JPS6327679B2 - - Google Patents
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- JPS6327679B2 JPS6327679B2 JP55091196A JP9119680A JPS6327679B2 JP S6327679 B2 JPS6327679 B2 JP S6327679B2 JP 55091196 A JP55091196 A JP 55091196A JP 9119680 A JP9119680 A JP 9119680A JP S6327679 B2 JPS6327679 B2 JP S6327679B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
- G21K1/00—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating
- G21K1/02—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating using diaphragms, collimators
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Particle Accelerators (AREA)
- Radiation-Therapy Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、加速管から出る電子線にさらされる
ターゲツトと、電子線の方向にターゲツトの後に
配置された電子吸収体と、円錐状のＸ線束を形成
するためのコリメータと、コリメータの孔の対称
軸線に中心を合わされて配置された均等化ブロツ
クとを含む電子加速器に関する。
ターゲツトと、電子線の方向にターゲツトの後に
配置された電子吸収体と、円錐状のＸ線束を形成
するためのコリメータと、コリメータの孔の対称
軸線に中心を合わされて配置された均等化ブロツ
クとを含む電子加速器に関する。
米国特許第4121109号明細書により、放射線診
療装置に使用するべく構成された電子加速器は公
知である。Ｘ線を発生するため、この電子加速器
ではターゲツトが加速管から出る電子線にさらさ
れる。電子線の方向にターゲツトの後に、Ｘ線中
に残つている電子をＸ線から除去する電子吸収体
と、最大利用されるたいていは円錐状のＸ線束を
形成するための通過孔を有するコリメータとが配
置されている。コリメータの通過孔には均等化ブ
ロツクが内蔵されており、それによりコリメータ
から出るＸ線の線量がその全横断面にわたり均等
化される。しかし、このような電子加速器では、
診療上望ましいＸ線量子に加えて中性子も発生
し、この中性子が患者の曝射量を望ましくない大
きさに高めるという欠点がある。
療装置に使用するべく構成された電子加速器は公
知である。Ｘ線を発生するため、この電子加速器
ではターゲツトが加速管から出る電子線にさらさ
れる。電子線の方向にターゲツトの後に、Ｘ線中
に残つている電子をＸ線から除去する電子吸収体
と、最大利用されるたいていは円錐状のＸ線束を
形成するための通過孔を有するコリメータとが配
置されている。コリメータの通過孔には均等化ブ
ロツクが内蔵されており、それによりコリメータ
から出るＸ線の線量がその全横断面にわたり均等
化される。しかし、このような電子加速器では、
診療上望ましいＸ線量子に加えて中性子も発生
し、この中性子が患者の曝射量を望ましくない大
きさに高めるという欠点がある。
本発明の目的は、患者の曝射量を全体として診
療上必要な大きさに制限し、特に中性子による曝
射量を減少することである。
療上必要な大きさに制限し、特に中性子による曝
射量を減少することである。
この目的は、本発明によれば、冒頭に記載した
種類の電子加速器において、ターゲツトの下部に
あるコリメータ側の部分を中性子発生の低減のた
め（ｒ，ｎ）−プロセスに対する断面積の小さい
材料から製作することにより達成される。この対
策は、円錐状Ｘ線束のなかに位置する要素、すな
わちターゲツト、電子吸収体または均等化ブロツ
クのなかでは中性子がごくわずかしか発生しない
という認識に基づいている。中性子の大部分はコ
リメータの電子線源のほうを向いた側で発生す
る。そこで発生した中性子がコリメータを貫通し
て、周囲に分散する中性子照射の原因となる。タ
ーゲツトのほうを向いたコリメータの部分に
（ｒ，ｎ）−プロセスに対する断面積の小さい材料
を使用することは、全体として単位時間あたり発
生する中性子の数の顕著な減少に通ずる。（ｒ，
ｎ）−プロセスに対する断面積の小さいアイソト
ープは一般に原子番号の小さい元素に見い出され
るので、これらの元素はＸ線コリメータ用に適し
ていない。換言すれば、コリメータの材料として
は一般に原子番号が大きく従つてまた（ｒ，ｎ）
−プロセスに対する断面積が非常に大きい材料
が、Ｘ線吸収が良好であるという理由で使用され
る。（ｒ，ｎ）−プロセスに対する断面積の小さい
材料の使用をコリメータのターゲツト側の範囲に
制限することにより、一方では、Ｘ線に対するコ
リメータの固有吸収特性が壁厚の増大により補償
し得る程度にわずかしか悪化せず、他方では、Ｘ
線密度の大きい範囲における中性子の発生が減少
されるかまたは使用材料および最大利用される量
子エネルギーの種類によつては完全に阻止され
る。
種類の電子加速器において、ターゲツトの下部に
あるコリメータ側の部分を中性子発生の低減のた
め（ｒ，ｎ）−プロセスに対する断面積の小さい
材料から製作することにより達成される。この対
策は、円錐状Ｘ線束のなかに位置する要素、すな
わちターゲツト、電子吸収体または均等化ブロツ
クのなかでは中性子がごくわずかしか発生しない
という認識に基づいている。中性子の大部分はコ
リメータの電子線源のほうを向いた側で発生す
る。そこで発生した中性子がコリメータを貫通し
て、周囲に分散する中性子照射の原因となる。タ
ーゲツトのほうを向いたコリメータの部分に
（ｒ，ｎ）−プロセスに対する断面積の小さい材料
を使用することは、全体として単位時間あたり発
生する中性子の数の顕著な減少に通ずる。（ｒ，
ｎ）−プロセスに対する断面積の小さいアイソト
ープは一般に原子番号の小さい元素に見い出され
るので、これらの元素はＸ線コリメータ用に適し
ていない。換言すれば、コリメータの材料として
は一般に原子番号が大きく従つてまた（ｒ，ｎ）
−プロセスに対する断面積が非常に大きい材料
が、Ｘ線吸収が良好であるという理由で使用され
る。（ｒ，ｎ）−プロセスに対する断面積の小さい
材料の使用をコリメータのターゲツト側の範囲に
制限することにより、一方では、Ｘ線に対するコ
リメータの固有吸収特性が壁厚の増大により補償
し得る程度にわずかしか悪化せず、他方では、Ｘ
線密度の大きい範囲における中性子の発生が減少
されるかまたは使用材料および最大利用される量
子エネルギーの種類によつては完全に阻止され
る。
本発明の好ましい実施例では、（ｒ，ｎ）−プロ
セスに対する断面積の小さい材料から製作された
ターゲツト側のコリメータの部分がコリメータの
円錐状の孔の対称軸線の方向に、この材料内のＸ
線の半価深度にほぼ相当する広がりを有する。こ
の関係はコリメータの最適化のために望ましい。
なぜならば、コリメータ内でそれよりも深い層で
は、すなわちＸ線が半価深度以上にコリメータ内
を通過した後には、Ｘ線の吸収によつても２乗距
離法則によつてもＸ線量子密度が比較的小さく、
従つて中性子の生成率も小さいと考えられるから
である。従つて、その部分は、中性子生成に過大
な影響なしに、Ｘ線量子を良好に遮蔽する重金属
たとえばタングステンまたは鉛から製作され得
る。
セスに対する断面積の小さい材料から製作された
ターゲツト側のコリメータの部分がコリメータの
円錐状の孔の対称軸線の方向に、この材料内のＸ
線の半価深度にほぼ相当する広がりを有する。こ
の関係はコリメータの最適化のために望ましい。
なぜならば、コリメータ内でそれよりも深い層で
は、すなわちＸ線が半価深度以上にコリメータ内
を通過した後には、Ｘ線の吸収によつても２乗距
離法則によつてもＸ線量子密度が比較的小さく、
従つて中性子の生成率も小さいと考えられるから
である。従つて、その部分は、中性子生成に過大
な影響なしに、Ｘ線量子を良好に遮蔽する重金属
たとえばタングステンまたは鉛から製作され得
る。
コリメータの別の最適化は、（ｒ，ｎ）−プロセ
スに対する断面積の小さい材料から製作された部
分がコリメータの孔の対称軸線に対して横方向に
ターゲツトから、ターゲツトとそれに最も近いコ
リメータの孔の縁との間の距離のほぼ1.5倍に相
当する距離まで延びていることにより達成され
る。このことは、コリメータのうちＸ線吸収の良
好でない材料で製作しなければならない部分を比
較的小さな部分にとどめ得ることに通ずる。コリ
メータのうちターゲツトからの距離が大きい部分
ではＸ線量子密度が２乗距離法則によつていずれ
にせよ小さいので、この部分でも（ｒ，ｎ）−プ
ロセスによる中性子の生成はわずかである。（ｒ，
ｎ）−プロセスに対する断面積の小さい材料によ
るその内張りは、そのためにＸ線吸収の悪化を犠
牲にしなければならないほどの中性子生成の低減
を行なう必要はない。
スに対する断面積の小さい材料から製作された部
分がコリメータの孔の対称軸線に対して横方向に
ターゲツトから、ターゲツトとそれに最も近いコ
リメータの孔の縁との間の距離のほぼ1.5倍に相
当する距離まで延びていることにより達成され
る。このことは、コリメータのうちＸ線吸収の良
好でない材料で製作しなければならない部分を比
較的小さな部分にとどめ得ることに通ずる。コリ
メータのうちターゲツトからの距離が大きい部分
ではＸ線量子密度が２乗距離法則によつていずれ
にせよ小さいので、この部分でも（ｒ，ｎ）−プ
ロセスによる中性子の生成はわずかである。（ｒ，
ｎ）−プロセスに対する断面積の小さい材料によ
るその内張りは、そのためにＸ線吸収の悪化を犠
牲にしなければならないほどの中性子生成の低減
を行なう必要はない。
以下、図面に示されている実施例により本発明
を一層詳細に説明する。
を一層詳細に説明する。
図面には、Ｘ線制動放射を生ずるためのターゲ
ツトと円錐状Ｘ線束を形成するための本発明によ
るコリメータとを含む電子加速器の概要が示され
ている。
ツトと円錐状Ｘ線束を形成するための本発明によ
るコリメータとを含む電子加速器の概要が示され
ている。
この図面には、電子加速器の加速管３の終段の
空洞共振器２の電子線出射端部がその対称軸１を
通る断面で示されている。空洞共振器２は対称軸
線１に対して回転対称であり、この対称軸線に沿
い電子線４が加速される。加速管の出射側は電子
を透過させる窓５により気密に閉じられている。
電子線の方向に窓５の後に鉛箔がターゲツト６と
して配置されている。ターゲツト６は保持板８の
孔７のなかに保持されている。保持板８の孔７の
なかには、ターゲツト６のすぐ後に第１の電子吸
収体９が位置している。これは厚さ約20mmの銅の
円板から成る。電子線の方向にこの電子吸収体の
後にＸ線に対するコリメータ１０が配置されてい
る。コリメータ１０は最大利用される円錐状Ｘ線
束１２を形成するための円錐状の孔１１を設けら
れている。この円錐状の孔１１のターゲツト側の
部分（前側）にコリメータ１０は、アルミニウム
製のもう１つの電子吸収体１３を収容するための
円筒状の孔を設けられている。この第２の電子吸
収体１３の後に均等化ブロツク１４が円錐状の孔
１１のなかに突き入つてコリメータ１０に取り付
けられている。
空洞共振器２の電子線出射端部がその対称軸１を
通る断面で示されている。空洞共振器２は対称軸
線１に対して回転対称であり、この対称軸線に沿
い電子線４が加速される。加速管の出射側は電子
を透過させる窓５により気密に閉じられている。
電子線の方向に窓５の後に鉛箔がターゲツト６と
して配置されている。ターゲツト６は保持板８の
孔７のなかに保持されている。保持板８の孔７の
なかには、ターゲツト６のすぐ後に第１の電子吸
収体９が位置している。これは厚さ約20mmの銅の
円板から成る。電子線の方向にこの電子吸収体の
後にＸ線に対するコリメータ１０が配置されてい
る。コリメータ１０は最大利用される円錐状Ｘ線
束１２を形成するための円錐状の孔１１を設けら
れている。この円錐状の孔１１のターゲツト側の
部分（前側）にコリメータ１０は、アルミニウム
製のもう１つの電子吸収体１３を収容するための
円筒状の孔を設けられている。この第２の電子吸
収体１３の後に均等化ブロツク１４が円錐状の孔
１１のなかに突き入つてコリメータ１０に取り付
けられている。
コリメータ１０の円錐状の孔１１のターゲツト
側の部分には円筒状の凹みが設けられている。こ
の凹みに、（ｒ，ｎ）−プロセスに対する断面積の
小さい材料から成り凹みに適合する外形寸法を有
する環状ブロツク１５が入れられている。この環
状ブロツクの電子線方向の厚みをこの材料内のＸ
線量子に対する半価深度とほぼ等しく選定するこ
とが目的にかなつている。この環状ブロツク１５
はコリメータ１０の円錐状の孔１１の対称軸線１
に対して横方向にターゲツト６から、ターゲツト
６とそれに最も近いコリメータ１０の孔１１の縁
（環状ブロツク１５を含む縁）との間の距離のほ
ぼ1.5倍に相当する距離まで延びている。
側の部分には円筒状の凹みが設けられている。こ
の凹みに、（ｒ，ｎ）−プロセスに対する断面積の
小さい材料から成り凹みに適合する外形寸法を有
する環状ブロツク１５が入れられている。この環
状ブロツクの電子線方向の厚みをこの材料内のＸ
線量子に対する半価深度とほぼ等しく選定するこ
とが目的にかなつている。この環状ブロツク１５
はコリメータ１０の円錐状の孔１１の対称軸線１
に対して横方向にターゲツト６から、ターゲツト
６とそれに最も近いコリメータ１０の孔１１の縁
（環状ブロツク１５を含む縁）との間の距離のほ
ぼ1.5倍に相当する距離まで延びている。
電子加速器の作動の際、加速管３の窓５を貫通
した被加速電子はターゲツト６に衝突し、そこで
Ｘ線制動放射を生ずる。こうして生じたＸ線量子
はターゲツト６のなかで（ｒ，ｎ）−プロセスに
基づき中性子をも生ずる。Ｘ線量子の発生に関し
て効率の良い材料である原子番号の大きい元素は
エネルギーしきい値が低く、また同時に（ｒ，
ｎ）−プロセスに対する断面積が比較的大きいの
で、ターゲツト内での中性子の発生は避けられな
い。しかしながら、いまの場合ターゲツトが厚み
約0.3mmの鉛箔であり、その容積が比較的小さい
ために、全体としてターゲツト６のなかで生ずる
中性子の数は無視し得るほど少ない。円錐状Ｘ線
束１２のなかに位置するその他の要素、すなわち
電子吸収体９，１３および均等化ブロツク１４は
銅、鉄またはアルミニウムから成り、本質的に
（ｒ，ｎ）−プロセスに対する断面積が小さい。従
つて、これらの要素により中性子が生ずることは
ほとんどない。
した被加速電子はターゲツト６に衝突し、そこで
Ｘ線制動放射を生ずる。こうして生じたＸ線量子
はターゲツト６のなかで（ｒ，ｎ）−プロセスに
基づき中性子をも生ずる。Ｘ線量子の発生に関し
て効率の良い材料である原子番号の大きい元素は
エネルギーしきい値が低く、また同時に（ｒ，
ｎ）−プロセスに対する断面積が比較的大きいの
で、ターゲツト内での中性子の発生は避けられな
い。しかしながら、いまの場合ターゲツトが厚み
約0.3mmの鉛箔であり、その容積が比較的小さい
ために、全体としてターゲツト６のなかで生ずる
中性子の数は無視し得るほど少ない。円錐状Ｘ線
束１２のなかに位置するその他の要素、すなわち
電子吸収体９，１３および均等化ブロツク１４は
銅、鉄またはアルミニウムから成り、本質的に
（ｒ，ｎ）−プロセスに対する断面積が小さい。従
つて、これらの要素により中性子が生ずることは
ほとんどない。
円錐状Ｘ線束を形成するためのコリメータ１０
に関しては、上記と事情が異なる。コリメータ１
０は、Ｘ線に対する高い吸収係数を心要とするた
め、原子番号の大きい材料特にタングステン、タ
ンタルまたは鉛から成る。また、その電子線によ
り透過される容積は比較的大きい。一般に、この
ような装置で生ずる中性子のうち80％はコリメー
タ内で生ずる。特に、コリメータ内でＸ線の線量
が特に高い範囲で中性子が生ずる。この範囲はコ
リメータ１０のうち特にターゲツト６に最も近い
範囲である。中性子の生成率はコリメータの材料
内のＸ線量子密度に比例して減少する。
に関しては、上記と事情が異なる。コリメータ１
０は、Ｘ線に対する高い吸収係数を心要とするた
め、原子番号の大きい材料特にタングステン、タ
ンタルまたは鉛から成る。また、その電子線によ
り透過される容積は比較的大きい。一般に、この
ような装置で生ずる中性子のうち80％はコリメー
タ内で生ずる。特に、コリメータ内でＸ線の線量
が特に高い範囲で中性子が生ずる。この範囲はコ
リメータ１０のうち特にターゲツト６に最も近い
範囲である。中性子の生成率はコリメータの材料
内のＸ線量子密度に比例して減少する。
コリメータ１０の材料がＸ線の半価深度に相当
する深さまで（ｒ，ｎ）−プロセスに対する断面
積の小さい材料により置換されれば、中性子生成
は最小の材料交換で比較的著しく減ぜられる。こ
の場合、電子線の方向にこの環状ブロツク１５の
後ではＸ線量子の密度が著しく低下しているの
で、この範囲をも（ｒ，ｎ）−プロセスに対する
断面積の小さい材料により置換することはあまり
意味がないと考えられる。なぜならば、中性子生
成の追加的なわずかな減少をそれよりも重要なＸ
線遮蔽能力の減少によりあがなわなければならな
いからである。コリメータの全体の壁の厚みの増
大の結果として（ｒ，ｎ）−プロセスに対する断
面積の小さい材料から成る部分の層の厚みの増大
が原子番号の大きい材料から成る壁部分の厚みの
費用をつぐなわない場合に限つて、上記と事情が
異なる。この場合には、コリメータの壁の厚みが
増されなければならないであろう。同じ理由か
ら、コリメータ１０の円錐状の孔１１の対称軸線
に対して横方向の環状ブロツクの広がりも、ター
ゲツトとそれに最も近いコリメータの孔の縁との
間の間隔のほぼ1.5倍に相当する距離に制限すべ
きである。この場合にも、（ｒ，ｎ）−プロセスに
対する断面積の小さい材料から成る環状ブロツク
を円錐状孔の対称軸線に対してそれ以上に大きく
しても、中性子生成を減少する効果は比較的わず
かである。製造上は若干費用がかかるけれども
（ｒ，ｎ）−プロセスに対する断面積の小さい材料
を特に合理的に使用するためには、中心点がター
ゲツトと一致しかつ中心孔を有する球欠１６とし
て環状ブロツク１５を構成することができる。
する深さまで（ｒ，ｎ）−プロセスに対する断面
積の小さい材料により置換されれば、中性子生成
は最小の材料交換で比較的著しく減ぜられる。こ
の場合、電子線の方向にこの環状ブロツク１５の
後ではＸ線量子の密度が著しく低下しているの
で、この範囲をも（ｒ，ｎ）−プロセスに対する
断面積の小さい材料により置換することはあまり
意味がないと考えられる。なぜならば、中性子生
成の追加的なわずかな減少をそれよりも重要なＸ
線遮蔽能力の減少によりあがなわなければならな
いからである。コリメータの全体の壁の厚みの増
大の結果として（ｒ，ｎ）−プロセスに対する断
面積の小さい材料から成る部分の層の厚みの増大
が原子番号の大きい材料から成る壁部分の厚みの
費用をつぐなわない場合に限つて、上記と事情が
異なる。この場合には、コリメータの壁の厚みが
増されなければならないであろう。同じ理由か
ら、コリメータ１０の円錐状の孔１１の対称軸線
に対して横方向の環状ブロツクの広がりも、ター
ゲツトとそれに最も近いコリメータの孔の縁との
間の間隔のほぼ1.5倍に相当する距離に制限すべ
きである。この場合にも、（ｒ，ｎ）−プロセスに
対する断面積の小さい材料から成る環状ブロツク
を円錐状孔の対称軸線に対してそれ以上に大きく
しても、中性子生成を減少する効果は比較的わず
かである。製造上は若干費用がかかるけれども
（ｒ，ｎ）−プロセスに対する断面積の小さい材料
を特に合理的に使用するためには、中心点がター
ゲツトと一致しかつ中心孔を有する球欠１６とし
て環状ブロツク１５を構成することができる。
（ｒ，ｎ）−プロセスに対する断面積の小さい
材料としては炭素、アルミニウム、ベリリウム、
カルシウム、鉄および場合によつては銅があげら
れる。炭素およびアルミニウムは（ｒ，ｎ）−プ
ロセスに対して特に小さな断面積を有するが、そ
れに対してＸ線量子の到達距離が小さい鉄および
銅では、選定された遮蔽部の寸法に関連して、
（ｒ，ｎ）−プロセスに対する断面積がやや大きい
という欠点を再び若干補償する必要がある。
材料としては炭素、アルミニウム、ベリリウム、
カルシウム、鉄および場合によつては銅があげら
れる。炭素およびアルミニウムは（ｒ，ｎ）−プ
ロセスに対して特に小さな断面積を有するが、そ
れに対してＸ線量子の到達距離が小さい鉄および
銅では、選定された遮蔽部の寸法に関連して、
（ｒ，ｎ）−プロセスに対する断面積がやや大きい
という欠点を再び若干補償する必要がある。
図面は電子加速器のうちＸ線制動放射を生ずる
ためのターゲツトと円錐状Ｘ線束を形成するため
のコリメータとを含む部分の断面図である。 １……対称軸線、２……空洞共振器、３……加
速管、４……電子線、５……窓、６……ターゲツ
ト、７……孔、８……保持板、９……電子吸収
体、１０……コリメータ、１１……孔、１２……
Ｘ線束、１３……電子吸収体、１４……均等化ブ
ロツク、１５……環状ブロツク、１６……球欠
面。
ためのターゲツトと円錐状Ｘ線束を形成するため
のコリメータとを含む部分の断面図である。 １……対称軸線、２……空洞共振器、３……加
速管、４……電子線、５……窓、６……ターゲツ
ト、７……孔、８……保持板、９……電子吸収
体、１０……コリメータ、１１……孔、１２……
Ｘ線束、１３……電子吸収体、１４……均等化ブ
ロツク、１５……環状ブロツク、１６……球欠
面。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 加速管から出る電子線にさらされるターゲツ
トと、電子線の方向にターゲツトの後に配置され
た電子吸収体と、円錐状のＸ線束を形成するため
のコリメータと、コリメータの孔の対称軸線に中
心を合わされて配置された均等化ブロツクとを含
む電子加速器において、ターゲツト６の下部にあ
るコリメータ１０のターゲツト側の部分１５が中
性子発生の低減のため（ｒ，ｎ）−プロセスに対
する断面積の小さい材料から製作されていること
を特徴とする電子加速器。 ２ （ｒ，ｎ）−プロセスに対する断面積の小さ
い材料から製作されたターゲツト側のコリメータ
１０の部分１５がコリメータ１０の円錐状の孔１
１の対称軸線１の方向に、この材料内のＸ線の半
価深度にほぼ相当する広がりを有することを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の電子加速器。 ３ （ｒ，ｎ）−プロセスに対する断面積の小さ
い材料から製作されたターゲツト側のコリメータ
１０の部分１５がコリメータ１０の孔１１の対称
軸線１に対して横方向にターゲツト６から、ター
ゲツト６とそれに最も近いコリメータの孔１１の
縁との間の距離のほぼ1.5倍に相当する距離まで
延びていることを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載の電子加速器。 ４ 部分１５が長方形横断面を有する環の形態を
なしていることを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載の電子加速器。 ５ 部分１５が中心孔を有する球欠１６の形態を
なしていることを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載の電子加速器。 ６ 球欠１６の中心点がターゲツトと一致してい
ることを特徴とする特許請求の範囲第５項記載の
電子加速器。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE2926841A DE2926841A1 (de) | 1979-07-03 | 1979-07-03 | Elektronenbeschleuniger |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5614198A JPS5614198A (en) | 1981-02-10 |
| JPS6327679B2 true JPS6327679B2 (ja) | 1988-06-03 |
Family
ID=6074813
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9119680A Granted JPS5614198A (en) | 1979-07-03 | 1980-07-03 | Electronic accelerator |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4327293A (ja) |
| EP (1) | EP0021442B1 (ja) |
| JP (1) | JPS5614198A (ja) |
| CA (1) | CA1145863A (ja) |
| DE (2) | DE2926841A1 (ja) |
Families Citing this family (11)
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|---|---|---|---|---|
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|---|---|---|---|---|
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-
1979
- 1979-07-03 DE DE2926841A patent/DE2926841A1/de not_active Withdrawn
-
1980
- 1980-04-23 US US06/143,156 patent/US4327293A/en not_active Expired - Lifetime
- 1980-06-27 DE DE8080103662T patent/DE3061500D1/de not_active Expired
- 1980-06-27 EP EP80103662A patent/EP0021442B1/de not_active Expired
- 1980-07-02 CA CA000355219A patent/CA1145863A/en not_active Expired
- 1980-07-03 JP JP9119680A patent/JPS5614198A/ja active Granted
Also Published As
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|---|---|
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