JPS6325746Y2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6325746Y2 JPS6325746Y2 JP1982137064U JP13706482U JPS6325746Y2 JP S6325746 Y2 JPS6325746 Y2 JP S6325746Y2 JP 1982137064 U JP1982137064 U JP 1982137064U JP 13706482 U JP13706482 U JP 13706482U JP S6325746 Y2 JPS6325746 Y2 JP S6325746Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- header
- semiconductor chip
- plate
- cap
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 23
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 18
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 8
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 5
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005251 gamma ray Effects 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Description
この考案はＸ線やガンマ線に対する計数感度の
方向依存性が少ない半導体放射線検出器の構造に
関する。 Ｘ線やガンマ線の被曝線量計用放射線検出素子
としての半導体チツプは長寿命化を図るため金属
ケースに真空密に封止される。通常その構造は第
１図に示すように放射線検出用半導体チツプ１を
はんだ２で厚肉の円板状ヘツダ３上にマウントし
た後薄肉のキヤツプ４で封止される。Ｘ線やガン
マ線はアルフア線やベータ線にくらべて物質の透
過力が大きいため、キヤツプ４側から照射する場
合その減衰率は検出上とくに支障にならない程度
に小さい。しかし低エネルギのＸ線やガンマ線
（約60keV）を厚肉のヘツダ３の背後から照射す
る場合は半導体チツプ１がヘツダ３の影に入るの
で減衰率が大きく、とくに斜め方向５から照射す
るとヘツダの見かけの厚みも大きくなるため減衰
率は最大になる。 第２図は市販のT05またはT08などの金属ケー
スに封止した半導体放射線検出器６の計数感度の
方向依存性を示すものである。図において７は、
241Am（60keV）、８は137Cs（662keV）、９は60Co
（1170keV、1330keV）の発するガンマ線の照射
方向と減衰率の関係を示し、低エネルギの放射線
では方向依存性が著しくなる。これはヘツダの厚
みが1.6mm、斜め方向では厚みが3.3mmになるため
である。この測定結果は物質中での減衰率を示す
理論式Ｉ／Io＝e-〓d（μ：ガンマ線が透過する物
質の線吸収係数、ｄ：物質の厚み）より求めた第
１表の値とほぼ一致している。
方向依存性が少ない半導体放射線検出器の構造に
関する。 Ｘ線やガンマ線の被曝線量計用放射線検出素子
としての半導体チツプは長寿命化を図るため金属
ケースに真空密に封止される。通常その構造は第
１図に示すように放射線検出用半導体チツプ１を
はんだ２で厚肉の円板状ヘツダ３上にマウントし
た後薄肉のキヤツプ４で封止される。Ｘ線やガン
マ線はアルフア線やベータ線にくらべて物質の透
過力が大きいため、キヤツプ４側から照射する場
合その減衰率は検出上とくに支障にならない程度
に小さい。しかし低エネルギのＸ線やガンマ線
（約60keV）を厚肉のヘツダ３の背後から照射す
る場合は半導体チツプ１がヘツダ３の影に入るの
で減衰率が大きく、とくに斜め方向５から照射す
るとヘツダの見かけの厚みも大きくなるため減衰
率は最大になる。 第２図は市販のT05またはT08などの金属ケー
スに封止した半導体放射線検出器６の計数感度の
方向依存性を示すものである。図において７は、
241Am（60keV）、８は137Cs（662keV）、９は60Co
（1170keV、1330keV）の発するガンマ線の照射
方向と減衰率の関係を示し、低エネルギの放射線
では方向依存性が著しくなる。これはヘツダの厚
みが1.6mm、斜め方向では厚みが3.3mmになるため
である。この測定結果は物質中での減衰率を示す
理論式Ｉ／Io＝e-〓d（μ：ガンマ線が透過する物
質の線吸収係数、ｄ：物質の厚み）より求めた第
１表の値とほぼ一致している。
【表】
この考案は上述の欠点を除去して検出器の全方
向から入射するＸ線やガンマ線のとくに低いエネ
ルギの放射線に対して、方向依存性の少ない半導
体放射線検出器を得ることを目的とする。以下本
考案を図面に示す実施例によつて説明する。 第３図は本考案の一実施例を示すもので、ヘツ
ダ１０の板面形状は短冊形矩形状とし、半導体チ
ツプ１をマウントした金属板１１をヘツダ１０の
板面にほぼ直角方向に、かつ金属板１１の板面方
向をヘツダ１０の板面形状である矩形状の長辺と
平行として該ヘツダを覆うキヤツプ４を該ベース
の板面形状とほぼ相似に偏平化するとともに、前
記金属板１１を支持するステム１２に口出線用ピ
ンを兼ねさせて前記ヘツダおよびキヤツプのより
一層の扁平化を援け、さらに半導体チツプ１とヘ
ツダ１０との離間距離を該ヘツダの矩形の矩辺の
長さより大きくとつてＸ線やガンマ線がヘツダの
裏面側より照射されるときの半導体チツプへのヘ
ツダの影の影響を小さくしている。このように半
導体チツプとヘツダとを離間し、かつヘツダの板
面形状を矩形状としたことにより次の効果が得ら
れる。 １ 放射線のヘツダ部の影による減衰が少なくな
る。 ２ キヤツプがヘツダの板面形状とほぼ相似形に
偏平化されるため、集積度の高い小形測定器へ
の適用が可能になる。 なおヘツダの板面形状は楕円形状でも菱形状で
も同様な効果が得られる。 第４図は第３図に示す構造の半導体放射線検出
器１３の方向依存性を示す。第４図では減衰の著
しい241Am（60keV）の測定結果のみを示し、
137Cs，60Coは方向依存性が少ないため省略する。 第５図は第３図の実施例の変形例を示すもの
で、半導体チツプ１を金属板１１の両面に複数個
マウントし、これを並列接続している。この結果
方向依存性が少なく、計数感度の高い半導体放射
線検出器が得られる。 上記のような構造、形状を有する半導体放射線
検出器においてはヘツダ部による減衰が少なくな
るため、検出器の全方向から照射される広いエネ
ルギ範囲のＸ線やガンマ線に対して計数感度の方
向依存性を少なくすることができる。とくにポケ
ツト形警報線量計に適用した場合、作業者の姿勢
による影響が少なくなるため、より信頼性の高い
被曝線量の測定が可能になる。
向から入射するＸ線やガンマ線のとくに低いエネ
ルギの放射線に対して、方向依存性の少ない半導
体放射線検出器を得ることを目的とする。以下本
考案を図面に示す実施例によつて説明する。 第３図は本考案の一実施例を示すもので、ヘツ
ダ１０の板面形状は短冊形矩形状とし、半導体チ
ツプ１をマウントした金属板１１をヘツダ１０の
板面にほぼ直角方向に、かつ金属板１１の板面方
向をヘツダ１０の板面形状である矩形状の長辺と
平行として該ヘツダを覆うキヤツプ４を該ベース
の板面形状とほぼ相似に偏平化するとともに、前
記金属板１１を支持するステム１２に口出線用ピ
ンを兼ねさせて前記ヘツダおよびキヤツプのより
一層の扁平化を援け、さらに半導体チツプ１とヘ
ツダ１０との離間距離を該ヘツダの矩形の矩辺の
長さより大きくとつてＸ線やガンマ線がヘツダの
裏面側より照射されるときの半導体チツプへのヘ
ツダの影の影響を小さくしている。このように半
導体チツプとヘツダとを離間し、かつヘツダの板
面形状を矩形状としたことにより次の効果が得ら
れる。 １ 放射線のヘツダ部の影による減衰が少なくな
る。 ２ キヤツプがヘツダの板面形状とほぼ相似形に
偏平化されるため、集積度の高い小形測定器へ
の適用が可能になる。 なおヘツダの板面形状は楕円形状でも菱形状で
も同様な効果が得られる。 第４図は第３図に示す構造の半導体放射線検出
器１３の方向依存性を示す。第４図では減衰の著
しい241Am（60keV）の測定結果のみを示し、
137Cs，60Coは方向依存性が少ないため省略する。 第５図は第３図の実施例の変形例を示すもの
で、半導体チツプ１を金属板１１の両面に複数個
マウントし、これを並列接続している。この結果
方向依存性が少なく、計数感度の高い半導体放射
線検出器が得られる。 上記のような構造、形状を有する半導体放射線
検出器においてはヘツダ部による減衰が少なくな
るため、検出器の全方向から照射される広いエネ
ルギ範囲のＸ線やガンマ線に対して計数感度の方
向依存性を少なくすることができる。とくにポケ
ツト形警報線量計に適用した場合、作業者の姿勢
による影響が少なくなるため、より信頼性の高い
被曝線量の測定が可能になる。
第１図は金属ケースに半導体チツプを封止した
通常の半導体放射線検出器の断面構造図、第２図
は第１図に示す半導体放射線検出器の計数感度の
方向依存性、第３図ａは本考案による半導体放射
線検出器の正面断面構造図、第３図ｂは同側面断
面構造図、第４図は第３図に示す半導体放射線検
出器の計数感度の方向依存性で241Amに対するも
の、第５図は本考案による実施例の変形例を示す
構造断面図である。 １……放射線検出用半導体チツプ、１０……ヘ
ツダ、１１……半導体チツプの取付部材としての
金属板、１２……取付部材の支持部材と口出線用
ピンとを共用したステム。
通常の半導体放射線検出器の断面構造図、第２図
は第１図に示す半導体放射線検出器の計数感度の
方向依存性、第３図ａは本考案による半導体放射
線検出器の正面断面構造図、第３図ｂは同側面断
面構造図、第４図は第３図に示す半導体放射線検
出器の計数感度の方向依存性で241Amに対するも
の、第５図は本考案による実施例の変形例を示す
構造断面図である。 １……放射線検出用半導体チツプ、１０……ヘ
ツダ、１１……半導体チツプの取付部材としての
金属板、１２……取付部材の支持部材と口出線用
ピンとを共用したステム。
Claims (1)
- 口出線を備えた厚肉の板状のヘツダと該ヘツダ
を覆う薄肉のキヤツプとからなる密封ケース内に
放射線検出用の半導体チツプを収納してなる放射
線検出器において、前記ヘツダは短冊形矩形状の
板面形状を持ち、前記キヤツプはヘツダの板面形
状に相似な偏平な断面形状を持ち、前記半導体チ
ツプは板状の金属性の取付部材上にマウントさ
れ、該取付部材はヘツダの板面に対し直角に、か
つキヤツプの偏平な側面と平行に、半導体チツプ
がヘツダから離間するようにヘツダに取り付けら
れたことを特徴とする半導体放射線検出器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13706482U JPS5939954U (ja) | 1982-09-09 | 1982-09-09 | 半導体放射線検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13706482U JPS5939954U (ja) | 1982-09-09 | 1982-09-09 | 半導体放射線検出器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5939954U JPS5939954U (ja) | 1984-03-14 |
| JPS6325746Y2 true JPS6325746Y2 (ja) | 1988-07-13 |
Family
ID=30307978
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13706482U Granted JPS5939954U (ja) | 1982-09-09 | 1982-09-09 | 半導体放射線検出器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5939954U (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005049144A (ja) * | 2003-07-30 | 2005-02-24 | Toshiba Corp | 放射線計測方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5025829A (ja) * | 1973-07-10 | 1975-03-18 |
-
1982
- 1982-09-09 JP JP13706482U patent/JPS5939954U/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5025829A (ja) * | 1973-07-10 | 1975-03-18 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5939954U (ja) | 1984-03-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6118125A (en) | Method and a device for planar beam radiography and a radiation detector | |
| JP3140052B2 (ja) | 中性子検出装置 | |
| Magnusson | Intensities of X-Rays and γ Rays in Am 241 Alpha Decay | |
| US6556650B2 (en) | Method and a device for radiography and a radiation detector | |
| Cheng et al. | Dosimetry of high energy photon and electron beams with CEA films | |
| Kumar et al. | Dosimetric characteristics of a PIN diode for radiotherapy application | |
| GB2051111A (en) | Scintillation detector for annihilation radiation in position disintegration process | |
| JP5616340B2 (ja) | 光子検出器用の組み合わされた散乱防止グリッド、陰極及び担体 | |
| AU2001242943A1 (en) | A method and a device for radiography and a radiation detector | |
| JPS6325746Y2 (ja) | ||
| US4074136A (en) | Apparatus for determining the dose equivalent of neutrons | |
| Dubuque et al. | Backscatter factors in the mammographic energy range | |
| Debertin et al. | Efficiency Calibration of Semiconductor Spectrometers–Techniques and Accuracies | |
| Delgado Martinez et al. | Parametric equation for the efficiency curve of germanium detectors | |
| JPH071309B2 (ja) | 多重コンプトン散乱を利用したｘ線又はガンマ線測定方法及び装置 | |
| JPS57172272A (en) | Multichannel type radiation detector | |
| Storm et al. | Development of energy-independent film badges with multi-element filters | |
| US3086117A (en) | Semiconductive dosimeters | |
| JPH0574029B2 (ja) | ||
| Burke et al. | The direct measurement of dose enhancement in gamma test facilities | |
| JPS6258670B2 (ja) | ||
| JPH07131052A (ja) | 半導体放射線検出素子、該検出素子を用いたγ線中性子線検出器および該検出器を用いた線量測定器 | |
| da Silva et al. | Performance tests of a special ionization chamber for X-rays in mammography energy range | |
| Tokcan et al. | Efficiency determinations for a Ge (Li) detector | |
| Hino et al. | Measurement of the 46.5 keV gamma-ray emission probability of 219Pb and its application as a standard for the calibration of 129I monitors |