JPS63274110A - 摺動接点装置 - Google Patents
摺動接点装置Info
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- JPS63274110A JPS63274110A JP11032087A JP11032087A JPS63274110A JP S63274110 A JPS63274110 A JP S63274110A JP 11032087 A JP11032087 A JP 11032087A JP 11032087 A JP11032087 A JP 11032087A JP S63274110 A JPS63274110 A JP S63274110A
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- Japan
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- thick film
- contact
- sliding contact
- conductor pattern
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Links
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- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 23
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- 229910001925 ruthenium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
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Landscapes
- Contacts (AREA)
- Details Of Resistors (AREA)
- Adjustable Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、計測器、各種機械等で、検出用、制御用、設
定用、発振器用などに使用されているボリュームスイッ
チ、ポテンシオメータ、トリマー(可変抵抗器の一種)
等で用いられる摺動接点装置の改良に関する。
定用、発振器用などに使用されているボリュームスイッ
チ、ポテンシオメータ、トリマー(可変抵抗器の一種)
等で用いられる摺動接点装置の改良に関する。
(従来の技術とその問題点)
従来より上記のボリュームスイッチ、ポテンシオメータ
、トリマー等で用いられる摺動接点装置は、セラミック
ス基板上にカーボン(C)や酸化ルテニウム(RuOz
)などの抵抗ペーストを焼成して厚膜抵抗パターンを形
成して成る配線板と、この配線板の厚膜抵抗パターンに
対向して摺動し得るようになされたスプリング端子材に
Ag接点材をかしめ或いは溶接して成るすり接点とによ
り構成されているが、この摺動接点装置は、ノイズが発
生し易く、又接触抵抗がやや高く且つ幾分ばらつきがあ
って不安定であり、しかも摩耗し易くて寿命が短く、接
触信頼性にやや欠けるものであった。
、トリマー等で用いられる摺動接点装置は、セラミック
ス基板上にカーボン(C)や酸化ルテニウム(RuOz
)などの抵抗ペーストを焼成して厚膜抵抗パターンを形
成して成る配線板と、この配線板の厚膜抵抗パターンに
対向して摺動し得るようになされたスプリング端子材に
Ag接点材をかしめ或いは溶接して成るすり接点とによ
り構成されているが、この摺動接点装置は、ノイズが発
生し易く、又接触抵抗がやや高く且つ幾分ばらつきがあ
って不安定であり、しかも摩耗し易くて寿命が短く、接
触信頼性にやや欠けるものであった。
この為、セラミックス基板上のカーボンや酸化ルテニウ
ムの厚膜抵抗パターンのすり接点と摺動する部分を、A
g−Pd系の導体ペーストに置き換えて焼成するかある
いは厚膜抵抗パターンのすり接点と摺動する部分にAg
−Pd系導体ペーストを重ねて焼成することにより、接
触信頼性を改善し、又すり接点のAg接点材を硫化防止
の為、Ag−Pd30〜50wt%に置き換えている。
ムの厚膜抵抗パターンのすり接点と摺動する部分を、A
g−Pd系の導体ペーストに置き換えて焼成するかある
いは厚膜抵抗パターンのすり接点と摺動する部分にAg
−Pd系導体ペーストを重ねて焼成することにより、接
触信頼性を改善し、又すり接点のAg接点材を硫化防止
の為、Ag−Pd30〜50wt%に置き換えている。
然し乍ら、厚膜導体パターンと接点材が同種の組合せの
為、容易に凝着、剥離が起こり、摩耗が促進される。又
Ag−Pd30〜50wt%の接点材はHv 160〜
200で硬すぎるのに対し、Ag−Pd系の導体ペース
トの焼成物である厚膜導体パターンが軟らかい為、摩耗
が多(なり、早期に寿命となる。更にAg−Pd30〜
50wt%接点材は、電気伝導度(IAC33,8〜5
.5)が低い為、発熱する等の問題点があった。
為、容易に凝着、剥離が起こり、摩耗が促進される。又
Ag−Pd30〜50wt%の接点材はHv 160〜
200で硬すぎるのに対し、Ag−Pd系の導体ペース
トの焼成物である厚膜導体パターンが軟らかい為、摩耗
が多(なり、早期に寿命となる。更にAg−Pd30〜
50wt%接点材は、電気伝導度(IAC33,8〜5
.5)が低い為、発熱する等の問題点があった。
(発明の目的)
本発明は、上記問題点を解決することのできる摺動接点
装置を提供することを目的とするものである。
装置を提供することを目的とするものである。
(問題点を解決するための手段)
前記の問題点を解決するための本発明の摺動接点装置は
、セラミックス基板上に、抵抗ペーストを焼成して厚膜
抵抗パターンを形成し、この厚膜抵抗パターンに接続し
てAg導体ペーストを焼成して厚膜導体パターンを形成
して成る配線板と、この配線板の厚膜導体パターンに対
向して摺動し得るようになされAg−Mo10〜50w
t%の接点材がスプリング端子材に取付けられて成る
すり接点とにより構成されていることを特徴とする。
、セラミックス基板上に、抵抗ペーストを焼成して厚膜
抵抗パターンを形成し、この厚膜抵抗パターンに接続し
てAg導体ペーストを焼成して厚膜導体パターンを形成
して成る配線板と、この配線板の厚膜導体パターンに対
向して摺動し得るようになされAg−Mo10〜50w
t%の接点材がスプリング端子材に取付けられて成る
すり接点とにより構成されていることを特徴とする。
本発明の摺動接点装置に於いて、すり接点の接点材をA
g−Mo10〜50w t%とした理由は、Ag中のM
oが10wt%未満だと潤滑効果が薄く、そのすり接点
がセラミックス基板上のAgの厚膜導体パターンとの接
触に於いて凝着、剥離が生じ、5〇wt%を超えると、
ノイズの発生原因となるからである。
g−Mo10〜50w t%とした理由は、Ag中のM
oが10wt%未満だと潤滑効果が薄く、そのすり接点
がセラミックス基板上のAgの厚膜導体パターンとの接
触に於いて凝着、剥離が生じ、5〇wt%を超えると、
ノイズの発生原因となるからである。
(作用)
上記の如く構成された摺動接点装置は、すり接点とセラ
ミックス基板上の厚膜導体パターンとの接触作用におい
て、すり接点のAg−Mo10〜50wt%接点材の硬
さくHV80〜140)が軟らかく滑りやすいので、接
触抵抗が低く安定していて、Ag厚膜導体パターンを損
耗することが無く、又凝着、剥離が殆んど無くなり、摩
耗が減少するので、良好な接触が得られる。更にすり接
点のAg−M。
ミックス基板上の厚膜導体パターンとの接触作用におい
て、すり接点のAg−Mo10〜50wt%接点材の硬
さくHV80〜140)が軟らかく滑りやすいので、接
触抵抗が低く安定していて、Ag厚膜導体パターンを損
耗することが無く、又凝着、剥離が殆んど無くなり、摩
耗が減少するので、良好な接触が得られる。更にすり接
点のAg−M。
10〜50wt%接点材の電気伝導度がlAC340〜
60%と良好であるので、発熱しない。
60%と良好であるので、発熱しない。
(実施例)
本発明の摺動接点装置の実施例を説明すると、図に示す
如き板厚0.6m、直径30mの純度98%のAlzo
z基板1上の外周に幅3鶴でRub、の抵抗ペーストを
スクリーン印刷し、800℃で焼成して厚さlOμの厚
膜抵抗パターン2を形成し、この厚膜抵抗パターン2に
接続して、周方向に、Ag導体ペーストをスクリーン印
刷し、800℃で焼成して、0.2鶴間隔に幅0.2
sx、長さ’in、厚さ10μの厚膜導体パターン3を
形成して配線板4とした。一方、この配線板4の厚膜導
体パターン3に対向して夫々摺動するようになされた2
種のすり接点5は、Ag−Mo20wt%とAg−Mo
30wt%の2種の接点線材(直径1.5m)から作製
した頭部径3龍、頭部厚さ0.6mm、脚部径1 、5
mm、脚部長1.5鶴の2種のりベント接点6を、夫
々幅4龍、厚さ0.1511のBe−Cuより成るスプ
リング端子材7の接点取付穴に挿入しかしめて成るもの
である。
如き板厚0.6m、直径30mの純度98%のAlzo
z基板1上の外周に幅3鶴でRub、の抵抗ペーストを
スクリーン印刷し、800℃で焼成して厚さlOμの厚
膜抵抗パターン2を形成し、この厚膜抵抗パターン2に
接続して、周方向に、Ag導体ペーストをスクリーン印
刷し、800℃で焼成して、0.2鶴間隔に幅0.2
sx、長さ’in、厚さ10μの厚膜導体パターン3を
形成して配線板4とした。一方、この配線板4の厚膜導
体パターン3に対向して夫々摺動するようになされた2
種のすり接点5は、Ag−Mo20wt%とAg−Mo
30wt%の2種の接点線材(直径1.5m)から作製
した頭部径3龍、頭部厚さ0.6mm、脚部径1 、5
mm、脚部長1.5鶴の2種のりベント接点6を、夫
々幅4龍、厚さ0.1511のBe−Cuより成るスプ
リング端子材7の接点取付穴に挿入しかしめて成るもの
である。
このように構成された実施例1.2の摺動接点装置と、
A g −P d30wt%接点材を有するすり接点を
配線板のAg Pd30wt%の厚膜導体パターンと
対向させて成る従来の摺動接点装置とを、下記の試験条
件にて摺動開閉試験を行った処、下記の表に示すような
結果を得た。
A g −P d30wt%接点材を有するすり接点を
配線板のAg Pd30wt%の厚膜導体パターンと
対向させて成る従来の摺動接点装置とを、下記の試験条
件にて摺動開閉試験を行った処、下記の表に示すような
結果を得た。
試験条件
接触カニ10g、動作一回転往復型(55度)、駆動二
60ストローク/m1ns通電: 12V、 100m
A上記の表で明らかなように実施例1.2の摺動接点装
置は、従来例の摺動装置に比し、寿命が大概倍増してい
ることが判る。これはひとえにすり接点5のAg−Mo
10〜50wt%接点材の硬さが軟らかく滑りやすい為
、対向するAgの厚膜導体バターン3を損耗することが
無く、又凝着、剥離することが無く、摩耗が減少し、更
にAg−Mo10〜50wt%の接点材の電気伝導度が
良好で発熱することが無いからである。
60ストローク/m1ns通電: 12V、 100m
A上記の表で明らかなように実施例1.2の摺動接点装
置は、従来例の摺動装置に比し、寿命が大概倍増してい
ることが判る。これはひとえにすり接点5のAg−Mo
10〜50wt%接点材の硬さが軟らかく滑りやすい為
、対向するAgの厚膜導体バターン3を損耗することが
無く、又凝着、剥離することが無く、摩耗が減少し、更
にAg−Mo10〜50wt%の接点材の電気伝導度が
良好で発熱することが無いからである。
尚、前記の寿命は、厚膜導体パターン3の摩耗により、
すり接点5がA1zOz基板との接触となって、オープ
ン状態(接触抵抗無限大)となった場合と、厚膜導体パ
ターン3間のスリット部の目詰まりによりショートした
場合で判定した。
すり接点5がA1zOz基板との接触となって、オープ
ン状態(接触抵抗無限大)となった場合と、厚膜導体パ
ターン3間のスリット部の目詰まりによりショートした
場合で判定した。
尚、上記実施例の摺動接点装置の配線板4は円形である
が、矩形でも良いものである。その場合、厚膜抵抗パタ
ーンは矩形の配線板の一側端に形成し、厚膜導体パター
ンは厚膜抵抗パターンに接続してその長手方向に一定間
隔に平行に形成すると良い。そしてすり接点は厚膜導体
パターンに対向して厚膜抵抗パターンの長手方向に摺動
し得るようにする。またセラミックス基板上にベローズ
形状に前後に往復させた厚膜抵抗パターンを形成し、そ
の上に厚膜導体パターンを一定間隔に並べて形成した配
線板と、この配線板の厚膜導体パターンに対向して摺動
するようにしたすり接点とより成る摺動接点装置として
も良い。
が、矩形でも良いものである。その場合、厚膜抵抗パタ
ーンは矩形の配線板の一側端に形成し、厚膜導体パター
ンは厚膜抵抗パターンに接続してその長手方向に一定間
隔に平行に形成すると良い。そしてすり接点は厚膜導体
パターンに対向して厚膜抵抗パターンの長手方向に摺動
し得るようにする。またセラミックス基板上にベローズ
形状に前後に往復させた厚膜抵抗パターンを形成し、そ
の上に厚膜導体パターンを一定間隔に並べて形成した配
線板と、この配線板の厚膜導体パターンに対向して摺動
するようにしたすり接点とより成る摺動接点装置として
も良い。
(発明の効果)
以上の説明で判るように本発明の摺動接点装置は、すり
接点のAg−酸化すず6〜12wt%が硬さくHV80
〜140)が軟らかく滑りやすいので、接触作用におい
てセラミックス基板上のAg厚膜導体パターンが損耗す
ることが無(、又凝着、剥離が殆んど無くなり、摩耗が
減少するので、良好な接触が得られる。
接点のAg−酸化すず6〜12wt%が硬さくHV80
〜140)が軟らかく滑りやすいので、接触作用におい
てセラミックス基板上のAg厚膜導体パターンが損耗す
ることが無(、又凝着、剥離が殆んど無くなり、摩耗が
減少するので、良好な接触が得られる。
従って、接触信頼性が向上し、摺動接点装置の寿命が著
しく増長する。更にすり接点のAgM。
しく増長する。更にすり接点のAgM。
10〜50wt%接点材の電気伝導度が良好であるので
、接触作用において、発熱せず、溶着が起こりにくい。
、接触作用において、発熱せず、溶着が起こりにくい。
従って、摺動接点装置の耐溶着性が著しく向上する。
図は本発明の摺動接点装置の一実施例を示す概略斜視図
である。
である。
Claims (1)
- セラミックス基板上に、抵抗ペーストを焼成して厚膜抵
抗パターンを形成し、この厚膜抵抗パターンに接続して
Ag導体ペーストを焼成して厚膜導体パターンを形成し
て成る配線板と、この配線板の厚膜導体パターンに対向
して摺動し得るようになされAg−Mo10〜50wt
%の接点材がスプリング端子材に取り付けられて成るす
り接点とにより構成されていることを特徴とする摺動接
点装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11032087A JPS63274110A (ja) | 1987-05-06 | 1987-05-06 | 摺動接点装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11032087A JPS63274110A (ja) | 1987-05-06 | 1987-05-06 | 摺動接点装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63274110A true JPS63274110A (ja) | 1988-11-11 |
Family
ID=14532735
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11032087A Pending JPS63274110A (ja) | 1987-05-06 | 1987-05-06 | 摺動接点装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63274110A (ja) |
-
1987
- 1987-05-06 JP JP11032087A patent/JPS63274110A/ja active Pending
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