JPS6329489A - Thin film el device - Google Patents
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- JPS6329489A JPS6329489A JP61172298A JP17229886A JPS6329489A JP S6329489 A JPS6329489 A JP S6329489A JP 61172298 A JP61172298 A JP 61172298A JP 17229886 A JP17229886 A JP 17229886A JP S6329489 A JPS6329489 A JP S6329489A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。(57) [Abstract] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、電子加速層と励起発光層を分離した機能分
離型の薄膜ＥＬ：ｉ子に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial Application Field] The present invention relates to a functionally separated thin film EL: i-son in which an electron acceleration layer and an excitation/emission layer are separated.
一般に、薄膜ＥＬ素子としては第３図に示すように、透
明なガラス基板１１に密着させた透明電極１２と対向配
置させた背面電極１６との間に発光体として螢光体層１
４を介存させている。即ち、ＺｎＳ ： Ｍｎ 螢光体
１４を電子ビーム蒸着、スパッタ等）こより薄膜形成し
た螢光体ノ＠１４を、Ｙ２Ｏ，。Generally, as shown in FIG. 3, a thin film EL element has a phosphor layer 1 as a light emitter between a transparent electrode 12 closely attached to a transparent glass substrate 11 and a back electrode 16 disposed facing each other.
4 is intervening. That is, the ZnS:Mn phosphor 14 is formed into a thin film by electron beam evaporation, sputtering, etc., using Y2O.
Ａｔ、Ｏ，、Ｔａ、 ０５． ＢｕＴｉＯ，、ＰｂＴｉ
０． 、５ｒＴｉＯ，等の誘電薄膜層１３．１５で両側
から挾んだ、所謂二重絶縁構造にしたものが広く知られ
ている。At, O,, Ta, 05. BuTiO, PbTi
0. , 5rTiO, etc. are sandwiched from both sides by dielectric thin film layers 13, 15, so-called double insulation structure is widely known.
この薄膜ＥＬ素子の発光メカニズムζゴ、ミ工う−（Ｇ
、０ 、 Ｍｉｉｌｌｅｒ 、 Ｐｈｙｓｊｃａ ５ｔ
ａｔｕｓ ８ｏ１ｉｄｉ （ａ）１、・
より供給される電子が、外部より印加さｎていざ〈
電界の助ｆ″ｊを借りて、螢光体層１４内で矢印Ａの如
く電子で加速さｎ十分なエネルギーを得た後、螢光体層
１４の発光センターＢを励起し、発光を生じさせるもの
であると理解されている。The light emitting mechanism of this thin film EL element
, 0 , Miller , Physjca 5t
electrons supplied from the phosphor layer 14 are accelerated as shown by arrow A within the phosphor layer 14 when applied from the outside. It is understood that after obtaining the energy, the luminescent center B of the phosphor layer 14 is excited, causing luminescence.
このような発光メカニズム及びその製造法による制約等
に起因して、薄膜ＥＬ素子に適する螢光体としては、上
記ＺｎＳ：Ｍｎの他１こＺｎＳ：Ｔｂ−？ＺｎＳ：ＲＥ
（ＢＥは希土類）とかＳ ｒ Ｓ ： ＣｅＣ２やＯａ
Ｓ ：Ｅｕ等が実用に用いられたり、実験検討用して用
いられており、ここらは、例ｎも母体が、電子供給、電
子加速の点から硫化物ｌこかたよっている。Due to the above-mentioned light emission mechanism and restrictions due to its manufacturing method, phosphors suitable for thin film EL devices include ZnS:Mn and one other phosphor, ZnS:Tb-? ZnS:RE
(BE is rare earth) or S r S: CeC2 or Oa
S:Eu, etc. are used in practical use or for experimental studies, and in Example N, the parent material is slightly sulfide from the viewpoint of electron supply and electron acceleration.
現在用いられている薄膜ＥＬ素子の螢光体が硫化物にか
たよっている事から、ＣＲＴ用、紫外線励起ランプ用、
低速電子線用等の高輝度でしかも種々の色を必要とする
螢光体が、薄膜ＥＬ素子用の螢光体としては十分に利用
されていなかった。Since the phosphors of thin-film EL devices currently used are mostly sulfides,
Fluorescent materials that require high brightness and various colors, such as those used for low-speed electron beams, have not been sufficiently utilized as fluorescent materials for thin-film EL devices.
この発明は、上記の問題を解決するため、電子加速層と
発光励起層を分離した機能分離型の構造にする事により
、多くの材料を高輝度ｔよ螢光体として使用する事ので
きる薄膜ＥＬ累子を提供する事を目的とする。In order to solve the above problems, this invention has developed a thin film that can be used as a high-brightness phosphor by creating a functionally separated structure in which the electron acceleration layer and the emission excitation layer are separated. The purpose is to provide EL Yuko.
この薄膜ＥＬ索子は、螢光体層部分を電子加速層及び発
光励起層に分離した構造となる事１こより、誘電体層よ
り供給さｎる電子を電子加速層で十分に加速した後、発
光励起層に侵入させ、発光センターを励起させると云う
機能分離型の構造をとっている。This thin film EL cell has a structure in which the phosphor layer is separated into an electron acceleration layer and a luminescence excitation layer.1.After electrons supplied from the dielectric layer are sufficiently accelerated in the electron acceleration layer, It has a functionally separated structure in which it penetrates the luminescent excitation layer and excites the luminescent center.
以下この発明の一実施例を図面を参照しつつ説明する。 An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
第１図は、透明なガラス基板１の上に透明電極２そ配設
し、この透明電極２の上に絶縁材として第１の誘電体層
３を配設している。In FIG. 1, a transparent electrode 2 is disposed on a transparent glass substrate 1, and a first dielectric layer 3 is disposed on the transparent electrode 2 as an insulating material.
上記誘電体層３の上には、先ず第１の・を子加速層７ａ
を配設し、この加速層７ａと組をなす第１の発光励起層
８ａをその上に配設している。On top of the dielectric layer 3, first a first acceleration layer 7a is formed.
A first light emitting excitation layer 8a, which forms a pair with the acceleration layer 7a, is disposed thereon.
これら一対の電子加速層７ａと発光励起層８ａの上に、
更に第２の電子加速Ｊｆｉ７ｂと第２の発光励起層８ｂ
を重ねた多重層構造としている。On top of these pair of electron acceleration layers 7a and emission excitation layer 8a,
Further, a second electron acceleration Jfi7b and a second luminescence excitation layer 8b
It has a multi-layered structure.
上記第２の発光励起層８ｂの上（こ、更に第３の電子加
速層７Ｃを配設した後、第２の誘電体層５を介して背面
電極６を設けて薄膜ＥＬ素子を形成している。After disposing the third electron acceleration layer 7C on the second emission excitation layer 8b, a back electrode 6 is provided via the second dielectric layer 5 to form a thin film EL element. There is.
このように構成した薄膜ＥＬ索子の一対の電極２．６間
に所定のｔ圧を印加すると、第２図に示すように、電子
の供給は第１の誘電体Ｎ３と第１の電子加速層７ａとの
界面準位９で（ごく一部は、第１の電子加速層７ａ内ま
たは第１の発光励起層８ａと第２の電子加速層７ｂの界
面準位で行う）行う。この供給された電子を第１．第２
の電子加速層７ａ、７ｂで十分加速１０した後、紺１．
第２ （７）発光励起層８ａ、８ｂに侵入させ、励起／
ｉ８ａ、８ｂ内の発光センター１１ａ、ｌｌｂと衝突し
て励起しＥＬ発光させる。When a predetermined t-pressure is applied between the pair of electrodes 2.6 of the thin film EL cord constructed in this manner, as shown in FIG. This is carried out at the interface level 9 with the layer 7a (a small portion is carried out within the first electron acceleration layer 7a or at the interface level between the first emission excitation layer 8a and the second electron acceleration layer 7b). The supplied electrons are transferred to the first . Second
After sufficient acceleration 10 in the electron acceleration layers 7a and 7b, the dark blue 1.
2nd (7) Entry into the emission excitation layers 8a and 8b for excitation/
It collides with the light emitting centers 11a and llb in i8a and 8b to excite them and cause them to emit EL light.
このように、供給される電子を加速専門の層と、電子を
衝突させて発光センターの励起専門の層と云うように機
能を分離させる事により高輝度な発光を得るものである
。In this way, high-intensity light emission is obtained by separating the functions, such as a layer specialized for accelerating the supplied electrons and a layer specialized for excitation of the luminescent center by causing electrons to collide.
電子加速層の材料としては、ＺｎＳ 、 ＣｄＳ 、（
Ｚｎ、Ｃ！ｄ）Ｓ 、 Ｚｎ５ｅ、 （Ｚｎ、Ｃ！ｄ）
Ｓｅ 、 ＣｄＳｅ、 （Ｚｎ、ｃｄ）ＳｘＳｅｌ−。Examples of materials for the electron acceleration layer include ZnS, CdS, (
Zn, C! d) S, Zn5e, (Zn, C!d)
Se, CdSe, (Zn, cd)SxSel−.
工、ＣａＳ、ＯｒＳ、ＺｎＯ等が適している。これらの
材料は、完全導体ではなく、半導性を持つものが多く、
そのため外部電界を印加した際、適度ｉこ全素子に対し
て分配電圧を有することにより加速電界を得ることがで
きる。また、この加速電界の助けて借り、その比較的高
いｔ子易動度により電子を加速する事が可能となるから
である。Metal, CaS, OrS, ZnO, etc. are suitable. Many of these materials are not perfect conductors, but semiconducting.
Therefore, when an external electric field is applied, an accelerating electric field can be obtained by having a moderately distributed voltage across all elements. Further, with the help of this accelerating electric field, it is possible to accelerate electrons due to the relatively high t-n mobility.
なお、これら電子加速ノーは、抵抗加熱蒸着法、電子ビ
ーム蒸着法、スパッタリング法、ＭＯＧ￥Ｄ法ｈｔＢＥ
法、 ＡＬＥ法およびクライスターイオンビーム法等の
成膜手法により形成する。Note that these electron acceleration methods include resistance heating evaporation method, electron beam evaporation method, sputtering method, MOG\D method htBE
The film is formed by a film forming method such as the ALE method, the Kleister ion beam method, or the like.
一方、発光励起層に用いられる螢光体としては、ＣＲＴ
用、紫外線励起ランプ用および低速電子線用１こ用いら
ｎてきた高発光効率のものが幅広く利用することができ
る。On the other hand, as a phosphor used for the emission excitation layer, CRT
High luminous efficiency products can be used in a wide range of applications, including those for use in ultraviolet excitation lamps and low-speed electron beams.
具体的には、比較的高抵抗なＺｎ、Ｓｉｎ、 ：Ｍｎ
（緑）。Specifically, relatively high resistance Zn, Sin, :Mn
(green).
Ｙ、Ｓ ｉＯ，：Ｏｅ （育） 、 Ｚｎ、 （ＰＯ，
）、 ：Ｍｎ（赤） 、’ＣａＸへ０４：Ｗ（青紫）
、 ＭｇＳｉＯ３：Ｍｎ（赤）、Ｙ２Ｏ３：Ｅｕ（赤
）。Y, SiO, :Oe (Iku), Zn, (PO,
), :Mn (red), 'CaX to 04:W (blue-purple)
, MgSiO3:Mn (red), Y2O3:Eu (red).
Ｙ２０ｚＳ ： Ｅｕ （赤） 、 Ｃ）ｄ、０．Ｓ
： Ｔｂ （緑）、Ｌａ２０．Ｓ：Ｔｂ（緑） 、 （
Ｙ、Ｕｄ） ０．Ｓ ： Ｔｂ （白） 、 Ｙ、Ａ１
５０１ ｙ ： Ｃｅ （緑）。Y20zS: Eu (red), C) d, 0. S
: Tb (green), La20. S:Tb (green), (
Y, Ud) 0. S: Tb (white), Y, A1
501y: Ce (green).
ＣａＳｉＯ３：Ｐｂ ：Ｍｎ （赤）、Ｂａ２Ｍｇ
Ｓｉ、Ｏ，： Ｅｕ” （青緑）。CaSiO3:Pb:Mn (red), Ba2Mg
Si, O,: Eu” (blue-green).
Ｙ２Ｏ，Ｓ ： Ｐｒ （緑） 、 ＹＶＯ，： Ｅｕ
（赤）２よびＢａＦＢｒ：Ｅｌｌ（赤）等をこの発明
のような構造（ζすることによりＥＬ素子用の発光励起
層として用いることができる。Y2O,S: Pr (green), YVO,: Eu
(red) 2, BaFBr:Ell (red), etc. can be used as a light emitting excitation layer for an EL device by having the structure (ζ) as in the present invention.
また、半導性のＺｎ８：Ｍｎ（末１） 、 ＺｎＳ ：
ＲＥ（ＲＥ ｉ；！希土類により各色を発光する）
、Ｃａｂ：Ｅｕ （赤）。In addition, semiconducting Zn8:Mn (terminus 1), ZnS:
RE (RE i;! Each color is emitted by rare earth elements)
, Cab:Eu (red).
Ｓｒ８：Ｏｅ、Ｃｊ（赤）、（乙ｕ 、ｃｄ ）Ｓ ：
Ａｇ （赤）１゜ＺｎＳ ： Ｃｕ 、Ａｔ （緑）
、 ＺｎＳ ： Ｃｕ、Ｉ （青） 、 （Ｚｎ、Ｃｄ
）Ｓ ：ＡｕＡｊ （黄緑）、Ｚｎ８ ： Ａｕ、Ａｔ
（黄緑） 、 ＺｎＳ ： Ａｇ（”りおよびＺｎ（
Ｓ、Ｓｅ）：Ａｇ（緑）等の材料を発光励起層とするこ
とも可能で、この場合は、より発光開始電圧が低下する
と共に高輝度の発光を示している。Sr8: Oe, Cj (red), (Ou, cd) S:
Ag (red) 1゜ZnS: Cu, At (green)
, ZnS: Cu, I (blue), (Zn, Cd
)S: AuAj (yellow green), Zn8: Au, At
(yellow green), ZnS: Ag("ri and Zn(
It is also possible to use a material such as S, Se):Ag (green) as the emission excitation layer, and in this case, the emission starting voltage is lowered and high luminance is emitted.
なお、発光励起層も上記電子加速層と同様な成膜手法に
より形成する。Note that the emission excitation layer is also formed by the same film formation method as the electron acceleration layer.
誘電体層の材質は、従来用いられていたＹ２Ｏ，。The material of the dielectric layer is Y2O, which has been conventionally used.
Ａｔ１０． 、 Ｔａ２Ｏ，、Ｂａ’ｒｉ０３ 、 Ｐ
ｂ’ｆ’ｉ０． 、５ｒＴｉＯ，、Ｓｉ、Ｎ、。At10. , Ta2O,, Ba'ri03, P
b'f'i0. ,5rTiO,,Si,N,.
Ｇｅｍ、 、 Ｓ １ＯｘＮｙ 、 Ａ１０ｘＮｙ 、
８ ｉＡＩ！ＯＮ 、 Ｔｉｅ、等のものが適してお
り、その膜厚は２００〜８００ ｎｍが好ましい０
この実施例では、誘電体層を第１と第２と云うように二
重絶縁タイプ多こなっているが、誘電体層が透明を極側
だけに設けたＭＩＳタイプ構造のものであってもよい。Gem, , S1OxNy, A10xNy,
8 iAI! ON, Tie, etc. are suitable, and the film thickness is preferably 200 to 800 nm. In this example, the dielectric layer is of double insulation type, such as the first and second dielectric layers. However, an MIS type structure in which the dielectric layer is transparent only on the pole side may be used.
また、電子加速層と発光励起層の組み合せ層は、好まし
くは二つ以上二十以下の積層とする。積層数が一つだと
、電子加速層で加速された電子で、発光励起層の発光セ
ンターを１００ ％励起したとしても、発光センターの
数が不足し、十分な発光輝度が得らｎない。積層数が二
十を起えると、各電子加速層、発光励起層の厚さを極め
て薄くしなけｎばならず、結晶が十分に成長せず易動度
あるいは付活剤の母体へめ適切な固溶、拡散をはかるこ
とが大変難しくなる。Further, the combination layer of the electron acceleration layer and the emission excitation layer is preferably a stack of two or more and twenty or less layers. If the number of laminated layers is one, even if 100% of the luminescence centers in the luminescence excitation layer are excited by electrons accelerated in the electron acceleration layer, the number of luminescence centers will be insufficient and sufficient luminance will not be obtained. When the number of laminated layers increases to 20, the thickness of each electron acceleration layer and luminescence excitation layer must be made extremely thin, and the crystals may not grow sufficiently, resulting in insufficient mobility or activator matrix. It becomes very difficult to measure solid solution and diffusion.
なお、単一の電子加速層、発光励起層の厚さは、各々の
材質、成膜法、積層数１こよっても異なって来るが、実
験の結果からも電子加速層は６ト３００ｎｍ 、発光
励起層は５〜１１００ｎのものが好ましく、特に高抵抗
螢光体の場合は、電子加速層１２０〜３００ｎｍ、発光
励起層５〜５０ｎｍ と云うように発光励起層を薄り、
電子加速層を厚くするのが望ましい。Note that the thickness of a single electron acceleration layer and emission excitation layer varies depending on the material, film formation method, and number of laminated layers, but the experimental results show that the electron acceleration layer has a thickness of 6 to 300 nm and an emission excitation layer of 6 to 300 nm. The photoexcitation layer preferably has a thickness of 5 to 1100 nm, and especially in the case of a high-resistance phosphor, the emission excitation layer is thinned such that the electron acceleration layer is 120 to 300 nm, and the emission excitation layer is 5 to 50 nm.
It is desirable to make the electron acceleration layer thick.
〔第１実施例および比較例〕
７０ン蒸気で洗浄されたガラス基板（コーニング７０５
９）上にＩＴＯを蒸着後、第１誘電体層としてＴａ１Ｏ
，をスパッタ法で４００ ｎ ｍの厚さ１こ形成した。[First Example and Comparative Example] A glass substrate (Corning 705
9) After depositing ITO on top, Ta1O is used as the first dielectric layer.
, was formed to a thickness of 400 nm by sputtering.
続いて緑色発光を示す粉末螢光体Ｇｄ、Ｏ，Ｓ：Ｔｂを
石英シャーレに入ｎ１一方のスパッタタゲートとし、加
圧成形した焦付１Ｚｎｓをもう一方のターゲットとして
交互に二元スパッタを実施した。スパッタ圧は２Ｘ１０
Ｔｏｒｒで各々実施し、パワーは１５０〜■であっ
た。Next, binary sputtering was performed alternately by placing powdered phosphors Gd, O, S:Tb that emit green light into a quartz petri dish, using n1 as one sputtering target, and using pressure-molded hot 1Zns as the other target. did. Sputtering pressure is 2X10
Each test was carried out at Torr, and the power was 150 to ■.
まず、’ｆ’ａ２０．の上にＺｎＳ、ｆｌを１５０ｎｍ
ｌこ形成し、２０ｗＡｒ レーザーで表面を走査し、
レーザーアニールした後、Ｇａ、Ｏ，Ｓ ： ’ｌ’ｂ
層を３０ｎｍに形成し、ここも上記と同様レーザーアニ
ールした。First, 'f'a20. ZnS, fl on top of 150nm
The surface was scanned with a 20wAr laser,
After laser annealing, Ga, O, S: 'l'b
A layer was formed to a thickness of 30 nm and laser annealed in the same manner as above.
この成膜を繰り返し行い、最終的には３０ｎｍのＧｄ、
０２Ｓ ： ＴｂＪｍｅ ４ ／ｆｆ形成し、１２０ｎ
ｍのＺｎ８層を５層形成した後、第２訪電体としてＳｉ
、ＶＯＮを３００ｎｍの厚さに形成し、最後にＡ／背面
電啄そ蒸着してＥＬ素子を形成した。This film formation was repeated, and finally 30 nm of Gd,
02S: TbJme 4 /ff formed, 120n
After forming five Zn8 layers of m
, VON was formed to a thickness of 300 nm, and finally an A/back electrode was deposited to form an EL element.
なお、比較サンプルとして（）ｄ、０．Ｓ ： Ｔｂ
のみを上記の第１．第２誘電体に侠まこる形で７２０ｎ
ｍ１こスパッタしたものを作成した。Note that ()d, 0. S: Tb
Only the above 1. 720n in the shape of the second dielectric
A product was prepared by sputtering ml.
このようｆこ形成したサンプルを周波数５０１１Ｚの電
源でＯ■から昇圧しながら発光テストを行った所、比較
サンプルは２５０Ｖまで上げても発光しなかった。一方
実施例サンプルｌ：１ｔ１５０Ｖ近辺で目視確認できる
発光があり、２００Ｖでは３０ｆｔ−Ｌの輝度を示した
。When a light emission test was conducted on the sample thus formed with a power supply having a frequency of 5011Z while increasing the voltage from O2, the comparative sample did not emit light even when the voltage was increased to 250V. On the other hand, Example sample 1: 1t emitted visible light at around 150V, and exhibited a luminance of 30ft-L at 200V.
〔第２実施例２よび比較例〕
第１実施例と同様のＩＴＯガラス上に、第１誘電体層と
してＰｂＴ１Ｃｓ％スバ、り法で５００ｎｍの厚さに形
成した。次いで、赤色発光するＺｎ５（ＰＯｔ）ｔ ：
ＭｎをＭｏ ボートに入ｎ一方の蒸発源とし、Ｚｎ（
Ｓ。[Second Example 2 and Comparative Example] A first dielectric layer was formed to a thickness of 500 nm using a PbT1Cs% sputtering method on the same ITO glass as in the first example. Next, red-emitting Zn5(POt)t:
Mn was put into a Mo boat as one evaporation source, and Zn (
S.
Ｓｅ）をもう一方のＭＯボート１こ入れ、他方の蒸発源
としてシャッタ開閉法による二元真空蒸着した。One boat of Se) was placed in the other MO boat, and binary vacuum evaporation was performed using the shutter opening/closing method as the other evaporation source.
真空度はｌＸｌ０−５Ｔｏｒｒで実施し、先ずｐｂ’ｒ
ｉｏ。The vacuum level was 1X10-5 Torr, and first pb'r
io.
上にＺｎ（Ｓ、Ｓｅ）のシャッタを開いて、Ｚｎ（Ｓ、
Ｓｅ）層を１７０ｎｍに形成し、レーザーアニールした
。Open the shutter of Zn(S, Se) above and
Se) layer was formed to a thickness of 170 nm and laser annealed.
次いで、Ｚｆｆ（Ｓ、Ｓｅ）の’／ −ｙ ｙりを閉じ
、Ｚｎ５（ＰＯ４）。Then close the '/-y y chain of Zff(S, Se) and Zn5(PO4).
：Ｍｔｚ層を２０ｎｍｌこ形成し、表面をレーザーアニ
ールした。:A 20 nm Mtz layer was formed, and the surface was laser annealed.
この動作を繰り返し行い、最終的には２０ｎｍの厚さの
Ｚｎ５（ＰＯ，）、 ： Ｍｎ層を３層、１７０ｎｍの
厚さのＺｎ（Ｓ、Ｓｅ）層ｆｉ−４層形成した後ＡＩ！
背面’ｔｉを蒸着してＥＬ素子を形成した。After repeating this operation and finally forming three 20 nm thick Zn5(PO,):Mn layers and 170 nm thick Zn(S,Se) fi-4 layers, AI!
An EL element was formed by depositing 'ti' on the back side.
なお、比較サンプルとしては、Ｚη、 （ＰＯ，） ：
Ｍｎのみをｐｂ’ｒｉｏ、上に７４Ｑｎｍに蒸着した
ものを作成に周波数５０Ｈｚの１を源でＯ■から除々に
昇圧しながら発光テストを行ったところ、比較サンプル
は２５０Ｖまで全昇圧しても発光しなかった。In addition, as a comparison sample, Zη, (PO,):
A light emission test was performed on a sample in which only Mn was evaporated to 74 Qnm on pb'rio, using a 1 source at a frequency of 50 Hz while gradually increasing the voltage from O. The comparative sample did not emit light even when the voltage was increased to 250 V. I didn't.
一方、実施例のＥＬ素子は１８０Ｖ近辺で目視確認でき
る発光が現われ、２００■では１５ｆｔ−Ｌの輝度を示
した。On the other hand, the EL element of the example emitted visible light at around 180V, and exhibited a luminance of 15ft-L at 200V.
〔第３実施例２よび比較例〕
第１実施例と同様のＩＴＯガラス上に、第１誘電体層と
してＢａＴｉ０．をスパッタで３００ ｎｍの厚さに形
成した、次いで青色発色する８ｒＳ：Ｃｅ、Ｏ１！ペレ
ットをＥＢ蒸着ベレットハウスに入れ、一方の蒸着源と
し、（Ｚｎ、Ｃｄ）Ｓペレットをもう一方の蒸着源とし
、ハウス回転による二元ＥＢＢａｆ実施した０
この蒸着は、真空度Ｉ Ｘ １０ ”ｆ’ｏｒｒ甲で、
先ずＢａＴｉ０．上に（Ｚｎ、Ｃｄ）８ ／＊ｉ １５
０ｎｍに形成し、レーザーアニールする。ついでＳｒ８
： Ｃｅ 、Ｃｌ層’）１００ｎｍ形成し、レーザー
アニールした。[Third Example 2 and Comparative Example] BaTi0. was formed to a thickness of 300 nm by sputtering, and then 8rS:Ce, O1!, which develops a blue color, was formed by sputtering. The pellets were placed in an EB evaporation pellet house, one evaporation source was used, and the (Zn, Cd)S pellet was used as the other evaporation source, and binary EBBaf was carried out by house rotation. This evaporation was carried out at a vacuum degree of I x 10"f. 'orr instep,
First, BaTi0. On top (Zn, Cd) 8 /*i 15
It is formed to a thickness of 0 nm and laser annealed. Then Sr8
: Ce, Cl layer') was formed to a thickness of 100 nm and laser annealed.
これを繰り返すことにより、１５０ｎｍの（Ｚｎ、Ｃｄ
）ＳＭｌｉｌ−３ノ＆＋１１００ｎのＳｒＳ：Ｃｅ、Ｃ
／層を２層形成後、 ’Ｉ’ａ２０．誘電体層をスパッ
タ法により３００ｎｍ蒸着した。そして最後にＡ／背面
電極を蒸着することにより、ＥＬ素子を形成した。By repeating this, 150 nm of (Zn, Cd
) SMlil-3 & +1100n SrS:Ce,C
/ After forming two layers, 'I'a20. A dielectric layer was deposited to a thickness of 300 nm by sputtering. Finally, an A/back electrode was deposited to form an EL element.
なお、比較サンプルを周波数５０ Ｈｚの電源で除々に
昇圧しながら発光テストを行った所為比較サンプルは１
８０Ｖ近辺で発光が現わｎ、２００Ｖでは、１０ｆｔ−
Ｌの輝度を示したの（こ対し、実施例のＥＬ素子は１５
０Ｖ近辺で発光が始まり、２００Ｖでは７０ｆｔ−Ｌと
昼輝度な青色発光を示した。In addition, because the comparison sample was subjected to a light emission test while gradually boosting the voltage with a power supply with a frequency of 50 Hz, the comparison sample was 1
Light emission appears around 80V, and at 200V, 10ft-
(On the other hand, the EL element of the example showed a luminance of 15
Light emission started at around 0V, and at 200V it showed daylight blue light emission of 70ft-L.
Ｔよお、この実施例では電子の加速を透明電極の一方向
からのみ、説明しているか、電子加速層は発光励起／＠
１そ挾むようｌこして形成であるので、背面電極側から
電子を放出するときも必ず、電子加速層を介して発光励
起層に電子が到達するよう１こなっている。T, in this example, the acceleration of electrons is explained only from one direction of the transparent electrode, or the electron acceleration layer is excited by luminescence/@
Since the layer is formed so that it is sandwiched between the two layers, the electrons always reach the light emitting excitation layer via the electron acceleration layer even when electrons are emitted from the back electrode side.
この発明によると、電子加速層２発光起層の各々の層を
別々にすること１こより、ＥＬ螢光体として用いられて
いた材料の他ｆこ、ＥＬ螢九体として用いる半が出来な
かった材料でも、発光励起層として用いる事により高輝
度、高効率のＥＬ発光が可能となり、青、縁、赤、白な
どの多色素足か容易（こ出来るようｆこなった。According to this invention, since the electron accelerating layer and the light emitting layer are separated from each other, it is not possible to use materials other than those used as EL phosphors. By using the material as a luminescence excitation layer, high brightness and high efficiency EL emission is possible, and multi-color pigments such as blue, edge, red, and white can be easily created.
また、積層する層の構成を変化させる事によりＥＬ発光
素子の発光電圧、輝度などを大巾１こ改良することも出
来る。Furthermore, by changing the structure of the laminated layers, it is possible to greatly improve the emission voltage, brightness, etc. of the EL light emitting element.
第１図は、この発明の一実施例を原理的に説明する図、
第２図は、同側の動作を説明するための図、第３図は、
従来の説明図、第４図（ま第３図の動作を説明するため
の図である。
１・・・・・ガラス基板
２・・・・・透明′電極
３．５・・・・・誘電体層
？ａ、７ｂ、７ｃ ”電子加速層
８ａ、８ｂ・・・・・発光励起層
壬ｑ厚ミ←
手続補正書
昭和６１年１２月４日
特許庁長官 黒 １）明 雄 殿
１、事件の表示
特願昭６１−１７２２９８号 １（″′き２、
発明の名称
薄膜ＥＬ素子
３、補正をする者
事件との関係 特許出願人
（０３７） オリンパス光学工業株式会社４、代理人
住 所 東京都大田区西蒲Ｆ）１７丁目５０番３号田
村ビル３１借
〒１４４ 電話 ０３−７３８−９７７１６、補正の
対象
明ＭＡ書
７、補正の内容
（１）本願明ａ書第２頁４行目の’ Ｂ ｕ Ｔ ｉＯ
３Ｊの部分を’ＢａＴｉＯ３」と訂正する。
（２）同明細書第２頁１９行目のｒＳｒＳ：ＣｅＣＩ」
の部分を’ＳｒＳ：Ｃｅ、ＣＩＪと訂正する。
（３）同明細書第３頁１行目の「例れも」の部分を「い
ずれも」と訂正する。
（４）同明細書第５頁１３行目のｒｃｒｓ」の部分を「
ＳｒＳ」と訂正する。
出願人 オリンパス光学工業株式会社χ′９；野士FIG. 1 is a diagram illustrating the principle of an embodiment of the present invention.
Figure 2 is a diagram for explaining the ipsilateral operation, and Figure 3 is
Conventional explanatory diagram, Fig. 4 (This is a diagram for explaining the operation of Fig. 3. 1...Glass substrate 2...Transparent electrode 3.5...Dielectric Body layer?a, 7b, 7c ``Electron acceleration layer 8a, 8b... Luminescence excitation layer 壬qThickness ← Procedural amendment December 4, 1985 Commissioner of the Patent Office Black 1) Akio Tono 1, Incident Display Patent Application No. 172298/1983 1 ('' 2,
Name of the invention: Thin film EL element 3; Relationship with the person making the amendment Patent applicant (037) Olympus Optical Industry Co., Ltd. 4; Agent address: 31 Tamura Building, 17-50-3 Nishikan F, Ota-ku, Tokyo Borrowed address: 144 Phone: 03-738-97716, Subject of amendment MA 7, Contents of amendment (1) Specification of Application A, page 2, line 4' B u T iO
Correct the 3J part to 'BaTiO3'. (2) rSrS:CeCI on page 2, line 19 of the same specification.”
Correct the part as 'SrS:Ce, CIJ. (3) In the first line of page 3 of the same specification, the word ``example'' is corrected to ``all.'' (4) Replace “rcrs” on page 5, line 13 of the same specification with “
SrS” is corrected. Applicant: Olympus Optical Industry Co., Ltd.
Claims (2)
して配設された一対の電極と、この透明電極に隣接し、
かつ他方の電極との間に設けられた誘電体層と、この誘
電体層と他方の電極間に、少とも電子加速層と発光励起
層よりなる組み合せ層を介存させた事を特徴とする薄模
ＥＬ素子。(1) A pair of electrodes, at least one of which is made of a transparent electrode, and which are arranged opposite to each other, and adjacent to the transparent electrode,
and a dielectric layer provided between the other electrode, and a combination layer consisting of at least an electron acceleration layer and a light emission excitation layer interposed between the dielectric layer and the other electrode. Thin EL element.
速層を有するようにした事を特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の薄膜ＥＬ素子。(2) The thin film EL device according to claim 1, wherein the combination layer has an electron acceleration layer on both sides of the emission excitation layer.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61172298A JPS6329489A (en) | 1986-07-21 | 1986-07-21 | Thin film el device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61172298A JPS6329489A (en) | 1986-07-21 | 1986-07-21 | Thin film el device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6329489A true JPS6329489A (en) | 1988-02-08 |
Family
ID=15939333
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61172298A Pending JPS6329489A (en) | 1986-07-21 | 1986-07-21 | Thin film el device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6329489A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0210693A (en) * | 1988-06-28 | 1990-01-16 | Nec Corp | Organic thin film el device |
| JPH0414397U (en) * | 1990-05-28 | 1992-02-05 | ||
| JPH0414398U (en) * | 1990-05-28 | 1992-02-05 | ||
| JP2013243005A (en) * | 2012-05-18 | 2013-12-05 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | Inorganic electroluminescent element, method of manufacturing the same, and light-emitting device |
-
1986
- 1986-07-21 JP JP61172298A patent/JPS6329489A/en active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0210693A (en) * | 1988-06-28 | 1990-01-16 | Nec Corp | Organic thin film el device |
| JPH0414397U (en) * | 1990-05-28 | 1992-02-05 | ||
| JPH0414398U (en) * | 1990-05-28 | 1992-02-05 | ||
| JP2013243005A (en) * | 2012-05-18 | 2013-12-05 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | Inorganic electroluminescent element, method of manufacturing the same, and light-emitting device |
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