JPH1180991A - Preparation of metalized material and metalized material - Google Patents

Preparation of metalized material and metalized material

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JPH1180991A
JPH1180991A JP20873298A JP20873298A JPH1180991A JP H1180991 A JPH1180991 A JP H1180991A JP 20873298 A JP20873298 A JP 20873298A JP 20873298 A JP20873298 A JP 20873298A JP H1180991 A JPH1180991 A JP H1180991A
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salt
metallized material
compound
substrate
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Ken Kawada
憲 河田
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To make a non-electroconductive or a semiconductive material such as synthetic resin electroconductive with simple process and to make it possible to plate these materials by electrolytic and direct plating method by bringing the ground layer, formed with the material which has been obtained by the polymerization of a compound having C-C triple bonds in the same molecule, into contact with a solution containing Pd in order to make it electroconductive, and then forming a metal layer on the resulting ground layer by electrolytic plating. SOLUTION: The objective metalized material is prepared by first forming a ground layer by using the material obtained by the polymerization of a compound of the formula on the surface of the substrate, then bringing the resulting ground layer into contact with the solution containing Pd in order to make it electroconductive, and forming a metal layer on the electroconductive ground layer thus obtained by electrolytic plating. The symbols used in the formula; (R-(C≡C)l )k -L-Am are as follows; A is a functional group selected from hydroxy, amino, ether, mercapto, polyoxy ether group, etc.; R is an element from group 8 or 1B of Periodic Table; L is a chemical bond or a binding group having ((k)+(m))-valencies; (k) and (l) are integers each >=1; (m) is 0 or >=1.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、新規な金属化材料
の製造方法および金属化材料に関する。上記金属化材料
とは、非導電性材料もしくは半導電性材料の基体上に金
属被膜を形成して導電性材料とされたものをいう。この
ような金属化材料は、例えば、装飾品、金属光沢と耐候
性を有するプラスチック、電子材料用導電性部材等とし
て用いられる。
The present invention relates to a method for producing a novel metallized material and a metallized material. The metallized material refers to a material formed by forming a metal film on a base made of a non-conductive material or a semi-conductive material to form a conductive material. Such metallized materials are used, for example, as decorative articles, plastics having metallic luster and weather resistance, conductive members for electronic materials, and the like.

【0002】[0002]

【従来の技術】特開平2−205686号公報には同一
分子内に炭素−炭素三重結合を有する化合物を重合させ
無電解メッキすることが記載されている。無電解メッキ
は、材料表面の接触作用による還元を利用したメッキ法
であり、化学メッキともいう。これは電解メッキと異な
り、くぼんだ所にも一様の厚さにメッキできるという利
点がある。このため、無電解メッキは、合成樹脂への電
気メッキのための導体化処理や、印刷回路の薄膜製造な
どに利用されている。
2. Description of the Related Art Japanese Unexamined Patent Publication (Kokai) No. 2-205686 discloses that a compound having a carbon-carbon triple bond in the same molecule is polymerized and electroless plating is performed. Electroless plating is a plating method utilizing reduction by a contact action on a material surface, and is also called chemical plating. This has an advantage that, unlike electrolytic plating, plating can be performed to a uniform thickness even in a concave portion. For this reason, electroless plating is used for a conductive treatment for electroplating a synthetic resin and for manufacturing a thin film of a printed circuit.

【0003】無電解メッキは、還元剤としてホルマリン
を使用するが、これは臭気が強く、発癌性が一部で指摘
されたり、皮膚の炎症など、環境と人体への影響が問題
になり、その使用が規制される方向にある。また、銅イ
オンをアルカリ性で安定に維持するため、キレート剤と
してEDTAが広く使用されているが、これが排水処理
で処理しにくく、重金属と結合し再溶解される問題があ
る。これら環境上の問題から、ホルマリンを使わない無
電解銅メッキ液なども開発されている。ところで、上記
無電解メッキで得られる金属膜の形成速度は遅く、10
〜20nm程度の比較的薄いフレキシブルプリント基板
の銅薄膜でも無電解メッキだけで形成されることはな
い。通常、無電解メッキは、前述のごとく合成樹脂の表
面の電気メッキのための導体化下地を形成するために用
いられるもので、工程管理がかなり煩雑であり、環境的
にもその改善がのぞまれていた。
[0003] Electroless plating uses formalin as a reducing agent, which has a strong odor, is partially pointed out as carcinogenic, and has a problem with the environment and the human body, such as skin inflammation. Use is being regulated. EDTA is widely used as a chelating agent to keep copper ions alkaline and stable. However, EDTA is difficult to treat by wastewater treatment, and there is a problem that it is combined with heavy metals and redissolved. Due to these environmental problems, electroless copper plating solutions that do not use formalin have also been developed. Incidentally, the formation rate of the metal film obtained by the electroless plating is low.
Even a copper thin film of a relatively thin flexible printed circuit board of about 20 nm is not formed only by electroless plating. Usually, electroless plating is used to form a conductive substrate for electroplating the surface of a synthetic resin as described above, and the process control is quite complicated, and environmentally friendly improvement is desired. Was rare.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、合成
樹脂のような非導電性あるいは半導体基体を簡便な方法
で導電化し、直接電解メッキが可能な金属化材料の製造
方法、およびその製造方法により製造された金属化材料
を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a method for producing a metallized material capable of making a nonconductive or semiconducting substrate such as a synthetic resin conductive by a simple method and enabling direct electrolytic plating. It is to provide a metallized material produced by the method.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】このような目的は、下記
の本発明によって達成される。 (1) 基体表面上に、下記一般式で表される同一分子
内に炭素−炭素三重結合を有する化合物を重合させた材
料で形成された下地層を形成し、この下地層にパラジウ
ム元素を含む溶液を接触させて導電性を付与し、この導
電性が付与された下地層上に電解メッキ層により金属層
を形成して金属化材料を製造することを特徴とする金属
化材料の製造方法。 一般式 (R−(C≡C)lk −L−Am (上記一般式において、Aは水素原子または水酸基、ア
ミノ基、エーテル基、メルカプト基、ポリオキシエーテ
ル基、ポリアミノエーテル基、ポリチオエーテル基、ス
ルフィノ基もしくはその塩、スルホ基もしくはその塩、
カルボキシル基もしくはその塩、リン酸基もしくはその
塩および重合性基から選ばれた官能基を表わす。Rは周
期律表8族または1B族元素を表わす。Lは化学結合ま
たは(k+m)価の連結基を表わす。kおよびlは1以
上の整数、mは0または1以上の整数である。) (2) 基体表面上に、下記一般式で表される同一分子
内に炭素−炭素三重結合を有する化合物を、周期律表8
族または1B族元素との共存下に重合させた材料で形成
された下地層を形成し、この下地層にパラジウム元素を
含む溶液を接触させて導電性を付与し、この導電性が付
与された下地層上に電解メッキ層により金属層を形成し
て金属化材料を製造することを特徴とする金属化材料の
製造方法。 一般式 (R−(C≡C)lk −L−Am (上記一般式において、Aは水素原子または水酸基、ア
ミノ基、エーテル基、メルカプト基、ポリオキシエーテ
ル基、ポリアミノエーテル基、ポリチオエーテル基、ス
ルフィノ基もしくはその塩、スルホ基もしくはその塩、
カルボキシル基もしくはその塩、リン酸基もしくはその
塩および重合性基から選ばれた官能基を表わす。Rはカ
ルボキシル基もしくはその塩、アルキル基、シクロアル
キル基、アルケニル基、アルキニル基、シリル基、アリ
ール基、アラルキル基、エステル基、複素環基、周期律
表8族もしくは1B族元素を表わす。Lは化学結合また
は(k+m)価の連結基を表わす。kおよびlは1以上
の整数、mは0または1以上の整数である。) (3) 前記下地層の導電性付与により、その導電率を
200Ω/□以下とする上記(1)または(2)の金属
化材料の製造方法。 (4) 前記一般式で表される化合物を、100〜20
0℃の温度範囲で0.5〜90分間熱処理して重合させ
る上記(1)〜(3)のいずれかの金属化材料の製造方
法。 (5) 前記一般式で表される化合物を硝酸塩の共存下
に熱処理して重合させる上記(4)の金属化材料の製造
方法。 (6) 前記一般式で表わされる化合物の置換基Rが周
期律表の1B族元素である上記(1)〜(5)のいずれ
かの金属化材料の製造方法。 (7) 1B族元素が銀である上記(6)の金属化材料
の製造方法。 (8) 前記一般式で表される化合物のAがポリエキシ
エーテル基である上記(1)〜(7)のいずれかの金属
化材料の製造方法。 (9) 前記一般式で表される化合物の溶液に界面活性
剤を添加したものを準備し、これを基体上に膜状に塗布
し、この後重合する上記(1)〜(8)のいずれかの金
属化材料の製造方法。 (10) 非導電性材料または半導体材料の基体、この
基体表面に形成された中間層およびこの中間層の上に形
成された電解メッキ層を有し、前記中間層が、下記一般
式で表される同一分子内に炭素−炭素三重結合を有する
化合物に由来する化合物、周期律表8族または1B族元
素とパラジウムとの合金またはパラジウム元素、および
電解メッキ層を構成する金属材料の混合体で構成されて
いることを特徴とする金属化材料。 一般式 (R−(C≡C)lk −L−Am (上記一般式において、Aは水素原子または水酸基、ア
ミノ基、エーテル基、メルカプト基、ポリオキシエーテ
ル基、ポリアミノエーテル基、ポリチオエーテル基、ス
ルフィノ基もしくはその塩、スルホ基もしくはその塩、
カルボキシル基もしくはその塩、リン酸基もしくはその
塩および重合性基から選ばれた官能基を表わす。Rはカ
ルボキシル基もしくはその塩、アルキル基、シクロアル
キル基、アルケニル基、アルキニル基、シリル基、アリ
ール基、アラルキル基、エステル基、複素環基、周期律
表8族もしくは1B族元素を表わす。Lは化学結合また
は(k+m)価の連結基を表わす。kおよびlは1以上
の整数、mは0または1以上の整数である。) (11) 前記基体が、ポリイミド樹脂、ポリエチレン
ナフタレートまたはポリエチレンテレフタレートで構成
されており、前記電解メッキ層が銅でパターン状に形成
された層として構成されたフレキシブルプリント基板で
ある上記(10)の金属化材料。 (12) 前記電解メッキ層の厚みが5〜20μmであ
る上記(10)または(11)の金属化材料。
This and other objects are achieved by the present invention described below. (1) An underlayer formed of a material obtained by polymerizing a compound having a carbon-carbon triple bond in the same molecule represented by the following general formula is formed on the surface of a substrate, and the underlayer contains a palladium element. A method for producing a metallized material, wherein a metallized material is produced by contacting a solution to impart conductivity, and forming a metal layer by an electrolytic plating layer on an underlayer to which the conductivity has been imparted. Formula (R- (C≡C) l ) k -L-A m (wherein A is a hydrogen atom or a hydroxyl group, an amino group, an ether group, a mercapto group, a polyoxyether group, a polyaminoether group, or a polyaminoether group. A thioether group, a sulfino group or a salt thereof, a sulfo group or a salt thereof,
It represents a functional group selected from a carboxyl group or a salt thereof, a phosphate group or a salt thereof, and a polymerizable group. R represents an element of Group 8 or Group 1B of the periodic table. L represents a chemical bond or a (k + m) -valent linking group. k and l are integers of 1 or more, and m is 0 or an integer of 1 or more. (2) A compound having a carbon-carbon triple bond in the same molecule represented by the following general formula on the surface of a substrate is treated with a periodic table 8
An underlayer formed of a material polymerized in the coexistence with a Group 1B or Group 1B element is formed, and a solution containing a palladium element is brought into contact with the underlayer to impart conductivity, and the conductivity is imparted. A method for producing a metallized material, comprising: forming a metal layer on a base layer by an electrolytic plating layer to produce a metallized material. Formula (R- (C≡C) l ) k -L-A m (wherein A is a hydrogen atom or a hydroxyl group, an amino group, an ether group, a mercapto group, a polyoxyether group, a polyaminoether group, or a polyaminoether group. A thioether group, a sulfino group or a salt thereof, a sulfo group or a salt thereof,
It represents a functional group selected from a carboxyl group or a salt thereof, a phosphate group or a salt thereof, and a polymerizable group. R represents a carboxyl group or a salt thereof, an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, a silyl group, an aryl group, an aralkyl group, an ester group, a heterocyclic group, an element of Group 8 or Group 1B of the periodic table. L represents a chemical bond or a (k + m) -valent linking group. k and l are integers of 1 or more, and m is 0 or an integer of 1 or more. (3) The method for producing a metallized material according to (1) or (2), wherein the conductivity of the underlayer is imparted to 200 Ω / □ or less by imparting conductivity. (4) A compound represented by the above general formula is used in an amount of 100 to 20.
The method for producing a metallized material according to any one of the above (1) to (3), wherein the metallized material is polymerized by heat treatment in a temperature range of 0 ° C for 0.5 to 90 minutes. (5) The method for producing a metallized material according to (4), wherein the compound represented by the general formula is polymerized by heat treatment in the presence of a nitrate. (6) The method for producing a metallized material according to any one of (1) to (5), wherein the substituent R of the compound represented by the general formula is a Group 1B element of the periodic table. (7) The method for producing a metallized material according to (6), wherein the Group 1B element is silver. (8) The method for producing a metallized material according to any one of the above (1) to (7), wherein A of the compound represented by the general formula is a polyethoxyether group. (9) A solution prepared by adding a surfactant to a solution of the compound represented by the above general formula is prepared, applied to a substrate in the form of a film, and then polymerized. Manufacturing method of such metallized material. (10) a substrate made of a non-conductive material or a semiconductor material, an intermediate layer formed on the surface of the substrate, and an electrolytic plating layer formed on the intermediate layer, wherein the intermediate layer is represented by the following general formula: Composed of a compound derived from a compound having a carbon-carbon triple bond in the same molecule, an alloy of palladium with a Group 8 or 1B element in the periodic table or a palladium element, and a mixture of metal materials forming an electrolytic plating layer A metallized material characterized by being made. Formula (R- (C≡C) l ) k -L-A m (wherein A is a hydrogen atom or a hydroxyl group, an amino group, an ether group, a mercapto group, a polyoxyether group, a polyaminoether group, or a polyaminoether group. A thioether group, a sulfino group or a salt thereof, a sulfo group or a salt thereof,
It represents a functional group selected from a carboxyl group or a salt thereof, a phosphate group or a salt thereof, and a polymerizable group. R represents a carboxyl group or a salt thereof, an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, a silyl group, an aryl group, an aralkyl group, an ester group, a heterocyclic group, an element of Group 8 or Group 1B of the periodic table. L represents a chemical bond or a (k + m) -valent linking group. k and l are integers of 1 or more, and m is 0 or an integer of 1 or more. (11) The flexible printed circuit board according to the above (10), wherein the base is made of a polyimide resin, polyethylene naphthalate or polyethylene terephthalate, and the electrolytic plating layer is formed as a layer formed in a pattern with copper. Metallized material. (12) The metallized material according to the above (10) or (11), wherein the thickness of the electrolytic plating layer is 5 to 20 μm.

【0006】[0006]

【発明の実施の形態】以下、本発明の具体的構成につい
て詳細に説明する。本発明では、非導電性材料または半
導体材料の基体上に、炭素−炭素の三重結合を有する化
合物に由来する重合体の層(膜)を形成し、この重合体
の層にパラジウム元素を含む溶液を接触させて導電性を
付与し、電気メッキが可能な導電性層とし、この導電性
層上に電解メッキにより金属層(膜)を形成して金属化
材料を得る。本発明における炭素−炭素三重結合を有す
る化合物に由来する重合体は主鎖または側鎖中に炭素−
炭素三重結合もしくは二重結合を有するものである。上
記のポリアセチレン系重合体を構成する構成単位として
は、重合体の基本的な構成要素が炭素−炭素の三重結合
あるいは二重結合を有していれば、それがさらに他の重
合体に分散ないしブレンドされていてもよい。このよう
な他の重合体としては、例えばポリフェノール樹脂、エ
ポキシ樹脂、ゼラチン、ポリビニルアルコール、ポリス
ルホン、ジアセチルセルロース、ポリビニルアセター
ト、ポリスチレン、ポリウレタン、シリコーンポリマ
ー、ポリエーテルポリオール、ポリイミド、ポリビニル
ブチラール等の熱可塑性、熱硬化性、反応性等の各種合
成ないし天然樹脂が挙げられる。これら各種合成ないし
天然樹脂は通常メッキ用媒体材料のポリアセチレン系重
合体の103 wt% 以下程度とする。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, a specific configuration of the present invention will be described in detail. In the present invention, a polymer layer (film) derived from a compound having a carbon-carbon triple bond is formed on a nonconductive material or a semiconductor material substrate, and a solution containing a palladium element in the polymer layer is formed. To form a conductive layer that can be electroplated, and a metal layer (film) is formed on the conductive layer by electrolytic plating to obtain a metallized material. The polymer derived from the compound having a carbon-carbon triple bond in the present invention has carbon-
It has a carbon triple bond or a double bond. As a structural unit constituting the above-mentioned polyacetylene-based polymer, if the basic structural element of the polymer has a carbon-carbon triple bond or a double bond, it is not dispersed in another polymer. It may be blended. Examples of such other polymers include thermoplastic resins such as polyphenol resin, epoxy resin, gelatin, polyvinyl alcohol, polysulfone, diacetylcellulose, polyvinyl acetate, polystyrene, polyurethane, silicone polymer, polyether polyol, polyimide, and polyvinyl butyral. And various kinds of synthetic or natural resins such as thermosetting, thermosetting and reactive. The content of these various synthetic or natural resins is usually about 10 3 wt% or less of the polyacetylene polymer used as a plating medium material.

【0007】また、上記のポリアセチレン系重合体は、
さらに他の官能基を有していてもよい。このような官能
基はどのようなものであってもよいが、一般的な水系の
湿式法による電解メッキ工程でより高い媒体機能を示す
ためには、水酸基、アミノ基、エーテル基、ポリオキシ
エーテル基、ポリアミノエーテル基、ポリチオエーテル
基、スルフィノ基もしくはその塩、スルホ基もしくはそ
の塩またはカルボキシル基もしくはその塩、リン酸基も
しくはその塩であることが好ましく、より好ましくはポ
リオキシエーテル基である。本発明においては、このよ
うな官能基を有する化合物を別途ポリアセチレン系重合
体およびメッキ用媒体材料とともに含有させてもよい。
本発明における好ましいポリアセチレン系重合体として
は、主鎖あるいは側鎖に炭素−炭素の共役した不飽和結
合と上述のさらに有してもよい他の官能基とを有する単
独重合体もしくは共重合体のみで構成されるものであ
る。
The above-mentioned polyacetylene-based polymer is
Further, it may have another functional group. Such a functional group may be of any kind, but in order to exhibit a higher medium function in a general aqueous wet electroplating process, a hydroxyl group, an amino group, an ether group, a polyoxyether It is preferably a group, a polyaminoether group, a polythioether group, a sulfino group or a salt thereof, a sulfo group or a salt thereof, a carboxyl group or a salt thereof, a phosphoric acid group or a salt thereof, and more preferably a polyoxyether group. In the present invention, such a compound having a functional group may be separately contained together with the polyacetylene-based polymer and the plating medium material.
As the preferred polyacetylene-based polymer in the present invention, only a homopolymer or a copolymer having a carbon-carbon conjugated unsaturated bond in the main chain or a side chain and the above-mentioned other functional group which may further have It is composed of

【0008】このような重合体が由来する炭素−炭素の
三重結合を有する化合物(モノマー)、すなわちこのよ
うな重合体の構成要素のうち基本となる構造を提供する
化合物としては、下記一般式で表わされるものである。 一般式 (R−(C≡C)lk −L−Am 上記一般式(I)において、Aは水素原子または下記の
官能基群の中から任意に一つ以上選ばれる基、例えば水
酸基、アミノ基、エーテル基、メルカプト基、ポリオキ
シエーテル基、ポリアミノエーテル基、ポリチオエーテ
ル基、スルフィノ基もしくはその塩、スルホ基もしくは
その塩、カルボキシル基もしくはその塩、または重合性
の基(例えばグリシジル基、ビニル基、イソシアナート
基等)などを表わす。上記Aは好ましくはポリオキシエ
ーテル基であり、より好ましくはオリゴエチレンオキシ
基である。
A compound (monomer) having a carbon-carbon triple bond from which such a polymer is derived, that is, a compound which provides a basic structure among the constituent elements of such a polymer is represented by the following general formula: It is represented. Group in the general formula (R- (C≡C) l) k -L-A m the formula (I), A is selected arbitrarily to one or more of the hydrogen atoms or functional groups of the following, for example, a hydroxyl group An amino group, an ether group, a mercapto group, a polyoxyether group, a polyaminoether group, a polythioether group, a sulfino group or a salt thereof, a sulfo group or a salt thereof, a carboxyl group or a salt thereof, or a polymerizable group (for example, a glycidyl group , A vinyl group, an isocyanate group, etc.). A is preferably a polyoxyether group, more preferably an oligoethyleneoxy group.

【0009】Rは、好ましくは周期律表8族元素(例え
ばニッケル、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、白金
等)または1B族元素(銅、銀、金、好ましくは銀、
銅)、水素原子、カルボキシル基もしくはその塩、また
は各々置換されていてもよいアルキル基、シクロアルキ
ル基、アルケニル基、アルキニル基、シリル基、アリー
ル基、アラルキル基、エステル基もしくは複素環基を表
わす。なお、Rとして上記の水素原子以下を用いる場合
には、後に説明するような方法により、重合を周期律表
8族元素(例えばニッケル、ルテニウム、ロジウム、パ
ラジウム、白金等)または1B族元素(銅、銀、金、好
ましくは銀、銅)の共存下に行なう必要がある。
R is preferably an element of group 8 of the periodic table (eg, nickel, ruthenium, rhodium, palladium, platinum, etc.) or an element of group 1B (copper, silver, gold, preferably silver,
Copper), a hydrogen atom, a carboxyl group or a salt thereof, or an optionally substituted alkyl group, cycloalkyl group, alkenyl group, alkynyl group, silyl group, aryl group, aralkyl group, ester group or heterocyclic group . In the case where the above hydrogen atom or less is used as R, the polymerization is carried out by a method described later, which is a group 8 element (for example, nickel, ruthenium, rhodium, palladium, platinum, etc.) or a group 1B element (copper). , Silver and gold, preferably silver and copper).

【0010】Lは炭素−炭素三重結合とAを連結する化
学結合もしくは(k+m)価の基、例えば置換されてい
てもよいアルキレン基、アリーレン基、アラルキレン
基、ビニレン基、シクロアルキレン基、グルタロイル
基、フタロイル基、ヒドラゾ基、ウレイレン基、または
チオ基、カルボニル基、オキシ基、イミノ基、スルフィ
ニル基、スルホニル基、チオカルボニル基、オキザリル
基、アゾ基などを表わし、これらの2種以上の組合せで
あってもよい。但し、kおよびlは1以上の整数であ
る。また、mは0以上の整数である。以下に好ましい具
体的モノマーを挙げるが、これらに限定されるものでは
ない。
L is a chemical bond or a (k + m) -valent group connecting a carbon-carbon triple bond to A, for example, an optionally substituted alkylene group, an arylene group, an aralkylene group, a vinylene group, a cycloalkylene group, a glutaroyl group. Represents a phthaloyl group, a hydrazo group, a ureylene group, or a thio group, a carbonyl group, an oxy group, an imino group, a sulfinyl group, a sulfonyl group, a thiocarbonyl group, an oxalyl group, an azo group, and the like. There may be. Here, k and l are integers of 1 or more. M is an integer of 0 or more. Preferred specific monomers are listed below, but are not limited thereto.

【0011】[0011]

【化1】 Embedded image

【0012】[0012]

【化2】 Embedded image

【0013】[0013]

【化3】 Embedded image

【0014】[0014]

【化4】 Embedded image

【0015】これらのアセチレン化合物のモノマーは一
般に次のようにして合成することができる。すなわち、
炭素−炭素三重結合を有する化合物、例えば、プロピオ
ール酸、臭化プロパギル、プロパギルアルコール等とそ
の他の必要な官能基を有する化合物、例えばテトラエチ
レングリコールモノエチルエーテル、マレイン酸無水
物、プロパンサルトン、エピクロルヒドリン、アクリル
酸クロリド等を縮合すれば良い。以下に合成法の一例を
挙げる。
[0015] These acetylene compound monomers can be generally synthesized as follows. That is,
Compounds having a carbon-carbon triple bond, for example, propiolic acid, propargyl bromide, compounds having other necessary functional groups such as propargyl alcohol and the like, for example, tetraethylene glycol monoethyl ether, maleic anhydride, propane sultone, Epichlorohydrin, acrylic acid chloride and the like may be condensed. The following is an example of a synthesis method.

【0016】例示化合物(1) の合成 トリエチレングリコールモノエチルエーテル107g、
臭化プロパギル107g、無水炭酸カリウム300gの
混合物を水浴上で20時間加熱攪拌する。冷却後、不溶
物をセライトろ過し、そのろ液を減圧蒸留する。収量1
20g無色透明の液体。沸点115℃/0.6mmHg 他の化合物も同様にして容易に合成することができる。
これらの化合物は、後述するように、パターン状に重合
してポリアセチレン系重合体を形成できるが、その際こ
れらの化合物のダイマー、トリマー、オリゴマー等を用
いてもよい。また、ポリアセチレン系の共重合体を形成
する場合、これらの化合物の2種以上をモノマーとして
用いてもよい。さらに、上記モノマーとしては、Rとし
て8族ないし1B族元素を有するものは例示しなかった
が、上記の例示モノマーであってこれら金属元素の1種
または2種以上をRとして有するものを用いてもよい。
Synthesis of Exemplified Compound (1) 107 g of triethylene glycol monoethyl ether,
A mixture of 107 g of propargyl bromide and 300 g of anhydrous potassium carbonate is heated and stirred on a water bath for 20 hours. After cooling, insolubles are filtered through celite, and the filtrate is distilled under reduced pressure. Yield 1
20 g colorless and transparent liquid. Boiling point 115 ° C./0.6 mmHg Other compounds can be easily synthesized in the same manner.
As described later, these compounds can be polymerized in a pattern to form a polyacetylene-based polymer. In this case, dimers, trimers, oligomers, and the like of these compounds may be used. When forming a polyacetylene-based copolymer, two or more of these compounds may be used as a monomer. Further, as the above-mentioned monomer, those having a Group 8 to Group 1B element as R are not illustrated, but the above-mentioned exemplified monomers having one or more of these metal elements as R may be used. Is also good.

【0017】これら金属元素をRとして有するものは、
(H−(C≡C)lk −L−Amで示されるアセチレ
ン化合物と硝酸銀、塩化第1銅、塩化白金酸、塩化パラ
ジウム、塩化金酸等の金属塩もしくは混合物とを公知の
方法で反応させることによって容易に得ることができ
る。このような反応に際しては、上記のアセチレン化合
物を水溶液に懸濁し、これに上記の金属塩を投入して反
応を行えばよい。この際、アンモニアあるいは有機アミ
ン類を共存させると、容易に反応することが多い。そし
て、一般的には抽出法により反応生成物を単離すればよ
い。このようにして得られる8族ないし1B族元素を有
するアセチレン化合物は、NMRスペクトルおよび1R
スペクトルにより、アセチリドのσ錯体あるいはπ錯体
である。このようなアセチレン化合物あるいはそのダイ
マー、オリゴマー等の1種以上は重合されてポリアセチ
レン系重合体を形成する。
Those having these metal elements as R are:
(H- (C≡C) l) k -L-A acetylene compound represented by m and silver nitrate, cuprous chloride, chloroplatinic acid, palladium chloride, metal salts such as chloroauric acid or a mixture with a known method And can be easily obtained by reacting In such a reaction, the above-mentioned acetylene compound may be suspended in an aqueous solution, and the above-mentioned metal salt may be added thereto to carry out the reaction. At this time, when ammonia or organic amines coexist, they often react easily. In general, the reaction product may be isolated by an extraction method. The acetylene compound having a Group 8 to 1B element thus obtained has an NMR spectrum and 1R
According to the spectrum, it is a σ complex or π complex of acetylide. One or more of such acetylene compounds or dimers and oligomers thereof are polymerized to form a polyacetylene polymer.

【0018】本発明における周期律表8族元素として
は、例えばニッケル、ルテニウム、ロジウム、パラジウ
ムが挙げられる。1B族元素としては、銅、銀、金が挙
げられ、これらのうち銀、銅が最も好適である。これら
周期律表8族ないし1B族元素の1種以上は、メッキ用
媒体材料中に金属単体、金属塩ないしは金属錯体の形
で、そしてポリアセチレン系重合体に結合ないし配位し
た形で、さらには場合によってはこれらの合金や各種化
合物の形で含有される。これらのうち金属塩としては、
硝酸銀、塩化パラジウム、塩化第1銅、塩化白金などが
好ましい。またこれらの金属錯体としては、ジ−μ−ク
ロロビス(η−2−メチルアリル)ジパラジウム(II)
錯体、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウ
ム錯体、ジ−μ−クロロテトラカルボニルジロジウム
(I)錯体、ジシクロペンタジエン−金(I)クロリド
などが挙げられる。このようなポリアセチレン系重合体
に存在する周期律表8族もしくは1B族等の金属単体、
金属錯体、金属塩等の存在量は重合体100重量部当り
5〜5000、特に10〜500が好ましい。
Examples of Group 8 elements of the periodic table in the present invention include nickel, ruthenium, rhodium and palladium. Group 1B elements include copper, silver and gold, of which silver and copper are most preferred. One or more of the elements of Groups 8 to 1B of the Periodic Table may be contained in a plating medium material in the form of a simple metal, a metal salt or a metal complex, and bound or coordinated to a polyacetylene-based polymer. In some cases, it is contained in the form of these alloys and various compounds. Among these, as metal salts,
Silver nitrate, palladium chloride, cuprous chloride, platinum chloride and the like are preferred. These metal complexes include di-μ-chlorobis (η-2-methylallyl) dipalladium (II)
Complexes, tetrakis (triphenylphosphine) palladium complex, di-μ-chlorotetracarbonyldirhodium (I) complex, dicyclopentadiene-gold (I) chloride and the like. A simple metal such as Group 8 or 1B of the periodic table existing in such a polyacetylene-based polymer;
The amount of the metal complex, metal salt and the like is preferably 5 to 5000, particularly preferably 10 to 500 per 100 parts by weight of the polymer.

【0019】上記のような金属元素の存在下に重合する
方法としては、まず前記アセチレン化合物としてこのよ
うな金属元素を含むものを用いて重合する方法がある。
このような金属元素を含むアセチレン化合物は、100
℃以上、好ましくは140〜200℃の温度範囲で、
0.5〜90分間加熱すると熱分解的に重合し、かつ金
属元素は同時に還元され金属コロイドが生成する。この
重合は、硝酸塩の共存下に行なうことが好ましい。この
硝酸塩としては、硝酸ナトリウムや硝酸アンモニウム等
を好ましく用いることができる。本発明において、アセ
チレン化合物のモノマー、ダイマー、オリゴマー等は、
パターン状に重合可能である。重合は放射線によって行
うことも可能で、パターン状とするには放射線の走査を
制御してパターン状に重合を行ったり、パターンマスク
材等を使用してパターン状に重合を行うなどすればよ
い。
As a method of polymerizing in the presence of a metal element as described above, there is a method of first performing polymerization using a compound containing such a metal element as the acetylene compound.
The acetylene compound containing such a metal element is 100
° C. or higher, preferably in a temperature range of 140 to 200 ° C.,
When heated for 0.5 to 90 minutes, it thermally polymerizes and the metal element is reduced at the same time to form a metal colloid. This polymerization is preferably performed in the presence of a nitrate. As the nitrate, sodium nitrate, ammonium nitrate and the like can be preferably used. In the present invention, monomers, dimers, oligomers and the like of the acetylene compound are
It can be polymerized in a pattern. The polymerization can be carried out by radiation. To form a pattern, the polymerization may be carried out in a pattern by controlling the scanning of radiation, or may be carried out in a pattern by using a pattern mask material or the like.

【0020】本発明において施されることが好ましい電
気メッキ用媒体材料は、一般に膜状のものである。膜状
のものとする場合、具体的には、基体表面に膜を形成す
ればよい。基体上への膜の形成法については、上述のモ
ノマーを塗布法を用いて基体上に担持させる方法が最も
簡便なものとして挙げられる。塗布法の場合は、モノマ
ーの溶液または懸濁液からカーテンコート、ディップコ
ート、スプレーコート、スピンナーコート、ロールコー
トする方法等がある。この時用いる溶媒、濃度は特に限
定するものではない。薄膜の均一性を考慮すると溶解度
の高い溶媒を用いるのが望ましく、代表的なものとして
は水、メタノール、アセトン、メチルエチルケトンのよ
うなケトン類、クロロホルム、塩化メチレンのようなハ
ロゲン化合物、酢酸エチルのようなエステル類、ジメチ
ルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、N−メチル−
2−ピロリドンのようなアミド類、アセトニトリルのよ
うなニトリル類である。
The electroplating medium material preferably applied in the present invention is generally in the form of a film. In the case of forming a film, specifically, a film may be formed on the surface of the base. As a method of forming a film on a substrate, a method of supporting the above-mentioned monomer on a substrate by using a coating method is the simplest method. In the case of a coating method, there is a method of curtain coating, dip coating, spray coating, spinner coating, roll coating or the like from a monomer solution or suspension. The solvent and the concentration used at this time are not particularly limited. Considering the uniformity of the thin film, it is preferable to use a solvent having high solubility, and typical examples include water, ketones such as methanol, acetone and methyl ethyl ketone, chloroform, halogen compounds such as methylene chloride, and ethyl acetate. Esters, dimethylacetamide, dimethylformamide, N-methyl-
Amides such as 2-pyrrolidone and nitriles such as acetonitrile.

【0021】溶液で塗布する場合、溶液中に界面活性剤
を添加することが望ましい。この場合、添加量として
は、重合体形成用モノマー1000重量部あたり0.1
〜200重量部が好ましく、特に0.3〜100重量部
が好ましい。この界面活性剤の添加により塗布が均一と
なり、ピンホールの発生を防止することができる。界面
活性剤としては、種々の界面活性剤を用いることができ
るが、アニオン系またはノニオン系界面活性剤が好まし
い。代表的界面活性剤としては、アニオン系では、ドデ
シルベンゼンスルホン酸ナトリウム等、ノニオン系では
N−ヘキサデカ(エチレンオキシ)−N−プロピルパー
フルオロオクチルスルホンアミド等が挙げられる。具体
的に塗布法を適用した例としては、熱重合開始剤として
アゾビスイソブチロニトリルと例示化合物(20)の銀アセ
チリドのクロロホルム溶液をポリメチルメタアクリレー
ト基板上にスピンコート等により塗布し、前述のように
放射線を用いてパターン状に重合させた後、重合しない
部分を水で除去する方法がある。
When coating with a solution, it is desirable to add a surfactant to the solution. In this case, the addition amount is 0.1 parts by weight per 1000 parts by weight of the polymer-forming monomer.
The amount is preferably from 200 to 200 parts by weight, particularly preferably from 0.3 to 100 parts by weight. The addition of the surfactant makes the coating uniform, and prevents the occurrence of pinholes. Although various surfactants can be used as the surfactant, anionic or nonionic surfactants are preferable. Representative surfactants include sodium dodecylbenzenesulfonate and the like in the anionic system, and N-hexadeca (ethyleneoxy) -N-propylperfluorooctylsulfonamide in the nonionic system. As an example of specifically applying the coating method, a chloroform solution of silver acetylide of azobisisobutyronitrile and the exemplary compound (20) as a thermal polymerization initiator is applied on a polymethyl methacrylate substrate by spin coating or the like, As described above, there is a method in which after polymerizing in a pattern using radiation, portions not polymerized are removed with water.

【0022】また、重合体形成用モノマーとして周期律
表8族もしくは1B族の金属と錯体を形成している化合
物、例えば例示化合物(1) 、(6) 、(27)の銀アセチリド
を用い、これを基板上にスピンコート等により塗布し、
次いで前述のように紫外光等の放射線の照射によってパ
ターン状に重合させ、重合しない部分を前述のように除
去することもできる。この他、例えばモノマーの溶液あ
るいは懸濁液に金属塩や金属単体、あるいは合金や金属
化合物を溶解あるいは分散させて、これを塗布した後、
前述のように放射線によりパターン状に重合し、重合し
ない部分を取り除いてもよい。本発明において、前記の
炭素−炭素不飽和結合を有する重合体の使用量は基板
(基体)1m2当り1mg〜10g、特に20mg〜1gが好
ましい。この重合体またはこの重合体と他のバインダー
が作る膜の厚みとしては、0.001μm 〜5μm 、特
に0.05μm 〜0.5μm が適当である。
Further, a compound which forms a complex with a metal of Group 8 or 1B of the periodic table as a monomer for forming a polymer, for example, silver acetylide of exemplified compounds (1), (6) and (27) is used. This is applied on a substrate by spin coating or the like,
Next, as described above, polymerization may be performed in a pattern by irradiation with radiation such as ultraviolet light, and the non-polymerized portion may be removed as described above. In addition, for example, after dissolving or dispersing a metal salt or simple metal, or an alloy or a metal compound in a monomer solution or suspension, and applying this,
As described above, a portion polymerized in a pattern by radiation may be removed. In the present invention, the amount of the polymer having a carbon-carbon unsaturated bond to be used is preferably from 1 mg to 10 g, particularly preferably from 20 mg to 1 g, per m 2 of the substrate (substrate). The thickness of this polymer or a film made of this polymer and another binder is suitably from 0.001 μm to 5 μm, particularly from 0.05 μm to 0.5 μm.

【0023】なお、このように設層される膜に保護層や
下地層を設けたり、複数積層したりする公知の技術の適
用は可能である。また、膜の形成法については、ラング
ミュアー・ブロジェット法を適用してもよい。ラングミ
ュアー・ブロジェット法による単分子膜の作製およびそ
れを累積する方法は「新実験化学講座 18巻 界面と
コロイド 第6章;日本化学会編 丸善」などの一般的
方法に準拠する。この場合基体(基板)を液面を横切る
方向に上下して単分子膜を移しとる垂直浸漬法を用いて
も、基体(基板)を水平に支え、単分子膜面に触れて膜
を付着させる水平付着法を用いてもいずれでもよい。使
用する水にはイオン交換、過マンガン酸カリでの有機物
除去、蒸留を行う。水温は15〜20℃に設定する。必
要に応じてCd2+などのイオンを10-3〜10-4mol/l
加える。
It is to be noted that a known technique of providing a protective layer or an underlayer on the film thus formed or laminating a plurality of layers can be applied. As a method for forming a film, a Langmuir-Blodgett method may be applied. The method of producing a monomolecular film by the Langmuir-Blodgett method and accumulating the same are based on a general method such as "New Experimental Chemistry Course, Volume 18, Interfaces and Colloids, Chapter 6; In this case, even if a vertical dipping method in which the base (substrate) is moved up and down in a direction crossing the liquid surface and the monomolecular film is transferred is used, the base (substrate) is supported horizontally and the film is attached by touching the monomolecular film surface. The horizontal attachment method may be used or any of them may be used. The water used is subjected to ion exchange, removal of organic substances with potassium permanganate, and distillation. The water temperature is set at 15-20 ° C. If necessary, add ions such as Cd 2+ to 10 -3 to 10 -4 mol / l
Add.

【0024】例えば、垂直浸漬法では、装置としてフロ
ート型のマイクロパランを用いるのが望ましい。精製し
たモノマーを分光分析用のクロロホルム等に、濃度0.
5〜1.0mg/ml になるよう溶解する。単分子膜を作製
後、基板に、表面圧を20〜25dyn/cmに保ちつつ累積
する。ラングミュア・ブロジェット法を具体的に適用し
た例としては特開昭61−137781号に記載のラン
グミュアー・ブロジェット法を用いて、両親媒性のモノ
マー、例えば例示化合物(10)、(12)、(14)、(16)をガラス
基板上に単分子累積膜とし、これに高圧水銀灯などによ
る紫外光等の放射線を前述のようにパターン状に照射し
て重合させた後、重合しない部分を除去して、周期律表
8族もしくは1B族の金属塩等の浴に浸漬するという方
法がある。
For example, in the vertical immersion method, it is desirable to use a float type microparan as an apparatus. The purified monomer was dissolved in chloroform or the like for spectral analysis at a concentration of 0.
Dissolve to a concentration of 5 to 1.0 mg / ml. After preparing the monomolecular film, the monomolecular film is accumulated on the substrate while keeping the surface pressure at 20 to 25 dyn / cm. Specific examples of the application of the Langmuir-Blodgett method include the use of the Langmuir-Blodgett method described in JP-A-61-137781, and amphiphilic monomers such as exemplified compounds (10) and (12). , (14), (16) as a monomolecular cumulative film on a glass substrate, and irradiated with radiation such as ultraviolet light from a high-pressure mercury lamp or the like in a pattern as described above and polymerized, There is a method of removing it and immersing it in a bath of a metal salt of Group 8 or 1B of the periodic table.

【0025】なお、本発明において、膜を形成する場
合、用いるモノマーによっては、PVDとCVDとに大
別される気相成長法を適用することもできる。また、こ
の場合PVD、CVDをパターンマスク材を用いて行え
ば、直接パターン化できる。そしてCVDの場合には、
重合膜がパターン状に形成される。なお、CVD等で例
えば光照射等をパターン状に行うことにより、パターン
マスク材を用いずにパターン化も可能である。以上の説
明では、重合膜をパターン状に形成する場合について説
明したが、基体表面全体を重合膜で被ってもよいことは
勿論である。
In the present invention, when a film is formed, a vapor phase growth method roughly classified into PVD and CVD may be applied depending on the monomer used. In this case, if PVD and CVD are performed using a pattern mask material, direct patterning can be performed. And in the case of CVD,
A polymer film is formed in a pattern. Note that patterning can be performed without using a pattern mask material, for example, by performing light irradiation or the like in a pattern by CVD or the like. In the above description, the case where the polymer film is formed in a pattern has been described. However, it goes without saying that the entire surface of the base may be covered with the polymer film.

【0026】本発明において膜を形成するための基体に
は、非導電性材料あるいは半導体材料が用いられ、例え
ば、ガラス、石英、セラミックス、炭素、ポリエチレ
ン、ポリフェノール、ポリプロピレン、ABS重合体、
エポキシ樹脂、ガラス繊維強化エポキシ樹脂、ポリエス
テルが含まれ、またポリアミド、ポリオレフィン、ポリ
アクリロニトリル、ポリビニルハライド、木綿もしくは
ウールまたはそれらの混合物の、あるいは上記したモノ
マーの共重合体の織物シート(布も含む)、糸および繊
維、紙のような繊維の集合体、シリカのような粒状物が
含まれる。上記基体としては、金属の表面に上記のよう
な非導電性材料あるいは半導体材料の層あるいは膜が形
成されたものも含まれる。
In the present invention, a non-conductive material or a semiconductor material is used as a substrate for forming a film, and examples thereof include glass, quartz, ceramics, carbon, polyethylene, polyphenol, polypropylene, ABS polymer,
Includes epoxy resin, glass fiber reinforced epoxy resin, polyester, and woven sheet (including cloth) of polyamide, polyolefin, polyacrylonitrile, polyvinyl halide, cotton or wool or a mixture thereof, or a copolymer of the above monomers. , Yarns and fibers, aggregates of fibers such as paper, and particulates such as silica. Examples of the base include those having a layer or film of a nonconductive material or a semiconductor material as described above formed on a metal surface.

【0027】以上のように形成された中間層(下地層)
は、パラジウムを含む溶液と接触される。パラジウムを
含む溶液としては、塩化パラジウムの希塩酸水溶液等が
好ましく用いられ、その塩化パラジウムの濃度は、10
ppm 以上が好ましく、特に200〜1000ppm が好ま
しい。上記接触は、パラジウムを含む溶液で構成された
浴中に上記中間層が形成された基体を浸漬すること等に
より行なわれる。この浸漬は、10秒〜2分程度行なう
ことが好ましい。以上の浴への浸漬により、好ましくは
周期律表8族または1B族元素とパラジウムの合金が形
成され、上記中間層に導電性が付与される。このとき、
中間層の導電率は、10〜1000Ω/□、特に200
Ω/□以下であることが好ましい。なお、このように形
成される合金の形状は、不定型である。以上の方法によ
り有機溶剤を全く使わずに、導電性媒体となる微細な金
属(合金)粒子が共役不飽和結合を有する重合体に均質
に分散したメッキの媒体機能を有するサブミクロン厚の
薄膜を容易に非導電性材料あるいは半導体材料の基体上
に形成できる。
The intermediate layer (underlayer) formed as described above
Is contacted with a solution containing palladium. As the solution containing palladium, a dilute aqueous solution of palladium chloride or the like is preferably used.
ppm or more is preferable, and 200 to 1000 ppm is particularly preferable. The contact is performed by immersing the substrate on which the intermediate layer is formed in a bath composed of a solution containing palladium. This immersion is preferably performed for about 10 seconds to 2 minutes. By immersion in the above bath, an alloy of palladium with a Group 8 or 1B element of the periodic table is preferably formed, and the intermediate layer is given conductivity. At this time,
The conductivity of the intermediate layer is 10 to 1000 Ω / □, especially 200
It is preferably Ω / □ or less. The shape of the alloy thus formed is irregular. By the above method, without using any organic solvent, a submicron-thick thin film having a plating medium function, in which fine metal (alloy) particles serving as a conductive medium are homogeneously dispersed in a polymer having conjugated unsaturated bonds, is used. It can be easily formed on a substrate made of a non-conductive material or a semiconductor material.

【0028】このようにメッキ用媒体材料の層(膜)が
施された基体は、電気メッキが施され、金属化され、好
ましくは金属材料パターンが形成され金属化材料とされ
ることが好ましい。本発明で使用するメッキ浴は、ニッ
ケル塩、コバルト塩、銅塩、金および銀塩、またはこれ
ら塩類と、その相互の、もしくは鉄塩との混合物を含有
する浴が好適なものである。この種のメッキ浴は、不活
性な基質を浴中に含み、その物質をメッキ被膜中に共析
させるようなメッキ浴も利用できる。本発明で使用する
電気メッキは、金属塩の水溶液から、外部電流により電
気化学的に加工物表面(陰極)へ金属を還元析出させる
方法であり、亜鉛、カドミウム、スズ、ニッケル、コバ
ルト、鉄、銅、クロムなどの重金属や銀、金、ロジウム
などの貴金属に至るまでの広範囲の金属メッキが可能で
あり、目的用途によって、それぞれの金属の特性を生か
し、単層または複層で用いられる。
The substrate on which the layer (film) of the plating medium material has been applied in this way is preferably subjected to electroplating and metallization, preferably a metal material pattern is formed to be a metallized material. The plating bath used in the present invention is preferably a bath containing a nickel salt, a cobalt salt, a copper salt, a gold and a silver salt, or a mixture containing these salts and their mutual or iron salts. This type of plating bath can also use a plating bath containing an inert substrate in the bath and eutecting the substance into the plating film. The electroplating used in the present invention is a method of electrochemically reducing and depositing a metal from an aqueous solution of a metal salt on the surface of a workpiece (cathode) by an external current, and includes zinc, cadmium, tin, nickel, cobalt, iron, A wide range of metal plating is possible, ranging from heavy metals such as copper and chromium, to noble metals such as silver, gold and rhodium. Depending on the intended use, they can be used in a single layer or multiple layers, taking advantage of the characteristics of each metal.

【0029】実際的な使用条件は、東京鍍金材料協同組
合技術委員会編“めっき技術ガイドブック”(1985
年)等の成書に記載されたものを用いることができる。
以上の本発明の金属化材料の製造方法により製造された
金属化材料は、非導電性材料または半導体材料の基体、
この基体表面に形成された中間層(下地層)およびこの
中間層の上に形成された電解メッキ層を有し、上記中間
層が、上記一般式で表される同一分子内に炭素−炭素三
重結合を有する化合物に由来する化合物、周期律表8族
もしくは1B族元素またはパラジウムより卑な金属元素
とパラジウムとの合金またはパラジウム元素、および電
解メッキ層を構成する金属材料の混合体で構成されてい
る。なお、本発明の金属化材料においては、上記中間層
と電解メッキ層とは完全な形では分離できず、上記中間
層においては、基体に接する部分において、上記一般式
で表される同一分子内に炭素−炭素三重結合を有する化
合物に由来する化合物、周期律表8族もしくは1B族元
素またはパラジウムより卑な金属元素とパラジウムとの
合金またはパラジウム元素の含有量が多く、電解メッキ
層側に行くにつれて、これらの含有率が小さくなり、最
後に0となって電解メッキ層に移行して行く構成をとっ
ている。このような、構成は、中間層と電解メッキ層と
を基体から剥離し、これをESCAで測定することによ
り分かる。
Practical use conditions are described in "Plating Technology Guidebook" (ed. 1985), edited by Tokyo Plating Materials Cooperative Technical Committee.
Years) can be used.
The metallized material produced by the method for producing a metallized material according to the present invention includes a base made of a non-conductive material or a semiconductor material,
An intermediate layer (underlayer) formed on the surface of the substrate and an electrolytic plating layer formed on the intermediate layer, wherein the intermediate layer is formed of carbon-carbon triple in the same molecule represented by the general formula. A mixture of a compound derived from a compound having a bond, an alloy of palladium with a group 8 element or group 1B element or a metal element lower than palladium or a palladium element, and a metal material constituting an electrolytic plating layer I have. In the metallized material of the present invention, the intermediate layer and the electrolytic plating layer cannot be completely separated from each other, and in the intermediate layer, a portion in contact with the substrate has the same intramolecular structure represented by the general formula. , A compound derived from a compound having a carbon-carbon triple bond, an alloy of palladium with a metal element lower than Group 8 or 1B element or palladium of the periodic table, or a high content of the palladium element, and the content of the palladium element is large, and goes to the electrolytic plating layer side. Accordingly, the content of these elements becomes smaller, and finally becomes 0, and the composition shifts to the electrolytic plating layer. Such a configuration can be understood by peeling the intermediate layer and the electrolytic plating layer from the substrate, and measuring this by ESCA.

【0030】上記電解メッキ層の厚さは、5〜20μm
であることが好ましい。この厚さは、無電解メッキによ
っては極めて困難な厚さである。本発明において得られ
る金属材料パターンの細線の幅は、1〜100μm 程度
であり、幅1μm 程度の細線とすることができる。した
がって、本発明の金属化材料は、高密度で高精度のプリ
ント配線基板に用いて有効である。この場合、基体(基
板)をポリイミド樹脂、ポリエチレンナフタレートまた
はポリエチレンテレフタレートで構成し、フレキシブル
プリント基板であることが好ましい。特にこのような配
線基板の場合、金属材料パターンとしては銅を用いるこ
とが好ましい。
The thickness of the electrolytic plating layer is 5 to 20 μm.
It is preferred that This thickness is extremely difficult depending on the electroless plating. The width of the thin line of the metal material pattern obtained in the present invention is about 1 to 100 μm, and can be a thin line having a width of about 1 μm. Therefore, the metallized material of the present invention is effective when used for a high-density and high-precision printed wiring board. In this case, the substrate is preferably made of a polyimide resin, polyethylene naphthalate or polyethylene terephthalate, and is preferably a flexible printed board. In particular, in the case of such a wiring board, it is preferable to use copper as the metal material pattern.

【0031】[0031]

【実施例】以下、本発明の具体的実施例を示し、本発明
をさらに詳細に説明する。 実施例1 例示化合物(1) の銀塩を以下の方法により調製した。遮
光した状態で、酢酸ナトリウム16.4g、酢酸銀1
6.7gを40℃の蒸留水200mlに懸濁させた。これ
に例示化合物(1) 20.1gを滴下し、20分間攪拌し
た後、室温まで冷却した。これを炭酸水素ナトリウム
7.8gで中和し、デカンテーションで上澄み液を除
き、さらに蒸留水200mlとクロロホルム400mlを加
え、抽出した。クロロホルム層を無水硫酸ナトリウムで
乾燥後、クロロホルムを減圧下留去し、白色ワックス状
固形物29g(ほぼ定量的)を得た。この物質が銀のσ
錯体であることを、NMRスペクトルとIRスペクトル
から確認した。
EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be described in more detail by showing specific examples of the present invention. Example 1 A silver salt of the exemplified compound (1) was prepared by the following method. In the light-shielded state, sodium acetate 16.4 g, silver acetate 1
6.7 g were suspended in 200 ml of distilled water at 40 ° C. 20.1 g of Exemplified Compound (1) was added dropwise thereto, and the mixture was stirred for 20 minutes, and then cooled to room temperature. This was neutralized with 7.8 g of sodium hydrogen carbonate, the supernatant was removed by decantation, and 200 ml of distilled water and 400 ml of chloroform were further added for extraction. After the chloroform layer was dried over anhydrous sodium sulfate, chloroform was distilled off under reduced pressure to obtain 29 g (almost quantitative) of a white waxy solid. This material is the silver σ
It was confirmed from the NMR spectrum and the IR spectrum that this was a complex.

【0032】NMR δ1.15(triplet,3H) 3.0〜40(multiplet,14H) 3.4(broad singlet,2H) IR 2860cm-1(C−H伸縮) 1980cm-1(C=C伸縮) 1100cm-1(C−O伸縮) 例示化合物(1) の銀塩0.24gと蒸留水0.36g、
メタノール1.80gを混合、溶解し10重量%濃度の
溶液とした。
NMR δ 1.15 (triplet, 3H) 3.0-40 (multiplet, 14H) 3.4 (broad singlet, 2H) IR 2860 cm -1 (CH stretch) 1980 cm -1 (C = C stretch) 1100 cm -1 (CO stretching) 0.24 g of silver salt of Exemplified Compound (1) and 0.36 g of distilled water,
1.80 g of methanol was mixed and dissolved to obtain a 10% by weight solution.

【0033】これをポリエチレンナフタレート基板上に
スピンコート法により塗布し、これを200℃のオーブ
ン中で3分間加熱した。このようにして、水に不溶性の
淡褐色の透明薄膜を作成した。この薄膜の厚みは0.1
μm で、その中に50〜100A の均一な銀粒子が分散
していた。これを500ppm のPdCl2 の希塩酸溶液
に30秒間浸漬した。その薄膜の表面抵抗は200Ω/
□であって、XRD(X線回折)の結果、AgおよびP
dピークがシフトしており、AgPd合金が生成してい
ることがわかった。Ag量は60mg/m2 、Pd量は24
mg/m2 と推定された。次にガラス板上に上記ポリエチレ
ンナフタレート基板を固定し、これを陰極とし、含リン
銅板を陽極とし8cmの間隔をあけて電気銅メッキを行っ
た。銅メッキ浴は硫酸銅200g/l、硫酸70g/l、塩素
イオン50mg/lとし、頭初8Vを印加したが、5分後は
2Vで1.8A/dm2の電流密度で定常状態となった。1
5分後、銅の光沢を有するポリエチレンナフタレート基
板を得た。ポリエチレンナフタレート基板上に得られた
銅膜の厚みは10μmであった。
This was applied on a polyethylene naphthalate substrate by a spin coating method and heated in an oven at 200 ° C. for 3 minutes. Thus, a light brown transparent thin film insoluble in water was produced. The thickness of this thin film is 0.1
At μm, 50-100 A of uniform silver particles were dispersed therein. This was immersed in 500 ppm of a dilute hydrochloric acid solution of PdCl 2 for 30 seconds. The surface resistance of the thin film is 200Ω /
□, the results of XRD (X-ray diffraction) show that Ag and P
The d peak was shifted, indicating that an AgPd alloy was formed. Ag amount is 60 mg / m 2 , Pd amount is 24
mg / m 2 estimated. Next, the above-mentioned polyethylene naphthalate substrate was fixed on a glass plate, this was used as a cathode, and a copper-containing plate was used as an anode, and electrolytic copper plating was performed at an interval of 8 cm. The copper plating bath was 200 g / l of copper sulfate, 70 g / l of sulfuric acid, and 50 mg / l of chloride ions. A voltage of 8 V was applied at the beginning, but after 5 minutes, a steady state was reached at 2 V at a current density of 1.8 A / dm 2. Was. 1
After 5 minutes, a polyethylene naphthalate substrate having a copper luster was obtained. The thickness of the copper film obtained on the polyethylene naphthalate substrate was 10 μm.

【0034】実施例2 例示化合物(24)を用いてこれを銀錯体として実施例1と
同様な実験を行ったところ、実施例1と同等の効果を得
た。また例示化合物(27)のPd錯体や、例示化合物(5)
を重合後これにPdCl2 を混合した場合も同等の結果
を得た。
Example 2 The same experiment as in Example 1 was carried out by using Exemplified Compound (24) as a silver complex, and the same effect as in Example 1 was obtained. Further, a Pd complex of the exemplary compound (27) and an exemplary compound (5)
After polymerization, the same results were obtained when PdCl 2 was added thereto.

【0035】実施例3 例示化合物(1)を用いてこれを銀錯体とし、さらにこ
れに硝酸アンモニウムを50モル%添加したものと、無
添加の二種類を実施例1に準じて作成した。これを15
0℃オーブン中で加熱処理したほかは実施例1と同様の
処理を行ったところ、パラジウム接触後の表面抵抗は前
者が110Ω/□、後者は300〜700KΩ/□であ
った。電気メッキは、実施例1の条件では前者が圧倒的
に高活性であった。
Example 3 A silver complex was prepared using Exemplified Compound (1), and two types were prepared in the same manner as in Example 1 except that 50 mol% of ammonium nitrate was added thereto and no addition was made. This is 15
When the same treatment as in Example 1 was performed except that the heat treatment was performed in a 0 ° C. oven, the surface resistance after contact with palladium was 110Ω / □ for the former and 300 to 700 KΩ / □ for the latter. In the electroplating, the former was overwhelmingly highly active under the conditions of Example 1.

【0036】[0036]

【発明の効果】本発明によれば、特別な前処理を必要と
せず、例えば塗布・加熱という簡便な操作で被膜が形成
でき、パラジウム水溶液との接触により、電気メッキを
容易に進行させるほど高い導電率を有する金属を含有す
るメッキ媒体被膜を得ることができ、これにより容易に
金属化材料が得られる。これによって、今後環境保護の
観点でその使用が抑制される無電解メッキ法を経由せ
ず、従来の導電化処理法での過酷な電気メッキ条件も必
要でない。したがって、金属化材料自体の信頼性も高い
ことが期待される。
According to the present invention, no special pretreatment is required, and a film can be formed by a simple operation such as coating and heating, and is high enough to facilitate electroplating by contact with an aqueous solution of palladium. It is possible to obtain a plating medium film containing a metal having electrical conductivity, thereby easily obtaining a metallized material. As a result, the electroless plating method whose use is suppressed from the viewpoint of environmental protection is not required in the future, and harsh electroplating conditions in the conventional conductive treatment method are not required. Therefore, it is expected that the reliability of the metallized material itself is also high.

Claims (12)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基体表面上に、下記一般式で表される同
一分子内に炭素−炭素三重結合を有する化合物を重合さ
せた材料で形成された下地層を形成し、この下地層にパ
ラジウム元素を含む溶液を接触させて導電性を付与し、
この導電性が付与された下地層上に電解メッキ層により
金属層を形成して金属化材料を製造することを特徴とす
る金属化材料の製造方法。 一般式 (R−(C≡C)lk −L−Am (上記一般式において、Aは水素原子または水酸基、ア
ミノ基、エーテル基、メルカプト基、ポリオキシエーテ
ル基、ポリアミノエーテル基、ポリチオエーテル基、ス
ルフィノ基もしくはその塩、スルホ基もしくはその塩、
カルボキシル基もしくはその塩、リン酸基もしくはその
塩および重合性基から選ばれた官能基を表わす。Rは周
期律表8族または1B族元素を表わす。Lは化学結合ま
たは(k+m)価の連結基を表わす。kおよびlは1以
上の整数、mは0または1以上の整数である。)
An underlayer formed of a material obtained by polymerizing a compound having a carbon-carbon triple bond in the same molecule represented by the following general formula is formed on a surface of a substrate, and a palladium element is formed on the underlayer. To give conductivity by contacting a solution containing
A method for manufacturing a metallized material, comprising: forming a metal layer by an electrolytic plating layer on an underlayer to which the conductivity has been provided to manufacture a metallized material. Formula (R- (C≡C) l ) k -L-A m (wherein A is a hydrogen atom or a hydroxyl group, an amino group, an ether group, a mercapto group, a polyoxyether group, a polyaminoether group, or a polyaminoether group. A thioether group, a sulfino group or a salt thereof, a sulfo group or a salt thereof,
It represents a functional group selected from a carboxyl group or a salt thereof, a phosphate group or a salt thereof, and a polymerizable group. R represents an element of Group 8 or Group 1B of the periodic table. L represents a chemical bond or a (k + m) -valent linking group. k and l are integers of 1 or more, and m is 0 or an integer of 1 or more. )
【請求項2】 基体表面上に、下記一般式で表される同
一分子内に炭素−炭素三重結合を有する化合物を、周期
律表8族または1B族元素との共存下に重合させた材料
で形成された下地層を形成し、この下地層にパラジウム
元素を含む溶液を接触させて導電性を付与し、この導電
性が付与された下地層上に電解メッキ層により金属層を
形成して金属化材料を製造することを特徴とする金属化
材料の製造方法。 一般式 (R−(C≡C)lk −L−Am (上記一般式において、Aは水素原子または水酸基、ア
ミノ基、エーテル基、メルカプト基、ポリオキシエーテ
ル基、ポリアミノエーテル基、ポリチオエーテル基、ス
ルフィノ基もしくはその塩、スルホ基もしくはその塩、
カルボキシル基もしくはその塩、リン酸基もしくはその
塩および重合性基から選ばれた官能基を表わす。Rはカ
ルボキシル基もしくはその塩、アルキル基、シクロアル
キル基、アルケニル基、アルキニル基、シリル基、アリ
ール基、アラルキル基、エステル基、複素環基、周期律
表8族もしくは1B族元素を表わす。Lは化学結合また
は(k+m)価の連結基を表わす。kおよびlは1以上
の整数、mは0または1以上の整数である。)
2. A material obtained by polymerizing a compound having a carbon-carbon triple bond in the same molecule represented by the following general formula on the surface of a substrate in the presence of a Group 8 or 1B element of the periodic table. The formed underlayer is formed, a solution containing a palladium element is brought into contact with the underlayer to impart conductivity, and a metal layer is formed on the underlayer provided with the conductivity by an electrolytic plating layer to form a metal layer. A method for producing a metallized material, comprising producing a metallized material. Formula (R- (C≡C) l ) k -L-A m (wherein A is a hydrogen atom or a hydroxyl group, an amino group, an ether group, a mercapto group, a polyoxyether group, a polyaminoether group, or a polyaminoether group. A thioether group, a sulfino group or a salt thereof, a sulfo group or a salt thereof,
It represents a functional group selected from a carboxyl group or a salt thereof, a phosphate group or a salt thereof, and a polymerizable group. R represents a carboxyl group or a salt thereof, an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, a silyl group, an aryl group, an aralkyl group, an ester group, a heterocyclic group, an element of Group 8 or Group 1B of the periodic table. L represents a chemical bond or a (k + m) -valent linking group. k and l are integers of 1 or more, and m is 0 or an integer of 1 or more. )
【請求項3】 前記下地層の導電性付与により、その導
電率を200Ω/□以下とする請求項1または2の金属
化材料の製造方法。
3. The method for producing a metallized material according to claim 1, wherein the conductivity of the underlayer is set to 200 Ω / □ or less by imparting conductivity.
【請求項4】 前記一般式で表される化合物を、100
〜200℃の温度範囲で0.5〜90分間熱処理して重
合させる請求項1〜3のいずれかの金属化材料の製造方
法。
4. A compound represented by the above general formula,
The method for producing a metallized material according to any one of claims 1 to 3, wherein the polymerization is performed by performing a heat treatment in a temperature range of -200C for 0.5-90 minutes.
【請求項5】 前記一般式で表される化合物を硝酸塩の
共存下に熱処理して重合させる請求項4の金属化材料の
製造方法。
5. The method for producing a metallized material according to claim 4, wherein the compound represented by the general formula is polymerized by heat treatment in the presence of a nitrate.
【請求項6】 前記一般式で表わされる化合物の置換基
Rが周期律表の1B族元素である請求項1〜5のいずれ
かの金属化材料の製造方法。
6. The method for producing a metallized material according to claim 1, wherein the substituent R of the compound represented by the general formula is a Group 1B element of the periodic table.
【請求項7】 1B族元素が銀である請求項6の金属化
材料の製造方法。
7. The method according to claim 6, wherein the Group 1B element is silver.
【請求項8】 前記一般式で表される化合物のAがポリ
エキシエーテル基である請求項1〜7のいずれかの金属
化材料の製造方法。
8. The method for producing a metallized material according to claim 1, wherein A of the compound represented by the general formula is a polyethoxyether group.
【請求項9】 前記一般式で表される化合物の溶液に界
面活性剤を添加したものを準備し、これを基体上に膜状
に塗布し、この後重合する請求項1〜8のいずれかの金
属化材料の製造方法。
9. A solution prepared by adding a surfactant to a solution of the compound represented by the general formula, coating the solution on a substrate in the form of a film, and then polymerizing the solution. Production method of metallized material.
【請求項10】 非導電性材料または半導体材料の基
体、この基体表面に形成された中間層およびこの中間層
の上に形成された電解メッキ層を有し、前記中間層が、
下記一般式で表される同一分子内に炭素−炭素三重結合
を有する化合物に由来する化合物、周期律表8族または
1B族元素とパラジウムとの合金またはパラジウム元
素、および電解メッキ層を構成する金属材料の混合体で
構成されていることを特徴とする金属化材料。 一般式 (R−(C≡C)lk −L−Am (上記一般式において、Aは水素原子または水酸基、ア
ミノ基、エーテル基、メルカプト基、ポリオキシエーテ
ル基、ポリアミノエーテル基、ポリチオエーテル基、ス
ルフィノ基もしくはその塩、スルホ基もしくはその塩、
カルボキシル基もしくはその塩、リン酸基もしくはその
塩および重合性基から選ばれた官能基を表わす。Rはカ
ルボキシル基もしくはその塩、アルキル基、シクロアル
キル基、アルケニル基、アルキニル基、シリル基、アリ
ール基、アラルキル基、エステル基、複素環基、周期律
表8族もしくは1B族元素を表わす。Lは化学結合また
は(k+m)価の連結基を表わす。kおよびlは1以上
の整数、mは0または1以上の整数である。)
10. A substrate made of a non-conductive material or a semiconductor material, an intermediate layer formed on the surface of the substrate, and an electrolytic plating layer formed on the intermediate layer, wherein the intermediate layer comprises:
A compound derived from a compound having a carbon-carbon triple bond in the same molecule represented by the following general formula, an alloy of palladium with a Group 8 or 1B element of the periodic table or a palladium element, and a metal constituting an electrolytic plating layer A metallized material comprising a mixture of materials. Formula (R- (C≡C) l ) k -L-A m (wherein A is a hydrogen atom or a hydroxyl group, an amino group, an ether group, a mercapto group, a polyoxyether group, a polyaminoether group, or a polyaminoether group. A thioether group, a sulfino group or a salt thereof, a sulfo group or a salt thereof,
It represents a functional group selected from a carboxyl group or a salt thereof, a phosphate group or a salt thereof, and a polymerizable group. R represents a carboxyl group or a salt thereof, an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, a silyl group, an aryl group, an aralkyl group, an ester group, a heterocyclic group, an element of Group 8 or Group 1B of the periodic table. L represents a chemical bond or a (k + m) -valent linking group. k and l are integers of 1 or more, and m is 0 or an integer of 1 or more. )
【請求項11】 前記基体が、ポリイミド樹脂、ポリエ
チレンナフタレートまたはポリエチレンテレフタレート
で構成されており、前記電解メッキ層が銅でパターン状
に形成された層として構成されたフレキシブルプリント
基板である請求項10の金属化材料。
11. The flexible printed circuit board, wherein the substrate is made of polyimide resin, polyethylene naphthalate or polyethylene terephthalate, and the electrolytic plating layer is made of a copper-patterned layer. Metallized material.
【請求項12】 前記電解メッキ層の厚みが5〜20μ
mである請求項10または11の金属化材料。
12. The electrolytic plating layer having a thickness of 5 to 20 μm.
12. The metallized material of claim 10 or 11, wherein m is m.
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