JPS63262845A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS63262845A JPS63262845A JP62098296A JP9829687A JPS63262845A JP S63262845 A JPS63262845 A JP S63262845A JP 62098296 A JP62098296 A JP 62098296A JP 9829687 A JP9829687 A JP 9829687A JP S63262845 A JPS63262845 A JP S63262845A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
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-
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-
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- H01L2924/1025—Semiconducting materials
- H01L2924/10251—Elemental semiconductors, i.e. Group IV
- H01L2924/10253—Silicon [Si]
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［概要］
ｐ型半導体基板（半導体チップ）に素子が設けられた半
導体装置であり、グイ付は接合材料の中に１００〜１１
０００ｐｐのバリウム（Ｂａ）を含有させた構成にする
。
導体装置であり、グイ付は接合材料の中に１００〜１１
０００ｐｐのバリウム（Ｂａ）を含有させた構成にする
。
そうすると、ｐ型半導体基板の接着背面でのｎ反転が防
止される。
止される。
［産業上の利用分野］
本発明は半導体装置にかかり、特に、半導体基板（半導
体チップ）の背面におけるｎ反転を抑制する構成に関す
る。
体チップ）の背面におけるｎ反転を抑制する構成に関す
る。
ＩＣやＬＳＩなどの半導体装置はｐ型またはｎ型の半導
体チップ上に素子が作製されているが、このような半導
体チップをパッケージ（半導体容器）にグイ付け（チッ
プの半田付け）すると、チップ裏面で導電型が反転して
、逆接合が発生する場合がある。
体チップ上に素子が作製されているが、このような半導
体チップをパッケージ（半導体容器）にグイ付け（チッ
プの半田付け）すると、チップ裏面で導電型が反転して
、逆接合が発生する場合がある。
従って、従来より、その逆接合を解消させる対策がなさ
れているが、その方法はできるだけ簡易なことが望まし
い。
れているが、その方法はできるだけ簡易なことが望まし
い。
［従来の技術と発明が解決しようとする問題点コ第４図
は半導体装置の一般概要図を示しており、１は半導体チ
ップ（以下、チップと呼ぶ）、２はパッケージ、３は外
部リード、４はキャップ、５はワイヤー、６はチップ接
合材である。このように、チップ表面からワイヤーを通
じて外部リード３に接続され、且つ、チップ裏面も電気
的に接続されている。
は半導体装置の一般概要図を示しており、１は半導体チ
ップ（以下、チップと呼ぶ）、２はパッケージ、３は外
部リード、４はキャップ、５はワイヤー、６はチップ接
合材である。このように、チップ表面からワイヤーを通
じて外部リード３に接続され、且つ、チップ裏面も電気
的に接続されている。
ところで、このようなチップは周知のようにｐ型または
ｎ型のいずれかの導電型を有しており、その導電型がチ
ップ裏面で反転しては素子特性に悪影響が現れる。第５
図はそれを説明するための部分図で、ｐ型チップ１の裏
面を接合材で半田付けしてｎ型反転層１１ができると、
そこに逆接合が生じ、極端な場合は半導体装置の動作が
不能になる。
ｎ型のいずれかの導電型を有しており、その導電型がチ
ップ裏面で反転しては素子特性に悪影響が現れる。第５
図はそれを説明するための部分図で、ｐ型チップ１の裏
面を接合材で半田付けしてｎ型反転層１１ができると、
そこに逆接合が生じ、極端な場合は半導体装置の動作が
不能になる。
従って、この反転を防止するために、例えば、ウェハー
プロセスにおいて、チップと同一導電型の不純物をチッ
プ裏面にイオン注入し、裏面を高濃度化する方法がある
。且つ、ｎ型チップの裏面がｐ型に反転することは比較
的に少ないが、ｐ型半導体チップの裏面がｎ型に反転す
ることが多く（含有不純物の関係から）、その場合、ウ
ェハープロセスにおいて、ウェハー裏面に硼素のような
ｐ型不純物をイオン注入して裏面をｐ＋型化し、そのｎ
反転の防止を図る方法がある。第６図は従来の反転を防
止するためのｐ型ウェハー１０に硼素（Ｂ）イオンを注
入する方法を図示したものである。
プロセスにおいて、チップと同一導電型の不純物をチッ
プ裏面にイオン注入し、裏面を高濃度化する方法がある
。且つ、ｎ型チップの裏面がｐ型に反転することは比較
的に少ないが、ｐ型半導体チップの裏面がｎ型に反転す
ることが多く（含有不純物の関係から）、その場合、ウ
ェハープロセスにおいて、ウェハー裏面に硼素のような
ｐ型不純物をイオン注入して裏面をｐ＋型化し、そのｎ
反転の防止を図る方法がある。第６図は従来の反転を防
止するためのｐ型ウェハー１０に硼素（Ｂ）イオンを注
入する方法を図示したものである。
しかし、このようなイオン注入法は、それだけ工数が、
増えることになり、また、イオン注入すれば熱処理が必
要になるなど、品質上からも余り好ましくない。
増えることになり、また、イオン注入すれば熱処理が必
要になるなど、品質上からも余り好ましくない。
本発明は、このような反転防止策が簡単にできる半導体
装置の構成を提案するものである。
装置の構成を提案するものである。
［問題点を解決するための手段］
その目的は、少なくとも裏面にｐ型領域を有する半導体
チップが、１００〜１１０００ｐｐのバリウム（Ｂａ）
を含有する接合材により基板上に接合されている半導体
装置によって達成される。
チップが、１００〜１１０００ｐｐのバリウム（Ｂａ）
を含有する接合材により基板上に接合されている半導体
装置によって達成される。
［作用］
即ち、本発明はグイ付は接合材中に１００〜１１０００
ｐｐのＢａを含有させた構造にする。
ｐｐのＢａを含有させた構造にする。
そうすると、ｐ型半導体基板の接着背面でのｎ反転が防
止され、素子特性の劣化が防止される。
止され、素子特性の劣化が防止される。
［実施例コ
以下、図面を参照して実施例によって詳細に説明する。
第１図は本発明にかかる半導体装置の概要図、第２図は
その部分図を示している。同図において、第４図と同一
部位には同一記号が付けであるが、＋印はＢａの含有を
示すものである。
その部分図を示している。同図において、第４図と同一
部位には同一記号が付けであるが、＋印はＢａの含有を
示すものである。
即ち、グイ付けの接合材中にＢａを含有させると、グイ
付け（チップの半田付け）は約３５０〜４００℃の温度
で行われるから、チップ１の裏面にＢａが拡散して、そ
の裏面のｎ型への反転が防止される。
付け（チップの半田付け）は約３５０〜４００℃の温度
で行われるから、チップ１の裏面にＢａが拡散して、そ
の裏面のｎ型への反転が防止される。
そのＢａの含有量は１００〜１１０００ｐｐ程度が適当
であり、第３図は接合材中のＢａ含有量（横軸）とチッ
プ裏面から表面に１ｍＡの電流を流した場合の順方向の
電圧（縦軸）との関係を示した表である。図中の点線で
示す範囲の電圧が正常な値であり、これより、Ｂａ含有
量を１１００ｐｐ以上にすれば正常な電圧値が得られる
ことが判る。
であり、第３図は接合材中のＢａ含有量（横軸）とチッ
プ裏面から表面に１ｍＡの電流を流した場合の順方向の
電圧（縦軸）との関係を示した表である。図中の点線で
示す範囲の電圧が正常な値であり、これより、Ｂａ含有
量を１１００ｐｐ以上にすれば正常な電圧値が得られる
ことが判る。
このような量のＢａを接合材中にＢａを含有させる方法
として、 ■シリコンチップを接合（半田付け）するためには、チ
ップ裏面に金（Ａｕ）をスパッタで被着する方法が採ら
れるが、そのスパッタ金の中にＢａを含有させる。
として、 ■シリコンチップを接合（半田付け）するためには、チ
ップ裏面に金（Ａｕ）をスパッタで被着する方法が採ら
れるが、そのスパッタ金の中にＢａを含有させる。
■金（Ａｕ）または金錫（ＡｕＳｎ）の片（ペレット）
をチップ裏面に介在させて接合する場合には、”その片
の中にＢａを含有させる。
をチップ裏面に介在させて接合する場合には、”その片
の中にＢａを含有させる。
■パッケージのチップ接合面には、例えば、金とガラス
の混合物をパッケージに焼結して付着しているが、その
焼結体の中にＢａを含有させる。
の混合物をパッケージに焼結して付着しているが、その
焼結体の中にＢａを含有させる。
■セラミックパッケージ全体の中にＢａを含有させる。
■また、パッケージに金メッキして接合材を形成すると
きは、メッキ材にＢａを含有させる。
きは、メッキ材にＢａを含有させる。
等が考えられ、また、接合材に銀ペーストや低融点ガラ
スを用いる場合にも、当然、その中にＢａを含有させる
。
スを用いる場合にも、当然、その中にＢａを含有させる
。
且つ、Ｂａ含有量を１１０００ｐｐ以上にすると材質変
化や素子特性の変化など、他の問題点が発生するために
ｌｏ００ｐｐｍ以下の少ない含有量が適当である。
化や素子特性の変化など、他の問題点が発生するために
ｌｏ００ｐｐｍ以下の少ない含有量が適当である。
以上のような本発明にかかる半導体装置の構成゛によれ
ば、ｐ型チップのｎ型への反転が抑制され、しかも、そ
の製造工程を増加する必要がなく、半導体装置の品質向
上にも役立つ。
ば、ｐ型チップのｎ型への反転が抑制され、しかも、そ
の製造工程を増加する必要がなく、半導体装置の品質向
上にも役立つ。
［発明の効果］
上記の説明から明らかなように、本発明によればＩＣが
高品質化され、製造が容易になって、製造コストの低減
に効果があるものである。
高品質化され、製造が容易になって、製造コストの低減
に効果があるものである。
第１図は本発明にかかる半導体装置の概要図、第２図は
その部分図、 第３図はＢａ濃度と順方向電圧との関係図表、第４図は
半導体装置の一般概要図、 第５図は従来の問題点を示す図、 第６図は従来のイオン注入法を示す図である。 図において、 １はチップ、 ２はパッケージ、３は外部リ
ード、 ４はキャップ、５はワイヤー、
６はチップ接合材、＋はＢａ を示している。 Ｂａ ；＆ｔ （１３９ｍ）
その部分図、 第３図はＢａ濃度と順方向電圧との関係図表、第４図は
半導体装置の一般概要図、 第５図は従来の問題点を示す図、 第６図は従来のイオン注入法を示す図である。 図において、 １はチップ、 ２はパッケージ、３は外部リ
ード、 ４はキャップ、５はワイヤー、
６はチップ接合材、＋はＢａ を示している。 Ｂａ ；＆ｔ （１３９ｍ）
Claims (1)
- 少なくとも裏面にｐ型領域を有する半導体チップが、１
００〜１０００ｐｐｍのバリウム（Ｂａ）を含有する接
合材により基板上に接合されてなることを特徴とする半
導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62098296A JPS63262845A (ja) | 1987-04-20 | 1987-04-20 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62098296A JPS63262845A (ja) | 1987-04-20 | 1987-04-20 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63262845A true JPS63262845A (ja) | 1988-10-31 |
Family
ID=14215957
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62098296A Pending JPS63262845A (ja) | 1987-04-20 | 1987-04-20 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63262845A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2884527A3 (en) * | 2013-12-12 | 2015-08-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor component and method for manufacturing semiconductor component |
-
1987
- 1987-04-20 JP JP62098296A patent/JPS63262845A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2884527A3 (en) * | 2013-12-12 | 2015-08-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor component and method for manufacturing semiconductor component |
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