JPS63269133A - Light source for optical pickup - Google Patents

Light source for optical pickup

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Publication number
JPS63269133A
JPS63269133A JP10512187A JP10512187A JPS63269133A JP S63269133 A JPS63269133 A JP S63269133A JP 10512187 A JP10512187 A JP 10512187A JP 10512187 A JP10512187 A JP 10512187A JP S63269133 A JPS63269133 A JP S63269133A
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JP
Japan
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light source
nonlinear optical
optical pickup
light
writing
Prior art date
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Pending
Application number
JP10512187A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Toshiya Takahashi
俊也 高橋
Toshiya Yokogawa
俊哉 横川
Hideki Yakida
八木田 秀樹
Tomoaki Uno
智昭 宇野
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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Priority to JP10512187A priority Critical patent/JPS63269133A/en
Publication of JPS63269133A publication Critical patent/JPS63269133A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To allow one spot to read out a bit recorded or erased by the other spot by forming a light source consisting of one or more semiconductor lasers and one or more nonlinear optical device on the same substrate. CONSTITUTION:The light source consisting of semiconductor lasers and nonlinear optical device for converting light radiated from the lasers into higher harmonic is formed on the same substrate. For instance, two lasers 101, 102 and one nonlinear optical device 104 are formed on the same substrate 103 to form spots with different wavelengths on a disk by means of one optical system. Since the wavelengths of these spots are sharply different, mutual interference is not easily generated, these spots can be simultaneously used and a recorded bit can be read out immediately after the recording. In addition, a bit with accurate size can be formed by properly using one spot for writing and the other for focusing and tracking at the time of recording.

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、光ディスクの記録、再生に用いる光ピックア
ップ用光源に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of Industrial Application The present invention relates to a light source for an optical pickup used for recording and reproducing optical discs.

従来の技術 近年、コンパクトディスクなどの光ディスクは記録密度
が高いこと、システムの低価格化などから急速な普及を
とげている。光ディスクに情報を記録するためには、書
き込みもしくは消去専用の高出力レーザと、読みだし専
用の低雑音レーザが必要であるが、書き込みもしくは消
去専用の半導体レーザと、読みだし専用の半導体レーザ
を一チップ半導体基板上に集積した半導体レーザが用い
られている。以下、図面を参照しながら、従来の光ディ
スクに用いられている光ピックアップ用の半導体レーザ
の一例について説明する。
2. Description of the Related Art In recent years, optical discs such as compact discs have become rapidly popular due to their high recording density and lower system costs. To record information on an optical disk, a high-power laser for writing or erasing and a low-noise laser for reading are required. A semiconductor laser integrated on a chip semiconductor substrate is used. An example of a semiconductor laser for an optical pickup used in a conventional optical disc will be described below with reference to the drawings.

第6図は、従来の光ピックアップに用いられているGa
As/Al 、−!Ga、Asを用いたダブルへテロ接
合半導体レーザで、GaAs基板上に集積された半導体
レーザの構成図である。
Figure 6 shows Ga used in a conventional optical pickup.
As/Al, -! 1 is a configuration diagram of a double heterojunction semiconductor laser using Ga and As, which is integrated on a GaAs substrate. FIG.

半導体レーザ601は高出力型であり、30mW程度の
光出力が得られ、主に光ディスクに情報を記録する際に
用いる。半導体レーザ602は出力は3mW程度である
が、相対雑音強度が一140dB以下の低雑音型であり
、主にディスクから情報を読み取る場合に用いる。この
2つのレーザを同−GaAs基板603上に形成し、記
録時と再生時にレーザを使い分けることによって、1個
のし−ザで記録、再生する場合に比べ、記録時には安定
した大きさのビットを形成でき、読みだし時には低雑音
で信号が得られることとなる(例えば、M クメ;アイ
イーイーイー ジャーナル オプクアンタムエレクトロ
ニクス−21(M、 Kume;IEEE  T、QE
−21)、707 (1985))。
The semiconductor laser 601 is a high-output type, can obtain an optical output of about 30 mW, and is mainly used when recording information on an optical disk. The semiconductor laser 602 has an output of about 3 mW, but is a low noise type with a relative noise intensity of 1140 dB or less, and is mainly used when reading information from a disk. By forming these two lasers on the same GaAs substrate 603 and using the lasers separately during recording and reproduction, a stable bit size can be achieved during recording compared to when recording and reproducing with a single laser. This means that a signal can be obtained with low noise during readout (for example, M, Kume; IEEE Journal OpQuantum Electronics-21 (M, Kume; IEEE T, QE).
-21), 707 (1985)).

発明が解決しようとする問題点 しかしながら上記のような構成では、書き込み時には読
みだしは出来ず、読みだし時には書き込みはできなかっ
た。しかし、よシ高密度に情報を記録し、より早く効率
的に書き込み読みだしを行うために、同時にそれぞれの
レーザを独立に働かせる必要があるが、従来例の場合に
は以下のような問題点を有していた。
Problems to be Solved by the Invention However, with the above configuration, reading cannot be performed when writing, and writing cannot be performed when reading. However, in order to record information at a higher density and write and read more quickly and efficiently, it is necessary to have each laser work independently at the same time, but in the case of conventional methods, the following problems arise: It had

(1)読みだしと書き込みのレーザは、従来例の場合に
おいては、GaAs/A 1、−xGa!Asの同様の
構造であるため、それぞれの発振波長は、860nm付
近の非常に接近した波長である。このために、互いの光
の相互干渉などの問題から同時に使用する事は困難であ
る。特に読みだし時には低雑音特性が要求されているが
、高山カッ・イパワーの書き込み光は、多大な雑音とな
る。
(1) In the conventional example, the reading and writing lasers are GaAs/A 1,-xGa! Since they have similar structures of As, their respective oscillation wavelengths are very close to each other around 860 nm. For this reason, it is difficult to use them simultaneously due to problems such as mutual interference of each other's lights. In particular, low noise characteristics are required during reading, but the writing light of Takayama Katsui Power generates a large amount of noise.

(@ それぞれのレーザを同時に駆動出来ないため、書
き込みは書き込み用のレーザでフォーカシングしながら
行うため、書き込み時の7オーカツシングが不安定であ
ることから一定のビットの大きさにはならない。そのた
め書き込み時の精度に限界があシ、情報の薔き込み密度
が向上できなかった。
(@ Since each laser cannot be driven at the same time, writing is performed while focusing with the writing laser, so the 7-o-cutting during writing is unstable, so the bit size is not constant. Therefore, when writing There was a limit to the accuracy of information, and the density of information could not be improved.

本発明は上記問題点に鑑み、同時に書き込みと読みだし
、あるいは他方のレーザでフォーカシングしながら書き
込みを行える光ピックアップ用の光源を提供するもので
ある。
In view of the above problems, the present invention provides a light source for an optical pickup that can perform writing and reading at the same time, or write while focusing with the other laser.

問題点を解決するための手段 上−記問題点を解決するために本発明は、1個以上の半
導体レーザと、半導体レーザから出射される光を高調波
に変換する1個以上の非線形光学素子からなる光源とを
同一基板上に形成した光ピックアップ用光源を用いるこ
とであり、さらに前記非線形光学素子がZnSe結晶、
ZnS結晶、ZnSeとZnSの混晶、あるいはこれら
の積層構造よりなる光ピックアップ用光源を採用するこ
とである。
Means for Solving the Problems - In order to solve the above problems, the present invention provides one or more semiconductor lasers and one or more nonlinear optical elements that convert light emitted from the semiconductor lasers into harmonics. The present invention is to use a light source for an optical pickup in which a light source consisting of ZnSe crystal, ZnSe crystal,
The method is to employ a light source for an optical pickup made of a ZnS crystal, a mixed crystal of ZnSe and ZnS, or a laminated structure of these.

作  用 このような本発明の構成では、同じ光学系を用いたまま
、一方のスポットで記録あるいは消去したビットを他方
のスポットで読みとることができる。
Function: With this configuration of the present invention, bits recorded or erased at one spot can be read at the other spot while using the same optical system.

実施例 本発明の一実施例を第1図及び第2図を用いて説明する
Embodiment An embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 and 2.

第1図は、本実施例の光ピックアップ用光源の構成図で
、101,102は半導体レーザ、103は基板、10
4は非線形光学素子である。半導体レーザ101は高出
力型であり、発振波長は840nmで、主に光ディスク
に情報を記録する際に用いる。102も1o1と同様、
高出力型で、発振波長もは埋同じ850 nmであるが
、102から出た光は非線形光学素子に入射される。非
線形光学素子104は、半導体レーザ102の出射光を
、波長が約4215 nmの2次高調波106に変換す
る。以上のような2つのレーザ、及び非線形光学素子を
同一基板103上に形成することによって、1つの光学
系で異なった波長のスポットをディスク上に形成できる
。従って、それらのスポット間では波長が大きく異なる
ために相互干渉がおきにくく、同時に使用できる。従っ
て、記録したビットを、直後に読み取ることが可能とな
り、また記録時に一方を書き込み専用に、他方をフォー
カシング、トラッキング専用に使い分けることで、正確
な大きさのビットが形成できることとなる。
FIG. 1 is a configuration diagram of a light source for an optical pickup according to this embodiment, in which 101 and 102 are semiconductor lasers, 103 is a substrate, and 10
4 is a nonlinear optical element. The semiconductor laser 101 is a high-output type, has an oscillation wavelength of 840 nm, and is mainly used when recording information on an optical disk. 102 is the same as 1o1,
Although it is a high output type and has an oscillation wavelength of 850 nm, the light emitted from 102 is incident on a nonlinear optical element. The nonlinear optical element 104 converts the light emitted from the semiconductor laser 102 into a second harmonic wave 106 having a wavelength of about 4215 nm. By forming the two lasers and nonlinear optical elements as described above on the same substrate 103, spots with different wavelengths can be formed on the disk using one optical system. Therefore, since the wavelengths of these spots are greatly different, mutual interference is less likely to occur, and they can be used simultaneously. Therefore, it is possible to read the recorded bits immediately after recording, and by using one side exclusively for writing and the other for focusing and tracking during recording, it is possible to form bits of accurate size.

第2図は、本光ピックアップ用光源を用いた光ピックア
ップの構成図である。同図において、206は長波長カ
ットフィルタ、207は偏光ビームスプリッタ(以下P
BSと略す)、208はλ/4板、209は集光用レン
ズ、210はフォーカシング、及びトラッキング用コイ
ル、211はシリンドリカルレンズ、212はハーフミ
ラ−1213は長波長カットフィルタ、216は短波長
カットフィルタ、214,216はフォトディテクタ(
以下PDと略す)、217は増幅器、218は光ディス
クである。また、同図において、101〜104は第1
図と同じ物である。
FIG. 2 is a configuration diagram of an optical pickup using the present optical pickup light source. In the figure, 206 is a long wavelength cut filter, 207 is a polarizing beam splitter (hereinafter P
BS), 208 is a λ/4 plate, 209 is a focusing lens, 210 is a focusing and tracking coil, 211 is a cylindrical lens, 212 is a half mirror, 1213 is a long wavelength cut filter, and 216 is a short wavelength cut filter. , 214, 216 are photodetectors (
(hereinafter abbreviated as PD), 217 is an amplifier, and 218 is an optical disk. In addition, in the same figure, 101 to 104 are the first
It is the same as the picture.

上記のように構成された光ピックアップについて、以下
その動作を第2図を用いて説明する。第2図に於て、光
ディスク218に情報を記録する際には、半導体レーザ
1o1を用いる。半導体レーザ101から出た光は、P
BS207及びλ/4板208を通り、集光用レンズ2
09でディスク218上に集光される。この集光用レン
ズ209は、半導体レーザの波長850 nm、及びそ
の第2次高調波の波長425 nmの両方で収差がなく
、かつ同じ位置に焦点を結ぶように設計されている。
The operation of the optical pickup configured as described above will be explained below with reference to FIG. 2. In FIG. 2, when recording information on the optical disc 218, a semiconductor laser 1o1 is used. The light emitted from the semiconductor laser 101 is P
Passing through the BS 207 and the λ/4 plate 208, the condensing lens 2
The light is focused on the disk 218 at 09. This condensing lens 209 is designed to have no aberration at both the semiconductor laser wavelength of 850 nm and its second harmonic wavelength of 425 nm, and to focus at the same position.

ディスク上で焦点を結んだ光の一部は、反射され、再び
λ/4板208をとおりPBS207で光路を90度曲
げられ、シリンドリカルレンズ211、ハーフミラ−2
12、短波長カットフィルタ216(第2次高調波をカ
ットし1次光のみを通過させる)を通ってPD216に
入射される。PD216では、非点収差法により7オ一
カスエラー信号を、プッシュプル法でトラッキングエラ
ー信号を取り出し、増幅器217を通し、コイル210
にフィードバックして集光レンズ209を動かし、フォ
ーカス及びトラッキングをコントロールする。
A part of the light focused on the disk is reflected, passes through the λ/4 plate 208 again, the optical path is bent by 90 degrees at the PBS 207, and then the light passes through the cylindrical lens 211 and the half mirror 2.
12, the light passes through a short wavelength cut filter 216 (cuts the second harmonic and passes only the first order light) and enters the PD 216. In the PD 216, a 7-occasion error signal is extracted using the astigmatism method, and a tracking error signal is extracted using the push-pull method.
is fed back to move the condenser lens 209 to control focus and tracking.

一方、非線形光学素子104から出た光は、非線形光学
素子104の近傍に配置された長波長カットフィルタ2
06を通って1次光をカットし、2次光のみが分離され
る。この2次光は、半導体レーザ1の出射光と同じ経路
を経てディスク上に焦点が結ばれ、ディスク上のピット
で変調され、λ/4板208、PBS209、シリンド
リカルレンズ211、ハーフミラ−212、長波長カッ
トフィルタ213(1次光をカットし2次高調波のみを
通過させる)を通ってPD214に入射され、信号が読
み取られる。本発明は上記した構成によって、異なった
波長の光を光源としているので、書き込みと読みだしの
光の分離が容易になり、同時に書き込みと読みだしをし
ても互いに影響を与えない。さらには、一方のレーザで
フォーカシングしながら他方のレーザで高精度に書き込
みが可能となる。また、上記の説明では書き込みと読み
だしに限定して説明しているが、読みだしと消去、消去
と書き込みの何れの組合せでも同様の作用を得ることが
できる。
On the other hand, the light emitted from the nonlinear optical element 104 is filtered through a long wavelength cut filter 2 disposed near the nonlinear optical element 104.
06, the primary light is cut, and only the secondary light is separated. This secondary light passes through the same path as the emitted light of the semiconductor laser 1, is focused on the disk, is modulated by the pits on the disk, and is sent to the λ/4 plate 208, PBS 209, cylindrical lens 211, half mirror 212, and long The light passes through the wavelength cut filter 213 (cuts the first-order light and passes only the second-order harmonic) and enters the PD 214, where the signal is read. With the above-described configuration, the present invention uses light of different wavelengths as a light source, so it is easy to separate the writing and reading lights, and even if they are written and read at the same time, they do not affect each other. Furthermore, while focusing with one laser, writing can be performed with high precision using the other laser. Further, although the above explanation is limited to writing and reading, the same effect can be obtained by any combination of reading and erasing or erasing and writing.

本発明の第2の実施例の光ピックアップ用光源を、第3
図を用いて説明する。第3図は光ピックアップ用光源の
斜視図で、同図において、101゜102はGaAs 
/A l 1−xGaJsダブルへテロ接合型半導体レ
ーザ、103はGaAs基板、104はZnSeを用い
た非線形光学素子である。
The light source for an optical pickup according to the second embodiment of the present invention is
This will be explained using figures. Fig. 3 is a perspective view of a light source for an optical pickup, in which 101° and 102 are GaAs.
/A l 1-xGaJs double heterojunction semiconductor laser, 103 is a GaAs substrate, and 104 is a nonlinear optical element using ZnSe.

半導体レーザ101は高出力型であシ、発振波長は84
0 nmで、主に光ディスクに情報を記録する際に用い
る。102も101と同様、高出力型で、発振波長もほ
ぼ同じ850nmであるが、1o2から出た光は非線形
光学素子、即ちZe8e結晶104に入射される。非線
形光学素子104には、光導波路301が形成されてお
りまた電極302によって屈折率を制御している。この
非線形光学素子104は温度をある一定の範囲に制御し
、かつこの電極301の電圧を加え屈折率を変化させる
ことによって約425 nmの2次高調波303を発生
させることができる。以上のような2つのレーザ、及び
非線形光学素子を同一基板103上に形成することによ
って、1つの光学系で異なった波長のスポットをディス
ク上に形成できる。従って、それらのスポット間では波
長が大きく異なるために相互干渉がおきにくく、同時に
使用できる。従って、記録したピットを、直後に読み取
ることが可能となシ、また記録時に一方を書き込み専用
に、他方をフォーカシング、トラッキング専用に使い分
けることで、正確な大きさのピットが形成できることと
なる。
The semiconductor laser 101 is a high-power type, and the oscillation wavelength is 84.
0 nm and is mainly used when recording information on optical discs. Like 101, 102 is also a high-output type, and its oscillation wavelength is approximately the same at 850 nm, but the light emitted from 102 is incident on a nonlinear optical element, that is, Ze8e crystal 104. An optical waveguide 301 is formed in the nonlinear optical element 104, and the refractive index is controlled by an electrode 302. This nonlinear optical element 104 can generate a second harmonic wave 303 of about 425 nm by controlling the temperature within a certain range and changing the refractive index by applying a voltage to the electrode 301. By forming the two lasers and nonlinear optical elements as described above on the same substrate 103, spots with different wavelengths can be formed on the disk using one optical system. Therefore, since the wavelengths of these spots are greatly different, mutual interference is less likely to occur, and they can be used simultaneously. Therefore, it is possible to read the recorded pits immediately after recording, and by using one side exclusively for writing and the other for focusing and tracking during recording, it is possible to form pits of accurate size.

本発明の第1の実施例における光ピックアップ用光源の
製造方法を第4図を用−いて簡単に説明する。なお、本
説明に於ては、簡単のために第3図の半導体レーザ10
2及び非線形光学素子104を同一基板上に形成する場
合に限った。
A method of manufacturing a light source for an optical pickup according to the first embodiment of the present invention will be briefly described with reference to FIG. In addition, in this explanation, for the sake of simplicity, the semiconductor laser 10 shown in FIG. 3 will be used.
2 and the nonlinear optical element 104 are formed on the same substrate.

n型のGaAs(001)基板103上に、液相エピタ
キシャル成長法(LPE)によってn型Al!Ga、、
As(x = 0.3 )の第1のクラッド層401、
n型GaAsの活性層402、P型A 1yGa、−4
s (y=O−3)の第2のクラッド層403、p+型
GaAsのコンタクト層404を順次成長させた。次に
5102又はホトレジスト等をマスク材40e5として
ドライエッチの技術を用いて第1のクラッド層401に
達するまでエツチングを行い、前記各成長層401〜4
040片半面を除去する。このとき生じる段差部分の面
方向は(011)となるようにした。そして、その片手
面にZn8の第3のクラッド層406、Zn5Ss  
の光導波路407、ZnSの第4のクラッド層408を
順次MOVPE法により成長させた。
On an n-type GaAs (001) substrate 103, n-type Al! is grown by liquid phase epitaxial growth (LPE). Ga...
A first cladding layer 401 of As (x = 0.3),
N-type GaAs active layer 402, P-type A 1yGa, -4
A second cladding layer 403 of s (y=O-3) and a contact layer 404 of p+ type GaAs were grown in sequence. Next, etching is performed using a dry etching technique using 5102 or photoresist or the like as a mask material 40e5 until reaching the first cladding layer 401, and each of the growth layers 401 to 4
Remove one half of 040. The plane direction of the step portion that occurs at this time was set to be (011). A third cladding layer 406 of Zn8 and a Zn5Ss
An optical waveguide 407 and a fourth cladding layer 408 of ZnS were sequentially grown by the MOVPE method.

ここで活性層402と第2のクラッド層403の境界面
の基板103からの高さと、光導波路407と第4のク
ラッド層408の境界面の基板103からの高さは、同
じ高さになるように成長した。
Here, the height of the interface between the active layer 402 and the second cladding layer 403 from the substrate 103 and the height of the interface between the optical waveguide 407 and the fourth cladding layer 408 from the substrate 103 are the same height. I grew up like that.

次に、前記8i02405を除去し、改めて(011)
方向に延びる5102ストライプを形成した後、これを
マスク材として第1のクラッド層401の一部に達する
深さのエツチングを行い、レーザ部およびSHG に光
導波路のストライプを形成した。
Next, remove the 8i02405 and rewrite (011)
After forming 5102 stripes extending in the direction, etching was performed to a depth reaching a part of the first cladding layer 401 using this as a mask material to form optical waveguide stripes in the laser section and the SHG.

さらに前記SHG光導波路部に5IO2409を形成し
た後、前記レーザ部の一部のエツチングにより結晶を除
去した部分に改めて高抵抗のAlGaAsから埋め込み
層410を成長した。またSHG素子上の金属電極30
2は通常よく知られた蒸着およびエツチングによって選
択的に形成した。
Furthermore, after forming 5IO2409 on the SHG optical waveguide section, a buried layer 410 was grown again from high-resistance AlGaAs in the part of the laser section where the crystal had been removed by etching. Also, the metal electrode 30 on the SHG element
2 was selectively formed by commonly known vapor deposition and etching methods.

本発明の第3の実施例の光ピックアップ用光源を第6図
を用いて説明する。第6図において101〜104は第
3図と同様なものである。第3図の構成と異なるのは非
線形光学素子601を設けた点である。
A light source for an optical pickup according to a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In FIG. 6, 101 to 104 are the same as those in FIG. 3. The difference from the configuration shown in FIG. 3 is that a nonlinear optical element 601 is provided.

同図において非線形光学素子601は非線形光学素子1
04と同様な構造をとっておシ、電極503で屈折率を
制御することにより、半導体レーザ1o1の出射光を2
次高調波に変換しうる。
In the figure, the nonlinear optical element 601 is the nonlinear optical element 1.
By adopting the same structure as 04 and controlling the refractive index with the electrode 503, the emitted light of the semiconductor laser 1o1 is
It can be converted to the next harmonic.

またこの電極1503によって1次光を2次光に変換す
ることなくそのまま非線形光学素子601上の光導波路
502から出射させることも可能である。従って非線形
光学素子104とe501のうち一方を1次光に、他方
を2次光に用いることができる。
Further, it is also possible to directly output the primary light from the optical waveguide 502 on the nonlinear optical element 601 without converting the primary light into secondary light using the electrode 1503. Therefore, one of the nonlinear optical elements 104 and e501 can be used for primary light, and the other can be used for secondary light.

以上のように、非線形光学素子601を新たに設けるこ
とにより、非線形光学素子に加える電圧を変化させるだ
けで、一方を1次光で他方を2次光、又は両方とも1次
光あるいは2次光といった従来例をも含んだ使い分けが
できることとなる。
As described above, by newly providing the nonlinear optical element 601, by simply changing the voltage applied to the nonlinear optical element, one can be used as primary light and the other as secondary light, or both can be used as primary or secondary light. This means that it can be used in different ways, including conventional examples.

なお以上の実施例では書き込みと読みだしに限定して説
明しているが、読みだしと消去、消去と書き込みの何れ
の組合せでも構成を変えることなく用いることができる
Although the above embodiments are limited to writing and reading, any combination of reading and erasing or erasing and writing can be used without changing the configuration.

発明の効果 以上のように本発明によれば、同じ光学系を用いたまま
、一方のスポットで記録あるいは消去したピットを他方
のスポットで読み取ることが可能となる。すなわち、デ
ィスクに情報を記録しながらモニターすることによって
、記碌誤りを直後に訂正し、正しいデータを記録し直す
ことや、ディスクの情報を消去できたかモニターするこ
とにより消去ミスを防いだりすることができるようにな
る。また、一方のレーザでフォーカシングしながらもう
一方のレーザで書き込みを行えるので、正確な大きさの
ピットをディスク上に形成することが可能となる。
Effects of the Invention As described above, according to the present invention, pits recorded or erased in one spot can be read in the other spot while using the same optical system. In other words, by monitoring information while it is being recorded on the disc, recording errors can be corrected immediately and the correct data can be re-recorded, and erasing errors can be prevented by monitoring whether the information on the disc has been erased. You will be able to do this. Furthermore, since it is possible to write with one laser while focusing with the other laser, it is possible to form pits of accurate size on the disk.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の第1の実施例における光ピックアップ
用光源の斜視図、第2図は第1の実施例を用いた光ピッ
クアップの構成図、第3図は本発明の第2の実施例にお
ける光ピックアップ用光源の斜視図、第4図は第1の実
施例の光ピックアップ用光源の製造方法を示す説明図、
第6図は本発明の第3の実施例における光ピックアップ
用光源の斜視図、第6図は従来の光ピックアップに用い
られている半導体レーザの斜視図である。 101.102・・・・・・半導体レーザ、1o3・・
・・・・GaAs基板、104・・・・・・非線形光学
素子、106・・・・・・レーザ光、106・・・・・
・2次高調波、207・・・・・・偏光ビームスプリッ
タ、208・・・・・・λ/4板、209・・・・・・
集光用レンズ、210・・・・・・フォーカシング、及
びトラッキング用コイル、211・・・・・・シリンド
リカルレンズ、212・・・・・・ハーフミラ−121
3・・・・・・長波長カットフィルタ、216・・・・
・・短波長カットフィルタ、214,216・・・・・
・フォトディテクタ、217・・・・・・増幅器、21
8・・・・・・光ディスク、301・・・・・・光導波
路、302・・・・・・電極、4o 1.40 s−・
−・AlGaAm、402,404・・−−GaAs、
406.408−−−ZnS1407・・・・・・Zn
SSe 、 501・・・・・・非線形光学素子、60
2・・・・・・光導波路、603・・・・・・金属電極
。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第4
図 第4図 第5図 第6図
FIG. 1 is a perspective view of a light source for an optical pickup according to a first embodiment of the present invention, FIG. 2 is a configuration diagram of an optical pickup using the first embodiment, and FIG. 3 is a diagram showing a second embodiment of the present invention. A perspective view of a light source for an optical pickup in the example, FIG. 4 is an explanatory diagram showing a method of manufacturing the light source for an optical pickup of the first example,
FIG. 6 is a perspective view of a light source for an optical pickup according to a third embodiment of the present invention, and FIG. 6 is a perspective view of a semiconductor laser used in a conventional optical pickup. 101.102... Semiconductor laser, 1o3...
...GaAs substrate, 104...Nonlinear optical element, 106...Laser light, 106...
・Second harmonic, 207...Polarizing beam splitter, 208...λ/4 plate, 209...
Condenser lens, 210... Focusing and tracking coil, 211... Cylindrical lens, 212... Half mirror 121
3...Long wavelength cut filter, 216...
・・Short wavelength cut filter, 214, 216・・・・
・Photodetector, 217...Amplifier, 21
8... Optical disk, 301... Optical waveguide, 302... Electrode, 4o 1.40 s-.
-・AlGaAm, 402,404... --GaAs,
406.408---ZnS1407...Zn
SSe, 501...Nonlinear optical element, 60
2... Optical waveguide, 603... Metal electrode. Name of agent: Patent attorney Toshio Nakao and 1 other person No. 4
Figure 4 Figure 5 Figure 6

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)半導体レーザと、半導体レーザから出射される光
を高調波に変換する非線形光学素子からなる光源とを同
一基板上に形成してなる光ピックアップ用光源。
(1) A light source for an optical pickup, in which a semiconductor laser and a light source made of a nonlinear optical element that converts light emitted from the semiconductor laser into harmonics are formed on the same substrate.
(2)非線形光学素子がZnSe結晶、ZnS結晶、Z
nSeとZnSの混晶、あるいはこれらの積層構造より
なる特許請求の範囲第1項記載の光ピックアップ用光源
(2) Nonlinear optical element is ZnSe crystal, ZnS crystal, Z
The light source for an optical pickup according to claim 1, comprising a mixed crystal of nSe and ZnS, or a laminated structure thereof.
JP10512187A 1987-04-28 1987-04-28 Light source for optical pickup Pending JPS63269133A (en)

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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS601633A (en) * 1983-06-20 1985-01-07 Victor Co Of Japan Ltd Reproducer of information signal
JPS61260434A (en) * 1985-05-14 1986-11-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd Optical recording and reproducing device
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