5.5g/、HBF44g/、H3BO330g/
、PH2.0〜3.5〕等が用いられる。銀鍍金にはシ
アン化銀浴(例えばAgCN45g/、KCN4g/
、K2CO315g/、KOH4g/)等が用いら
れる。またスズ鍍金にはホウフツ化スズ浴(例え
ばSn40g/、HBF440g/、ゼラチン2g/
、β−ナフトール0.5g/)等が用いられる。
以上示した各鍍金浴はいずれも基本的なものであ
り、実際には光沢鍍金を完成させるための添加剤
が加えられる。さらに、本発明に最も適する鍍金
の一つにはホウフツ化物浴鍍金があり、例えば半
田合金鍍金はSn++52g/、Pb++30g/、
HBF4100〜200g/、H3BO325g/、ペプト
ン5.0g/、を含む液を用い、陽極板としては
Sn/Pb=60/40の合金を使用して行われる。こ
れに関する代表的な半田合金浴(7−93バス)の
割合というのは49.6%Sn(BF42液11Kg、51%Pb
(BF42液121Kg、4%HBF476Kg、H3BO37Kg、
ペプトン0.2Kg、水247Kgからなつており、操作条
件は陰極電流密度20〜30mA/cm2、10〜50℃でゆ
るやかな浴撹拌をしながら電鍍できるものであ
る。ま銅鍍金には他の鍍金を施す下地生成作業と
して屡々行われるものであり、その上に再びニツ
ケルとは半田合金を鍍金することにより、回路図
柄は著しく強固になり且つその導電性が非常に向
上するものである。
Furthermore, they succeeded in improving the conductivity of the conductive circuit board by bringing the conductive circuit board prepared as described above into contact with a plating solution and performing electroplating to deposit metal only on the circuit pattern. In other words, the inventor has researched various methods for stabilizing the circuit pattern of the conductive circuit board so as to withstand long-term use and imparting excellent conductivity, and the method has been found to be the most preferable method. It was discovered that the method involved electroplating the circuit pattern.
The metal to be plated is not particularly limited, but the metals used include Al, Cd, Cr, Co, Au, In, Fe,
Among Pb, Ni, Pt, Ag, Su, Zn, etc., particularly industrially important ones are Cu, Au, Ni, Pt, Ag, Co, and various alloys, and metals that are preferably brightly plated. For copper plating, copper cyanide baths (e.g.
CuCN26g/, NaCN35g/, Na 2 CO 3 30
g/, KNaC 4 H 4 O 6・4H 2 O45g/, PH12.6),
Copper sulfate bath (e.g. CuSO 4.5H 2 O188g/,
H 2 SO 4 74g/), copper borofluoride bath [e.g. Cu
(BF 4 ) 2 224g/, HBF 4 15/1, H 3 BO 3 15g/
, PH1.2~1.7], copper pyrophosphate bath (Cu ++ 22~38
g/, P 2 O 7 ---- 150~250g/, NO 3 - 5~10
g/, NH 3 1 to 3 g/, PH8.2 to 8.8), etc. are used. For gold plating, a cyanide gold bath (e.g.
Au4.0g/, KCN30g/, K 2 HPO 4 30g/
, K2CO3 30g /, PH11-11.5), etc. are used. For nickel plating, a mixed nickel salt bath (e.g.
NiSO 4・7H 2 O240~340g/, NiCl 2・6H 2 O30
~60g/, H 3 BO 3 30-40g/, PH2.4), nickel borosilicate bath [e.g., Ni(BF 4 ) 2 220g/
, Ni5.5g/, HBF 4 4g/, H 3 BO 3 30g/
, PH2.0-3.5] etc. are used. For silver plating, use a silver cyanide bath (for example, AgCN45g/, KCN4g/
, K 2 CO 3 15 g/, KOH 4 g/), etc. are used. In addition, for tin plating, use a borofusated tin bath (for example, Sn40g/, HBF 4 40g/, gelatin 2g/
, β-naphthol 0.5g/), etc. are used.
All of the plating baths shown above are basic, and additives are actually added to complete bright plating. Furthermore, one of the most suitable platings for the present invention is borofluoride bath plating, for example, solder alloy plating includes Sn ++ 52 g/, Pb ++ 30 g/,
A solution containing 100 to 200 g of HBF 4 /, 25 g of H 3 BO 3 /, and 5.0 g of peptone was used as the anode plate.
This is done using an alloy with Sn/Pb=60/40. The proportions of a typical solder alloy bath (7-93 bath) in this regard are 49.6% Sn (BF 4 ) 2 parts 11 kg, 51% Pb
(BF 4 ) 2 liquid 121Kg, 4% HBF 4 76Kg, H 3 BO 3 7Kg,
It consists of 0.2 kg of peptone and 247 kg of water, and the operating conditions are such that electroplating can be performed at a cathode current density of 20 to 30 mA/cm 2 and a temperature of 10 to 50° C. with gentle bath stirring. Copper plating is often performed as a base preparation for other platings, and by plating nickel or a solder alloy on top of that, the circuit pattern becomes extremely strong and its conductivity becomes extremely high. It will improve.

勿論、このようにして導電性が改善された基板
に対してオーバーコート等の二次加工あるいは三
次加工が施されてもよいことは当然である。
Of course, the substrate whose conductivity has been improved in this manner may be subjected to secondary processing or tertiary processing such as overcoating.

本発明者は以上述べてきた本発明に関して多数
の実験を行い本発明の新規性と優秀性を確認した
のであるが、さらに本発明の技術的内容を明確に
するため多数の実験例中より代表的な二三の例を
抽出して以下に実施例として示す。したがつて本
発明は以下に示された実施例のみに限定して解釈
されるべきではなく本発明の趣旨と精神とを逸脱
せざる限り任意にその実施態様を変更て実施しう
ることは当然である。以下に実施例によつて本発
明の優秀性は益々明らかにされるであろう。
The present inventor conducted numerous experiments regarding the present invention described above and confirmed the novelty and superiority of the present invention. A few specific examples are extracted and shown below as examples. Therefore, the present invention should not be construed as being limited to the examples shown below, and it is of course possible to modify the embodiments as desired without departing from the spirit and spirit of the present invention. It is. The superiority of the present invention will become clearer through the following examples.

<実施例> 実施例 1 厚さ1mmの銅板上にフオトレジスト(市販品、
商品名;FPER、富士薬品社製)を塗布した後、
予め準備したフオトマスクをして紫外線露光し
て、フオトレジスト面に回路図柄を焼付ける。次
ぎに、回路図柄部分のフオトレジストを溶解除去
する。このフオトレジストが部分的に形成された
銅板上に高重合度の精製ポリ塩化ビニルを溶剤
(テトラヒドロフラン90%+シクロヘキサン10%)
に溶かした5%溶液を清浄室内で塗布し、窒素ガ
スを送つて溶剤を除去し、厚さ0.1〜0.2mmのポリ
塩化ビニルのフイルムを形成させる。銅板を陽極
とし、一方、ニツケル板を陰極として陽極より約
2cmの間隙をあけて対向設置する。これを電解液
を満たしたデジケーター中に沈め減圧脱気して窒
素ガス雰囲気にしたのち通電する。電解液はテト
ラブチルアンモニウムパークロレート0.2モル、
ピロール0.1モルをブチレンカーボネート−アセ
トニリル混液(1:1)1に溶解した組成を有
し温度は−15〜−5℃に保たれている。通電は
2V、0.6mA/cm2で5〜10時間行なう。この操作
時間中においてポリ塩化ビニルの銅板に接した側
に銅の回路と同形の図柄の回路が形成され、この
回路が次第に強化されてくるのが観察されるの
で、通電を終了したのち電極等を引き上げてアセ
トン中に浸漬して洗浄し乾燥した後、銅板面から
ポリ塩化ビニルのフイルムを剥離する。剥離した
フイルムには、銅板面上にフオトレジストで形成
された回路図柄と同様の回路が形成されており、
ここに得られたポリピロールよりなる回路図柄は
σ=10〜15S/cmである。
<Example> Example 1 Photoresist (commercial product,
After applying FPER (product name: FPER, manufactured by Fuji Pharmaceutical Co., Ltd.),
A pre-prepared photomask is used and exposed to ultraviolet light to print the circuit pattern onto the photoresist surface. Next, the photoresist on the circuit pattern portion is dissolved and removed. On the copper plate on which this photoresist is partially formed, purified polyvinyl chloride with a high degree of polymerization is applied in a solvent (tetrahydrofuran 90% + cyclohexane 10%).
A 5% solution of polyvinyl chloride is applied in a clean room, and nitrogen gas is sent to remove the solvent to form a polyvinyl chloride film with a thickness of 0.1 to 0.2 mm. A copper plate is used as an anode, and a nickel plate is used as a cathode, which are placed facing each other with a gap of about 2 cm from the anode. This is submerged in a dedicator filled with electrolyte, degassed under reduced pressure to create a nitrogen gas atmosphere, and then energized. The electrolyte is 0.2 mol of tetrabutylammonium perchlorate,
It has a composition in which 0.1 mole of pyrrole is dissolved in 1 part of a mixture of butylene carbonate and acetonylyl (1:1), and the temperature is maintained at -15 to -5°C. The electricity is
Test at 2V and 0.6mA/ cm2 for 5 to 10 hours. During this operation time, a circuit with the same pattern as the copper circuit is formed on the side of the polyvinyl chloride in contact with the copper plate, and it is observed that this circuit gradually becomes stronger. After pulling it up, immersing it in acetone, cleaning it, and drying it, the polyvinyl chloride film is peeled off from the surface of the copper plate. A circuit similar to the circuit pattern formed with photoresist on the surface of the copper plate is formed on the peeled film.
The circuit pattern made of polypyrrole obtained here has σ=10 to 15 S/cm.

実施例 2 ポリエステルフイルム上にアルミニウムを膜厚
約500Åに蒸着したフイルムにフオトレジスト
(市販品、商品名;OPR、東京応化社製)を塗布
した後、予め準備したフオトマスクを介して紫外
線露光して、フオトレジスト面に回路図柄を焼付
ける。次ぎに、回路図柄部分のフオトレジストを
溶解除去する。このアルミニウムおよびフイルム
面に極く少量のm−クレゾールを塗布し、これに
厚さ30μmの未延伸ポリエチレンテレフタレート
フイルムを載置し160〜180℃に加熱したのち圧迫
して完全に接着する。この接着物を100℃で真空
乾燥し、実施例1と同様にして対向陰極白金板を
設置し電解液中に沈積してやる。電解液はアセト
ニトリル1中にベンゾイミダゾール0.2モル、
テトラブチルアンモニウムパークロレート0.4モ
ルを溶解したものである。電極間に通電(2V、
3mA/cm2)し10〜15℃で約40分間保つとポリエ
チレンテレフタレートフイルム中にポリベンゾイ
ミダゾールの回路図柄(σ=0.01S/cm)がアル
ミニウム膜の電極図柄と同じように形成される。
次にポリエチレンテレフタレートフイルムを分離
してアセトニトリルで充分洗浄した後、乾燥する
と導電性回路基板が得られる。
Example 2 A photoresist (commercial product, trade name: OPR, manufactured by Tokyo Ohka Co., Ltd.) was applied to a polyester film with aluminum vapor-deposited to a thickness of about 500 Å, and then exposed to ultraviolet light through a photomask prepared in advance. , print the circuit pattern on the photoresist surface. Next, the photoresist on the circuit pattern portion is dissolved and removed. A very small amount of m-cresol is applied to the aluminum and film surfaces, and an unstretched polyethylene terephthalate film with a thickness of 30 μm is placed thereon, heated to 160 to 180° C., and then pressed to completely adhere. This adhesive was vacuum dried at 100° C., and in the same manner as in Example 1, a counter cathode platinum plate was installed and deposited in an electrolytic solution. The electrolyte is 0.2 mol of benzimidazole in 1 part of acetonitrile,
This is a solution containing 0.4 mole of tetrabutylammonium perchlorate. Current is passed between the electrodes (2V,
3 mA/cm 2 ) and kept at 10 to 15° C. for about 40 minutes, a circuit pattern of polybenzimidazole (σ=0.01 S/cm) is formed in the polyethylene terephthalate film in the same manner as the electrode pattern of the aluminum film.
Next, the polyethylene terephthalate film is separated, thoroughly washed with acetonitrile, and then dried to obtain a conductive circuit board.

実施例 3 実施例1に用いられた回路基板をニツケル酸性
フツ化物浴(100%HF43ml塩基性炭酸ニツケル
4水和物120g/クエン酸30g/ラウリル硫
酸ナトリウム1.0g/)に浸漬し、この回路基
板と対向ニツケル電極間に通電(電気密度50m
A/cm2)して液を静かに撹拌しながら電解を行う
と、回路図柄上にニツケルが薄く均一に鍍金され
た回路基板が得られニツケル鍍金部分はρ=10-5
Ωcmであることが認められた。
Example 3 The circuit board used in Example 1 was immersed in a nickel acidic fluoride bath (100% HF43ml basic nickel carbonate tetrahydrate 120g/citric acid 30g/sodium lauryl sulfate 1.0g/), and the circuit board Electrification is applied between the and opposing nickel electrodes (electrical density 50 m
By electrolyzing the solution while stirring the solution gently , a circuit board with nickel plated thinly and uniformly on the circuit pattern is obtained, and the nickel plated area has ρ=10 -5 .
It was confirmed that Ωcm.

実施例 4 実施例2で得られた回路基板をシアン化銅浴
(CuCN44g/NaCN67g/ロツセル塩74
g/KOH11g/)に浸漬し、対向銅電極を
用いて実施例3と同様に操作すれば回路図柄面に
銅鍍金された基板が得られる。なお、これを更に
常法によりニツケル鍍金もしくは合金鍍金すれば
回路図柄の非常に強固な化学的耐性とか耐候性に
富む回路基板になる。導電度は鍍金される金属に
よつて種々に変更することができる。
Example 4 The circuit board obtained in Example 2 was heated in a copper cyanide bath (44 g of CuCN/67 g of NaCN/74 g of Lotusel salt).
If the substrate is immersed in KOH (g/g/KOH 11 g/) and operated in the same manner as in Example 3 using opposing copper electrodes, a substrate with copper plating on the circuit pattern side can be obtained. Furthermore, if this is further plated with nickel or alloy by a conventional method, a circuit board with a very strong circuit pattern and rich in chemical resistance and weather resistance can be obtained. The conductivity can be varied depending on the metal to be plated.

<発明の効果> 本発明は導電性回路基板とその製造法に関する
ものであり、産業用部品から一般日用品にわたる
電子材料、電気材料として有用な導電性回路基板
を容易に且つ量産できる方法を明らかにあいたも
のである。本発明によつて得られる導電性回路基
板は、その使用例として、プリント基板、フイル
ムコネクタ、シートスイツチ、シートコイル、セ
ンサー、フエーズおよび高密度回路等があげら
れ、その、産業利用価値は極めて大きいものであ
る。
<Effects of the Invention> The present invention relates to a conductive circuit board and its manufacturing method, and clarifies a method for easily mass-producing conductive circuit boards useful as electronic materials and electrical materials ranging from industrial parts to general daily necessities. It is open. Examples of the use of the conductive circuit board obtained by the present invention include printed circuit boards, film connectors, sheet switches, sheet coils, sensors, phases, and high-density circuits, and its industrial use value is extremely large. It is something.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 金属板または金属薄膜が形成された基体の上
に所望の回路図柄部分のみを除去したフオトレジ
スト層が形成された電極基材上におけるヘテロ原
子を有する芳香族化合物の電解重合によつて形成
された回路図柄が、プラスチツク薄板中に形成さ
れ、その回路図柄上のみに電解鍍金によつて金属
層が形成されてなることを特徴とする導電性回路
基板。 2 金属板または金属薄膜が形成された基体の上
に所望の回路図柄部分のみを除去したフオトレジ
スト層が形成された電極基材を得る工程、電極基
材のフオトレジスト層が形成された面にプラスチ
ツクス薄板を密着する工程、プラスチツクス薄板
に対向する電極を設置して、プラスチツクス薄板
と電極との間にヘテロ原子を有する芳香族化合
物、強電解質および活性水素原子不含の極性有機
溶剤よりなる液状または糊状の電解液を充満する
工程、電極基材と電極との間に通電して電解しプ
ラスチツクス薄板中に回路図柄を形成する工程、
プラスチツクス薄板を電極基材ならびに電解液か
ら分離する工程、プラスチツクス薄板を鍍金液と
接触させて電気鍍金を行い回路図柄上のみに金属
層を形成する工程からなることを特徴とする導電
性回路基板の製造法。 3 鍍金液がニツケル、コバルト、クロム、銅、
銀、金、白金、スズ、半田合金およびコバルト・
ニツケル合金よりなる群から選ばれた少なくとも
一つの金属を電気化学的に析出できる化合物の溶
液である特許請求の範囲第2項記載の導電性回路
基板の製造法。
[Claims] 1. Electrolysis of an aromatic compound having a heteroatom on an electrode base material in which a photoresist layer with only a desired circuit pattern removed is formed on a base material on which a metal plate or a metal thin film is formed. A conductive circuit board characterized in that a circuit pattern formed by polymerization is formed in a thin plastic plate, and a metal layer is formed only on the circuit pattern by electrolytic plating. 2. Obtaining an electrode base material in which a photoresist layer is formed by removing only the desired circuit pattern portion on a substrate on which a metal plate or a metal thin film is formed, a step of obtaining an electrode base material on which a photoresist layer is formed by removing only a desired circuit pattern portion, The process of adhering the plastic thin plate, installing an electrode facing the plastic thin plate, and removing an aromatic compound having a hetero atom, a strong electrolyte, and a polar organic solvent containing no active hydrogen atoms between the plastic thin plate and the electrode. a step of filling a liquid or paste-like electrolyte solution; a step of applying electricity between the electrode base material and the electrode to cause electrolysis and forming a circuit pattern in the thin plastic plate;
A conductive circuit comprising the steps of separating a thin plastic plate from an electrode base material and an electrolytic solution, and bringing the thin plastic plate into contact with a plating solution to perform electroplating to form a metal layer only on the circuit pattern. Substrate manufacturing method. 3 The plating liquid is nickel, cobalt, chromium, copper,
Silver, gold, platinum, tin, solder alloys and cobalt.
3. The method of manufacturing a conductive circuit board according to claim 2, wherein the solution is a compound capable of electrochemically depositing at least one metal selected from the group consisting of nickel alloys.
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