JPS63248100A - Negative ion sensitive probe - Google Patents

Negative ion sensitive probe

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JPS63248100A
JPS63248100A JP62082046A JP8204687A JPS63248100A JP S63248100 A JPS63248100 A JP S63248100A JP 62082046 A JP62082046 A JP 62082046A JP 8204687 A JP8204687 A JP 8204687A JP S63248100 A JPS63248100 A JP S63248100A
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collector
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negative ion
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雨宮 宏
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明はプラズマ中の負イオンを選択的に検出しその温
度、密度、エネルギー分布を測定することを可能とする
負イオン敏感プローブに関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Field of Industrial Application) The present invention relates to a negative ion sensitive probe that makes it possible to selectively detect negative ions in plasma and measure their temperature, density, and energy distribution.

(従来の技術) 近年プラズマ化学の発展と共にプラズマを用いた固体表
面のエツチング、洗浄、成膜、等表面改質が盛んとなっ
てきた。これらプラズマプロセスの効率良い制御のため
にはプラズマの状態、パラメータを監視することが必要
不可欠である。プラズマプロセスに用いられるプラズマ
ガスは水素、酸素、ハイドロカーボン、ハロゲン等のガ
ス及ヒこれらを不活性ガスで希釈したガスである。これ
らガスのプラズマは従来のプラズマとは異なり負イオン
を多く含んでいる。
(Prior Art) In recent years, with the development of plasma chemistry, surface modification such as etching, cleaning, film formation, etc. of solid surfaces using plasma has become popular. For efficient control of these plasma processes, it is essential to monitor plasma conditions and parameters. The plasma gas used in the plasma process is a gas such as hydrogen, oxygen, hydrocarbon, or halogen, or a gas obtained by diluting these gases with an inert gas. Unlike conventional plasma, these gas plasmas contain many negative ions.

(発明が解決しようとする問題点) 従って、これを従来のラングミュアプローブ(単探極)
法又はダブルプローブ(複探極)法で解析し電子密度、
電子温度、正イオン密度を求めることは大きい誤差をも
たらす。従って、プラズマ中の負イオンの密度、温度、
エネルギー分布を独立して求めることが必要であるが、
このための適当なプローブが従来存在しなかったという
問題があった。
(Problem to be solved by the invention) Therefore, this is compared to the conventional Langmuir probe (single probe).
electron density,
Determining the electron temperature and positive ion density results in large errors. Therefore, the density of negative ions in the plasma, the temperature,
Although it is necessary to obtain the energy distribution independently,
There has been a problem in that no suitable probe for this purpose has conventionally existed.

(問題点を解決するための手段) 上述した問題点はオリフィスを有するプローブ電極、こ
の電極のオリフィスから入射した荷電粒子を捕集するコ
レクタ、および前記オリフィスを通過した負の荷電粒子
のうち電子は偏向により前記コレクタに到達させず負イ
オンのみを選択的に前記コレクタに到達させる磁場を発
生する磁石により構成される負イオン敏感プローブによ
り解決される。
(Means for Solving the Problems) The above-mentioned problems include a probe electrode having an orifice, a collector that collects charged particles incident through the orifice of the electrode, and electrons among the negatively charged particles that have passed through the orifice. The problem is solved by a negative ion sensitive probe consisting of a magnet that generates a magnetic field that selectively allows only negative ions to reach the collector without being deflected.

、  この発明において、プローブ電極がコバールまた
はパーマロイ等の高透磁性材料から形成されていると、
電子偏向用磁石からの磁束が外部のプラズマ中に漏れず
好ましい。
In this invention, if the probe electrode is made of a highly permeable material such as Kovar or Permalloy,
It is preferable that the magnetic flux from the electron deflection magnet does not leak into the external plasma.

また、オリフィスの形状は円、スリット、網の目状いず
れの形状であってもよい。
Further, the shape of the orifice may be a circle, a slit, or a mesh shape.

さらに、オリフィスの血清は、磁束の漏れを防止し、か
つ負イオンの選択性を向上するように小さくされること
が好ましい。
Additionally, the orifice volume is preferably made small to prevent magnetic flux leakage and improve negative ion selectivity.

(作 用) プラズマに接触する電極のオリフィスを通して入射した
負の荷電粒子のうち電子はイオンと比較すると質量が極
めて軽いので、磁場によってより大きな偏向を受ける。
(Function) Of the negatively charged particles that enter through the orifice of the electrode in contact with the plasma, electrons have extremely low mass compared to ions, so they are deflected to a greater extent by the magnetic field.

従って、所定の磁場強度において、電子はコレクタに到
達せず、負イオンのみがコレクタに到達する。
Therefore, at a given magnetic field strength, no electrons reach the collector, but only negative ions.

(実施例) 以下、本発明を添付図面を用いて詳細に説明する。第1
図は本発明の負イオン敏感プローブの一実施例の概略断
面図である。プラズマに接触するプローブ電極Pには円
形のオリフィス(穴)○が設けられている。このプロー
ブ電極Pはコバールまたはパーマロイから形成される。
(Example) Hereinafter, the present invention will be described in detail using the accompanying drawings. 1st
The figure is a schematic cross-sectional view of one embodiment of the negative ion sensitive probe of the present invention. A circular orifice (hole) is provided in the probe electrode P that contacts the plasma. This probe electrode P is made of Kovar or Permalloy.

このプローブ電極Pの背後にはコレクタCが設けられて
いる。
A collector C is provided behind this probe electrode P.

プローブ電極PとコレクタCとの間には微小な円板状な
いし平板状磁石M1、M2が互いに極性が逆となるよう
対向して配置されている。これら構成要素はガラス、セ
ラミック等の絶縁管■により被覆されている。プローブ
電極Pがコバールまたはパーマロイにより形成されてい
ると、磁石M、、M2による磁場がプローブの外へは漏
洩せずプラズマを乱すことがなくなる。図示される様に
高透磁性のプローブ電極Pが磁性M、SM2を包囲する
様に延びているとプラズマ中への磁束漏れが更に防止さ
れ好ましい。オリフィス0の開口径はそれを通しての磁
束の漏洩が無視できる程度に小さく選ばれる(典型的な
例としてオリフィスOの直径は1+nm、プローブ電極
Pの直径はl cm程度とする)。
Between the probe electrode P and the collector C, minute disc-shaped or flat-plate magnets M1 and M2 are arranged facing each other so that their polarities are opposite to each other. These components are covered with an insulating tube (2) made of glass, ceramic, etc. If the probe electrode P is made of Kovar or Permalloy, the magnetic field generated by the magnets M, M2 will not leak out of the probe and will not disturb the plasma. It is preferable that the highly permeable probe electrode P extends so as to surround the magnetic M and SM2 as shown in the figure, since leakage of magnetic flux into the plasma can be further prevented. The aperture diameter of orifice 0 is selected to be small enough that leakage of magnetic flux through it is negligible (as a typical example, the diameter of orifice O is 1+nm and the diameter of probe electrode P is about 1 cm).

第2図は本発明の負イオン敏感プローブを用いたプロー
ブ電流1p及び負イオン電流1−の測定回路図を示す。
FIG. 2 shows a circuit diagram for measuring probe current 1p and negative ion current 1- using the negative ion sensitive probe of the present invention.

プローブ電極Pにはプローブ電圧用直流電源VPにより
電圧が印加されている。この電源V、には電流検出用オ
ペアンプOPが接続されている。このオペアンプOPの
出力と一方の入力との間には電流検出用抵抗Rが接続さ
れている。
A voltage is applied to the probe electrode P by a probe voltage DC power supply VP. A current detection operational amplifier OP is connected to this power supply V. A current detection resistor R is connected between the output and one input of the operational amplifier OP.

コレクタCにはコレクタ電圧用直流電源Vcにより電圧
が印加されている。この電源VCと直列にコレクタ電流
検出用微小電流計μAが接続されている。磁石M1、M
2によって作られる磁界の偏向作用により、オリフィス
0を通過した負イオンと電子のうち、負イオンのみがコ
レクタCに補集され、電流計μAによりコレクタ電圧V
cの関数として測定される。
A voltage is applied to the collector C by a collector voltage DC power supply Vc. A microcurrent meter μA for collector current detection is connected in series with this power supply VC. Magnet M1, M
Due to the deflection effect of the magnetic field created by 2, of the negative ions and electrons that have passed through the orifice 0, only the negative ions are collected in the collector C, and the collector voltage V is measured by the ammeter μA.
It is measured as a function of c.

第3図はプローブPに流れる電流i、を模式的に表わし
たものである。図中、■、はプラズマの空間電位であり
、■、をこれに対して変化させることにより非線形曲線
i p −V 、が得られる。■。
FIG. 3 schematically represents the current i flowing through the probe P. In the figure, ■ is the spatial potential of the plasma, and by changing ■ with respect to this, a nonlinear curve i p −V is obtained. ■.

〈〈V、では主としてプローブ電流は正イオン電流l。At <<V, the probe current is mainly the positive ion current l.

、VP>Vsでは電子電流12と負イオン電流i−とか
らなる。Vp<Vsの領域ではプローブ電流は主として
電子反発電流からなる。プラズマ中荷電粒子の速度分布
がマクスウェル分布からなるとき、IPはこれら電流の
総和からなり各成分は次式で表せる。
, VP>Vs, the current consists of an electron current 12 and a negative ion current i-. In the region of Vp<Vs, the probe current mainly consists of electron repulsion current. When the velocity distribution of charged particles in plasma consists of a Maxwellian distribution, IP is the sum of these currents, and each component can be expressed by the following equation.

1)  V、<<Vs 2)  V、<V。1) V, <<Vs 2) V, <V.

j、=  (ie+i  )−i=o       (
2)ここで 1+Oは〔1)で与えられる。
j, = (ie+i)−i=o (
2) Here, 1+O is given by [1).

3)  v、>v。3) v, >v.

ip= (i e −i−) −i、、       
(5)ここで 1eo=n、es(kTe/2πm)”   (6)i
  o=n、−es  (kT−/2zrM−)”’ 
 (7)また、e、mは電子の電荷と質量、kはボルツ
マン定数、M。1M−は正イオン、負イオンの質量、T
、、  T−は電子、正イオン、負イオンの温度、Sは
プローブの表面積である。
ip= (ie −i−) −i,,
(5) Here 1eo=n, es(kTe/2πm)” (6)i
o=n, -es (kT-/2zrM-)"'
(7) Also, e and m are the charge and mass of the electron, k is Boltzmann's constant, and M. 1M- is the mass of positive ions and negative ions, T
,, T- is the temperature of electrons, positive ions, and negative ions, and S is the surface area of the probe.

第6図においては、プローブ電流i、が電子電流18、
負イオン電流ミー1正イオン電流1.の各成分に分けら
れて同様に示されている。
In FIG. 6, the probe current i is the electron current 18,
Negative ion current me 1 Positive ion current 1. It is divided into each component and shown in the same way.

オリフィスを通過する電流は上式で与えられる電流に対
しオリフィス表面積/プローブ表血清の比とオリフィス
の立体角5in2(θ/2)を乗じたものとなる。この
電流の内電子電流成分を永久磁石の作る磁界により偏向
させコレクタには到達しなようにするための最小磁場は
次のようにして決定できる。
The current passing through the orifice is the current given by the above equation multiplied by the ratio of orifice surface area/probe surface serum and the solid angle of the orifice, 5 in 2 (θ/2). The minimum magnetic field for deflecting the electronic current component of this current by the magnetic field created by the permanent magnet so that it does not reach the collector can be determined as follows.

第4図はプローブを第1図の上方向からみた平面拡大模
式図である。ここでθはオリフィスの張る開口角度であ
る。オリフィスでかすめる方向Aからやってきた電子が
磁界により曲げられコレクタCに到達しない条件を考え
よう。入射する電子のx、y方向の速度成分をu、  
v、プローブとコレクタ間の電界をEとすると運動方程
式はmd2x/d t2=eE+eBdy/d t  
(9)md2y/d t2=−eBdx/d t   
 αQこれらの式をx=0でd x / d t l 
o= u 。
FIG. 4 is an enlarged plan view of the probe viewed from above in FIG. 1. Here, θ is the opening angle of the orifice. Let us consider a condition in which electrons coming from direction A that graze the orifice are bent by the magnetic field and do not reach collector C. The velocity components of the incident electron in the x and y directions are u,
v, and the electric field between the probe and collector is E, the equation of motion is md2x/d t2=eE+eBdy/d t
(9) md2y/d t2=-eBdx/d t
αQ These equations are d x / d t l when x=0
o=u.

dy/dtlo=vのもとで解き、この電子がコレクタ
Cに到達しない条件(x=dにおいて(dx/dt)2
≦0)となる条件を求めると次のようになる。
Solve under dy/dtlo=v, and find the condition that this electron does not reach the collector C ((dx/dt)2 at x=d)
≦0) is determined as follows.

V≧(2e(vp  Vs)/m+u2)/(2ωd)
 −ωd/2αυ 上式で決まる初速度u、vの電子の内コレクタに到達し
ない条件は第5図曲線■より上の領域で与えられる。−
力負イオンに対しては逆にコレクタに到達しうる条件は
第0υ式と逆の不等号となる。
V≧(2e(vp Vs)/m+u2)/(2ωd)
-ωd/2αυ The conditions under which electrons with initial velocities u and v determined by the above equations do not reach the collector are given in the region above the curve ■ in Figure 5. −
Conversely, for negative ions, the condition under which they can reach the collector is the opposite inequality to the 0υ equation.

但し、負イオンに対しては電子質量mを負イオンXiA
M−,ωをω1(負イオンサイクロトロン角周波数)で
置き換えることが必要である。この領域は第5図曲線■
より下の領域で与えられる。従って、電子は偏向されコ
レクタに達しないが、負イオンはあまり偏向を受けずコ
レクタに到達できる領域はIより上、かつ、■より下の
領域で与えられるオリフィスの開口角度が2θであるか
らvくu cosθ、v>−ucO9θなる条件がこれ
に加わる。
However, for negative ions, the electron mass m is expressed as negative ion XiA
It is necessary to replace M-, ω with ω1 (negative ion cyclotron angular frequency). This area is the curve in Figure 5■
given in the lower region. Therefore, electrons are deflected and do not reach the collector, but negative ions are not deflected much and can reach the collector because the opening angle of the orifice given by the region above I and below ■ is 2θ, so v The following conditions are added to this: ku cos θ, v>−ucO9θ.

最終的にコレクタに到達できる領域は■の斜線領域で与
えられる。即ち、第5図における磁場の強さB1プロー
ブ−コレクタ間距離dを領域■を満たすよう負イオン敏
感プローブを設計することにより負イオンのみを選択的
に検出できることが分かる。
The area where the collector can finally be reached is given by the diagonally shaded area. That is, it can be seen that only negative ions can be selectively detected by designing the negative ion sensitive probe so that the magnetic field strength B1 in FIG. 5, the probe-collector distance d, satisfies the region (2).

次に本発明負イオン敏感プローブを用いる第2図に示さ
れる測定回路により負イオン密度n−を求める方法を説
明する。第2図の回路図でV、を空間電位V、に対し正
負に振らせることによりi、−V、特性が得られる(通
常のプローブ動作)。
Next, a method for determining the negative ion density n- using the measuring circuit shown in FIG. 2 using the negative ion sensitive probe of the present invention will be explained. In the circuit diagram of FIG. 2, the i, -V characteristic can be obtained by making V vary positively and negatively with respect to the space potential V (normal probe operation).

次に、■、をV、よりもkT、/eの数倍高電位に設定
して置き、プローブに向かって電子、負イオンが互いに
熱速度で到達する条件にした上でV。を掃引することに
よってコレクタ電流−電圧(+c−VC)特性を測定す
る。このとき電子は殆どコレクタには到達しないことは
前述の通りである。
Next, (2) is set to a potential several times kT,/e higher than V, and the conditions are such that electrons and negative ions reach each other at a thermal velocity toward the probe. The collector current-voltage (+c-VC) characteristic is measured by sweeping. As mentioned above, at this time, almost no electrons reach the collector.

又、正イオンはV、がV、に対し数kT、高いのでプロ
ーブ及びオリフィスには殆ど到達しない。第6図はこの
ようにして測定された1c−vc特性を示す。図でV。
In addition, since V of positive ions is several kT higher than V, they hardly reach the probe and orifice. FIG. 6 shows the 1c-vc characteristics measured in this manner. V in the diagram.

>Vsでのi−の飽和値tcoはで与えられる。又Vc
<Vsでの特性はで与えられる。第6図で実線は上記(
12)、(13)式による理想的な特徴を表す。実際に
得られる測定値結果は点線に示されるように少し角が落
ちた状態となる。従って、VC<VSにおいてIogi
C−Vcをプロットするとlogicの勾配よりkT−
が決定でき、αり式にこの値を代入することによりn−
が決定できることになる。更に、n、 、 Ta 、 
 n。
>Vs, the saturation value tco of i- is given by. Also Vc
The characteristics at <Vs are given by. In Figure 6, the solid line is above (
12), represents the ideal characteristics according to equations (13). The actually obtained measurement results have a slightly rounded corner as shown by the dotted line. Therefore, Iogi
When C-Vc is plotted, kT-
can be determined, and by substituting this value into the α equation, n-
can be determined. Furthermore, n, , Ta,
n.

も以下のようにして求めることができる。即ち、1p−
Vp特性を同様に片対数プロットすると勾配よりToが
決定出来る。またIogi、−Vpの飽和電流値1.。
can also be obtained as follows. That is, 1p-
If the Vp characteristic is similarly plotted semi-logarithmically, To can be determined from the slope. Also, the saturation current value of Iogi, -Vp is 1. .

が分かると、(5) −(8)式にT 、  n、−、
Toを代入することにより′n、が得られる。v、>V
sでのi、の寄与は非常に小さいの で無視できる。上記T0の値をV、<<Vsでの正イオ
ン電流値、(1)式、に代入するとn、が決定できる。
Once we know, we can write T, n, −, in equations (5)-(8).
'n is obtained by substituting To. v,>V
The contribution of i in s is so small that it can be ignored. By substituting the above value of T0 into the positive ion current value at V<<Vs, equation (1), n can be determined.

つぎに、微小交流法を適用して負イオンのエネルギー分
布を測定する回路を第7図に示す。正弦波発振器F1、
F2から周波数f、、  F2の信号を搬送波除去変調
器MODに送り周波数fI+f2+f+  F2の信号
をコイルT2に印加しコレクタ電圧V。に重畳する。コ
レクタ電流ieの交流成分のうちビート成分2f2を狭
帯域選択増幅器Sで増幅しロックインアンプLの人力I
NIに導入する。
Next, FIG. 7 shows a circuit for measuring the energy distribution of negative ions by applying the minute alternating current method. sine wave oscillator F1,
From F2, a signal with a frequency f,, F2 is sent to the carrier removal modulator MOD, and a signal with a frequency fI+f2+f+F2 is applied to the coil T2, and the collector voltage V is applied. superimposed on Among the AC components of the collector current ie, the beat component 2f2 is amplified by the narrow band selection amplifier S, and the lock-in amplifier L is manually powered I.
Introduced to NI.

正弦波発振器F1、F2からの信号はミキサMXに送ら
れここで周波数2f2の信号を作りロックインアンプL
の入力IN2に導入することによりlcの二次微分に対
応する信号1c″゛を得る。これにより電子の場合に対
するドリベスタイン法(M。
The signals from the sine wave oscillators F1 and F2 are sent to the mixer MX, which generates a signal with a frequency of 2f2 and is sent to the lock-in amplifier L.
A signal 1c'' corresponding to the second derivative of lc is obtained by introducing it into the input IN2 of lc.This allows the Drivestein method (M.

J、Druyvesteyn  : 2.f、Phys
ik 64  (1930)787)に基づいて同様に
負イオンに対してもそのエネルギー分布が得られること
になる。上記微小交流法を適用して電子および負イオン
のエネルギー分布を測定する方法の回路構成は既に発表
済みのもの()1.Amemiya  :J、Phys
、Soc、 Japan 55(1986)169)で
ある。
Druyvestein, J.: 2. f, Phys.
ik 64 (1930) 787), the energy distribution for negative ions can be similarly obtained. The circuit configuration of the method for measuring the energy distribution of electrons and negative ions by applying the above-mentioned micro-current method is already published (2). Amemiya: J, Phys.
, Soc, Japan 55 (1986) 169).

微小交流法により二次微分を測定するもう一つの利点は
コレクタへのケーブルのもつ浮遊容量C1、電源V。か
らの浮遊容量C2による漏洩電流の影響を除去出来るこ
とである。即ち、電源Vcの掃引が速いとこれらC1、
C2による変位電流がicに対して無視出来なくなり測
定の品質を損なうことになる。この様な場合、上記微小
交流法を適用するとその出力信号1゜”は電流−電圧の
非線形性に基づくものであるからVcの一次に比例する
変位電流の影響は受けない。そして、1cはデジタル的
に二回積分を行うことにより得られる。
Another advantage of measuring the second derivative using the minute AC method is the stray capacitance C1 of the cable to the collector and the power supply V. It is possible to eliminate the influence of leakage current due to stray capacitance C2 from. That is, if the power supply Vc sweeps quickly, these C1,
The displacement current due to C2 cannot be ignored with respect to IC, and the quality of measurement will be impaired. In such a case, if the above minute AC method is applied, the output signal 1°'' is based on the nonlinearity of current-voltage, so it is not affected by the displacement current that is linearly proportional to Vc. can be obtained by performing two integrations.

第8図に第7図に示される測定回路により得られたコレ
クタ電流icとその2次微分量1゜”の典型的な曲線を
示す。
FIG. 8 shows a typical curve of the collector current IC obtained by the measuring circuit shown in FIG. 7 and its second-order differential amount 1°''.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明負イオン敏感プローブの構造を示す断面
図、 第2図は本発明負イオン敏感プローブ法によるプローブ
電流IP及び負イオン電流l−の測定回路図、 第3図はラングミュアプローブ特性i、−V、とその電
子電流成分1.、負イオン電流成分l−1正イオン電流
成分l。を模式的に示す図、第4図は本発明負イオン敏
感プローブの動作を説明するための模式的断面図と荷電
粒子の軌道を示す図、 第5図は電子のコレクタへ到達できない初速度領域(曲
線Iより上の領域)、負イオンがコレクタへ到達しうる
初速度領域(曲線■より下の領域)、およびオリフィス
の開口角(2θ)を考慮に入れ、電子は除去されるが負
イオンは補集される領域■を示す図、 第6図は負イオン敏感プローブのコレクタ電流(負イオ
ン電流)−電圧特性を示す図である。 第7図は本発明負イオン敏感プローブに交流重畳法によ
る微分回路を付加し負イオンのエネルギー分布、密度を
測定する方法を実施する回路を示す回路図、及び 第8図はコレクタ電流icとその二次分j)ic”対コ
レクタ電圧Vcの関炬を示す図。 Pニブローブ電極、■:絶縁部、C:しL/クタ、Ml
、M2:永久磁石、   O:オリイ7「ス、■、ニブ
ローブ電電圧画面流電源、 OP:電流検出オブアンプ、R:抵抗 Vc :コレクタ、 μA:コレクタ電流検旧用微小電流計 2θニオリフイス開口剤、 d:プローブーコレク″り間距離。 第3図 プローブ電圧vp 第6図 コレクター電圧■ 第8図
Figure 1 is a cross-sectional view showing the structure of the negative ion sensitive probe of the present invention, Figure 2 is a circuit diagram for measuring probe current IP and negative ion current l- by the negative ion sensitive probe method of the present invention, and Figure 3 is Langmuir probe characteristics. i, -V, and its electron current component 1. , negative ion current component l-1 positive ion current component l. 4 is a schematic cross-sectional view and a diagram showing the trajectory of charged particles to explain the operation of the negative ion sensitive probe of the present invention. FIG. 5 is an initial velocity region in which electrons cannot reach the collector. (area above curve I), initial velocity area where negative ions can reach the collector (area below curve ■), and orifice opening angle (2θ), electrons are removed but negative ions are removed. FIG. 6 is a diagram showing the collector current (negative ion current)-voltage characteristic of the negative ion sensitive probe. Fig. 7 is a circuit diagram showing a circuit for implementing a method of measuring the energy distribution and density of negative ions by adding a differential circuit based on the AC superposition method to the negative ion sensitive probe of the present invention, and Fig. 8 shows the collector current IC and its A diagram showing the relationship between the secondary component j) ic" and the collector voltage Vc. P nib electrode,
, M2: Permanent magnet; d: Distance between probe and collector. Figure 3 Probe voltage vp Figure 6 Collector voltage ■ Figure 8

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)オリフィスを有する電極、 この電極のオリフィスから入射した荷電粒子を捕集する
コレクタ、および 前記オリフィスを通過した負の荷電粒子のうち電子は偏
向により前記コレクタに到達させず負イオンのみを選択
的に前記コレクタに到達させる磁場を発生する磁石から
構成される負イオン敏感プローブ。
(1) An electrode with an orifice, a collector that collects charged particles incident from the orifice of this electrode, and electrons among the negatively charged particles that have passed through the orifice are deflected to select only negative ions without allowing them to reach the collector. A negative ion sensitive probe consisting of a magnet that generates a magnetic field that causes the magnetic field to reach said collector.
(2)前記プローブ電極が高透磁性材料から形成されて
いることを特徴とする特許請求の範囲第(1)項記載の
プローブ。
(2) The probe according to claim (1), wherein the probe electrode is made of a highly permeable material.
JP62082046A 1987-04-02 1987-04-02 Negative ion sensitive probe Expired - Fee Related JPH0665190B2 (en)

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WO2000024235A1 (en) * 1998-10-20 2000-04-27 Tokyo Electron Limited Method for measuring negative ions in plasma, and plasma treating method and apparatus
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