JPS63274113A - 摺動接点装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、計測器、各種機械等で、検出用、制御用、設
定用、発振器用などに使用されているボリュームスイッ
チ、ポテンシオメータ、トリマー（可変抵抗器の一種）
等で用いられる摺動接点装置の改良に関する。

（従来の技術とその問題点） 従来より上記のボリュームスイッチ、ポテンシオメータ
、トリマー等で用いられる摺動接点装置は、セラミック
ス基板上にカーボン（Ｃ）や酸化ルテニウム（ＲｕＯｚ
）などの抵抗ペーストを焼成して厚膜抵抗パターンを形
成して成る配線板と、この配線板の厚膜抵抗パターンに
対向して摺動し得るようになされたスプリング端子材に
Ａｇ接点材をかしめ或いは溶接して成るすり接点とによ
り構成されているが、この摺動接点装置は、ノイズが発
生し易く、又接触抵抗がやや高く且つ幾分ばらつきがあ
って不安定であり、しかも摩耗し易くて寿命が短く、接
触信頼性にやや欠けるものであった。

この為、セラミックス基板上のカーボンや酸化ルテニウ
ムの厚膜抵抗パターンのすり接点と摺動する部分を、Ａ
ｇ−Ｐｄ系の導体ペーストに置き換えて焼成するかある
いは厚１！抵抗パターンのすり接点と摺動する部分にＡ
ｇ−Ｐｄ系導体ペーストを重ねて焼成することにより、
接触信頼性を改善し、又すり接点のＡｇ接点材を硫化防
止の為、Ａｇ−Ｐｄ３０〜５０ｗｔ％に置き換えている
。

然し乍ら、厚膜導体パターンと接点材が同種の組合せの
為、容易に凝着、剥離が起こり、摩耗が促進される。又
Ａｇ−Ｐｄ３０〜５０ｗ　ｔ％の接点材はＨｖ１６０〜
２００で硬すぎるのに対し、Ａｇ−Ｐｄ系の導体ペース
トの焼成物である厚膜導体パターンが軟らかい為、摩耗
が多くなり、早期に寿命となる。更にＡｇ−Ｐｄ３０〜
５０ｗ　ｔ％接点材は、電気伝導度（ＴＡＣ３３，８〜
５．５）が低い為、発熱する等の問題点があった。

（発明の目的） 本発明は、上記問題点を解決することのできる摺動接点
装置を提供することを目的とするものである。

（問題点を解決するための手段） 前記の問題点を解決するための本発明の摺動接点装置は
、セラミックス基板上に、抵抗ペーストを焼成して厚膜
抵抗パターンを形成し、この厚膜抵抗パターンに接続し
てＡｇ導体ペーストを焼成して厚膜導体パターンを形成
して成る配線板と、この配線板の厚膜導体パターンに対
向して摺動し得るようになされＡｇ−酸化すず５〜１５
ｗｔ％−酸化ビスマス２〜１０ｗｔ％の接点材がスプリ
ング端子材に取付けられて成るすり接点とにより構成さ
れていることを特徴とする。

本発明の摺動接点装置に於いて、すり接点の接点材をＡ
ｇ−Ｍ化すず５〜１５ｗｔ％−酸化ビスマス２〜１ｌｈ
ｔ％とした理由は、Ａｇ中の酸化すずが５ｗｔ％或いは
酸化ビスマスが２ｗｔ％未満だと潤滑効果が薄く、その
すり接点がセラミックス基板上のＡｇの厚膜導体パター
ンとの接触に於いて凝着、剥離が生じ、酸化すずが１５
ｗｔ％或いは酸化ビスマスが１０ｗｔ％を超えると、ノ
イズの発生原因となるからである。

（作用） 上記の如く構成された摺動接点装置は、すり接点とセラ
ミックス基板上の厚膜導体パターンとの接触作用におい
て、すり接点のＡｇ−酸化すず５〜１５ｗｔ％−酸化ビ
スマス２〜１０ｗｔ％接点材の硬さくＨｖ１２０〜１５
５）が軟らかく滑りやすいので、接触抵抗が低く安定し
ていて、Ａｇ厚膜導体パターンを損耗することが無く、
又凝着、剥離が殆んど無くなり、摩耗が減少するので、
良好な接触が得られる。更にすり接点のＡｇ−酸化すず
５〜１５ｗｔ％−酸化ビスマス２〜１０ｗｔ％接点材の
電気伝導度がｌＡＣ３６０〜７０％と良好であるので、
発熱しない。

（実施例） 本発明の摺動接点装置の実施例を説明すると、図に示す
如き板厚０．６鶴、直径３０ｍ１の純度９８％のＡｌｚ
Ｏｚ基板１上の外周に幅３ｓｒｍでＲｕｂ、の抵抗ペー
ストをスクリーン印刷し、８００℃で焼成して厚さ１０
μの厚膜抵抗パターン２を形成し、この厚膜抵抗パター
ン２に接続して、周方向に、Ａｇ導体ペーストをスクリ
ーン印刷し、８００℃で焼成して、０．２１ｍ間隔に幅
０．２ｍｍ、長さ７ｍｌ、厚さ１０μの厚膜導体パター
ン３を形成して配線板４とした。一方、この配線板４の
厚膜導体パターン３に対向して夫々摺動するようになさ
れた２種のすり接点５は、Ａｇ−酸化すず８ｗｔ％−酸
化ビスマス６ｗｔ％とＡｇ−酸化すず１０ｗｔ％−酸化
ビスマス６ｗｔ％−酸化ニソケル０．１ｗｔ％の２種の
接点線材（直径３１１）から作製した頭部径３龍、頭部
厚さ０　、６　ｍｍ、脚部径１．５Ｎ、脚部長１．５１
１の２種のリベント接点６を、夫々幅４　＋ｎ、厚さ０
．１５ｍｍのＢｅ−Ｃｕより成るスプリング端子材７の
接点取付穴に挿入しかしめて成るものである。

このように構成された実施例１．２の摺動接点装置と、
Ａｇ　　Ｐｄ３０ｗｔ％接点材を有するすり接点を配線
板のＡ　ｇ　−Ｐ　ｄ３０ｗｔ％の厚膜導体パターンと
対向させて成る従来の摺動接点装置とを、下記の試験条
件にて摺動開閉試験を行った処、下記の表に示すような
結果を得た。

試験条件 接触カニＩＯｇ、動作二回転往復型（５５度）、駆動二
６０ストローク／ｍｉｎ、通電＝１２■、１００ｍＡ（
以下余白） 上記の表で明らかなように実施例１．２の摺動接点装置
は、従来例の摺動装置に比し、寿命が大概倍増している
ことが判る。これはひとえにすり接点５のＡｇ−ａ化す
ず５〜１５ｗｔ％−酸化ビスマス２〜１０ｗｔ％接点材
の硬さが軟らかく滑りやすい為、対向するＡｇの厚膜導
体パターン３を損耗することが無く、又凝着、剥離する
ことが無く、摩耗が減少し、更にＡｇ−酸化すず５〜１
５ｉｖｔ％−酸化ビスマス２〜１０ｗｔ％の接点材の電
気伝導度が良好で発熱することが無いからである。

尚、前記の寿命は、厚膜導体パターン３の摩耗により、
すり接点５がＡｌｔ０３基板との接触となって、オープ
ン状態（接触抵抗無限大）となった場合と、厚膜導体パ
ターン３間のスリット部の目詰まりによりショートした
場合で判定した。

尚、上記実施例の摺動接点装置の配線板４は円形である
が、矩形でも良いものである。その場合、厚膜抵抗パタ
ーンは矩形の配線板の一例端に形成し、厚膜導体パター
ンは厚膜抵抗パターンに接続してその長手方向に一定間
隔に平行に形成すると良い。そしてすり接点は厚膜導体
パターンに対向して厚膜抵抗パターンの長手方向に摺動
し得るようにする。またセラミックス基板上にベローズ
形状に前後に往復させた厚膜抵抗パターンを形成し、そ
の上に厚膜導体パターンを一定間隔に並べて形成した配
線板と、この配線板の厚膜導体パターンに対向して摺動
するようにしたすり接点とより成る摺動接点装置として
も良い。

さらに実施例２のように酸化すず或いは酸化ビスマスの
一部を０．０１〜１ｗｔ％の範囲で鉄族元素の酸化物で
置き換えてもよいものである。

（発明の効果） 以上の説明で判るように本発明の摺動接点装置は、すり
接点のＡｇ−酸化すず５〜１５ｗｔ％−酸化ビスマス２
〜１０ｗｔ％が硬さくＨｖ　１２０〜１５５）が軟らか
く滑りやすいので、接触作用においてセラミックス基板
上のＡｇ厚膜導体パターンが損耗することが無く、又凝
着、剥離が殆んど無くなり、摩耗が減少するので、良好
な接触が得られる。

従って、接触信頼性が向上し、摺動接点装置の寿命が著
しく増長する。更にすり接点のＡｇ−酸化すず５〜１５
ｗｔ％−酸化ビスマス２〜１０ｗｔ％接点材の電気伝導
度が良好であるので、接触作用において、発熱せず、溶
着が起こりにくい。従って、摺動接点装置の耐溶着性が
著しく向上する。

【図面の簡単な説明】

図は本発明の摺動接点装置の一実施例を示す概略斜視図
である。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. セラミックス基板上に、抵抗ペーストを焼成して厚膜抵
   抗パターンを形成し、この厚膜抵抗パターンに接続して
   Ａｇ導体ペーストを焼成して厚膜導体パターンを形成し
   て成る配線板と、この配線板の厚膜導体パターンに対向
   して摺動し得るようになされＡｇ−酸化すず５〜１５ｗ
   ｔ％−酸化ビスマス２〜１０ｗｔ％の接点材がスプリン
   グ端子材に取り付けられて成るすり接点とにより構成さ
   れていることを特徴とする摺動接点装置。