JPS63262906A - Ssb変調器 - Google Patents

Ssb変調器

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JPS63262906A
JPS63262906A JP62098367A JP9836787A JPS63262906A JP S63262906 A JPS63262906 A JP S63262906A JP 62098367 A JP62098367 A JP 62098367A JP 9836787 A JP9836787 A JP 9836787A JP S63262906 A JPS63262906 A JP S63262906A
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diode
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Hiroshi Nakano
洋 中野
Tomozo Ota
智三 太田
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    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03CMODULATION
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    • H03C1/60Modulators in which carrier or one sideband is wholly or partially suppressed with one sideband wholly or partially suppressed
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03CMODULATION
    • H03C7/00Modulating electromagnetic waves
    • H03C7/02Modulating electromagnetic waves in transmission lines, waveguides, cavity resonators or radiation fields of antennas
    • H03C7/025Modulating electromagnetic waves in transmission lines, waveguides, cavity resonators or radiation fields of antennas using semiconductor devices
    • H03C7/027Modulating electromagnetic waves in transmission lines, waveguides, cavity resonators or radiation fields of antennas using semiconductor devices using diodes
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
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    • H03C2200/00Indexing scheme relating to details of modulators or modulation methods covered by H03C
    • H03C2200/0004Circuit elements of modulators
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03CMODULATION
    • H03C2200/00Indexing scheme relating to details of modulators or modulation methods covered by H03C
    • H03C2200/0037Functional aspects of modulators
    • H03C2200/007Functional aspects of modulators with one sideband wholly or partially suppressed

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 く技術分野〉 この発明は、マイクロ波帯のSSB変調器に関する。
〈従来の技術〉 近年、移動体識別システムの実用化に伴い、種々の移動
体識別方式が提案されている。このシステムは、車輌や
貨物などの移動物体が、ある監視領域に“存在するか否
か”あるいは存在する場合はそれが“何物であるか゛を
識別するシステムである。
そのしくみは、上記移動物体に取付けられた応答器に、
質問器から無変調のマイクロ波(周波数は2.45GH
zなど)が放射されると、応答器は受信したマイクロ波
を内部に記憶している情報で変調して質問器に再放射す
る。質問器は変調されたマイクロ波を受信して復調し、
得られた情報、から移動物体の存在や種類等の識別を行
なうものである。このように、この識別システムにおい
て質問器が送受信する電波の周波数は同一であるため、
応答器の変調方式はSSB変調を、また質問器の検波方
式にはホモダイン検波方式を用いると回路構成が簡単に
なる。
従来、SSB変調を行う方法として、第5図および第6
図に示す方法がある。第6図に示す方法は、選択性フィ
ルタ法と呼ばれる方法であり、搬送波と変調波を平衡変
調器11で乗算し、得られた変調器の出力より必要な側
波帯のみを側波帯フィルタ12で抜き出す方法である。
図中の側波帯フィルタ12としては低域遮断フィルタあ
るいは高域遮断フィルタなどが用いられ、非常に鋭い遮
断特性が要求される。一方、第7図に示す方法は位相推
移法と呼ばれる方法であり、変調波と搬送波をそれぞれ
2分配し、2分配したうちの一方の変調波と搬送波はそ
のまま平衡変調器15で掛は合わせ、他方は位相器16
.17によってそれぞれ90度の位相遅延を行ったあと
平衡変調器18で掛は合わせ、得られた両平衡変調器1
5.18の出力信号を加算器19で足し合わせることに
よってSSB信号を得る方法である。
〈発明が解決しようとする問題点〉 しかしながら、上記従来の選択性フィルタ法によるSS
B変調器は、得られた変調波から必要な側波帯のみを側
波帯フィルタ12て抜き出すようにしているので、マイ
クロ波帯で用いられ、しかも搬送波周波数2.45GH
zに対して側波帯周波数域がわずか20に〜200KH
zLか離れていないような用途に適用するのは難しい。
すなわち、USB(上側々波帯)とLSB(下側々波帯
)が近いため、側波帯フィルタ12の遮断特性を急峻に
する必要がある。しかし、マイクロ波帯のフィルタはプ
リント基板上に銅箔パターンとして形成されることが多
く、もともと基板自体のQ(クォリティ・)・アクタ)
が100程度しかないのでその実現が難しいという問題
がある。
また、上記従来の位相推移法によるSSB変調器は、変
調波のどの周波数成分に対しても位相器17で90度の
位相差を与える必要があるが、このような位相器は実現
困難であるため、有限な周波数帯域で近似して用いなけ
ればならず、しかも、回路が複雑であり、小型軽量を要
求される移動体識別システムの変調器には採用しがたい
という問題がある。
そこで、この発明の目的は、特に側波帯フィルタを必要
とせず、簡単な回路構成により安価で小型軽量のSSB
変調器を提供することである。
〈問題点を解決するための手段〉 上記目的を達成するため、この発明のSSB変調器は、
駆動電圧を発生する駆動電圧発生手段と、障壁容量が印
加電圧に依存して変化するダイオードと、上記駆動電圧
発生手段によって発生された駆動電圧を、上記ダイオー
ドに印加するバイアス供給回路と、一方の端子対に接続
された負荷インピーダンスと、他方の端子対から見たイ
ンピーダンスの間に双一次変換の性質を有する二端子対
網からなるインピーダンス変換回路と、上記インピーダ
ンス変換回路を介して上記ダイオードに接続される入出
力端子を備え、上記入出力端子より入力された高周波電
力を変調して、再び上記入出力端子より出力することを
特徴としている。
〈作用〉 駆動電圧発生手段によって発生された駆動電圧が、バイ
アス供給回路を介してダイオードに印加されると、上記
ダイオードの障壁容量は上記印加電圧の変化によって変
化され、その結果、ダイオードのインピーダンスは印加
電圧に応じて変化する。一方、入出力端子より高周波電
力が入射されると、インピーダンスの不整合による反射
波が発生する。その際に高周波電源の出力インピーダン
スを所定の値に選ぶことにより、上記反射波は、大きさ
、偏角が共に一定のベクトルに比例する搬送波と、上記
ダイオードのインピーダンス変化に基づいて複素平面上
で円を描いて回転する大きさが一定のベクトルに比例す
る側帯波とからなる単一側帯波と見なすことができる。
したがって、駆動電圧を変化させてダイオードのインピ
ーダンスを変化させることにより、インピーダンスの不
整合によって生ずる反射波の振幅と位相を変化させて、
SSB変調を行うことができる。
〈実施例〉 以下、この発明を図示の実施例により詳細に説明する。
第1図にこの発明のSSB変調器のブロック図を示す。
第1図において、Iは入出力端子、2はインピーダンス
変換回路、3はダイオード、4はバイアス供給回路、5
は駆動電圧発振器である。
第2図はこの発明の第1の実施例の回路図と上記回路図
における駆動電圧の波形を示した図である。以下、第2
図(a)に基づいて本実施例の動作を説明する。図中、
第1図のブロックに対応する回路には同一番号を付けて
いる。
駆動電圧発振器5は周期的に単調減少する電圧を発生す
る発振器である。集積回路IC,は汎用タイマー10で
構成され、抵抗R+ 、 RtとコンデンサCIで決ま
る周波数の矩形波を発生する。第2図(b)に上記集積
回路rc、の出力波形(0点の波形)を示す。この波形
は、抵抗Ri 、 Rtの値によってその周期がT、<
Ttとなるように設定される。
トランジスタQ、は第2図(b)における期間T、で導
通してコンデンサC1を放電させ、続く期間T。
で非導通となりコンデンサC2は抵抗R4を通して充電
される。したがって、コンデンサC2の充電の時定数は
R4・C2であり、抵抗R4の両端即ち0点の電圧はe
xp (tl R4・C,)の傾斜で弔詞に減少する(
但し、tは時間を表わす変数)。バイアス供給回路4は
帯域阻止フィルタで構成され、上記駆動電圧発振器5で
発生した駆動電圧をダイオード3に印加し、かつ、入出
力端子lより入力されてダイオード3の両端に印加され
る高周波電力が、駆動電圧発振器5側に漏れていかない
ように阻止する。上記ダイオード3は印加した電圧に依
存して障壁容量が変化するもので、バラクタやショット
キバリアダイオード等で構成される。本実施例ではショ
ットキバリアダイオードを用いている。
インピーダンス変換回路2は本実施例においてストリッ
プラインを用いたインダクタンスLsとオープンスタブ
Cpで構成されている。入出力端子lより入力された高
周波電力は、SSB変調を施されて再びこの入出力端子
1より取り出される。
この変調を施されたSSB信号は、入出力端子Iにサー
キュレータを挿入することで入力信号と分離することが
できる。また、入出力端子1にアンテナを接続すれば、
高周波電力をアンテナで受信し、変調された変調波を再
びアンテナから放射することができる。
この発明の特徴は、上記ダイオード3に印加された駆動
電圧に応じてダイオード3のインピーダンスを変化させ
、インピーダンスの不整合によって生ずる反射波の振幅
と位相をコントロールすることによって変調を行うこと
にある。
以下、この変調動作について説明する。第3図はダイオ
ード3に印加する逆方向印加電圧を0ボルトから3ボル
トまで変えてダイオード3単体のインピーダンスを測定
し、スミスチャート上にプロットしたものである(但し
、測定周波数は2.45GHz)。この図かられかるよ
うに、ダイオード3のインピーダンスの抵抗成分はほぼ
一定であるかりアクタンス成分は印加電圧に応じて変化
する。
即ちダイオード3のインピーダンスはスミスチャート」
二では定抵抗円の円周上に沿って変化する。
第4図(a)はこのダイオード3のインピーダンス変化
の軌跡(軌跡1)を簡略化したスミスチャート上に示し
たしのである。また、第4図(a)における軌跡■は軌
跡Iをインピーダンス変換して得られる軌跡である。即
ち入出力端子1から見たインピーダンス変換回路2のイ
ンピーダンス軌跡である。上記軌跡■、軌跡■における
○印は印加電圧が0ボルト、・印は印加電圧が3ボルト
のときのインピーダンスをそれぞれ示している。また、
軌跡■上のX印は、0から3ボルトの間の任意の印加電
圧に対するインピーダンスを示しており、破線は軌跡■
上のX印のインピーダンスが、インピーダンス変換回路
2のインダクタンスLsとオープンスタブCpによって
軌跡■上のX印のインピーダンスへと変換される様子を
示している。
ところで、本実施例の回路は第4図(C)に示した等価
回路で表わすことができる。但し、ZL、ZCおよびZ
DはそれぞれインダクタンスLs、オープンスタブcp
およびダイオード3のインピーダンスである。また変調
器の動作を説明するために、高周波電源SGとその出力
インピーダンスZ。を入出力端子lに接続している。こ
の等価回路において入出力端子lから見たインピーダン
ス変換回路2のインピーダンス、即ち第4図(c)に示
したZinは次式で表わされる。
また、a=Zc、b=ZLZc、c= 1.d=ZL+
ZCとおくと、Zinは と書くことができる。一般に電源を含まない二端子対網
は(2)式で表現することができ、a、b、c、dは四
端子定数と呼ばれている。複素関数論によれば(2)式
において、a、b、c、dがすべて定数でad−be≠
OのときZinとZDの間には双一次変換の性質があり
、ZDが複素平面上で円を描けばZinも複素平面上で
円を描くことが知られている。ところで、(1)式にお
いて、周波数が一定ならばZL。
ZCはともに一定であるから、a、b、c、dはすべて
定数になる。また、 ad−bc=ZC・(zl、十ZC)−ZL−ZC=Z
C”≠0である。したがって、(1)式においてZin
はZDの双一次変換であると言えるから、ZDが複素平
面上で円を描くときZinも円を描く。ここで、すでに
述べたように、ZDはスミスチャートで定抵抗円の一部
をなすことがわかっているので、Zinも円の一部とな
るン即ち、軌跡■は閉じた円ではないまでも円の一部と
なる。
第4図(c)において、本実施例の変調器に高周波電源
SGを接続し高周波電力を入射すると、インピーダンス
の不整谷による反射波が発生する。
その場合の反射係数をFとすると、rはで表わされ、入
射液が一定のとき、反射波の振幅は反射係数の絶対値1
rlに比例し、入射波との位相差はrの偏角として表わ
される。したがって、高周波電源SGの出力インピーダ
ンスZ。をスミスチャートの規格化インピーダンスに等
しくなるように選べば、反射係数Fは第4図(b)に示
すようにスミスチャートの中心を始点とし、軌跡■上の
点を終点とするベクトルrとして表わすことができる。
即ち、反射波の位相はベクトルrの偏角に等しく、大き
さはベクトルrの大きさに比例する。ダイオード3に第
2図(c)に示した駆動電圧が印加されると、ベクトル
rの終点は第4図(b)に図示するように軌跡■上を時
計回りに移動する。
即ち、駆動電圧が3ボルトのときは・叩上にあって、駆
動電圧の減少に伴って移動し、0ボルトになるとO叩上
に達する。駆動電圧が周期波形の場合はベクトルrの終
点は繰返し軌跡■上を時計回りに移動する。ここで、上
述のように軌跡■は円の一部を成すことがわかっている
から、ベクトルrを、スミスチャートの中心を起点とし
軌跡■の中心を終点とする大きさ、偏角共に一定のベク
トルCと、軌跡■の中心を起点とし軌跡■上の点を終点
とする大きさが一定で円を描いて回転するベクトルSと
に分解することができる。
以上のことから、反射波はベクトルCに比例する搬送波
とベクトルSに比例する側帯波からなる単一側帯波と見
なすことができる。即ちこの変調器は反射型のSSB変
調器として動作していると言うことができる。
上記実施例においては、駆動電圧の波形を周期的に連続
して滑らかに減少させているが、この発明においては必
ずしもその必要はなく、第5図に示す第2の実施例のよ
うに階段状に減少させても良い。第5図(a)に示す第
2の実施例の回路図において、入出力端子l、インピー
ダンス変換回路2、ダイオード3およびバイアス供給回
路4は上記第1の実施例と全く同じ構成であるが、駆動
電圧発振器5′は階段状の波形の電圧を発生する点が異
なる。即ち、抵抗R,,R,は2 bitのディジタル
アナログ変換器の重み係数を与える抵抗であり、矩形波
発振器6の出力信号(第5図(b))とそれを1/2分
周器7によって2分の1に分周した出力信号(第5図(
C))から、上記抵抗Rr 、 Reを適当に設定する
ことによって第5図(d)に示すような階段状の波形の
駆動電圧が得られる。このような駆動電圧がダイオード
3に印加された場合は、第4図(b)におけるベクトル
Sの終点は、ダイオード3への印加電圧の変化に伴って
軌跡■上を連続的になぞっていくのではなく、離散的に
軌跡■上の4点のみをとるように回転し、その結果、第
1の実施例と同様SSB変調信号が得られる。
実際の変調においては、伝送される2値データで駆動電
圧をASK(アンプリチュード・シフト・キーイング)
あるいはFSK(フリーケンシー・シフト・キーイング
)などの変調を施した後に、搬送波をSSB変調する方
法(いわゆる二重変調)が用いられる。駆動電圧の周波
数は副搬送波の周波数に相当し20に〜200KHz程
度が用いられる。第2図に示す第1の実施例の場合は、
伝送される2値データで集積回路IC+の直流電源を断
続することにより、集積回路IC,の発振を断続させて
ASK変調を行うことができる。FSK変調を行うには
、R4,Ctで決まる時定数およびR,、R,、C,で
決まる時定数の両方を同時に、伝送される2値データで
変えることで実現できる。
一方、第2の実施例の場合は、矩形波発振器6の発振を
伝送される2値データで断続することでASK変調か、
また、伝送される2値データで矩形波発振器6の周波数
を変えることでFSK変調を実現できる。
〈発明の効果〉 以上より明らかなように、この発明のSSB変調器は、
駆動電圧発生手段、ダイオード、バイアス供給回路、イ
ンピーダンス変換回路および入出力端子を備えて、駆動
電圧を変化させてダイオードのインピーダンスを変化さ
せることにより、インピーダンスの不整合によって生ず
る反射波の振幅と位相を変化させて、SSB変調を行う
ようにしたので、非常に簡単な回路構成によって小型軽
量で安価なSSB変調器を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明のブロック図、第2図はこの発明の第
1の実施例における回路図と駆動電圧波形図、第3図は
ダイオードの印加電圧インピーダンス特性図、第4図は
上記実施例における動作説明図、第5図は第2の実施例
における回路図と駆動電圧波形図、第6図は選択性フィ
ルタ法に上る従来のSSB変調器の説明図、第7図は位
相推移法による従来のSSB変調器のブロック図である
。 1・・入出力端子、2・・・インピーダンス変換回路、
3・・・ダイオード、  4・・・バイアス供給回路、
5.5′・・・駆動電圧発振器、6・・・矩形波発振器
、7・・・I/2分周器。 特許出願人  シャープ株式会社 代理人 弁理士  青 山  葆 外2名第1図 第2図 (a)Ii1%詔 第4図 (a)夕″4オードのイン♂タ5ス礪化tトとオラ嚢自
Eのインピータ3ズ傘U本(b)          
(c) 第5図 (a)目間 (b)の五〇電灰彼h

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)駆動電圧を発生する駆動電圧発生手段と、障壁容
    量が印加電圧に依存して変化するダイオードと、 上記駆動電圧発生手段によって発生された駆動電圧を、
    上記ダイオードに印加するバイアス供給回路と、 一方の端子対に接続された負荷インピーダンスと、他方
    の端子対から見たインピーダンスの間に双一次変換の性
    質を有する二端子対網からなるインピーダンス変換回路
    と、 上記インピーダンス変換回路を介して上記ダイオードに
    接続される入出力端子を備え、上記入出力端子より入力
    された高周波電力を変調して、再び上記入出力端子より
    出力することを特徴とするSSB変調器。
JP62098367A 1987-04-20 1987-04-20 Ssb変調器 Granted JPS63262906A (ja)

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EP (1) EP0288035B1 (ja)
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DE (1) DE3855408T2 (ja)

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