JPS63254243A

JPS63254243A - 電気的制御自在ばね素子

Info

Publication number: JPS63254243A
Application number: JP63064642A
Authority: JP
Inventors: ゴーラン　エングダール
Original assignee: ASEA AB
Current assignee: ABB Norden Holding AB
Priority date: 1987-03-19
Filing date: 1988-03-17
Publication date: 1988-10-20
Also published as: US4802660A; NO178710B; EP0283880A1; SE8701138D0; NO881123D0; EP0283880B1; NO178710C; DE3877392D1; NO881123L; DE3877392T2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、受動性ばねとして用いるのに極めて適してい
るぽか、極めて良い周波数特性を有するように特別に設
計されうる、電気的に制御されるばね素子に関する。こ
のため、このばねは、極めて高感度の装置を無振動的に
懸垂するための装置内に基本素子として用いられ、例え
ば態動性の機械的緩和器またはアクチュエータのような
無振動性の機械的伝動装置、制御自在インダクタンス、
電気機械的変成器などに利用される。

〔従来の技術）受動性の通常のばね素子と、電気的制御自在ばね素子と
の間の本質的相違は、ばね定数、ばねの力および伸び、
が全で電気的に制御されうろことである。一定の電気的
制御を印加すれば、このばね素子は５０１ＩＩＳ程度の
極めて短い時間内に、予応力を与えられた機械的に受動
的なばね素子としての特性を与えられつる。素子は良い
周波数特性を有するように設計されつるために、素子は
また極めて短時間内に１つの静的ばね力状態から他のば
ね力状態へ変化せしめられ、従ってまた動的電気制御に
も極めて良く応答しうる。

電気的制御自在ばね素子の基本原理は、長い間技術の状
況と関連を有してきた。しかし、これまでに知られてい
る応用は、主としてソナーなどの機械的アクチュエータ
、およびある種のトランスジューサに関連するものであ
った。独特の性質が実現できるのは、極めて特殊な性質
を有する磁心から成るばね素子の活性材料のためであり
、その特殊な性質とは、該材料が受ける磁化の度合いが
変化する時、また該材料がさまざまな機械的応力状態に
ある時、ばね素子の物理的形状、Ｅ弾性率および比透磁
率が変化することである。

かなり以前から、いわゆる稀土類金属のサマリウム（Ｓ
ｍ）　、テルビウム（Ｔｂ）　、ジスプロシラム（Ｄｙ
）、ホルミウム（ＨＯ）、エルビウム（Ｅｒ）などは、
極めて低い温度において、極めて大きい磁気ひずみを示
すことが知られている。

もし通常の金属材料が例えば約１ｏμＴｒＬ／ＴｒＬの
磁気ひずみ線膨張を示すものとすれば、稀土類金属は極
低温において４４００μｍ、／ｍに達する線膨張を示す
。しかし、残念ながらこの顕著な磁気ひずみ効果は極低
温においてのみ現われるので、応用の可能性は極めて限
定される。

しかし、比較的最近、通常金属に比し極めて大きい磁気
ひずみが、稀土類金属を鉄（Ｆｅ）との合金とすること
により、室温または数百度に達する温度においてさえ得
られることが発見された。

純実用面からいえば、室温において２０００μｍ／ｍの
程度の磁気ひずみを得ることができる。いずれにしても
、これは通常の金属材料の１５０倍の線膨張になる。鉄
金属と稀土類金属との合金で作られた素子は従って、磁
気ひずみ効果に基づく多くの応用面に利用でき、これは
以前には不可能であり、あるいは、経済的利益を与える
のに十分な効果とはなりえなかったことである。

これらの合金の性質は、「Ｅｌｔｅｋｎｉｋｍｅｄａｋ
ｔｕｅｌｌ　ｅｌｅｋｔｒｏｎｉｋＪ　１９８４　：　
１６．　ＤａＱｅ５７所載のｌ　、　Ｊａｎｓｓｏｎ著
［Ｇｉａｎｔ　ｍａｇｎｅｔｏｓｔｒｉｃｔｉｏｎｇｉ
ｖｅｓ　ｍｏｒｅ　５ｅｎｓｉｔｉｖｅ　ｔｒａｎｓｄ
ｕｃｅｒＪなどの文献、および多数の特許、例えば米国
特許第４．’３０８゜４７４号「Ｒａｒｅ　Ｅａｒｔｈ
　−Ｉｒｏｎ　ＨａｇｎｅｔｏｓｔｒｉｃｔｉｖｅＭａ
ｔｅｒｉａｌｓ　ａｎｄ　Ｄｅｖｉｃｅｓ　ｕｓｉｎｇ
　ｔｈｅｓｅ　Ｍａｔｅｒｉａｌｓ　Ｊに記載されてい
る。この文献には、複数の相異なる合金組成が述べられ
ている。しかし、ここではこれ以上説明せずに、これら
の材料が、磁気ひずみトランスジューサ、時間遅延素子
、可変周波数発振器およびフィルタに使用されうること
を述べるにとどめる。

米国特許第４−．３７８，２５８号には、磁気的エネル
ギを機械的エネルギに変換する方法が示され、その場合
の機械的エネルギは、磁界の変化によって起こされる特
殊合金の寸法の変化の形式のものである。これらの特殊
合金は、現在いくつかの応用面に、例えば米国特許第４
．４．３８．５０９号においてはソナーに、米国特許第
４，１５８゜３６８号においては弁に、実用されている
。

希土類金属は一般に高価である。さらに、それらの合金
を含有する材料を製造するのには、比較的複雑な工程を
要する。従って、経費および製造の双方の観点から最適
のデータを有する合金を開発するための研究が強力に行
なわれてきた。これまでに得られている最良の組成は、Ｔｂ　　　　Ｄｙ　　　　Ｆｅ１．ｇから成り、この合
０．２７　　　　　０．７３金はＴ　Ｅ　ＲＦ　Ｅ　Ｎ　ＯＬ　−Ｄと呼ばれている
。この材料は現在、世界の限られた数の場所においての
み製造されており、６＃から約４０ｍｍの直径と約３０
０＃Ｉまでの長さとを有する円柱形ロッドの形で供給さ
れている。

以下、本発明の装置を、材料の技術的性能を示すグラフ
および本発明の電気的制御自在ばね素子がいかにして構
成されるかの例を示す図を参照しつつ説明する。

〔実　施　例〕

第１図には、ＴＥＲＦＥＮＯＬロット（今後゛「ロッド
と呼ぶ）の対称軸に沿って磁化用のＨ界（Ａｒｍ）を印
加した場合の王ロンドの相対線膨張△１／１（ｔｒｙｎ
／ＴｒＬ）が示されている。グラフの目盛は、線膨張が
どのようにＴロッドに印加される機械的応力状態（ＭＰ
ａ）によるかを示している。

第２図には、さまざまな機械的応力状態にお（プる磁化
用Ｈ界とＥ弾性率（Ｎ／ｍ２）との間の同様の意味をも
つ比が示されている。

第３図には、さまざまな機械的応力状態における磁化用
Ｈ界と、それに対応するＢ界（テスラ）との間の比が示
されている。Ｔロッドの有する性質のうちで、既知の磁
気材料に比し長さの変化が大きいという性質は、最も利
用されてきた性質である。このことは、英国特許第２．
１７４．８６３Ａ号「Ｐｅｒｍａｎｅｎｔ　ｍａｇｎｅ
ｔ　ｂｉａｓｅｄｍａｇｎｅｔｏｓｔｒｉｃｔｉｖｅ　
ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ　Ｊ　、Ｗ　Ｏ８５／　０２　Ｑ
　８４　［Ｌｏｗ　Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ　５ｏｕｎｄ　
ＴｒａｎｓｄｕｃｅｒＪ、およびＷＯ３６１０３８８８
ｒＡ　　Ｒａｒｅ　ＥａｒｔｈＦｌ（３ＸｔｅｎＳｉＯ
ｎａ１丁ｒａｎｓｄｕｃｅｒ　Ｊなどの特許明細書から
特に明らかである。そこでは磁化によって、ある種の膜
を時間的に振動させるのに、Ｔロットの長さの変化が用
いられている。

本発明の電気的制御自在ばね素子においては、機械的性
質が孤立状態において利用されることが多いが、これは
もちろんＴロットの長さの変化と密接に関連してはいる
。さまざまな磁化状態において得られる高磁気ひずみ材
料の長さの変化は比較的小さいのであるが、それは、ば
ね素子においてはＴロッドの線膨張のみに基づいた約１
００μｍに達する伸びの大きさが、多くの応用において
不十分であることを意味する。

従って、本発明のばね素子は、高磁気ひずみ材料と機械
的負荷との間に、伸びの大ぎさをかなり増大させるため
の機械的変成器の形式の機械的伝動装置を含む。第１図
かられかるように、磁気ひずみは磁界Ｈによる。従って
、準静的状態における磁化が、印加された時間的に変化
する磁化に比例すべきであれば、Ｔロッドは好ましくは
永久磁石により予磁化されなくてはならない。例えば、
ＷＯ３６１０３８８８に開示されている従来の方法にお
いては、これは、Ｔロッドを軸方向においていくつかの
小部分に分割し、それらの間に永久磁石を置き、できる
だけ磁化を一様に分布せしめることによって実現されて
いる。

可能な最良の動的特性を得るためには、ＷＯ３６１０３
８８８に示されているようにＴロットを薄く切ることに
より、あるいは火花処理を用いて螺線状空気間隙を生ぜ
しめることにより、Ｔロットを軸方向において実質的に
等しい厚さのいくつかの平面状薄板に分割するなど、さ
まざまの薄板化を行なうとよい。

Ｔロッドを基材とするばね素子に対し大きい動的負荷が
与えられる場合は、それに対応して大きい動的磁化用Ｈ
界が必要となる。Ｔロッドを取巻く励磁コイルにより、
これを発生せしめうるようにする。動的磁化は、周波数
が増大したとぎ、供給電圧を増大さぜることによって、
通常のように行ないうる。もう１つの方法として、コイ
ルをいくつかの共軸かつ同心のコイルによって構成し、
最も内側のコイルには高周波成分を供給し、最も外側の
コイルには低周波成分の増幅器段を接続づ−るようにし
て、電気的に分離された周波数選択増幅器から供給して
もよい。

電気的制御自在ばね素子のＴロッド形成部分の一定予磁
化における最適動作点を得るためには、同等の機械的予
応力も必要になる。このような機械的予応力はさまざま
な方法で実現されつる。前述の、Ｔロットをソナーに応
用した米国特許第４゜４３８．５０９号に例が示されて
いる。そこでは、Ｔロッドは２つのヨークの間に取付け
られ、ロンド内の機械的予応力は、両ヨークをいっしょ
に引張る引張ワイヤによって実現される。もちろん、螺
線状に延長するコイルを用いることもできる。

残念ながら、Ｔロットの引張強さはその圧縮強さよりも
かなり小さい。従って、強い機械的および電気的負荷を
受けるＴロッドに対しては、それが引張応力を受けない
ようにする機械的予応力が必要となる。Ｔロッドに引張
応力が生じないようにするのに要する機械的予応力は、
過渡的励磁およびかなりの機械的負荷の場合、最適動作
点の選択のみを考慮した予応力よりもかなり大きい。

上述の内容は、さまざまな形式のアクチュエータおよび
トランスジューサへのＴロッドの使用のための技術に関
連している。技術的に受（す入れられる、本発明の電気
的制御自在ばね素子を得るためには、素子に対して上述
の１つまたはそれ以上の部分的な技術的解決を与えるこ
とが望ましく、応用面によってはそれがしばしば必要に
なる。

本発明の電気的制御自在ばね素子の基礎をなすのは、永
久磁石によって予磁化された高磁気ひずみ材料のロッド
と、それを取巻く励磁コイルとを含む素子である。

本発明の特徴は、第４図に示されているような２つの素
子ＡおよびＢが、電気的制御自在な基本ばね素子（Ａ、
Ｂ）を形成することである。これらの素子はフレーム１
内に取付けられ、ロッドＴＡおよびＴＢは、同一中心線
と、出力２を有する中間の伝動素子と、を有する。予磁
化は、°丁ロッドを小部分に分割し、それらの間に第４
図にＰＡおよびＰＢで示されているような永久磁石を挿
入することにより、適宜性なわれる。励磁コイルは３お
よび４で示されている。２つの素子の磁化回路は、互い
に著しい影響を及ぼし合わない間隔だけ離されている。

前述の機械的予応力を与える方法に反し、本発明におけ
る予応力印加は、基本ばね素子を構成する２つの素子を
機械的に逆に連結することによって行なわれる。これは
、予磁化と励磁コイルとの磁気的方向を常にある関係を
なずように向【プることによって達成される。すなわち
、外部的な電気的制御をされる磁化は、常に１素子にお
ける予磁化と同方向を向き、かつ常に他素子の予磁化と
逆方向を向いていなくてはならない。

こうして、コイル内の励磁電流の向ぎによらず、１素子
は常に、かつ電流方向とともに交番して、他素子よりも
強く予応力を受りることになる。従って、本来の機械的
意味における予応力の必要がなくなる。こうして、小さ
い圧縮予応力を受ける素子は、大きい圧縮予応力を受け
る素子に対し、予応力を加えることになる。２素子間の
ばね力の差は、負荷に加わる力となる。

第４図には、この形式の１機械的」予応力を実現するた
めに必要な、予磁化の方向と電気的励磁方向との関係の
例が示されている。もし、両コイルが磁気的に同方向に
作用するように接続されていて、巻回方向が点（・）で
示されているようになっている場合は、２つの素子Δお
よびＢの予磁化は逆方向を向き、例えば双方のＳ極また
は双方のＮ極が向かい合っていなければならない。この
ようにすれば、励磁電流の向きによらず、１素子は他素
子よりも強い圧縮予応力を受ける。

もし、磁化の釣合がとれ、さらにコイルが全く同じもの
であれば、それらは直列に接続するのが適切である。広
帯域磁化の場合には、画素子に相互に同期した異なる信
号源から電流を供給することができる。この構造におい
ては、装置の共振周波数を制御しうるため、またばねに
応力を加えるのに不必要なエネルギを使用しないため、
の２つの理由から制御が増大する。これは、現在の技術
において受動性ばねが強い過渡磁化において使用される
場合と同様である。前述のように、これは、かなり大き
過ぎる機械的予応力による引張応力に対し、材料を保護
する必要があることによる。さらに、もし受動性ばねが
予応力を与えるため使用されるならば、それらは、例え
ばソナーなどの前述の簡単なばね素子のための引外しば
ねとしても役立つ。

前述のように、本発明の電気的制御自在ばね素子は、Ｔ
ロットによって許容されている伸びの範囲をさらに増大
さぜるために、原理的に差動プランジャ構造として構成
された機械的変成器を含む。

この変成器と、第４図に示されているように機械的に逆
に連結された２つの電気的制御を受ける基本ばね素子Ａ
Ｂとは、本発明の完全な電気的制御自在ばね素子の実施
例を構成し、この実施例は第５図を参照しつつ以下に説
明される。第５図に示されているように、完全なばね素
子は、中央対称面を有するボデーから成る。実施例にお
いては、このボデーは円筒形をなし、端部表面には出力
のための円筒状中央開口を有する。この構造は、上　１
６一部蓋５、下部蓋６、および上部および下部それぞれの蓋
の内側に当接する２つのリング７および８から成る。こ
れらのリングはまた、それぞれの蓋の一体部分としても
構成されうる。この構造は、第４図の２つの基本ばね素
子から作られている。

これらはそれぞれ蓋の間の反対側に、かつ対称面の中央
軸線から等距離の位置にある。蓋、リング、および基本
ばね素子は、図示されていないねじ装置によって互いに
保持される。この構造の内側には第１プランジャ９があ
り、このプランジャは、第４図の基本ばね素子上の出力
に対応した、プランジャの中央部の直径の両端部に外向
きに存在する２つの出力２を有する。この第１プランジ
ャは、両Ｔロッドの上下運動に同期して運動するのであ
るが、これらのＴロッドは前述のように実際上最大５０
−１００μｍの運動を行なう。このプランジャの上下運
動は、リング７および８の内表面によって案内され、プ
ランジャのみその中には低摩擦シール１ｏおよび１１の
形式のリングが存在して、プランジャの上下運動を可能
ならしめている。

第１プランジャは中央に、ライニング１２を有する円筒
状貫通孔を有し、その内部を第２プランジャ１３が運動
しうるようになっている。第２プランジャは、ピストリ
ング１４によって第１プランジャのライニングに対しシ
ールされている。タップビン１５は、第２プランジャの
中央を貫通し、蓋５および６の前記中央開口によって案
内される。

それぞれの蓋と中央のピンとの間には、やはりピストン
リング１６および１７の形式のシールが備えられている
。第１プランジャの頂部と蓋５との間、およびライニン
グを有する第２プランジャの内表面と中央ピンと第２プ
ランジャの頂部との間に形成されたシールされた自由空
間内には内部摩擦の小さい低圧縮性媒体、例えばシリコ
ン油が、ある超過圧力のもとに満たされる。完全なばね
素子の下半分内の対応空間内にも、同じ媒体が同じ超過
圧力のもとに満たされる。

基本ばね素子が電気的影胃を受けると、第２プランジャ
はその中央ピンと共に第１プランジャとは逆方向に、２
つのプランジャの有効油圧面積間の比に相当する振幅／
伸び利得をもって移動万一る。

純実用的観点からいえば、有効面積比２００．すなわち
第１プランジャの約１００μｍの最大移動によって、中
央ピンを含めた第２プランジャの２０ｔｔｍの移動を生
じる面積比を実現するのには、特に問題はない。エネル
ギ原理によれば、従って、中央ピン上に得られる力は、
肩部２上の力より同じ倍数だけ小さくなる。

伸びまたは引張力または圧縮力の増加に影響を及ぼす極
めて簡単な方法は、プランジャの有効面積間の比を変え
ることである。これを行なうには、例えば、ライニング
リングの内径、従って第２プランジャの外径を変えれば
よい。

設計および伸びを全く同じにして、出力を増大させるた
めには、第４図の機械的に連結された電気的制御自在基
本ばね素子の対の数を増せばよい。

しかし、一様でない負荷印加を避（プるためには、基本
ばね素子を対称的または鏡対称的に配置しなくてはなら
ない。

もちろん、形状は必ずしも円筒形でなくてもよい。蓋、
従って外部輪郭は、応用面によって楕円形、長方形、正
方形、または他の形状をとりうる。

第４図の基本ばね素子ＡＢを１つだけ有する電気的自在
ばね素子も可能である。第６図には、機械的変成器と実
質的に同じ原理の実施例が示されている。基本ばね素子
ＡＢは中央に置かれている。

出力２は基本ばね素子を取巻き、２つのスリーブ１９お
よび２０によって案内されるプランジャ１８と係合して
いる。このプランジャは、低摩擦シール２３および２４
によって、低圧縮性媒体の満たされた外部空間２１およ
び２２からシールされている。ピストン１８は外側ライ
ニングリング２５を備えており、それに対して外側プラ
ンジャ２６が移動しつるようになっている。このプラン
ジャは、外側管状ケーシング２７の一体部分をなし、電
気的制御自在ばね素子からの出力はこれから発生する。

管状ケーシングは、２つの蓋２８および２９によって案
内される。低圧縮性媒体によって満たされた２つの空間
２１および２２は、ケーシングとそれぞれの蓋との間に
シール３ｏおよび３−２〇　− １を、また空間２１および２２の間にシール３２を、備
えている。第５図の実施例におけると同様に、プランジ
ャ１８および２６は逆方向へ移動し、振幅／伸び利得は
、これらのプランジャの油圧面積間の比による。

上述の全ての実施例および本発明の範囲に属する類似の
実施例において、完全なばね素子における全ての内力は
圧縮力であり、それらの実施例は圧縮力および引張力の
双方を発生することができ、必要な油圧流体は比較的小
量である。

設計上の観点からは明らかに、上述の実施例は、実際の
基本素子および機械的変成器に関する限り、さまざまな
方法でモジュール式に組合せることができる。

電気的制御自在ばね素子によって得られる制御、従って
また、第５図に示されているような完全な電気的制御自
在ばね素子による制御は、第７図および第８図に示され
ている特性から明らかである。

図では容易にわかるように、目盛は標準的な値の場合の
みを示している。そのわけは、特定の設計における値は
、問題になっている応用において所望される力または伸
びによるからである。励磁電流は適切な制御パラメータ
である。

【図面の簡単な説明】

第１図は、Ｔロッド（ＴＥＲＦＥＮＯＬロット）がさま
ざまな応力を受けた状態にあるときの、Ｔロットの軸方
向に印加した磁化用Ｈ界と相対線膨張との比を示す図、
第２図は、材料のＥ弾性率が同じパラメータによってど
のように変化するかを示す図、第３図は、さまざまな機
械的応力状態におけるＨ界とＢ界との比を示す図、第４
図は、本発明の電気的制御自在基本ばね素子と、このば
ね素子に機械的予応力を与えられる方法とを示す図、第
５図は、磁気ひずみ移動を増大させるための機械的変成
器を含む完全なばね素子の実施例を示す図、第６図は、
完全なばね素子の別の実施例を示す図、第７図および第
８図は、電気的制御自在基本素子におけるさまざまな制
御特性を示す図である。符号の説明Ａ、Ｂ・・・・・・素子、ＴＡ、ＴＢ・・・・・・Ｔロ
ッド、ＰＡ。ＰＢ・・・・・・永久磁石、１・・・・・・フレーム、
２・・・・・・出力、３．４・・・・・・励磁コイル、
ＡＢ・・・・・・基本ばね素子、５・・・・・・上部蓋
、６・・・・・・下部蓋、７，８・・・・・・リング、
９・・・・・・第１プランジャ、１３・・・・・・第２
プランジャ、１５・・・・・・タップビン、１８・・・
・・・プランジャ、２１゜２２・・・・・・外部空間、
２６・・・・・・外側プランジャ、２７・・・・・・管
状ケーシング、２８．２９・・・・・・蓋。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）偶数の素子（Ａ、Ｂ）のそれぞれが高磁気ひずみ
材料のロッド（ＴＡ、ＴＢ）と、該ロッドを予磁化する
永久磁石（ＰＡ、ＰＢ）と、取巻く励磁コイル（３、４
）と、から成る該偶数の素子（Ａ、Ｂ）を含む電気的制
御自在ばね素子であつて、該諸素子が、前記諸ロッドを
同一中心線を有するように一直線に整列せしめ且つ出力
（２）を有する伝動素子を中間に置いてフレーム（１）
内に取付けられた２つの該素子（Ａ、Ｂ）を含む基本ば
ね素子（Ａ、Ｂ）を形成していることと、前記予磁化と
前記励磁コイルとの磁気的方向が、制御電流の方向に関
係なく、１素子においては同方向に向き、他素子におい
ては逆方向に向くようにされていることと、前記電気的
制御自在ばね素子が１つまたはそれ以上の前記基本ばね
素子から成ることと、を特徴とする電気的制御自在ばね
素子。
（２）特許請求の範囲第１項において、前記電気的制御
自在ばね素子が機械的変成器と組合わされ、該電気的制
御自在ばね素子が２つの前記基本ばね素子を含むことと
、該電気的制御自在ばね素子が対称面を有し該２つの基
本ばね素子が該対称面の中央軸線から等距離にあること
と、前記機械的変成器が、中央開口を有する上部蓋（５
）および下部蓋（６）と、これらの蓋に当接するリング
（７、８）と、これらのリングに対してシールされ外部
的一体部分として配置された前記基本ばね素子の出力（
２）を有する第１プランジャ（９）と、該第１プランジ
ャの内側に配置され前記蓋の前記中央開口に対してシー
ルされ案内される中央タップピン（１５）を有し前記電
気的制御自在ばね素子からの出力を発生するようになつ
ている第２プランジャ（１３）と、から成ることと、前
記上部蓋と前記第１プランジャの上部と前記第２プラン
ジャの上側との間の空間と、前記下部蓋と該第１プラン
ジャの下部と該第２プランジャの下側との間の空間とが
、それぞれ超過圧力下の低圧縮性媒体によつて満たされ
ていることと、を特徴とする電気的制御自在ばね素子。
（３）特許請求の範囲第１項において、前記電気的制御
自在ばね素子が機械的変成器と組合わされ、該電気的制
御自在ばね素子が１つの前記基本ばね素子を含むことと
、該機械的変成器が、上部蓋（２８）および下部蓋（２
９）と、該基本ばね素子を取巻きこれに対してシールさ
れ且つ該基本ばね素子の出力（２）に係合して配置され
た第１プランジャ（１８）と、該第１プランジャを取巻
きこれに対してシールされ且つ外側管状ケーシング（２
７）の一体部分として構成されていることによつて前記
電気的制御自在ばね素子からの出力を発生するようにな
つている第２外側プランジャ（２６）であつて、該ケー
シングが前記両蓋により案内されるようになつている該
第２外側プランジャ（２６）と、から成ることと、前記
上部蓋と前記第１プランジャの上部と前記ケーシングと
該第２プランジャの上側との間の空間（２１）および前
記下部蓋と前記第１プランジャの下部と前記ケーシング
と前記第２プランジャの下側との間の空間（２２）がそ
れぞれ超過圧力下の低圧縮性媒体によつて満たされてい
ることと、を特徴とする電気的制御自在ばね素子。