JPS63262652A - Photomask - Google Patents
PhotomaskInfo
- Publication number
- JPS63262652A JPS63262652A JP62097953A JP9795387A JPS63262652A JP S63262652 A JPS63262652 A JP S63262652A JP 62097953 A JP62097953 A JP 62097953A JP 9795387 A JP9795387 A JP 9795387A JP S63262652 A JPS63262652 A JP S63262652A
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- JP
- Japan
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- pattern
- scribe line
- photomask
- horizontal
- scribe
- Prior art date
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- Pending
Links
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- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
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- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、フォトマスクに関する。特に半導体装置を形
成するためのフォトマスクに関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a photomask. In particular, the present invention relates to a photomask for forming a semiconductor device.
従来のフォトマスクの構造は、特開昭61−16602
6号の様に、スクライブラインの識別用パターンは入っ
ておらず、前記特開昭ei−te6026号では、位置
合わせに用いるパターンではあってもスクライブライン
の位置を識別できるものではなかった。The structure of the conventional photomask is disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 61-16602.
Unlike No. 6, a pattern for identifying scribe lines is not included, and in JP-A No. 6026, even though the pattern was used for alignment, it was not possible to identify the position of the scribe line.
しかし、前述のC2来技術では、スクライブライン内に
形成した位置合わせパターンを見つけるのに、ウェハー
内のスクライブライン全体をくまなく検束する必要があ
り、発見するのには平均でもスクライブライン全体の半
分は検策しなければならず、 工数大も多大であるとい
う問題点を有する。However, in the above-mentioned C2 technology, in order to find the alignment pattern formed within the scribe line, it is necessary to thoroughly inspect the entire scribe line in the wafer, and on average it takes half of the entire scribe line to find it. This method has the problem of requiring a large amount of man-hours.
そこで本発明はこのような問題点を解決するもので、そ
の目的とするところは、最小限の倹策工数で所定のパタ
ーンを発見できる方法を提供するところにある。The present invention is intended to solve these problems, and its purpose is to provide a method by which a predetermined pattern can be found with a minimum number of careful man-hours.
本発明のフォトマスクは、チップパターン間に形成され
たスクライブライン内に識別用パターンを設けるを特徴
とするものである。さらに前記識別用パターンがフォト
マスク内におけるスクライブラインの位置を識別できる
ものである。The photomask of the present invention is characterized in that an identification pattern is provided within a scribe line formed between chip patterns. Furthermore, the identification pattern can identify the position of the scribe line within the photomask.
第1図は本発明の実施例1におけるスクライブラインの
識別用パターンを設けたフォトマスクの平面図である。FIG. 1 is a plan view of a photomask provided with a scribe line identification pattern in Example 1 of the present invention.
縦横にあるスクライブライン3の中に、識別用パターン
5が、横スクライブライン用に1.2.3・・・・・・
六形成し、縦スクライブライン用にはA、 I3.
C・・・・・・と形成した。又、識別用パターンをラ
ンダムにスクライブライン3の中に形成したのではなく
、第1図のように縦横スクライブラインの交差する所で
、横スクライブライン用は交差の右に形成し、縦スクラ
イブライン用は交差の下に形成した。In the vertical and horizontal scribe lines 3, there are identification patterns 5 for the horizontal scribe lines 1.2.3...
A, I3 for vertical scribe lines.
It was formed as C... In addition, the identification pattern is not formed randomly in the scribe lines 3, but is formed at the intersection of the vertical and horizontal scribe lines as shown in Figure 1, and the pattern for the horizontal scribe line is formed to the right of the intersection, and the pattern for the horizontal scribe line is formed on the right of the intersection, The area was formed below the intersection.
このように形成した識別用パターンを用いて、4の寸法
測定用パターンを見つけるのは非常に簡単なものとなっ
た。まず測定機の顕微鏡でスクライブラインの交差する
所を見つける。その後に交、差の所に形成しである識別
用パターンを児つけ出し、その内容を読み取る。たとえ
ばそれば20のDだったとしまず。4の寸法測定用パタ
ーンは横スクライブラインの識別用パターンが22の所
であり、縦スクライブラインの識別用パターンがEとF
の間にある訳であり、顕微鏡で縦スクライブラインにそ
って、横スクライブラインに22とある所まで行き、そ
の後、横スクライブラインにそって右に行けば、所定の
パターンである寸法測定用パターンを見つけることが簡
単にできた。Using the identification pattern formed in this way, it was very easy to find the dimension measurement pattern 4. First, find the intersection of the scribe lines using the measuring microscope. After that, the identification patterns formed at the intersections and differences are found and their contents are read. For example, let's say it was a D of 20. In the dimension measurement pattern 4, the horizontal scribe line identification pattern is at 22, and the vertical scribe line identification pattern is E and F.
If you go along the vertical scribe line with the microscope until you reach the horizontal scribe line marked 22, and then go to the right along the horizontal scribe line, you will see the prescribed pattern for dimension measurement. was easy to find.
第2図は本発明の実施例2の平面図。 スクライブライ
ンの識別用パターン15を設けたラオトマスクを用いて
ステップアンドリピート方式の縮小投影露光装置(以後
ステッパー)にて半導体基板上に塗布されたポジタイプ
フォトレジストにパターンを形成した後の平面図である
。位置合わせ精度測定用パターン14をフォトマスク内
の横のスクライブラインの半導体装置パターンに対応す
る形で形成した。FIG. 2 is a plan view of Embodiment 2 of the present invention. This is a plan view after forming a pattern on a positive type photoresist coated on a semiconductor substrate using a step-and-repeat reduction projection exposure apparatus (hereinafter referred to as a stepper) using a Raot mask provided with a scribe line identification pattern 15. be. A pattern 14 for measuring alignment accuracy was formed in a shape corresponding to the semiconductor device pattern of the horizontal scribe line in the photomask.
このように各スクライブラインの識別用パターンを用い
て所定のパターンを見い出す事は前述の実施例1と同様
に非常に簡単であった。たとえば第2図のフォトマスク
は縦3チツプ横3チツプの計9チップにて構成されてい
るわけであり、位置合わせ精度測定用パターン14も9
個有る。この中の中央のチップの位置合わせ精度を求め
ようとすれば縦横スクライブラインの識別用パターンが
交差する2Bの右か20の左へ顕微鏡の視野を移動する
事で容易に発見できた。In this way, finding a predetermined pattern using the identification pattern of each scribe line was very easy as in the first embodiment described above. For example, the photomask shown in Fig. 2 is composed of 9 chips, 3 chips vertically and 3 chips horizontally, and the pattern 14 for measuring alignment accuracy also has 9 chips.
There are individual If we wanted to find the alignment accuracy of the center chip among these, we could easily find it by moving the field of view of the microscope to the right of 2B or to the left of 20, where the vertical and horizontal scribe line identification patterns intersect.
以上述べたように発明によれば、 スクライブラインの
フォトマスク内の、位置を識別できる識別用パターンを
スクライブライン内に設ける事により、寸法測定用パタ
ーン、位置合わせ精度測定用パターン等の所望する所定
のパターンを最小限の検策の工数で簡単容易に発見する
ことが可能となったという効果を有する。As described above, according to the invention, by providing an identification pattern in the scribe line that can identify the position in the photomask of the scribe line, a desired predetermined pattern such as a dimension measurement pattern, alignment accuracy measurement pattern, etc. This has the effect of making it possible to easily discover patterns with minimal testing effort.
特に、実施例2のように、同一のパターンがスクライブ
ラインの同一箇所に存在する場合には識別用パターンの
効果は多大であるg また、ステッパー用のフォトマス
ク(レティクル)においても、フォトマスク内のチップ
数が増加(1個あたりの一す゛イズが小さい)した時は
スクライブラインはより多くなり、本発明の効果はより
大きいものである。In particular, as in Example 2, when the same pattern exists at the same location on the scribe line, the effect of the identification pattern is great. Also, in the photomask (reticle) for a stepper, When the number of chips increases (the size per chip is small), the number of scribe lines increases, and the effect of the present invention becomes greater.
本発明の効果は、フォトマスクそのものに対しても、ま
た、 フォトマスクを用いて形成したパターンにおいて
も得られるものであり、識別用パターンの形成するとい
う手段で得られ、その識別 、用パターンの形状にはよ
らない。 またこの効果は、縦横スクライブラインの交
着する所に形成することにより、より効果的なものとな
るもの゛である。The effects of the present invention can be obtained not only for the photomask itself but also for the pattern formed using the photomask, and can be obtained by forming an identification pattern. It doesn't depend on the shape. Moreover, this effect becomes more effective by forming the scribe lines at the intersections of the vertical and horizontal scribe lines.
第1図は本発明のフォトマスクの実施例1を示ず平面図
。
第2図は本発明のフォトマスクの実施例2を示す平面図
。
1・・・・・・フォトマスク基板
2・・・・・・チップパターン
3・・・・・・スクライブライン
4・・・・・・寸法測定用パターン
5・・・・・・識別用パターン
11・・・・・・半導体基板
12・・・・・・チップパターン
13・・・・・・スクライブライン
14・・・・・・位置合わせ精度測定用パターン15・
・・・・・識別用パターン
以 上
出願人 セイコーエプソン株式会社
代理人 弁理士 最 上 務 他1名[相]FIG. 1 is a plan view showing Embodiment 1 of the photomask of the present invention. FIG. 2 is a plan view showing Example 2 of the photomask of the present invention. 1...Photomask substrate 2...Chip pattern 3...Scribe line 4...Dimension measurement pattern 5...Identification pattern 11 ... Semiconductor substrate 12 ... Chip pattern 13 ... Scribe line 14 ... Pattern for measuring alignment accuracy 15.
...Identification pattern or more Applicant Seiko Epson Co., Ltd. agent Patent attorney Tsutomu Mogami and 1 other person [phase]
Claims (3)
において、前記チップパターン間に形成されたスクライ
ブライン内に識別用パターンを設けた事を特徴とするフ
ォトマスク。(1) A photomask comprising patterns for a plurality of chips, characterized in that an identification pattern is provided in a scribe line formed between the chip patterns.
て1識別用パターンである事を特徴とする特許請求の範
囲第1項記載のフォトマスク。(2) The photomask according to claim 1, wherein the identification pattern is one identification pattern for one scribe line.
スクライブラインの位置を識別できる識別用パターンで
あることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載のフォ
トマスク。(3) The photomask according to claim 1, wherein the identification pattern is an identification pattern that can identify the position of the scribe line within the photomask.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62097953A JPS63262652A (en) | 1987-04-21 | 1987-04-21 | Photomask |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62097953A JPS63262652A (en) | 1987-04-21 | 1987-04-21 | Photomask |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63262652A true JPS63262652A (en) | 1988-10-28 |
Family
ID=14206035
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62097953A Pending JPS63262652A (en) | 1987-04-21 | 1987-04-21 | Photomask |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63262652A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013029749A (en) * | 2011-07-29 | 2013-02-07 | V Technology Co Ltd | Photo mask and exposure device |
-
1987
- 1987-04-21 JP JP62097953A patent/JPS63262652A/en active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013029749A (en) * | 2011-07-29 | 2013-02-07 | V Technology Co Ltd | Photo mask and exposure device |
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