JPS63285990A - Drive circuit for laser diode - Google Patents
Drive circuit for laser diodeInfo
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ディジタル光通信用のレーザダイオード駆動
回路に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a laser diode drive circuit for digital optical communication.
第７図に従来用いられてきた、レーザダイオード駆動回
路の代表例を示す。FIG. 7 shows a typical example of a conventionally used laser diode drive circuit.
第７図において、■は変調信号の信号入力端子、２は基
準電圧入力端子、１２はレーザダイオード、１９は負電
源端子、２０はレーザダイオードのスレッシュホールド
電流■い用の定電流回路、２１はレーザダイオードの駆
動電流Ｉｄ用の定電流回路、２２および２３は電流スイ
ッチを構成するＮＰＮ トランジスタおよび２４は抵抗
器である。なお、２は変調信号の逆相の信号を入力する
逆相信号入力端子であってもよい。In FIG. 7, ■ is a signal input terminal for a modulation signal, 2 is a reference voltage input terminal, 12 is a laser diode, 19 is a negative power supply terminal, 20 is a constant current circuit for threshold current of the laser diode, and 21 is a constant current circuit for the threshold current of the laser diode. A constant current circuit for driving current Id of the laser diode, 22 and 23 are NPN transistors constituting current switches, and 24 is a resistor. Note that 2 may be a reverse phase signal input terminal that inputs a signal having a reverse phase of the modulation signal.
この従来例の回路は、信号入力端子１に入力される変調
信号に応じて、レーザダイオード１２に定電流回路２０
によるスレッシュホールド電流■いか、このスレッシュ
ホールド電流１ｔｈに加えて定電流回路２１による駆動
電流１ｄを流すことにより、レーザダイオード１２の駆
動を行う。In this conventional circuit, a constant current circuit 20 is connected to a laser diode 12 in response to a modulation signal input to a signal input terminal 1.
The laser diode 12 is driven by passing the drive current 1d from the constant current circuit 21 in addition to the threshold current 1th.
シリコンにおいては、少数キャリアの移動度がホールと
電子とでは電子の方が速く、そのため、利得帯域幅積ｆ
アの大きいＰＮＰ トランジスタの実現が困難である。In silicon, the mobility of minority carriers is faster for holes than for electrons, so the gain bandwidth product f
It is difficult to realize a PNP transistor with a large diameter.
従って、従来、高速パルスでレーザダイオードを強度変
調を行う場合、レーザダイオードの電流をスイッチング
する素子として、利得帯域幅積ｆ７の大きいＮＰＮ ト
ランジスタが用いられてきた。また、第７図に示すよう
に、ＮＰＮトランジスタで構成した電流スイッチでレー
ザダイオードを駆動するため、レーザダイオードは、Ｐ
側を接地したものが用いられていた。Therefore, conventionally, when intensity modulating a laser diode with high-speed pulses, an NPN transistor with a large gain bandwidth product f7 has been used as an element for switching the current of the laser diode. Furthermore, as shown in FIG. 7, since the laser diode is driven by a current switch composed of an NPN transistor, the laser diode is
A type with one side grounded was used.
しかし、このような回路では、回路の電源電圧が負とな
り、ＴＴＬ回路から出力された信号でレーザダイオード
を変調しようとする場合、信号のレベルをシフトする回
路が必要であるという欠点があった。また、高速のＰＮ
Ｐトランジスタを実現しないと、Ｎ側を接地したレーザ
ダイオードは、駆動できないという欠点だあった。However, such a circuit has the disadvantage that the power supply voltage of the circuit is negative, and when attempting to modulate the laser diode with the signal output from the TTL circuit, a circuit for shifting the level of the signal is required. Also, high-speed PN
Unless a P transistor is implemented, a laser diode with its N side grounded cannot be driven.
本発明の目的は、上記の欠点を除去することにより、高
速のＮＰＮ トランジスタを用い、Ｎ側が接地されたレ
ーザダイオードを駆動する高速なレーザダイオード駆動
回路を提供すること、およびＴＴＬ回路と整合がよい正
電源で動作する高速レーザダイオード駆動回路を提供す
ることにある。An object of the present invention is to provide a high-speed laser diode drive circuit that uses a high-speed NPN transistor to drive a laser diode whose N side is grounded, and which has good matching with a TTL circuit, by eliminating the above-mentioned drawbacks. An object of the present invention is to provide a high-speed laser diode drive circuit that operates with a positive power supply.
本発明は、変調信号に応°じてレーザダイオードを駆動
するレーザダイオード駆動回路において、上記レーザダ
イオードのスレッシュホールド電流より大きい電流値を
有し上記レーザダイオードに直列に接続された定電流回
路と、上記レーザダイオードと並列に接続され上記変調
信号に応じて上記定電流回路の電流の一部を分流する分
岐回路とを含むことを特徴とする。The present invention provides a laser diode drive circuit that drives a laser diode according to a modulation signal, including: a constant current circuit having a current value larger than a threshold current of the laser diode and connected in series to the laser diode; The present invention is characterized in that it includes a branch circuit that is connected in parallel with the laser diode and shunts a part of the current of the constant current circuit according to the modulation signal.
また、本発明は、定電流回路は、エミッタがレーザダイ
オードに接続された第一〇ＮＰＮトランジスタと、エミ
ッタおよびコレクタが上記第一のＮＰＮトランジスタの
コレクタおよびベースにそれぞれ接続された第一のＰＮ
Ｐ トランジスタとを含°み、分岐回路は、コレクタが
上記第一〇ＮＰＮトランジスタのエミッタに接続され、
そのエミッタがベースに変調信号が入力される第二のＮ
ＰＮトランジスタのエミッタに接続され、ベースに逆
−相の変調信号または基準電圧が入力される第三〇ＮＰ
Ｎ トランジスタを含むことができる。Further, in the present invention, the constant current circuit includes a first NPN transistor whose emitter is connected to a laser diode, and a first PN transistor whose emitter and collector are respectively connected to the collector and base of the first NPN transistor.
P transistor, the branch circuit has a collector connected to the emitter of the above-mentioned No. 10 NPN transistor,
A second N whose emitter is the base and into which the modulation signal is input
Connected to the emitter of the PN transistor and opposite to the base
- No. 30 NP into which the phase modulation signal or reference voltage is input.
N transistors may be included.
また、本発明は、レーザダイオードにレベルシフトダイ
オードが直列に接続されることができる。Further, in the present invention, a level shift diode can be connected in series to the laser diode.
レーザダイオードのスレッシュホールド電流より大きい
電流値（スレッシュホールド電流■い＋駆動電流Ｉａ）
を有する定電流回路は、レーザダイオードに直列に接続
され、さらに上記レーザダイオードには、変調信号に応
じて上記定電流回路の電流の一部を分流する分岐回路が
並列に接続される。Current value larger than the threshold current of the laser diode (threshold current + drive current Ia)
A constant current circuit having a constant current circuit is connected in series to a laser diode, and a branch circuit that shunts a part of the current of the constant current circuit according to a modulation signal is connected in parallel to the laser diode.
従って、分岐回路は変調信号が入力される差動回路の逆
相信号または基準電圧が入力されるＮＰＮトランジスタ
を含んで構成でき、この差動回路の接地端子をレーザダ
イオードのカソード（Ｎ側）に接続し、レーザダイオー
ドのアノードは定電流回路を介して正電源端子に接続で
きる。Therefore, the branch circuit can be configured to include an NPN transistor to which the negative phase signal of the differential circuit to which the modulation signal is input or the reference voltage is input, and the ground terminal of this differential circuit is connected to the cathode (N side) of the laser diode. and the anode of the laser diode can be connected to the positive power supply terminal via a constant current circuit.
そして、変調信号が入力されないときは、上記分岐回路
を閉じて、定電流回路からの駆動電流Ｉｄをこの分岐回
路を通して流し、レーザダイオードにはスレッシュホー
ルド電流■いのみを流す。そして、変調信号入力時には
、上記分岐回路を開いて、レーザダイオードに（Ｉｔｈ
＋Ｉａ）の電流を流すことにより、レーザダイオードの
駆動を行う。When no modulation signal is input, the branch circuit is closed, the drive current Id from the constant current circuit is passed through this branch circuit, and only the threshold current Id is passed through the laser diode. When the modulation signal is input, the above branch circuit is opened and the laser diode (Ith
The laser diode is driven by passing a current of +Ia).
すなわち、本発明によると、レーザダイオードのカソー
ド（Ｎ側）を接地し、かつ高速のＮＰＮトランジスタを
変調信号の入力差動回路に用いて、正電源で動作し、Ｔ
ＴＬ回路との整合がとりやすく、かつ、高速で動作する
レーザダイオード駆動回路が実現できる。That is, according to the present invention, the cathode (N side) of the laser diode is grounded, and a high-speed NPN transistor is used in the input differential circuit for the modulation signal, so that it operates with a positive power supply, and T
A laser diode drive circuit that is easy to match with the TL circuit and operates at high speed can be realized.
なお、本発明に用いられる上記定電流回路は、ＰＮＰト
ランジスタとＮＰＮ トランジスタからなるダーリント
ン回路が用いられる。The constant current circuit used in the present invention is a Darlington circuit consisting of a PNP transistor and an NPN transistor.
また、上記定電流回路と上記レーザダイオードとをレベ
ルシフト回路を介して接続することにより、分岐回路お
よび定電流回路の出力トランジスタの飽和を抑制するこ
とができる。Furthermore, by connecting the constant current circuit and the laser diode via a level shift circuit, saturation of the output transistors of the branch circuit and the constant current circuit can be suppressed.
以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
第１図は本発明の第一実施例の構成を示す回路図である
。本実施例は、ベースが信号入力端子１にコレクタが正
電源端子４にそれぞれ接続されエミッタが抵抗器７を介
して接地されたＮＰＮトランジスタ５と、ベースが基準
電圧入力端子２にエミッタがＮＰＮ トランジスタ５の
エミッタにそれぞれ接続されたＮＰＮ トランジスタ６
と、アノードがＮＰＮ トランジスタ６のコレクタに接
続されたレベルシフトダイオード１）と、アノード（Ｐ
側）がレベルシフトダイオード１）のカソードに接続さ
れカソード（Ｎ側）が接地されたレーザダイオード１２
と、エミッタがレベルシフトダイオードのアノードにコ
レクタが抵抗器８を介して正電源端子４にそれぞれ接続
されたＮＰＮトランジスタ１０と、コレクタがＮＰＮト
ランジスタ１０のベースにエミッタがＮＰＮ トランジ
スタ１０のコレクタにそれぞれ接続されたＰＮＰ トラ
ンジスタ９と、一端がＰＮＰトランジスタ９のエミッタ
に他端が正電源端子４にそれぞれ接続されたコンデンサ
１７と、ベースがレーザダイオードの電流を制御する制
御電圧を入力するＬＤ電流制御電圧入力端子３にコレク
タがＰＮＰ トランジスタのベースおよびダイオード１
４と抵抗器１３との直列回路を介して正電源端子４にそ
れぞれ接続されエミッタが抵抗器６を介して接地された
ＮＰＮ トランジスタ１５とを含んでいる。FIG. 1 is a circuit diagram showing the configuration of a first embodiment of the present invention. This embodiment includes an NPN transistor 5 whose base is connected to the signal input terminal 1, whose collector is connected to the positive power supply terminal 4, and whose emitter is grounded via a resistor 7, and an NPN transistor whose base is connected to the reference voltage input terminal 2 and whose emitter is connected to the positive power supply terminal 4. NPN transistors 6 connected to the emitters of 5 and 5, respectively.
, a level shift diode 1) whose anode is connected to the collector of the NPN transistor 6, and an anode (P
A laser diode 12 whose side) is connected to the cathode of the level shift diode 1) and whose cathode (N side) is grounded.
and an NPN transistor 10 whose emitter is connected to the anode of a level shift diode and whose collector is connected to the positive power supply terminal 4 via a resistor 8, whose collector is connected to the base of the NPN transistor 10 and whose emitter is connected to the collector of the NPN transistor 10, respectively. a capacitor 17 whose one end is connected to the emitter of the PNP transistor 9 and the other end to the positive power supply terminal 4, and an LD current control voltage input whose base inputs a control voltage to control the current of the laser diode. Collector is PNP to terminal 3 Base of transistor and diode 1
4 and a resistor 13, each connected to the positive power supply terminal 4 through a series circuit, and an NPN transistor 15 whose emitter is grounded through a resistor 6.
ここで、ＮＰＮ トランジスタ５および６は差動増幅回
路を構成し、抵抗器７はその電流制御用であり、ＮＰＮ
トランジスタロと抵抗器７とで分岐回路を構成する。Here, NPN transistors 5 and 6 constitute a differential amplifier circuit, and resistor 7 is for current control.
The transistor and resistor 7 constitute a branch circuit.
またＰＮＰ トランジスタ９とＮＰＮトランジスタ１０
とはダーリントン接続され電流Ｉ （１＝Ｉい＋ｒａ
）を有する定電流回路を構成し、抵抗器１３、温度補償
用のダイオード１４、ＮＰＮトランジスタ１５および抵
抗器１６はＮＰＮトランジスタ９のベース電圧設定用回
路である。さらにコンデンサ１７は定電流回路の電流の
変動を抑制するためのものである。なお基準電圧入力端
子２は逆相信号入力端子であってもよい。Also, PNP transistor 9 and NPN transistor 10
is connected to Darlington and the current I (1=I+ra
), and the resistor 13, the temperature compensation diode 14, the NPN transistor 15, and the resistor 16 are a circuit for setting the base voltage of the NPN transistor 9. Furthermore, the capacitor 17 is for suppressing current fluctuations in the constant current circuit. Note that the reference voltage input terminal 2 may be a reverse phase signal input terminal.
第２図は本発明の第二実施例の構成を示す回路である。FIG. 2 is a circuit showing the configuration of a second embodiment of the present invention.
第２図において、１８は定電流回路で、第１図における
、ＬＤ電流制御電圧入力端子３と、抵抗器８．１３およ
び１６と、ＰＮＰトランジスタ９と、ＮＰＮ トランジ
スタ１０および１５と、ダイオード１４と、コンデンサ
１７とから構成される定電流回路である。本第二実施例
は、実質的に、第１図の第一実施例と同じ機能を有して
おり、異なる点は第１図のレベルシフトダイオードを含
まないことである。In FIG. 2, 18 is a constant current circuit, which connects the LD current control voltage input terminal 3, resistors 8, 13 and 16, PNP transistor 9, NPN transistors 10 and 15, and diode 14 in FIG. , and a capacitor 17. The second embodiment has substantially the same function as the first embodiment shown in FIG. 1, except that it does not include the level shift diode shown in FIG.
本発明の特徴は、第１図および第２図において、定電流
回路１８とレーザダイオード１２とを直接またはレベル
シフトダイオード１）を介して直列に接続し、この直列
接続回路と並列に、ＮＰＮ トランジスタロおよび抵抗
器７から構成される分岐回路を接続したことにある。The feature of the present invention is that in FIGS. 1 and 2, a constant current circuit 18 and a laser diode 12 are connected in series either directly or via a level shift diode 1), and an NPN transistor is connected in parallel with this series connection circuit. The reason is that a branch circuit consisting of a resistor 7 and a resistor 7 is connected.
次に、第２図を参照して第１図の第一実施例の動作につ
いて説明する。Next, the operation of the first embodiment shown in FIG. 1 will be explained with reference to FIG.
ＬＤ電流制御電圧入力端子３の電位に応じて、定電流回
路１８には、定電流！ （Ｉ＝Ｉａ ＋Ｉい）が流れ
る。基準電圧入力端子２の電位が信号入力端子ｌより低
い場合、ＮＰＮ トランジスタ６は「オフ」となり、電
流Ｉは、全てレーザダイオード１２を流れる。一方、基
準電圧入力端子２の電位が信号入力端子１より高い場合
、ＮＰＮトランジスタロは「オン」となり、定電流■４
がＮＰＮ トランジスタ６を流れ、レーザダイオードに
は、定電流Ｉいのみが流れる。従って、レーザダイオー
ド１２のスレッシュホールド電流＝Ｉ、いパルス駆動電
流＝１４となるように回路を設定することにより、第３
図に示すようにレーザダイオード１２を駆動することが
できる。Depending on the potential of the LD current control voltage input terminal 3, the constant current circuit 18 outputs a constant current! (I=Ia +I) flows. If the potential of the reference voltage input terminal 2 is lower than the signal input terminal l, the NPN transistor 6 is "off" and the current I flows entirely through the laser diode 12. On the other hand, when the potential of the reference voltage input terminal 2 is higher than that of the signal input terminal 1, the NPN transistor RO becomes "on" and the constant current 4
flows through the NPN transistor 6, and a constant current I flows through the laser diode. Therefore, by setting the circuit so that the threshold current of the laser diode 12 = I and the pulse drive current = 14, the third
The laser diode 12 can be driven as shown in the figure.
第１図のレベルシフトダイオード１）は、ＮＰＮトラン
ジスタ６の飽和を防止するためのレベルシフトを行って
いる。電源電圧の大きさ、種類に余裕がある場合は、こ
のダイオードの代わりに、抵抗を用いることもできる。The level shift diode 1) in FIG. 1 performs a level shift to prevent the NPN transistor 6 from being saturated. If there is room for the magnitude and type of power supply voltage, a resistor can be used instead of this diode.
しかし、電源を５ｖ程度の単一電源とし、Ｉａ＝２０ｍ
Ａ、Ｉ ｔｈ ＝ ２Ｏｎ＋Ａ程度を取ろうとすると、
ＮＰＮ トランジスタロが「オン」の場合、ＮＰＮトラ
ンジスタロはコレクタ電圧が降下して飽和しやすくなる
。また、ＮＰＮ トランジスタ６が「オフ」の場合、Ｎ
ＰＮトランジスタ１０のベースとエミッタの電圧が上昇
して、ＰＮＰトランジスタ９が飽和しやすくなる。この
ため、本実施例では、レベルシフトにダイオードを用い
ている。However, if the power supply is a single power supply of about 5V, Ia = 20m
If you try to get about A, I th = 2On+A,
When the NPN transistor is "on", the collector voltage of the NPN transistor drops and it becomes easily saturated. Also, when the NPN transistor 6 is “off”, the NPN
The base and emitter voltages of the PN transistor 10 increase, making the PNP transistor 9 more likely to be saturated. Therefore, in this embodiment, a diode is used for level shifting.
次に、第２図に示した第二実施例の回路のシミュレーシ
ョン結果を示す。第１表にシミュレーションに用いた部
品の特性の概略、第２表に入力端子条件およびシミュレ
ーション温度を示す。Next, simulation results of the circuit of the second embodiment shown in FIG. 2 will be shown. Table 1 shows an outline of the characteristics of the parts used in the simulation, and Table 2 shows the input terminal conditions and simulation temperature.
第１表および第２表に示した条件で、信号入力端子１に
、パルス電圧を入力した場合のレーザダイオード１２の
電流応答特性の結果を第４図、第５図および第６図に示
す。4, 5, and 6 show the results of the current response characteristics of the laser diode 12 when a pulse voltage is input to the signal input terminal 1 under the conditions shown in Tables 1 and 2.
（以下、来夏余白）
第１表
シミュレーション用主要部品の特性概要第４図は温度を
０℃〜８０℃まで変化させた場合のレーザダイオード電
流特性図、第５図は正電源端子４の電圧を４．５ｖ〜５
．５ｖまで変化させた場合のレーザダイオード電流特性
図および、第６図は信号入力端子１へ１．３■±０．１
■および１．３ｖ±０．５ｖの二つのＴＴＬレベルの信
号を入力したときのレーザダイオード電流特性図である
。(The following is next summer's blank space) Table 1 Summary of characteristics of main parts for simulation Figure 4 is a laser diode current characteristic diagram when the temperature is varied from 0℃ to 80℃, Figure 5 is the voltage at positive power supply terminal 4 4.5v~5
．． The laser diode current characteristic diagram when changing up to 5V and Figure 6 show the voltage of 1.3±0.1 to signal input terminal 1.
3 is a laser diode current characteristic diagram when two TTL level signals of 1 and 1.3v±0.5v are input. FIG.
第４図、第５図および６図から、本実施例により、Ｎ側
を接地したレーザダイオードを高速変調できることが分
かる。It can be seen from FIGS. 4, 5, and 6 that according to this embodiment, a laser diode whose N side is grounded can be modulated at high speed.
さらに、第６図から分かるように、本実施例において、
入力ＴＴＬレベルが多少変動してもレーザダイオードに
流れる電流は２ｍＡ程度の変化範囲内に抑えることがで
きる。Furthermore, as can be seen from FIG. 6, in this example,
Even if the input TTL level fluctuates somewhat, the current flowing through the laser diode can be suppressed within a range of about 2 mA.
以上説明したように、本発明は、高速のＰＮＰトランジ
スタを用いることなく、Ｎ側を接地したレーザダイオー
ド高速変調できる効果があるとともに、正電源により回
路が動作するために、ＴＴＬからの出力によりレーザダ
イオードを駆動する場合、ＴＴＬとレーザダイオード駆
動回路間のインタフェースが簡易になる効果がある。As explained above, the present invention has the effect of enabling high-speed modulation of a laser diode with its N side grounded without using a high-speed PNP transistor, and since the circuit operates with a positive power supply, the laser diode is powered by the output from the TTL. When driving a diode, there is an effect that the interface between the TTL and the laser diode driving circuit becomes simple.
第１図は本発明の第一実施例の構成を示す回路図。
第２図は本発明の第二実施例の構成を示す回路図。
第３図はレーザダイオードの駆動方法の説明図。
第４図は第２図のレーザダイオード電流の温度特性図。
第５図は第２図のレーザダイオード電流の電源電圧特性
図。
第６図は第２図のレーザダイオード電流の入力信号電圧
振幅特性図。
第７図は従来例の構成を示す回路図。
１・・・信号入力端子、２・・・基準電圧入力端子、３
・・・ＬＤ電流制御電圧入力端子、４・・・正電源端子
、５．６．１０．１５．２２．２３・・・ＮＰＮ トラ
ンジスタ、７．８．１３．１６．２４・・・抵抗器、１
）・・・レベルシフトダイオード、１２・・・レーザダ
イオード、１４・・・ダイオード、１７・・・コンデン
サ、１８．２０．２１．２２・・・定電流 □回路、１
９・・・負電源端子、■い・・・スレッシュホールド電
流、■、・・・駆動電流。
特許出願人 日本電信電話株式会社５、イ７１、代理
人 弁理士 井 出 直 孝’、＝ 力ｑ、１
ゞ −２／′
篤−大海例（回路図）
肩 １ 図
篤ユ爽廁例 （回路図）
肩 ２ 図
レーザダイオードの！８］掟網図
誤 ３ 図FIG. 1 is a circuit diagram showing the configuration of a first embodiment of the present invention. FIG. 2 is a circuit diagram showing the configuration of a second embodiment of the present invention. FIG. 3 is an explanatory diagram of a method of driving a laser diode. FIG. 4 is a temperature characteristic diagram of the laser diode current in FIG. 2. FIG. 5 is a power supply voltage characteristic diagram of the laser diode current shown in FIG. FIG. 6 is an input signal voltage amplitude characteristic diagram of the laser diode current in FIG. 2. FIG. 7 is a circuit diagram showing the configuration of a conventional example. 1... Signal input terminal, 2... Reference voltage input terminal, 3
...LD current control voltage input terminal, 4...Positive power supply terminal, 5.6.10.15.22.23...NPN transistor, 7.8.13.16.24...Resistor, 1
)...Level shift diode, 12...Laser diode, 14...Diode, 17...Capacitor, 18.20.21.22...Constant current □Circuit, 1
9... Negative power supply terminal, ■... Threshold current, ■,... Drive current. Patent applicant Nippon Telegraph and Telephone Corporation 5, I71, agent Patent attorney Nao Taka Ide', = Force q, 1 ゞ -2/' Atsushi - Oumi example (circuit diagram) Shoulder 1 Diagram Atsushi Yusou example ( Circuit diagram ) Shoulder 2 Diagram of laser diode! 8] Wrong map of the net map 3
Claims (3)
ーザダイオード駆動回路において、 上記レーザダイオードのスレッシュホールド電流より大
きい電流値を有し上記レーザダイオードに直列に接続さ
れた定電流回路と、 上記レーザダイオードと並列に接続され上記変調信号に
応じて上記定電流回路の電流の一部を分流する分岐回路
と を含むことを特徴とするレーザダイオード駆動回路。(1) In a laser diode drive circuit that drives a laser diode according to a modulation signal, a constant current circuit having a current value larger than a threshold current of the laser diode and connected in series to the laser diode; and a branch circuit connected in parallel to the branch circuit that shunts a part of the current of the constant current circuit according to the modulation signal.
続された第一のＮＰＮトランジスタと、エミッタおよび
コレクタが上記第一のＮＰＮトランジスタのコレクタお
よびベースにそれぞれ接続された第一のＰＮＰトランジ
スタとを含み、 分岐回路は、コレクタが上記第一のＮＰＮトランジスタ
のエミッタに接続され、そのエミッタがベースに変調信
号が入力される第二のＮＰＮトランジスタのエミッタに
接続され、ベースに逆相の変調信号または基準電圧が入
力される第三のＮＰＮトランジスタを含む特許請求の範
囲第（１）項に記載のレーザダイオード駆動回路。(2) The constant current circuit includes a first NPN transistor whose emitter is connected to a laser diode, and a first PNP transistor whose emitter and collector are connected to the collector and base of the first NPN transistor, respectively. , the branch circuit has a collector connected to the emitter of the first NPN transistor, the emitter of which is connected to the emitter of a second NPN transistor whose base receives a modulation signal, and whose base receives an opposite phase modulation signal or a reference. The laser diode drive circuit according to claim 1, which includes a third NPN transistor to which a voltage is input.
列に接続された特許請求の範囲第（１）項に記載のレー
ザダイオード駆動回路。(3) The laser diode drive circuit according to claim (1), wherein a level shift diode is connected in series to the laser diode.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62120841A JPS63285990A (en) | 1987-05-18 | 1987-05-18 | Drive circuit for laser diode |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62120841A JPS63285990A (en) | 1987-05-18 | 1987-05-18 | Drive circuit for laser diode |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63285990A true JPS63285990A (en) | 1988-11-22 |
Family
ID=14796286
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62120841A Pending JPS63285990A (en) | 1987-05-18 | 1987-05-18 | Drive circuit for laser diode |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63285990A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0495576A2 (en) * | 1991-01-17 | 1992-07-22 | International Business Machines Corporation | laser driver for an optical disk drive |
| EP0779688A1 (en) * | 1995-12-12 | 1997-06-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Laser diode driving circuit |
| EP0798828A2 (en) * | 1996-03-29 | 1997-10-01 | Fujitsu Limited | Light emitting element driving circuit and light emitting device having the same |
| JP2019216186A (en) * | 2018-06-13 | 2019-12-19 | 富士通株式会社 | Drive circuit and optical module |
-
1987
- 1987-05-18 JP JP62120841A patent/JPS63285990A/en active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0495576A2 (en) * | 1991-01-17 | 1992-07-22 | International Business Machines Corporation | laser driver for an optical disk drive |
| EP0779688A1 (en) * | 1995-12-12 | 1997-06-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Laser diode driving circuit |
| US5793786A (en) * | 1995-12-12 | 1998-08-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Laser diode driving circuit |
| EP0798828A2 (en) * | 1996-03-29 | 1997-10-01 | Fujitsu Limited | Light emitting element driving circuit and light emitting device having the same |
| EP0798828A3 (en) * | 1996-03-29 | 1997-12-03 | Fujitsu Limited | Light emitting element driving circuit and light emitting device having the same |
| US6031855A (en) * | 1996-03-29 | 2000-02-29 | Fujitsu Limited | Light emitting element driving circuit and light emitting device having the same |
| JP2019216186A (en) * | 2018-06-13 | 2019-12-19 | 富士通株式会社 | Drive circuit and optical module |
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