JPS63286810A - 基板露光装置 - Google Patents

基板露光装置

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Publication number
JPS63286810A
JPS63286810A JP62121094A JP12109487A JPS63286810A JP S63286810 A JPS63286810 A JP S63286810A JP 62121094 A JP62121094 A JP 62121094A JP 12109487 A JP12109487 A JP 12109487A JP S63286810 A JPS63286810 A JP S63286810A
Authority
JP
Japan
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mask
light
chuck
substrate
optical system
Prior art date
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Pending
Application number
JP62121094A
Other languages
English (en)
Inventor
Kenji Aiko
健二 愛甲
Hidekuni Sugimoto
杉本 秀邦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi High Tech Corp
Original Assignee
Hitachi Electronics Engineering Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Electronics Engineering Co Ltd filed Critical Hitachi Electronics Engineering Co Ltd
Priority to JP62121094A priority Critical patent/JPS63286810A/ja
Publication of JPS63286810A publication Critical patent/JPS63286810A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7003Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
    • G03F9/7023Aligning or positioning in direction perpendicular to substrate surface
    • G03F9/7026Focusing
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この発明は、基板露光装置に関し、詳しくはマスフと露
光対象となる透光性のある基板との位置決めが容易な基
板露光装置に関する。
[従来の技術] 従来、密着或いは近接露光する基板の露光装置は、露光
部にマスクと基板との平行出しのための機構を有してい
て、露光に先−rっでマスクと基板とを<IL行出しし
て、これらの間隔を所定の密着状態或いは近接状態に保
つために微小間隙に位置付けた後に露光が行われる。
この場合、マスクと基板との位置決めとして行われる間
隔の調整は、観測光学系の移動とその焦点をマスク及び
基板のそれぞれの表面に合わせることで行われ、観測光
学系のt下方向の移動量に応じてマスクに対する基板の
距離が設定される。
焦点合わせの仕方としては、観測光学系に固定された静
電容量変位計の容量値を電気的に検出するものとか、イ
メージセンサにより反射パターンのコントラストを見る
もの等により観測光学系とマスク及び基板の表面との焦
点ずれ量をそれぞれ検出し、この検出信号に従い基板を
それぞれ観測光学系の光軸方向に微小移動させることに
よる。
なお、基板は、基板チャック」二に載置されていて、先
の平行出し機構は、基板を負圧吸着などの方法により保
持した基板チャックの傾きを調整することによって行う
ものである。
[解決しようとする問題点] 反射パターンのコントラストを検出し、その反射面の位
置を認識する従来の投影反射方式にあっては、基板に反
射マークが必要となるが、露光対象となる基板が透光性
のものである場合には、反射マークを設けられない場合
がある。特に、多数の薄膜トランジスタが高密度に形成
されるアクティブ型液晶ディスプレイパネル用の基板は
じめとして各種の光透過形の基板、その他のガラス基板
透光性のプラスチック基板等に対して露光する場合では
、その表面に各種の電子回路、電極等が形成されている
ことが多く、シかも透光性を有することが条件となるた
めに反射マークを設ける領域がなく、実際上、マークを
設けられないか、反射マークの領域及び大きさが制限さ
れて、十分な精度で位置決めできない欠点がある。
また、反射マークが全く設けられない場合には、従来、
透光性基板の表面或いは底面の反射面を利用して位置決
めが行われているが、その反射率が大きくないために、
十分な撮像信号が得られず、このような場合でも正確な
位置決めはできない。
したがって、この発明の目的は、上述の問題点を解決し
、透光性の被露光基板とマスクとの位置決めが容易な基
板露光装置を提供することにある。
[問題点を解決するための手段] 上記目的を達成するためのこの発明の基板露光装置にお
ける手段は、所定の厚さを有する透光性の被露光基板が
載置され、これを保持する平面状のチャックと、チャッ
クの表面及びマスクをそれぞれ観測する観測光学系と、
この観測光学系に対して固定された投影光学系と、この
投影光学系の光軸−1−にあってその表面にパターンを
有する透光性の板と、投影光学系によってチャックの表
面及びマスクにそれぞれ投影されたパターンを受像する
受光部と、この受光部の出力信号を人力とし、この入力
信号に応じてチャック及びマスクと観7Itll光学系
との間隔をそれぞれ相対的に移動させて焦点合わせをす
るための駆動手段と、チャック又はマスクのいずれか−
・方をL上移動する移動機構とを備えていて、チャック
の表面及びマスクには、それぞれ反射マークが設けられ
、これら反射マークにそれぞれ投影されたパターンに対
する受光部の出力信号によりチャック及びマスクのそれ
ぞれと観測光学系とをそれぞれ相対的に移動させて焦点
合わせをして被露光基板とマスクとを所定の間隔に位置
決めするものである。
[作用コ このようにチャック側に反射マークを設けて、反射マー
ク」−に観測光学系の焦点を合わせて受光部にパターン
を結像させ、その像を受光部で観測してマスクとチャッ
クとを位置決めすることにより、前記チャック;ユに載
置された被露光基板とマスクとの距離が被露光基板の厚
さを引き算した位置として得られ、マスクに対して相対
的にチャックを位置決めすることにより被露光基板の表
面とマスクとを所定間隔に位置決めすることができる。
その結果、厚さが分かっている透光性のある基板であれ
ば、反射マークを基板そのものに設ける必四がなく、シ
かも、領域の制限とか場所の制限を受けることなく、チ
ャックの表面」二で精度のよい位置にマークを設置でき
、精度のよい位置決め処理ができる。
[実施例] 以下、図面を参照し、この発明の−・実施例について、
説明する。
第1図は、この発明の基板露光装置を適用した透光性の
ある基板露光装置のW1要図であり、第2図(a)は、
そのパターン板−1−のフォーカス用パターンを被露光
基板に対応付けて示した説明図、第2図(b)は、その
パターン板とパターンとの関係の説明図、第3図は、そ
のイメージセンサの説明図、第4図は、そのフォーカス
制御回路のブロック図、第5図は、透光性の被露光基板
とマスクとの位置決め状態の説明図、そして第6図は、
その位置決め処理の流れ図である。なお、各図において
同等のものは同一の符シフで示す。
第1図においてlOは、X1Y1Zの各方向に移動する
XYZステージと一体化され、表面が;IJ−面状の基
板チャックであり、この1−に露光対象である透光性の
被露光基板12が負圧吸着などによってxlt−川な状
態で固定される。そして、基板チャック10には、その
表面に3個の反射マーク11が設けられていて、その図
面左右両側に位置する反射マーク11.11は、前後方
向の中央に位置するように配置され、その図面正面後方
に位置する反射マーク11は、左右方向の中央に位置す
るように配置されている。
基板チャック10は、フォーカシングするための駆動機
構として微小ト下移動させるモータ31に支持され、モ
ータ31を介してチャック載置台21上に置かれ、チャ
ック載置台21が」ニド移動することにより、焦点合わ
せとチャック移動台21の移動位置とによりマスク13
と被露光基板12とが所定の間隔で位置決めされる。な
お、チャック載置台21の移動機構はその下側に配置さ
れているが図では現れていない。
被露光基板12には、白色光りが照射され、その反射マ
ーク11での反射光が観測光学系15に受光されて、イ
メージセンサ−1二に結像した映像信シ3−の強度によ
り被露光基板12の表面と観測光学系15との位置決め
が行われる。なお、説明の都合1−1第1図ではマスク
13を省略しているが、第5図に示すように、被露光基
板12のににはマスク13が設けられている。そして、
マスク13には、第5図に見るように反射マーク14が
その底面に設けられている。
15aは、前記観測光学系15の対物レンズであり、被
露光基板12を介して基板チャック10の表面上に設け
られた反射マーク11に照射された光線からの反射光は
、この観測光学系15の対物レンズ15a1 ミラー1
5b、ハーフミラ−15c m結像レンズ15dを経由
して、観測光学系15の結像レンズ15dの1一部に設
けられた受光部19に入射する。なお、これら観測光学
系15の各部と受光部19とは、それぞれ−・体内なも
のとして固定された関係で構成されている。
受光部19には、イメージセンサ20が設けられていて
、イメージセンサ20の出力信号がフォーカス制御回路
30に人力される。なお、イメージセンサ20としては
、例えば、41X14画素の二次元のCODイメージセ
ンサ、41X1画素の−・次元のCODイメージセンサ
などが用いられる。また図では対物レンズ15aが3つ
の反射マークIL  11.11に対応して3箇所に設
けられているが、これら各反射マーク11に対応するよ
うに観測光学系15と受光部19とが設けられている。
しかし、この図では、他の2つは単に対物レンズ15a
のみ示し、こらの他の観測光学系と受光部については省
略している。なお、これら省略した観測光学系と受光部
とは前記と同様な構成である。
このように3つの観測光学系15を設けることなく、1
つの観測光学系15をそれぞれ3点に移動するようにし
もよい。このように3点で焦点合わせをするのは、被露
光基板12とマスク13との(1/行出しを行うためで
あって、rllなる位置決めだけのときには、1点の焦
点合わせて十分である。
また、基板チャック10により被露光基板12をX方向
及びY方向に移動させることにより、対物レンズ15a
から照射される光に対して反射マーク11を最適な位置
に移動することができるが、これは、対物レンズ15a
をイイする観測系15をX−Y方向へ移動するようにし
てもよい。
このような位置決め動作に関連した構成は、この発明の
要旨に直接関係しないのでその説明は割愛する。
次に、投光系16について説明する。この投光系16の
部分は観測光学系15に対して固定した関係に設けられ
ていて、17は、ガラス板の両面に濃淡縞パターンが描
かれたパターン板であり、レンズ18a、16bの間に
配置され、レンズ16bより平行な光線を受ける。なお
、16cは、照明用光源18からの光を拡散するレンズ
である。
なお、このような投光系16も先に説明した他の2つの
観測光学系にそれぞれ対応して設けられている。
ここで、光源18からの光(白色光)は、レンズ16c
、IE3bにより平行ビームにされて、パターン板17
を照明する。パターン板17の両面1−の2jW淡縞ハ
ターンは、レンズl 6 a 1ハーフミラ−15c、
ミラー15b、そして対物レンズ15aを介して被露光
基板12へと投影される。
そして、基板チャック10の反射マークllが観測光学
系15の焦点に−・致したときに、パターン板17の両
面の濃淡縞パターンの中間点がイメージセンサ20の表
面に結像するように、ハーフミラ−17及び対物レンズ
15aとともに濃淡縞パターンの投影光学系を構成する
レンズleaの焦点距離、及びレンズ1E3aとパター
ン板17との間隔が調節されている。
次に、基板チャック10上の反射マーク11の表面に投
影されたオートフォーカス用濃淡縞パターンのフォーカ
ス制御系について説明する。  ゛第1図に見る30は
フォーカス制御回路である。
この回路は2次元イメージセンサ20の出力信号からフ
ォーカスエラー信号を生成し、このフォーカスエラー信
号に従って焦点ずれを打ち消すように基板チャック10
のフォーカス調節用モータ31を駆動する。このモータ
31は例えばピエゾモータであり、焦点調整のために被
露光基板12をZ方向(ト下方向)に高速微動させるも
のである。
なお、被露光基板12を大きくZ方向に移動させるため
のモータは別にモータ31の下側に設けられているチャ
ック載置台21のト下移動により行われる。そして、フ
ォーカス制御回路30からの信号は、基板チャック10
の移動、その他の装置全体の制御を司る装置制御部32
に入力されて、その結果に応じて次に実行すべき処理が
なされる。
ここで、パターン板17の両面に設けられたオートフォ
ーカス用濃淡パターンは、第2図(b)に見るような縞
パターンであって、17aはパターン板17の光進行方
向先側に設けられた濃淡縞パターンの淵部であり、17
bはパターン板17の光進行方向手前側に設けられた濃
淡縞パターンの製部である。なお、図面左側に対応付け
て示しているのが、光軸正面側からパターン板17の一
部を見た状態である。
この図から明らかなように、光軸方向から見た場合、パ
ターン板17の両面の濃淡縞パターンは、それぞれ、一
定間隔Wを置いて製部17a、17bが交互に並ぶよう
な関係となっていて、この実施例では、厚さ3t+s程
度のガラス板を用い、その両面の合わせての縞パターン
の間隔Wと製部のパターン幅とは等しく、はぼ30μm
〜70μm程度のものである。また、パターン板17で
は、裏面側のパターン17b(図面点線部)も実際に濃
いパターンとして見られるものである。
第2図(a)は、これを被露光基板12に対応付けて示
したものであって、オートフォーカス用濃淡縞パターン
と被露光基板10」二にすでに形成された回路との混同
を避けるために、この濃淡縞パターンを反射マーク11
に投影した場合には、この濃淡縞パターンは被露光基板
12の基本格子方向であるX%Y方向に対して約45度
の角度で交差するようにされている。この関係を明らか
にするために、被露光基板12の縮小した輪郭を鎖線1
2aで示しである。ここに、被露光基板12の回路パタ
ーンは大部分がX方向またはY方向に走る。
さらに、被露光基板10」二にすでに形成された回路パ
ターン及び微小異物と濃淡縞パターンとの混同を避ける
ために、濃淡縞パターンの淵部及び浅部の幅及び長さは
、回路パターンや異物よりも大きく決定されている。
第3図は、2次元イメージセンサ20の視’IF 分割
の説明図である。この図に示すように、2次元イメージ
センサ20の視野20aは先側の濃淡縞パターンの淵部
17aの撮像領域Aと、手前側の濃淡縞パターンの淵部
17bの撮像領域Bとに交互に分割して受光されるよう
になっている。そして、各撮像領域に対応の濃淡縞パタ
ーンが入るように、パターン板17と2次元イメージセ
ンサ20の位置が調節される。
第4図は、フォーカス制御回路30の概略ブロック図で
ある。この図において、40は2次元イメージセンサ2
0の撮像領域A(第3図)に対応する画素の出力信号の
平均値(または合計値)を求めるための平均値回路、4
2は2次元イメージセンサ20の撮像領域Bに対応する
画素の出力信ジノ・の平均値(または合計値)を求める
ための平均値回路である。
44は、平均値回路40の出力信号値と)17.均値回
路42の出力信号値との差を求めてフォーカスエラー信
号ERRを出力する減算回路である。このフォーカスエ
ラー信号ERRは反射マーク11の表面に投影された前
後の濃淡縞パターン17a。
17bの平均的なコントラストの差に比例する信号であ
り、その絶対値は焦点ずれ量に対応し、その極性は焦点
ずれの方向に対応する。
46はフォーカスエラー信号ERRに従って焦点調整用
モータ31を駆動するモータドライバである。
48は反射マーク11の表面がオートフォーカスの引き
込み範囲内に入ったことを検出するために設けられたピ
ーク通過検出回路であり、フォーカスエラー信号ERR
が所定の閾値レベル以−Lのピークを通過した時にピー
ク通過検出信号PTを出力する。このピーク通過検出信
号PTは装置制御部32に与えられる。装置制御部32
は、ピーク通過検出信号PTが発生すると、基板チャッ
ク10の2方向移動(−1−昇またはド降)を停+Lさ
せ、モータドライバ46に対する抑止信号DEをオフし
、モータドライバ46を作動状態にしてオートフォーカ
ス動作を開始させる。
すなわち、ジャストフォーカス点から基板チャック10
がある量だけ上又は下に移動すると、パターン板17の
両面の一方の濃淡縞パターンの結像面がイメージセンサ
20の表面に一致し、平均値回路40又は平均値回路4
2の一方の撮像信号の平均値出力信号値(若しくは合計
値、すなわち平均的なコントラスト値)が最大となり、
前側又は後ろの他方の濃淡縞パターンの撮像信号の平均
値(若しくは合計値、すなわち−11均的なコントラス
ト値)はほぼゼロになる。
このオートフォーカス動作次のような手順で行われる。
まず、装置制御部32の側御により、ノλ板チャック1
0が上昇駆動され、被露光基板12は徐々に−1−昇す
る。そして、ジャストフォーカス点に近づくとフォーカ
スエラー信号ERRがプラス側のピークまで増加し、そ
の直後にピーク通過検出量m48からピーク通過検出信
号PTが出る。
すなわち、オートフォーカスの引き込み範囲内に反射マ
ーク11の表面が入ったということである。
このピーク通過検出信号PTに応答して、装置制御部3
2は基板チャック10の上昇駆動を停止ヒするとともに
、抑+1信号DE(これまでオン状態であった)をオフ
することによりモータドライバ46を作動させる。
ここで、抑IL信号DEのオフすると、フォーカス制御
回路30が作動を開始する。フォーカスエラー信号ER
Rがプラス極性の時には、被露光基板12を微小1 r
l+’させる方向にフォーカス調整用モータ31がモー
タドライバ46によって駆動される。逆にフォーカスエ
ラー信号ERRがアイナス極性の時には、被露光基板1
2を下降させる方向にモータ31はモータドライバ46
により駆動される。このようにして、フォーカスエラー
信号ERRをほぼゼロに保つように被露光基板12の高
さが微、iI!l整される。
ジャストフォーカス点では、前後の濃淡縞パターンの中
間点がイメージセンサ20の表面に結像されるため、パ
ターン板17の前後の濃淡縞パターン17a、17bは
いずれも淡い像として反射マーク11の表面に投影され
、それぞれの平均的なコントラスト比はほぼ1になる。
以」−は、基板チャック10上の反射マーク11につい
てのオートフォーカス制御についてのものであるが、マ
スク13のオートフォーカス制御は、通常マスク13が
固定となっているために、力5図に見るマスク13の底
面に設けられら反射マーク14に観測光学系15側を位
置合わせするものであり、観?Sll+光学系15側を
」−上移動して前記基板チャック10の焦点合わせと同
様な制御により行われる。これらは相対的にどちらを移
動するかだけであり、焦点合わせにおける実質的な相違
はない。
マスク13はマスクホルダー14aに固定されて、マス
ク13側は固定状態で水平に支持されるようになってい
るが、観測光学系15側ではな(、マスク13側を微小
移動して基板チャック10と同様な焦点合わせをする場
合には、フォーカス制御回路30がマスクホルダー14
aの位置を調整するようにでき、そのためにマスクフォ
ーカス調節用モータ33を設けて基板チャック10を駆
動する。このモータ33も同様にピエゾモータであり、
焦点調整のためにマスク13をZ方向(L、下方向)に
高速微動させるものである。
次に、マスク13と被露光基板12との間隔制御につい
て説明すると、マスク13側が固定であるとすると、マ
スク13に対しては単に反射マーク14にて焦点合わせ
をした後、その位置から観測光学系15を所定距離下へ
移動して基板チャック10の反射マーク11により焦点
合わせすればよい。なお、この場合、被露光基板12の
厚さは、既知であるので、その分だけ移動距離に加えて
多くしておく。
一方、基板チャック10側を固定にしてマスク13側を
1−上移動するようにしてもよく、これらがともに−1
−上移動するものであってもよい。
マスク13が移動可能であれば、第5同県るように、マ
スク13を位置合わせするときには、対物レンズ15a
を含む観測光学系15の位置をマスク13の反射マーク
14の1一部へと移動させて、設定されている基準位置
からある位置H2に対物レンズ15aを位置決めしてマ
スク13に対してマスク13の焦点合わせし、次に、対
物レンズ15aを含めて観測光学系15の位置を移動し
て、基板チャックlOの反射マーク11の上部で前記基
準位置からある位置H/に対物レンズ15aを位置決め
して基板チャック10の焦点合わせをする。
このような位置決めを行ったときに、マスク13と被露
光基板12との距離Sは、被露光基板12の厚さをλと
すると、S:Hz−Hz−λですえられる。なお、厚さ
λは、既知であるので、あらかしめ位置決め処理のとき
、高さHzから厚さ1分だけ引き算しておくことで、従
来と同様な位置決めを行えば済む。
ところで、この実施例では、基板チャックlOに対して
3点で焦点合わせを行っているので、マスク13側が水
平又は所定の平面杖態で固定されて取付されていれば、
それぞれの位置で焦点合わせをすることで、同時にマス
ク13に対して被露光基板12との平行出しができる。
この平行出しを行うに当たり、マスク側も移動可能であ
れば、マスク13側にも両側を含め3点に反射マークを
設けるとよい。なお、前記実施例では、焦点合わせとし
てモータ31を基板チャック10のほぼ中央部に設けて
いるが、これは説明上1つとして説明したが、前記の3
点における焦点合わせと平行出しとを行う場合には、そ
れぞれの位置が調整できるように、複数箇所にモータ3
1をそれぞれ設けることになる。設は方の一例としては
、3つの各反射マーク11に対応してそれぞれの位置に
モータ31を3個設けてもよいし、基板チャックl0の
四隅に設けてもよい。要するに被露光基板12の傾斜が
調整できるように複数箇所にモータ31が設けられてい
ればよく、これら複数のモータ31を駆動して高さを調
整することでマスク13に対する被露光基板12の平行
出しができる。
次に、複数箇所のモータ31を設けて被露光基板12の
・1i−行出しと位置決めとを同時に行う装置制御部3
2の処理について第6図に従って説明する。なお、この
場合、マスク13側にも基板チャック10に対応して3
点に反射マーク14を設ける。その位置としては、左右
両側の手前中央に設け、かつ反射マーク11と重ならな
い位置であり、かつ3つの観測光学系15に対応するよ
うに配置されている。
ここで、3つの観測光学系15を−L下移動して焦点制
御をし、これらを並行に処理して、まず、マスク13の
3つの各反射マーク14で焦点合わせをするのが、ステ
ップ■〜■であり、それぞれ3点で焦点合わせが完了し
た時点でステップ■でそれぞれの光学観測系15(その
対物レンズ15a)を位置決めに対応する位置から同時
に所定:jt降下させる。なお、このときの所定1jl
には、llf記被露光基板12の厚さλが加えられた値
である。
次にステップ■〜■にて基板チャック10の3点の反射
マーク11により焦点合わせを行い、そのステップ■に
て基板チャック10を1−昇又はド降し、傾斜調整をし
て平行出しと同時に所定間隔に位置決めをする。
このような処理によりマスク13に対して被露光基板1
2の位置決めと同時に平行出しが行えることになる。
以上説明してきたが、基板チャック上のマークは、焦点
合わせに都合のよい位置に設けることができ、その位置
は自由である。特に、1点で焦点合わせをしようとする
場合には、基板チャックの中央位置を選択することがで
き、1点でも精度のよい位置決めが可能である。
実施例では、マスク固定の場合とマスク焦点合わせでき
る移動の場合等を示しているが、マスクか)大板かいず
れか一方が移動可能であればよく、焦点合わせは、双方
とも観測光学系を移動してもよい。謁するに、焦点合わ
せにおいては、観測光学系とマスク及び基板チャックが
相対的に微小移動できればよい。また、マスクと基板チ
ャックとの距離についてはいずれか一方が移動可能であ
ればよく、特に、近接又は密着露光において、透光性の
被露光基板に対し所定距離離してマスクを重ねて位置合
わせができる。
実施例におけるフォーカス制御回路の機能の−・部はソ
フトウェアによって実現してもよい。
また、オートフォーカス用濃淡パターンのパターン形態
などを適宜変形してもよく、オートフォーカス用2次元
イメージセンサは、前記CODイメージセンサ以外のも
のを用いてもよい。さらに、受光部は、このようなイメ
ージセンサによるものに限定されるものではない。
実施例では、ガラス板等の透光性の両側に濃淡パターン
があるものを例に上げているが、これは2枚の板にそれ
ぞれ濃淡パターンが設けられていてもよく、また、この
よな濃淡パターンに限定されるものはなく、種々のパタ
ーンにより焦点合わせは可能である。したがって、パタ
ーンの形状、種類によらない。なお、濃淡とは、す1に
黒のパターンが透明な板に描かれた場合も含むものであ
る。
[発明の効果] 以1の説明から明らかなように、この発明にあっては、
チャック側に反射マークを設けて、反射マーク+、に観
測光学系の焦点を合わせて受光部にパターンを結像させ
、その像を受光部で観測してマスソとチャックとを位置
決めすることにより、前記チャック上に載置された被露
光基板とマスクとの距離が被露光基板の厚さを引き算し
た位置として得られ、マスクに対して相対的にチャック
を位置決めすることにより被露光基板の表面とマスクと
を所定間隔に位置決めすることができる。
その結果、厚さが分かっている透光性のある基板であれ
ば、反射マークを基板そのものに設ける必要がなり、シ
かも、領域の制限とか場所の制限を受けることなく、チ
ャックの表面上で精度のよい位置にマークを設置でき、
精度のよい位置決め処理ができる。
41図而面簡り1−な説明 第1図は、この発明の基板露光装置を適用した透光性の
ある基板露光装置の標尺図、第2図(a)は、そのパタ
ーン板上のフォーカス用パターンを被露光基板に対応付
けて示した説明図、第2図(b)は、そのパターン板と
パターンとの関係の説明図、第3図は、そのイメージセ
ンサの説明図、第4図は、そのフォーカス制御回路のブ
ロック図、第5図は、透光性の被露光基板とマスクとの
位置決め状態の説明図、第6図は、その位置決め処理の
流れ図である。
10・・・基板チャック、11.14・・・反射マーク
、12・・・被露光基板、13・・・マスク、15a・
・・対物レンズ、16・・・ミラー、17・・・ハーフ
ミラ−118・・・結像レンズ、19・・・受光部、2
0・・・イメージセンサ、17・・・パターン板、30
・・・フォーカス制御回路、31.33・・・フォーカ
ス調整用モータ、32・・・装置制御部。
第1図 第2図(a) 第2図(b)        第3図 4o   第4図 第5図

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)所定の厚さを有する透光性の被露光基板に対し所
    定距離離してマスクを重ねて露光する基板露光装置にお
    いて、前記被露光基板が載置され、これを平面状態で保
    持するチャックと、前記チャックの表面及び前記マスク
    をそれぞれ観測する観測光学系と、この観測光学系に対
    して固定された投影光学系と、この投影光学系の光軸上
    にあつてその表面にパターンを有する透光性の板と、前
    記投影光学系によって前記チャックの表面及び前記マス
    クにそれぞれ投影された前記パターンを受像する受光部
    と、この受光部の出力信号を入力とし、この入力信号に
    応じて前記チャック及び前記マスクと前記観測光学系と
    の間隔をそれぞれ相対的に移動させて焦点合わせをする
    ための駆動手段と、前記チャック又は前記マスクのいず
    れか一方を上下移動する移動機構とを備え、前記チャッ
    クの表面及び前記マスクには、それぞれ反射マークが設
    けられ、これら反射マークにそれぞれ投影された前記パ
    ターンに対する前記受光部の出力信号により前記チャッ
    ク及び前記マスクのそれぞれと前記観測光学系とをそれ
    ぞれ相対的に移動させて焦点合わせをして前記被露光基
    板とマスクとを所定の間隔に位置決めすることを特徴と
    する基板露光装置。
  2. (2)観測光学系は複数設けられていて、透光性の板の
    パターンは濃淡のパターンであり、受光部はイメージセ
    ンサを有し、チャックの表面及びマスクの反射マークに
    それぞれ投影された前記パターンの平均的な値が所定値
    になるように前記チャック及び前記マスクのそれぞれと
    前記複数の各観測光学系のそれぞれとを相対的に移動さ
    せて焦点合わせをし、被露光基板とマスクとを平行出し
    して位置決めすることを特徴とする特許請求の範囲第1
    項記載の基板露光装置。
JP62121094A 1987-05-20 1987-05-20 基板露光装置 Pending JPS63286810A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10023662A1 (de) * 2000-05-13 2001-11-15 Heidelberger Druckmasch Ag Verfahren zur Einstellung von Belichtungsparametern eines Laserbelichters
JP2014235365A (ja) * 2013-06-04 2014-12-15 レーザーテック株式会社 フォーカス制御方法、及び光学装置

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