JPS63299116A - Heat-treatment unit - Google Patents

Heat-treatment unit

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JPS63299116A
JPS63299116A JP13284587A JP13284587A JPS63299116A JP S63299116 A JPS63299116 A JP S63299116A JP 13284587 A JP13284587 A JP 13284587A JP 13284587 A JP13284587 A JP 13284587A JP S63299116 A JPS63299116 A JP S63299116A
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tube
manifold
flange
iob
inner tube
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Shingo Watanabe
伸吾 渡辺
Seishirou Satou
佐藤 征史郎
Wataru Okase
亘 大加瀬
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Tokyo Electron Sagami Ltd
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Abstract

PURPOSE:To prevent damage to a process tube and deterioration of a seal member by a method wherein a flange is provided on the end of an opening of the process tube where material to be heated is contained, and an airtight member is provided around the flange to maintain the airtightness inside the process tube. CONSTITUTION:An outside tube 10A is provided as a tube containing a material to be heated, and an inside tube 10B is provided in it with a distance. Under each tube 10A, 10B, an upper manifold 16, an outside manifold 18, and an inside manifold 20 are arranged. The inside manifold 20 holds airtightness against the outside manifold 18 with O-ring 58 as a sealing member set between them, and a flange 60 for the inside tube 10B is placed on the upper side of it. A supporting projection 62 is provided on the upper part of the inside manifold 20, surrounding the flange 60 for the inside tube 10B, and an O-ring 66 as a sealing member is provided between the inclined surface 64 of it and the surrounding surface of the flange 60 to maintain airtightness.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、半導体ウェーハの低圧CVD処理などの熱
処理に用いる熱処理装置に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a heat treatment apparatus used for heat treatment such as low pressure CVD treatment of semiconductor wafers.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

従来、半導体ウェーへの低圧CVD装置では、熱処理炉
として炉体を横方向に設置したもの(横型炉)が一般的
であるが、処理設備の設置面積の―小化などの要請から
、縦型炉が実用化されている。
Conventionally, in low-pressure CVD equipment for semiconductor wafers, heat treatment furnaces with a furnace body installed horizontally (horizontal furnaces) are common, but due to demands such as reducing the installation area of processing equipment, vertical type Furnaces have been put into practical use.

処理すべき半導体ウェーハを連続的に整列させて処理す
る関係から、炉体は処理能力に応じて長(なっている、
このため、炉体を横方向に設置する横型炉では、炉体の
長さに比例した設置空間が必要となり、しかも、半導体
ウェーハを載せたボートを炉体に出入させるための空間
も必要となるなど、設置面積が太き(なるのに対し、縦
型炉では炉体を高さ方向に設置するので、炉体が上下方
向に延びるが、設置面積がその直径に依存し、横型炉に
比較すると極めて縮小される利点がある。
Because the semiconductor wafers to be processed are continuously lined up and processed, the length of the furnace body depends on the processing capacity.
For this reason, in a horizontal furnace where the furnace body is installed horizontally, an installation space proportional to the length of the furnace body is required, and space is also required for moving a boat carrying semiconductor wafers in and out of the furnace body. In contrast, in a vertical furnace, the furnace body is installed in the height direction, so the furnace body extends vertically, but the installation area depends on its diameter, compared to a horizontal furnace. This has the advantage of being extremely compact.

また、縦型炉では、処理ガスの供給において、高さ方向
の対流現象を利用できるなどの点も見逃すことができな
い。
In addition, it cannot be overlooked that vertical furnaces can utilize the convection phenomenon in the height direction when supplying processing gas.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

ところで、炉体を縦方向に設置した場合、処理チューブ
も当然に縦方向に設置されるので、その設置、固定、気
密保持などの点で横型炉とは大きく異なる。
By the way, when the furnace body is installed vertically, the processing tube is naturally installed vertically as well, so it is significantly different from a horizontal furnace in terms of installation, fixing, airtightness, etc.

たとえば、処理チューブの下端側にその支持および熱傾
斜を図るためにフランジを形成してその下面にOリング
などのシール部材を設置した場合、処理チューブの重力
方向に対してシール部材が支点として機能するため、フ
ランジが処理チューブの荷重による剪断力のため破壊し
、事故の原因になる。
For example, if a flange is formed at the lower end of the processing tube for support and thermal inclination, and a sealing member such as an O-ring is installed on the lower surface of the flange, the sealing member functions as a fulcrum in the direction of gravity of the processing tube. As a result, the flange may break due to shearing force due to the load of the processing tube, causing an accident.

また、フランジを形成しない処理チューブの周面部にシ
ール部材を設置した場合、処理チューブの熱がシール部
材に作用するので、過熱によってシール部材が劣化し、
気密性が低下するなどの原因になる。
Furthermore, if a sealing member is installed on the peripheral surface of a processing tube that does not form a flange, the heat of the processing tube acts on the sealing member, so the sealing member deteriorates due to overheating.
This may cause the airtightness to deteriorate.

そこで、この発明は、処理チューブの破損防止やシール
部材の劣化防止などを図ったものである。
Therefore, the present invention aims to prevent damage to the processing tube and deterioration of the sealing member.

〔問題点を解決するための手段〕 この発明の熱処理装置は、第1図に示すように、被加熱
処理物(半導体ウェーハ22)を収容する処理チューブ
(外側チューブIOA、内側チューブl0B)の開口端
部にフランジ(フランジ44.60)を設け、このフラ
ンジの周囲に気密保持部材(シール部材としてのOリン
グ50.66)を設置して処理チューブ内の気密を保持
させたものである。
[Means for Solving the Problems] As shown in FIG. 1, the heat treatment apparatus of the present invention has an opening in a processing tube (outer tube IOA, inner tube I0B) that accommodates an object to be heated (semiconductor wafer 22). A flange (flange 44.60) is provided at the end, and an airtight maintenance member (O-ring 50.66 as a sealing member) is installed around this flange to maintain airtightness inside the processing tube.

〔作  用〕[For production]

このようにすれば、フランジを以て処理チューブを支持
部材(マニホールド本体14、外側マニホールド18、
内側マニホールド20)に支持でき、気密保持は、フラ
ンジの周囲にシール部材を設置して行うので、処理チュ
ーブの破損の防止とともに、気密保持部材の過熱による
劣化が防止される。
In this way, the processing tube can be attached to the supporting members (manifold main body 14, outer manifold 18,
Since it can be supported by the inner manifold 20), and airtightness is maintained by installing a sealing member around the flange, damage to the processing tube is prevented, and deterioration of the airtightness maintaining member due to overheating is prevented.

この発明の熱処理装置において、処理チューブは、外側
チューブIOAと、その内部に設置する内側チューブI
OBとから構成されて直立または一定の角度を以て設置
し、内側チューブIOB内に被加熱処理物を収容し、処
理用ガスGを内側チューブIOBにその下方から導入し
て内側チューブIOBの上端側から外側チ二−プIOA
に導き、内側チューブIOBと外側チューブIOAとの
間を通路として外部に排出させることによって、被加熱
処理物として、たとえば、半導体ウェーハ22に膜形成
を均一に行うことができる。
In the heat treatment apparatus of the present invention, the processing tubes include an outer tube IOA and an inner tube I installed inside the outer tube IOA.
The object to be heated is housed in the inner tube IOB, and the processing gas G is introduced into the inner tube IOB from below and from the upper end of the inner tube IOB. Outer chip IOA
By guiding the heat to the outside and discharging it to the outside through a path between the inner tube IOB and the outer tube IOA, it is possible to uniformly form a film on, for example, the semiconductor wafer 22 as the object to be heated.

〔実 施 例〕〔Example〕

第1図は、この発明の熱処理装置の実施例を示す。 FIG. 1 shows an embodiment of the heat treatment apparatus of the present invention.

炉体2の内部には、複数のヒータ棚4A、4B。Inside the furnace body 2, there are a plurality of heater shelves 4A and 4B.

4Cが縦方向に一定の間隔を置いて設けられ、各ヒータ
棚4A〜4Cに、複数に分割されたヒータ6A、6B、
6Cが設置されている。各ヒータ6八〜6Cは電流によ
って発熱する発熱抵抗線を螺旋状に巻回したものであり
、各ヒータ1III4A〜4Cごとに独立して設置され
る。各ヒータ6A〜6Cは、縦方向に設置されているの
で、均一な発熱では熱対流によって上方のものが過熱さ
れるので、発熱温度を適宜に設定し、均一な温度分布と
ともに、消費電力の節減を図っている。ヒータ棚4Aの
下側には、冷却水冷却管部8が設けられ、その内部に冷
却水を循環させることにより、炉体2の開口部の過熱を
防止している。この炉体2の内部には、被加熱処理物を
収容する処理チューブとして外側チューブIOAととも
に、その内部に一定の間隙を設けて内側チューブIOB
が設置されている。各チューブIOA、IOBの下部に
は、支持フレーム12に固定されたマニホールド本体1
4が設置されている。
4C are provided at regular intervals in the vertical direction, and each heater shelf 4A to 4C has a plurality of divided heaters 6A, 6B,
6C is installed. Each of the heaters 68 to 6C is a spirally wound heat generating resistance wire that generates heat by electric current, and is installed independently for each of the heaters 1III4A to 4C. Each of the heaters 6A to 6C is installed vertically, so if the heat is generated uniformly, the one above will be overheated due to heat convection, so the heat generation temperature can be set appropriately to achieve uniform temperature distribution and reduce power consumption. We are trying to A cooling water cooling pipe section 8 is provided below the heater shelf 4A, and by circulating cooling water inside the pipe section 8, overheating of the opening of the furnace body 2 is prevented. Inside this furnace body 2, an outer tube IOA is provided as a processing tube for accommodating the object to be heated, and an inner tube IOB is provided with a certain gap therein.
is installed. At the bottom of each tube IOA, IOB is a manifold body 1 fixed to a support frame 12.
4 is installed.

このマニホールド本体14には、上部マニホールド16
、外側マニホールド18および内側マニホールド20が
設置されており、外側チューブ10Aは外側マニホール
ド18、内側チューブ10Bは、内側マニホールド20
によって支持されている。
This manifold body 14 includes an upper manifold 16
, an outer manifold 18 and an inner manifold 20 are installed, the outer tube 10A is connected to the outer manifold 18, and the inner tube 10B is connected to the inner manifold 20.
Supported by

そして、内側チューブIOBには、被加熱処理物として
の半導体ウェーハ22がボート24に載せられて収容さ
れる。その場合、ボート24は、内側チューブIOBの
下方に設置された回転可能なターンテーブル26上に着
脱可能に蝶ナツト28などの固定手段で固定された保温
筒30上に支持される。ターンテーブル26は、回転駆
動手段としてのモータ31によって回転され、半導体ウ
ェーハ22に対する均一処理の一助とする。
A semiconductor wafer 22 as an object to be heated is placed on a boat 24 and accommodated in the inner tube IOB. In that case, the boat 24 is supported on a heat insulating cylinder 30 that is removably fixed to a rotatable turntable 26 installed below the inner tube IOB using fixing means such as a wing nut 28. The turntable 26 is rotated by a motor 31 serving as a rotation driving means, and helps uniformly process the semiconductor wafer 22.

また、半導体ウェーハ22のたとえばCVD処理のため
の処理用ガスGは、マニホールド本体14の下側ないし
内側を経て内側チューブIOBの内部に一定の間隔で設
置された気体導入路としての複数のインジェクタ32を
通して内側チューブlOB内に導かれる。内側チューブ
IOB内の処理用ガスGは、内側チューブIOBの天井
部の開口34から外側チューブIOAと内側チューブ1
0Bとの間の間隙36に導かれ、その間隙36をガス通
路としてマニホールド本体14に設定された排気通路と
しての排気孔38に導かれる。この場合、排気孔38に
は、真空ポンプが連結され、処理用ガスGを引いて排気
するとともに、処理前の真空引きも行う。
Processing gas G for, for example, CVD processing of the semiconductor wafer 22 is supplied to a plurality of injectors 32 as gas introduction paths installed at regular intervals inside the inner tube IOB through the lower side or inside of the manifold body 14. and into the inner tube IOB. Processing gas G in the inner tube IOB flows from the opening 34 in the ceiling of the inner tube IOB to the outer tube IOA and the inner tube 1.
0B, and is guided to an exhaust hole 38 as an exhaust passage set in the manifold body 14, using the gap 36 as a gas passage. In this case, a vacuum pump is connected to the exhaust hole 38 to draw and exhaust the processing gas G, and also performs evacuation before processing.

ところで、マニホールド本体14には、第2図に示すよ
うに、外側チューブIOAの外周部に上部マニホールド
16が固定されており、この上部マニホールド16は、
内部に冷却水を通して冷却を行う水冷ゾーンを成してい
る。マニホールド本体14は、外側チューブIOAを包
囲する円筒状を成し、その内部に外側チューブIOAを
支持するための外側マニホールド18がシール部材とし
てのOリング40,42を介在させて設置されている。
By the way, as shown in FIG. 2, in the manifold main body 14, an upper manifold 16 is fixed to the outer circumference of the outer tube IOA.
It forms a water-cooled zone through which cooling water is passed inside. The manifold main body 14 has a cylindrical shape that surrounds the outer tube IOA, and an outer manifold 18 for supporting the outer tube IOA is installed therein with O-rings 40 and 42 interposed therebetween as sealing members.

この外側マニホールド18には、外側チューブIOAの
フランジ44を囲い込むように支持突部46が設置され
、この支持突部46は、外側チューブIOAの開口部に
一体に形成されたフランジ44の周面に対向する傾斜面
部48を備えている。この傾斜面部48と、フランジ4
4との周面との間には、シール部材としてのOリング5
0が設置されて気密性が保持されているとともに、フラ
ンジ44および支持突部46の上面間には、両者に跨が
る保持枠52がフランジ44側にステンレスなどの金属
リング、フッソ樹脂板などの介在物54を設置して取付
ねじ56によって着脱可能に固定されている。なお、外
側チューブIOAの開口部近傍は肉厚に形成されており
、その肉厚部分を延長させてフランジ44が形成されて
いる。
A support protrusion 46 is installed on the outer manifold 18 so as to surround the flange 44 of the outer tube IOA. It is provided with an inclined surface portion 48 facing to. This inclined surface portion 48 and the flange 4
An O-ring 5 as a sealing member is provided between the circumferential surface of the
0 is installed to maintain airtightness, and between the upper surfaces of the flange 44 and the support protrusion 46, a holding frame 52 that spans both is provided on the flange 44 side with a metal ring made of stainless steel or the like, a fluorine resin plate, etc. An inclusion 54 is installed and is removably fixed with a mounting screw 56. Note that the outer tube IOA is formed thick near the opening, and the flange 44 is formed by extending the thick portion.

そして、外側マニホールド18の内部には冷却水を循環
させ、十分な冷却が施される。
Cooling water is circulated inside the outer manifold 18 to provide sufficient cooling.

また、この外側マニホールド18の下方には、内側チュ
ーブIOBを支持するための内側マニホールド20が設
置されている。内側マニホールド20は、外側マニホー
ルド18に対してシール部材としての0リング58を介
在させて気密性を保持させ、その上面に内側チューブI
OBのフランジ60が載せられている。この内側マニホ
ールド20の上部にも、内側チューブIOBのフランジ
60を囲い込むように支持突部62が設けられ、その傾
斜面部64とフランジ60の周面との間にシール部材と
しての0リング66が設置されて気密性が保持されてい
るとともに、フランジ60および支持突部62の上面間
には、両者に跨がる保持枠68が、フランジ60側にス
テンレスなどの金属リング、フッソ樹脂板などの介在物
70を設置して取付ねじ72によって着脱可能に固定さ
れている。なお、内側チューブIOBの開口部近傍も外
側チューブIOAと同様に肉厚に形成されており、その
肉厚部分を延長させてフランジ60が形成されている。
Further, below the outer manifold 18, an inner manifold 20 for supporting the inner tube IOB is installed. The inner manifold 20 maintains airtightness by interposing an O-ring 58 as a sealing member with respect to the outer manifold 18, and has an inner tube I on the upper surface thereof.
The OB flange 60 is mounted. A support protrusion 62 is also provided at the upper part of this inner manifold 20 so as to surround the flange 60 of the inner tube IOB, and an O-ring 66 as a sealing member is provided between the inclined surface part 64 and the circumferential surface of the flange 60. A holding frame 68 is installed between the upper surfaces of the flange 60 and the support protrusion 62 and spans both, and a metal ring such as stainless steel, a fluorine resin plate, etc. is attached to the flange 60 side. An inclusion 70 is installed and removably fixed with a mounting screw 72. Note that the vicinity of the opening of the inner tube IOB is also formed thick like the outer tube IOA, and the flange 60 is formed by extending the thick portion.

内側マニホールド20の内部にも、冷却水を循環させ、
十分な冷却が施される。
Cooling water is also circulated inside the inner manifold 20,
Sufficient cooling is provided.

そして、内側マニホールド20の下方には、内側チュー
ブIOBに対して半導体ウェーハ22の装填または取出
しを行う場合に内側チューブ10Bの開口部を開閉する
ための蓋74が設置され、この!74には内側チューブ
IOB内の温度を測定するための熱電対などの温度検出
器を内側チェープIOB内に挿入するための挿入孔76
が設けられている。蓋74の中央には、保温筒30およ
びその上に設置されるボート24をターンテーブル26
を通して回転させるための回転軸78が取り付けられ、
この回転軸78に対してモータ31が連結されている。
A lid 74 is installed below the inner manifold 20 for opening and closing the opening of the inner tube 10B when loading or unloading the semiconductor wafer 22 into the inner tube IOB. 74 has an insertion hole 76 for inserting a temperature detector such as a thermocouple into the inner tube IOB to measure the temperature inside the inner tube IOB.
is provided. In the center of the lid 74, the heat insulating cylinder 30 and the boat 24 installed on it are mounted on a turntable 26.
A rotation shaft 78 is attached for rotation through the
The motor 31 is connected to this rotating shaft 78.

以上の通り、各チューブIOA、IOBによって処理チ
ューブが二重構造を成しており、処理すべき半導体ウェ
ーハ22の装填、取出しは、内側チューブIOBの下方
から行う、そして、処理用ガスGは、インジェクタ32
から導入し、内側チューブIOBの内部を通した後、開
口34から外側チューブIOA側に出し、排気孔38か
ら外部に引き出す、内側チューブIOBの真空引きも同
様に行うことができる。そして、半導体ウェーハ22は
ターンテーブル26によって任意に回転させ、膜形成の
均一化など、処理用ガスGの整流とともに、処理される
半導体ウェーハ22の特性面の制御を行うことができる
As mentioned above, the processing tube has a double structure with each tube IOA and IOB, and the semiconductor wafer 22 to be processed is loaded and unloaded from below the inner tube IOB, and the processing gas G is Injector 32
The inner tube IOB can be evacuated in the same manner by being introduced from the inner tube IOB, passed through the inside of the inner tube IOB, taken out from the opening 34 to the outer tube IOA side, and pulled out from the exhaust hole 38 to the outside. The semiconductor wafer 22 is rotated arbitrarily by the turntable 26, so that the processing gas G can be rectified, such as uniform film formation, and the characteristics of the semiconductor wafer 22 to be processed can be controlled.

また、各チューブIOA、IOBの組立てや交換につい
て、内側チューブIOBは、第3図に示すように、内側
マニホールド20の固定を解くことによって外側チュー
ブ10A、外側マニホールド18および排気系統とは別
に取り外すことができる。また、外側チューブIOAは
、第3図に示すように、内側チューブIOHの取外しの
後、マニホールド本体14に対する外側マニホールド1
日の固定を解くことによって、外側マニホールド18と
ともに取り外すことができる。これらの作業は、半導体
ウェーハ22の装填、取出しを行うための付属の昇降装
置を利用して行えるので、作業の容易化とともにその能
率の向上を図ることができる。
Furthermore, when assembling or replacing each tube IOA and IOB, the inner tube IOB must be removed separately from the outer tube 10A, outer manifold 18, and exhaust system by unfixing the inner manifold 20, as shown in FIG. Can be done. Further, as shown in FIG. 3, after the inner tube IOH is removed, the outer tube IOA is attached to the outer manifold 1
By unfastening the date, it can be removed together with the outer manifold 18. These operations can be performed using the attached elevating device for loading and unloading the semiconductor wafers 22, so that the operations can be facilitated and their efficiency can be improved.

そして、組立ては、全(逆の順序で行うことができる。And the assembly can be done in full (reverse order).

すなわち、このような構造から、外側チューブIOAお
よび内側チューブIOBの交換が容易であり、しかも、
排気孔38はマニホールド本体14側に設けられ、排気
孔38側の分解を必要としない。
That is, due to this structure, the outer tube IOA and the inner tube IOB can be easily replaced, and
The exhaust hole 38 is provided on the manifold body 14 side, and there is no need to disassemble the exhaust hole 38 side.

このように排気系と外側チューブIOAおよび内側チュ
ーブIOBとを独立して分解、組立てを行うことができ
るので、各チューブIOA、10Bに対して生成物の付
着を防止でき、パーティクルの発生を抑えることができ
る。
Since the exhaust system, the outer tube IOA, and the inner tube IOB can be disassembled and assembled independently in this way, it is possible to prevent products from adhering to each tube IOA and 10B, and to suppress the generation of particles. Can be done.

また、上部マニホールド16、外側マニホールド18お
よび内側マニホールド20は、それぞれ水冷ゾーンとし
ても機能し、十分な冷却が施されるので、加熱による生
成物の付着を防止できる。
Further, the upper manifold 16, the outer manifold 18, and the inner manifold 20 each function as a water cooling zone and are sufficiently cooled, so that it is possible to prevent products from adhering to them due to heating.

なお、実施例では、炉体を直立させた場合について説明
したが、この発明は、角度を持たせて設置した場合につ
いても適用できる。
In the embodiment, the case where the furnace body is placed upright has been described, but the present invention can also be applied to a case where the furnace body is installed at an angle.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

この発明によれば、気密保持部材としてシール部材を処
理チューブのフランジの周面に設置したので、処理チュ
ーブに不要な力の作用による破損を防止できるとともに
、シール部材の過熱による劣化を防止でき、安定した熱
処理を実現できる。
According to this invention, since the seal member is installed as an airtight member on the circumferential surface of the flange of the processing tube, it is possible to prevent damage to the processing tube due to unnecessary force, and also prevent deterioration of the seal member due to overheating. Stable heat treatment can be achieved.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図はこの発明の熱処理装置の実施例を示す断面図、
第2図は処理チューブのマニホールド部を示す断面図、
第3図は第1図に示した熱処理装置の分解状態を示す断
面図である。 2・・・炉体 10A・・・外側チューブ 10B・・・内側チューブ 14・・・マニホールド本体 18・・・外側マニホールド 22・・・半導体ウェーハ(被加熱処理物)20・・・
内側マニホールド 44.60・・・フランジ
FIG. 1 is a sectional view showing an embodiment of the heat treatment apparatus of the present invention;
Figure 2 is a sectional view showing the manifold part of the processing tube;
FIG. 3 is a sectional view showing the disassembled state of the heat treatment apparatus shown in FIG. 1. 2... Furnace body 10A... Outer tube 10B... Inner tube 14... Manifold body 18... Outer manifold 22... Semiconductor wafer (object to be heated) 20...
Inner manifold 44.60...Flange

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)被加熱処理物を収容する処理チューブの開口端部
にフランジを設け、このフランジの周囲に気密保持部材
を設置して処理チューブ内の気密を保持させた熱処理装
置。
(1) A heat treatment apparatus in which a flange is provided at the open end of a processing tube that accommodates an object to be heated, and an airtight maintenance member is installed around the flange to maintain airtightness within the processing tube.
(2)前記処理チューブは、外側チューブと、その内部
に設置する内側チューブとから構成されて直立または一
定の角度を以て設置し、内側チューブ内に被加熱処理物
を収容し、処理用気体を内側チューブにその下方から導
入して内側チューブの上端側から外側チューブに導き、
内側チューブと外側チューブとの間を通路として外部に
排出させる特許請求の範囲第1項に記載の熱処理装置。
(2) The processing tube is composed of an outer tube and an inner tube installed inside the outer tube, and is installed upright or at a certain angle. It is introduced into the tube from below and guided from the upper end of the inner tube to the outer tube.
The heat treatment apparatus according to claim 1, wherein the space between the inner tube and the outer tube is used as a passageway for discharging to the outside.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH03151631A (en) * 1989-11-08 1991-06-27 Toshiba Ceramics Co Ltd Heat-treating furnace for semiconductor wafer

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