JPS63289815A - Inspection of photomask - Google Patents
Inspection of photomaskInfo
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- JPS63289815A JPS63289815A JP62124303A JP12430387A JPS63289815A JP S63289815 A JPS63289815 A JP S63289815A JP 62124303 A JP62124303 A JP 62124303A JP 12430387 A JP12430387 A JP 12430387A JP S63289815 A JPS63289815 A JP S63289815A
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Landscapes
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体集積回路の製造に用いるフォトマスクの
検査方法に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of the Invention The present invention relates to a method for inspecting photomasks used in the manufacture of semiconductor integrated circuits.
従来の技術
半導体集積回路の製造に際して、半導体基板に所定の構
成パターンを露光させるために、同パターンを1〜10
倍に拡大したガラス基板からなるフォトマスクが使用さ
れる。従って、このフォトマスクの検査は半導体集積回
路の製造歩留、品質を決定する重要な工程になる。現在
、フォトマスク検査方法として、次に挙げる4方式を組
み合わせている。まず第1に、オペレーターが顕微鏡に
より現物フォトマスクパターンを観察して異常を検出す
る目視検査方式、第2に、一対の顕微鏡を介して得られ
た2個の現物フォトマスクパターン像を光学的に比較し
相違を検出する目視パターン比較検査方式、第3に、隣
り合った繰り返しフォトマスクパターンを電気信号に変
換比較し相違を検出する自動パターン比較検査方式、第
4に、光電変換系を介して得られた現物フォトマスクパ
ターンのパターンデータと同フォトマスクを製造する際
の原パターンデータとを比較照合するデータベースによ
る検査方式がある。2. Description of the Related Art When manufacturing semiconductor integrated circuits, in order to expose a semiconductor substrate to a predetermined structural pattern, the same pattern is
A photomask consisting of a glass substrate magnified twice is used. Therefore, inspection of this photomask becomes an important process that determines the manufacturing yield and quality of semiconductor integrated circuits. Currently, the following four methods are combined as photomask inspection methods. First, a visual inspection method in which an operator observes the actual photomask pattern using a microscope and detects any abnormalities.Secondly, two actual photomask pattern images obtained through a pair of microscopes are optically inspected. A visual pattern comparison inspection method that compares and detects differences. Third, an automatic pattern comparison inspection method that converts and compares adjacent repeating photomask patterns into electrical signals and detects differences. Fourth, a photoelectric conversion system There is an inspection method using a database that compares and checks the pattern data of the obtained actual photomask pattern with the original pattern data when manufacturing the same photomask.
実際のフォトマスク検査方法としては、まずマスク基板
あるいは半導体基板にパターンを露光させるための5〜
10倍に拡大したレチクルの検査に上述の第4の検査方
式を用い、このレチクルを115〜1/10縮小したマ
スクの検査に上述の第3の自動パターン比較検査方式を
行い、既製作済のフォトマスクを一部回路修正を行う際
、回路修正箇所の確認に第2の目視比較検査方式を行な
っている。なお、上述の第1の目視検査方式は検査時間
がかかり検査ミスが発生しやすいので量産工程にはあま
り使用されない。The actual photomask inspection method begins with five steps to expose a pattern on a mask substrate or semiconductor substrate.
The above-mentioned fourth inspection method is used to inspect a reticle that has been enlarged 10 times, and the above-mentioned third automatic pattern comparison inspection method is used to inspect a mask that has been reduced by 115 to 1/10. When a part of the circuit of a photomask is modified, a second visual comparison inspection method is used to confirm the circuit modification location. Note that the first visual inspection method described above is not often used in mass production processes because the inspection takes time and inspection errors are likely to occur.
第4図に上述したデータベース方式によるフォトマスク
の検査の概要図を示す。フォトマスクを作成するために
使用されたものと同等の原パターンデータ(設計データ
)D+が磁気テープ1に蓄積されている。パターンデー
タD1は変換部3において比較信号D4に変換される。FIG. 4 shows a schematic diagram of photomask inspection using the database method described above. Original pattern data (design data) D+ equivalent to that used to create a photomask is stored on the magnetic tape 1. The pattern data D1 is converted into a comparison signal D4 in the conversion section 3.
また被検査フォトマスク4から光学系6により得られた
フォトマスクパターンの光信号D7はイメージセンサ−
等の光学変換部7によりパターン出力信号D5に変換さ
れ、原データ変換部3から得られた原パターン信号D4
と比較部8で比較され外部19へ出力される。Further, the optical signal D7 of the photomask pattern obtained from the photomask 4 to be inspected by the optical system 6 is transmitted to the image sensor.
The original pattern signal D4 obtained from the original data converter 3 is converted into a pattern output signal D5 by the optical converter 7 such as
It is compared with the comparator 8 and outputted to the outside 19.
発明が解決しようとする問題点
ところが既製作済フォトマスクの部分変更確認に際して
は、このデータベースによる検査方式では回路修正箇所
がフォトマスク上で確認できず、他方、目視比較検査方
式を用いると検査時間が長く高検出精度が得られないと
いう問題点を有していた。Problems to be Solved by the Invention However, when confirming partial changes to a photomask that has already been manufactured, the inspection method using this database does not allow the circuit modification locations to be confirmed on the photomask, and on the other hand, when using the visual comparison inspection method, the inspection time is reduced. The problem was that high detection accuracy could not be obtained due to the long period of time.
本発明は上記の問題点を解決するもので検査時間の短縮
化とともにデータベース上で回路修正箇所の確認を可能
とするデータベースによる検査方式を提供することを目
的とする。The present invention solves the above-mentioned problems, and aims to provide a database-based inspection method that shortens inspection time and makes it possible to confirm circuit correction locations on the database.
問題点を解決するための手段
この目的を達成するために、本発明のフォトマスク検査
方法はデータベースによる検査方式の回路修正前の修正
箇所部分の情報をデータベースにもつ構成を有している
。Means for Solving the Problems In order to achieve this object, the photomask inspection method of the present invention has a configuration in which a database contains information on the parts to be corrected before circuit correction in a database-based inspection method.
作用
この構成によって、データベースとフォトマスクパター
ンデータとを比較した場合でも、原パターンデータとの
比較確認と回路修正箇所の修正前との比較確認を行い、
検査工程の短時間化、高検出精度をはかることが可能で
ある。Effects With this configuration, even when comparing the database and photomask pattern data, it is possible to check the comparison with the original pattern data and the circuit correction part with the before correction.
It is possible to shorten the inspection process time and achieve high detection accuracy.
また、この回路修正前の修正箇所部分の情報は、フォト
マスクパターンデータをCAD処理する際に同時に出力
されうるものである。Further, the information on the modified portion before the circuit modification can be output at the same time when photomask pattern data is subjected to CAD processing.
実施例
以下本発明の一実施例について図面を参照しながら説明
する。EXAMPLE An example of the present invention will be described below with reference to the drawings.
第1図に示すように、まずフォトマスクを作成するため
に使用されたものと同等の原パターンデータD+と被検
査フォトマスク4から光学系6により得られたフォトマ
スクパターンの光信号D7とを、比較部8により、通常
のデータベース方式による比較検査を行う。次に、被検
査フォトマスク4が、一部パターン変更されて作り直さ
れたものであるとき、回路修正箇所の修正前の情報D2
を蓄積した磁気テープ2をCAD処理により提供し、デ
ータ変換部3により比較データD3に変換する。比較デ
ータD3の修正箇所部分の座標情報をステージコントロ
ーラ11に入力し、被検査フォトマスク4を置くステー
ジ5の制御を行う。As shown in FIG. 1, first, the original pattern data D+ equivalent to that used to create the photomask and the optical signal D7 of the photomask pattern obtained from the photomask 4 to be inspected by the optical system 6 are used. , the comparison section 8 performs a comparison test using a normal database method. Next, when the photomask 4 to be inspected is remade with a part of the pattern changed, the information D2 before the correction of the circuit correction part is
A magnetic tape 2 on which data has been stored is provided by CAD processing, and is converted into comparison data D3 by a data converter 3. The coordinate information of the corrected portion of the comparison data D3 is input to the stage controller 11 to control the stage 5 on which the photomask 4 to be inspected is placed.
そして、フォトマスクの修正箇所部分のパターンは、光
学系6を介し、光学変換装置7により比較データD5に
変換される。この比較データD5と修正前の比較データ
D3とを、比較部8により比較し、比較情報を不良パタ
ーンメモリ9に貯え、CRTIOに出力して、各修正箇
所のパターン確認を行う。Then, the pattern of the corrected portion of the photomask is converted into comparison data D5 by the optical conversion device 7 via the optical system 6. This comparison data D5 and the comparison data D3 before correction are compared by the comparison section 8, and the comparison information is stored in the defective pattern memory 9 and output to the CRTIO to check the pattern of each correction location.
回路修正前後のパターンの一例を第2図に示す。同図A
は修正前のパターンであり、修正後は、同図Bのように
、パターン12の部分パターン14が除去され、パター
ン15が付加される。FIG. 2 shows an example of the pattern before and after circuit modification. Same figure A
is the pattern before modification, and after modification, as shown in FIG. 2B, partial pattern 14 of pattern 12 is removed and pattern 15 is added.
比較部8により比較し、ディスプレイ手段、たとえば、
CRTIOに出力される図を第3図に示す。例えば、フ
ォトマスクパターンデータD5を赤色に修正箇所部分の
修正前の情報D3を緑色に写すと、修正変更されていな
い部分16は紫色、除去部分17は赤色、付加部分18
は緑色によって表示される。これにより、パターン修正
箇所の正確な目視確認を行う。また、修正箇所部分の座
標情報D3でステージ走査範囲が限定されるので走査時
間が短かく、従来の目視パターン比較検査方式に比べ作
業能率を著しく改善することができる。Comparison unit 8 compares and display means, for example,
A diagram output to the CRTIO is shown in FIG. For example, if the photomask pattern data D5 is shown in red and the uncorrected information D3 of the corrected portion is shown in green, the uncorrected part 16 is shown in purple, the removed part 17 is shown in red, and the added part 18 is shown in red.
is displayed in green. This allows accurate visual confirmation of the pattern correction location. Furthermore, since the stage scanning range is limited by the coordinate information D3 of the corrected portion, the scanning time is short, and work efficiency can be significantly improved compared to the conventional visual pattern comparison inspection method.
発明の効果
以上のように本発明のフォトマスク検査方法は回路修正
前の修正箇所部分の情報をデータベースとして有するも
のであり、したがって実フォトマスクパターンの修正箇
所部分の目視確認が高精度に行われ、かつステージ走査
範囲が限定されるので、作業時間が短縮され、フォトマ
スクの無欠陥化、フォトマスク製造工程、半導体素子製
造期間の短縮化に大いに役立つものである。特に本発明
によれば、回路修正前の修正箇所部分の情報は回路修正
後の設計データをCAD処理する際に同時にかつ容易に
処理することができ、実用上きわめて有利なものである
。Effects of the Invention As described above, the photomask inspection method of the present invention has information on the modified portions before circuit modification as a database, and therefore visual confirmation of the modified portions of the actual photomask pattern can be performed with high accuracy. , and since the stage scanning range is limited, the working time is shortened, which greatly contributes to making the photomask defect-free and shortening the photomask manufacturing process and semiconductor element manufacturing period. In particular, according to the present invention, information on the modified portion before the circuit modification can be processed simultaneously and easily when the design data after the circuit modification is subjected to CAD processing, which is extremely advantageous in practice.
第1図は本発明の一実施例のフォトマスク検査方式ブロ
ック図、第2図A、Bは回路修正前後のパターンを模式
的に示した平面図、第3図は本発明を用いて修正箇所部
分の比較データをCRT出力した一実施例を示す平面図
、第4図は従来のフォトマスク検査方式ブロック図であ
る。
1・・・・・・原パターンデータ(設計データ)が蓄積
された磁気テープ、2・・・・・・回路修正箇所部分の
修正前のデータが蓄積されている磁気テープ、3・・・
・・・データ変換部、4・・・・・・被検査フォトマス
ク、7・・・・・・光電変換部、8・・・・・・信号比
較部、1o・・・・・・比較データを出力するCRT。
代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 ほか1名第2図
tA)
4− 除夫ノVダーン
CB)15°−#却バ′−′FIG. 1 is a block diagram of a photomask inspection method according to an embodiment of the present invention, FIGS. 2A and B are plan views schematically showing patterns before and after circuit modification, and FIG. FIG. 4 is a plan view showing an embodiment in which comparison data of a portion is outputted to a CRT, and FIG. 4 is a block diagram of a conventional photomask inspection method. 1...Magnetic tape on which original pattern data (design data) is stored, 2...Magnetic tape on which data before modification of the circuit modification portion is stored, 3...
...Data converter, 4...Photomask to be inspected, 7...Photoelectric converter, 8...Signal comparison section, 1o...Comparison data A CRT that outputs. Name of agent: Patent attorney Toshio Nakao and one other person Figure 2 tA) 4- Exorcist V Dern CB) 15°-#Nakaoba'-'
Claims (1)
分の情報をデータベースとして修正箇所部分の確認を行
うフォトマスク検査方法。A photomask inspection method that uses a photomask whose circuit has been corrected to check the corrected areas using information on the corrected areas before circuit correction as a database.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62124303A JPS63289815A (en) | 1987-05-21 | 1987-05-21 | Inspection of photomask |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62124303A JPS63289815A (en) | 1987-05-21 | 1987-05-21 | Inspection of photomask |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63289815A true JPS63289815A (en) | 1988-11-28 |
Family
ID=14881997
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62124303A Pending JPS63289815A (en) | 1987-05-21 | 1987-05-21 | Inspection of photomask |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63289815A (en) |
-
1987
- 1987-05-21 JP JP62124303A patent/JPS63289815A/en active Pending
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