JPS63246916A - Inverter circuit - Google Patents
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- JPS63246916A JPS63246916A JP62082101A JP8210187A JPS63246916A JP S63246916 A JPS63246916 A JP S63246916A JP 62082101 A JP62082101 A JP 62082101A JP 8210187 A JP8210187 A JP 8210187A JP S63246916 A JPS63246916 A JP S63246916A
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- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体集積回路上に設けられたインバータ回路
に関し、特に、人力信号に対する出力信号の波形変化を
任意に遅らすことのできるインバータ回路に関するもの
である。[Detailed Description of the Invention] [Field of Industrial Application] The present invention relates to an inverter circuit provided on a semiconductor integrated circuit, and more particularly to an inverter circuit that can arbitrarily delay the waveform change of an output signal with respect to a human input signal. It is.
第5図は、NチャネルMOSトランジスタとPチャネル
MOSトランジスタの両方を用いたCMOS回路で構成
された従来のインバータ回路を示す回路図である。同図
において、1はドレインがノードN2に接続されゲート
がノードN1に接続されソースがグランド端子E1に接
続されたNチ島ネルMOSトランジスタ、2はドレイン
がノードN2に接続されゲートがノードNlに接続され
ソースが電圧VCCを供給する電源端子T1に接続され
たPチャネルMOSトランジスタ、T2は入力端子、T
3は出力端子であり、これらトランジスタ1,2と端子
TI、T2.T3はインバータ回路10を構成する。FIG. 5 is a circuit diagram showing a conventional inverter circuit configured with a CMOS circuit using both an N-channel MOS transistor and a P-channel MOS transistor. In the figure, 1 is an N-channel MOS transistor whose drain is connected to node N2, gate is connected to node N1, and source is connected to ground terminal E1, and 2 is an N-channel MOS transistor whose drain is connected to node N2 and gate is connected to node Nl. A P-channel MOS transistor whose source is connected to a power supply terminal T1 that supplies voltage VCC, T2 is an input terminal, and T2 is an input terminal.
3 is an output terminal, and these transistors 1 and 2 and terminals TI, T2 . T3 constitutes an inverter circuit 10.
次に動作について説明する。第6図(a)、 (blは
従来のインバータ回路の出力特性を示す信号波形図であ
り、第6図(a)は入力端子T2上の信号の波形、第6
図(b)は出力端子T3上の信号の波形である。Next, the operation will be explained. FIG. 6(a), (bl is a signal waveform diagram showing the output characteristics of a conventional inverter circuit, FIG. 6(a) is a waveform of a signal on input terminal T2,
Figure (b) shows the waveform of the signal on the output terminal T3.
入力端子T2がrHJレベルの時はトランジスタ1はオ
ン状態、トランジスタ2はオフ状態であるので、出力端
子T3はrLJレベルとなる。入力端子T2がrLJレ
ベルの時はトランジスタ1はオフ状態、トランジスタ2
はオン状態であるので、出力端子T3は「H」レベルに
なる。When the input terminal T2 is at the rHJ level, the transistor 1 is on and the transistor 2 is off, so the output terminal T3 is at the rLJ level. When input terminal T2 is at rLJ level, transistor 1 is off and transistor 2 is off.
is in the on state, so the output terminal T3 becomes "H" level.
入力端子T2の電圧がrHJレベルから「しjレベルへ
変化する場合、出力端子T3の電圧は「L」レベルから
rHJレベルへ変化するが、その変化するスピードは主
に出力端子T3の負荷容量とトランジスタ2の特性によ
り決まる。ある一定のコンダクタンスを持つトランジス
タ2に対して負荷容量が小さい場合は出力レベルがrL
JレベルからrHJレベルへ変化するスピードは速く、
逆に大きい場合は出力レベルがrLJレベルからrHJ
レベルへ変化するスピードは遅くなる。When the voltage at the input terminal T2 changes from the rHJ level to the ``J level'', the voltage at the output terminal T3 changes from the ``L'' level to the rHJ level, but the speed of the change mainly depends on the load capacitance of the output terminal T3. It is determined by the characteristics of transistor 2. If the load capacitance is small for transistor 2 which has a certain conductance, the output level will be rL.
The speed of change from J level to rHJ level is fast;
Conversely, if it is large, the output level will change from rLJ level to rHJ level.
The speed at which levels change will be slower.
同様に、入力端子T2の電圧がrLJレベルからrHJ
レベルへ変化する場合、出力端子T3の電圧はrHJレ
ベルからrLJレベルへ変化するが、その変化するスピ
ードは主に出力端子T3の負荷容量とトランジスタlの
特性により決まる。Similarly, the voltage at input terminal T2 changes from rLJ level to rHJ level.
When the voltage at the output terminal T3 changes from the rHJ level to the rLJ level, the speed of the change is mainly determined by the load capacitance of the output terminal T3 and the characteristics of the transistor l.
ある一定のコンダクタンスを持つトランジスタ1に対し
て負荷容量が小さい場合は出力レベルが「H」レベルか
らrLJレベルへ変化するスピードは速く、逆に大きい
場合は出力レベルがrHJレベルからrLJレベルへ変
化するスピードは遅くなる。When the load capacitance is small for transistor 1 having a certain conductance, the output level changes quickly from the "H" level to the rLJ level, and conversely, when it is large, the output level changes from the rHJ level to the rLJ level. Speed will be slower.
従来のインバータ回路においては、ある1つの入力信号
に対する出力信号の立上りおよび立下りのスピードは、
出力端子の負荷容量とトランジスタ1,2のコンダクタ
ンスによって一義的に決まってしまうため、一度インバ
ータ回路を形成した後では、出力信号の立上りや立下り
スピードを遅らすことはできないという問題があった。In a conventional inverter circuit, the rising and falling speeds of the output signal for one input signal are as follows:
Since it is uniquely determined by the load capacitance of the output terminal and the conductance of the transistors 1 and 2, there is a problem in that once the inverter circuit is formed, it is not possible to slow down the rise or fall speed of the output signal.
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、そ
の目的とするところは、出力信号の立上りや立下りのス
ピードを任意に遅らすことのできるインバータ回路を得
ることにある。The present invention has been made in view of these points, and its purpose is to provide an inverter circuit that can arbitrarily delay the rise and fall speeds of an output signal.
このような目的を達成するために本発明によるインバー
タ回路は、通常のインバータ回路の出力端子に外部から
容量値を変化させることのできる回路を加えることによ
って、出力端子の負荷を外部から制御可能となるように
構成したものである。In order to achieve such an object, the inverter circuit according to the present invention makes it possible to control the load on the output terminal from the outside by adding a circuit that can change the capacitance value from the outside to the output terminal of a normal inverter circuit. It is configured so that
本発明によるインバータ回路においては、出力信号の立
上りおよび立下りのスピードを任意に制御できる。In the inverter circuit according to the present invention, the rising and falling speeds of the output signal can be arbitrarily controlled.
本発明に係わるインバータ回路の一実施例を、Nチャネ
ルMOSトランジスタとPチャネルMOSトランジスタ
の両方を用いた0M03回路について説明する。第1図
にそのCMOS回路を示す。An embodiment of the inverter circuit according to the present invention will be described with reference to an 0M03 circuit using both an N-channel MOS transistor and a P-channel MOS transistor. FIG. 1 shows the CMOS circuit.
同図において、インバータ回路10は第1のNチャネル
MOSトランジスタ1とPチャネルMOSトランジスタ
2とを有する。NチャネルMOSトランジスタ1は、ド
レインがノードN2を介して出力端子T3に接続され、
ゲートがノードN1を介して入力端子T2に接続され、
ソースがグランド端子E1に接続されている。またPチ
ャネル間O3)ランジスタ2は、ドレインがノードN2
を介して出力端子T3に接続され、ゲートがノードN1
を介して入力端子T2に接続され、ソースが電圧VCC
を供給する電源端子T1に接続されている。In the figure, an inverter circuit 10 has a first N-channel MOS transistor 1 and a P-channel MOS transistor 2. N-channel MOS transistor 1 has a drain connected to output terminal T3 via node N2,
the gate is connected to the input terminal T2 via the node N1,
A source is connected to ground terminal E1. In addition, transistor 2 (between P channels O3) has its drain connected to node N2.
is connected to the output terminal T3 through the gate, and the gate is connected to the node N1.
is connected to input terminal T2 through
It is connected to a power supply terminal T1 that supplies power.
20は可変容量付加回路である。この可変容量付加回路
20は、第2のNチャネルMOSトランジスタ3、キャ
パシタ4、抵抗5および外部電圧印加用パッド6から構
成されている。NチャネルMOSトランジスタ3は、ド
レインがノードN3を介して出力端子T3に接続され、
ゲートがノードN4に接続され、ソースがノードN5に
接続されている。キャパシタ4は容量値C1を持ち、一
端がノードN5に接続され、他端がグランド端子E2に
接続されている。抵抗5は抵抗値R1を持ち、一端がノ
ードN4に接続され、他端がグランド端子E3に接続さ
れている。外部電圧印加用パッド6はノードN4に接続
されている。20 is a variable capacitance addition circuit. This variable capacitance addition circuit 20 is composed of a second N-channel MOS transistor 3, a capacitor 4, a resistor 5, and an external voltage application pad 6. N-channel MOS transistor 3 has a drain connected to output terminal T3 via node N3,
The gate is connected to node N4, and the source is connected to node N5. Capacitor 4 has a capacitance value C1, one end is connected to node N5, and the other end is connected to ground terminal E2. The resistor 5 has a resistance value R1, one end is connected to the node N4, and the other end is connected to the ground terminal E3. External voltage application pad 6 is connected to node N4.
次に動作について説明する。抵抗値R1は外部電圧が印
加されやすいように大きいものとしておく。第2図は、
パッド6に与える電圧を変化させた時のインバータ回路
1aの出力特性を示す。第2図(a)は入力端子T2上
の信号波形、第2図(b)は出力端子T3上の信号波形
を示す。まず、パフドロに電圧を印加しない状態では、
ノードN4は抵抗5を通してグランド端子E3につなが
っているので、ノードN4上の電位はグランドレベルと
なる。この時トランジスタ3はオフ状態であるので、ノ
ードN3には余分な容量は付加されず、その出力特性は
、第2図(blの実線で示すように、第6図の従来例の
インバータ出力特性と同じになる。Next, the operation will be explained. The resistance value R1 is set to be large so that an external voltage can be easily applied. Figure 2 shows
The output characteristics of the inverter circuit 1a are shown when the voltage applied to the pad 6 is changed. FIG. 2(a) shows the signal waveform on the input terminal T2, and FIG. 2(b) shows the signal waveform on the output terminal T3. First, when no voltage is applied to the puff drawer,
Since the node N4 is connected to the ground terminal E3 through the resistor 5, the potential on the node N4 becomes the ground level. At this time, transistor 3 is in the off state, so no extra capacitance is added to node N3, and its output characteristics are as shown by the solid line in FIG. becomes the same as
次に、パッド6にVTHN(NチャネルMOSトランジ
スタ3の閾値電圧)+Vccの電圧を印加した状態では
、ノードN3およびノードN5の電圧がVCCレベルで
もグランドレベルでもトランジスタ3は常にオン状態で
あるので、ノードN3には容量値C1の負荷容量が付加
されることになる。Next, when a voltage of VTHN (threshold voltage of N-channel MOS transistor 3) + Vcc is applied to pad 6, transistor 3 is always on regardless of whether the voltages at node N3 and node N5 are at VCC level or at ground level. A load capacitance with a capacitance value C1 is added to the node N3.
これによりインバータ回路10の出力信号の立上りおよ
び立下りスピードが遅れ、第2図(b)に一点鎖線で示
すようなインバータ出力特性となる。As a result, the rising and falling speeds of the output signal of the inverter circuit 10 are delayed, resulting in the inverter output characteristics as shown by the dashed line in FIG. 2(b).
また、パッド6に■ア□+(Vcc/2)の電圧を印加
した状態では、ノードN3の電位がVCCの状態でもノ
ードN4にはVcc/2までしか電圧がかからないので
、キャパシタ4に蓄えられる電荷量はQ=CVよりノー
ドN4にVTHN+■Ccの電圧を与えた状態の半分に
なる。これによって、ノードN3に付加される負荷容量
の値は実質上C1/2となり、第2図(b)に点線で示
すようなインバータ出力特性となる。Furthermore, when a voltage of ■A□+(Vcc/2) is applied to the pad 6, even if the potential of the node N3 is VCC, the voltage is only applied to the node N4 up to Vcc/2, so that the voltage is stored in the capacitor 4. Since Q=CV, the amount of charge becomes half of the state in which a voltage of VTHN+■Cc is applied to node N4. As a result, the value of the load capacitance added to the node N3 becomes substantially C1/2, resulting in an inverter output characteristic as shown by the dotted line in FIG. 2(b).
第3図は本発明の第2の実施例を示す回路図であり、イ
ンバータ回路10は第1の実施例と同一のものであり、
30は可変容量付加回路である。FIG. 3 is a circuit diagram showing a second embodiment of the present invention, in which the inverter circuit 10 is the same as that of the first embodiment,
30 is a variable capacitance addition circuit.
可変容量付加回路30は、第2のPチャネルMOSトラ
ンジスタ3asキャパシタ4a’b抵抗5aおよび外部
電圧印加用パッド6aから構成されている。Pチャネル
間O3)ランジスタ3aは、ドレインがノードN3を介
して出力端子T3に接続され、ゲートがノードN6に接
続され、ソースがノードN7に接続されている。容量値
C2を持つキャパシタ4aは、一端が電圧■。、を供給
する電源端子T4に接続され、他端がノードN7に接続
されている。抵抗値R2を持つ抵抗5aは、一端が電圧
VCCを供給する電源端子T5に接続され、他端がノー
ドN6に接続されている。外部電圧印加用パッド6aは
ノードN6に接続されている。The variable capacitance addition circuit 30 is composed of a second P-channel MOS transistor 3as, a capacitor 4a'b, a resistor 5a, and an external voltage application pad 6a. The P-channel transistor 3a has a drain connected to the output terminal T3 via the node N3, a gate connected to the node N6, and a source connected to the node N7. The capacitor 4a having a capacitance value C2 has a voltage ■ at one end. , and the other end is connected to a node N7. One end of the resistor 5a having a resistance value R2 is connected to the power supply terminal T5 that supplies the voltage VCC, and the other end is connected to the node N6. External voltage application pad 6a is connected to node N6.
第3図に示す回路の動作は、第1図、第2図に示した第
1の実施例の動作と同様で、入力端子T2上の信号aの
波形を第4図(a)に示し、出力端子T3上の信号すの
波形を第4図(b)に示す。第3図の抵抗5aの抵抗値
R2は十分大きな値をもつものとする。まず、パッド6
aに電圧を印加しない状態では、ノードN6は抵抗5a
を通じて電源端子T5とつながっているので、ノードN
6上の電位はVCCとなる。この時トランジスタ3aは
オフ状態であるので、ノードN3に余分な容量は付加さ
れず、その出力特性は、第4図(b)の実線で示すよう
に、第6図の従来例のインバータの出力特性と同じにな
る。The operation of the circuit shown in FIG. 3 is similar to the operation of the first embodiment shown in FIGS. 1 and 2, and the waveform of the signal a on the input terminal T2 is shown in FIG. The waveform of the signal on the output terminal T3 is shown in FIG. 4(b). It is assumed that the resistance value R2 of the resistor 5a in FIG. 3 has a sufficiently large value. First, pad 6
When no voltage is applied to a, the node N6 is connected to the resistor 5a.
Since it is connected to the power supply terminal T5 through the node N
The potential on 6 becomes VCC. Since the transistor 3a is in the off state at this time, no extra capacitance is added to the node N3, and its output characteristics are as shown by the solid line in FIG. be the same as the characteristics.
次に、パッド6aに−I Vtop l (VTMP
はPチャネルMOSトランジスタ3aの闇値電圧)の電
圧を印加した状態では、ノードN3およびノードN7の
電圧がVCCレベルでもグランドレベルでもトランジス
タ3aは常にオン状態であるので、ノードN3には容量
値C2の負荷容量が付加されることになる。これにより
インバータ回路10の出力信号の立上りおよび立下りの
スピードが遅れ、第4図(b)に一点鎖線で示すような
インバータ出力特性となる。Next, -I Vtop l (VTMP
is the dark value voltage of P-channel MOS transistor 3a), transistor 3a is always on whether the voltages at nodes N3 and N7 are VCC level or ground level, so node N3 has a capacitance value C2. This will add a load capacity of . As a result, the rising and falling speeds of the output signal of the inverter circuit 10 are delayed, resulting in the inverter output characteristics as shown by the dashed line in FIG. 4(b).
また、パッド6aに(Vcc/ 2 ) l VT
MP lの電圧を印加した状態では、ノードN3がグラ
ンドレベルまで下がってもノードN7の電圧はVCC/
2までしか下がらないので、キャパシタ4aに蓄えられ
る電荷量はQ=CVよりノードN6に一1Vy+<pl
の電圧を与えた状態の半分になる。これによって、ノー
ドN3に付加される負荷容量は実質上C2/2となり、
第4図(b)に点線で示すようなインバータ出力特性と
なる。Also, (Vcc/2) l VT to pad 6a
When the voltage MP l is applied, even if node N3 falls to the ground level, the voltage at node N7 remains VCC/
2, the amount of charge stored in the capacitor 4a is -1Vy+<pl at node N6 from Q=CV.
It becomes half of the state when the voltage is applied. As a result, the load capacity added to node N3 becomes substantially C2/2,
The inverter output characteristics are as shown by the dotted line in FIG. 4(b).
また、上記実施例では、CMOSインバータ回路単体の
動作について説明したが、実際の使用例として、例えば
、最適ポイントがはっきりしない遅延用インバータ回路
や、出力信号波形の立上り・立下りのスピードが重要な
意味を持つ内部クロックの出力段などに本発明によるイ
ンバータ回路を使用する例がある。この場合も上記実施
例の場合と同様に遅延や出力信号波形を任意に変えるこ
とができ、デバイスのマージン評価や消費電流の評価等
に非常に有効となる。In addition, in the above embodiment, the operation of a single CMOS inverter circuit was explained, but as an actual usage example, for example, a delay inverter circuit where the optimum point is not clear, or a case where the rising and falling speed of the output signal waveform is important. There is an example in which the inverter circuit according to the present invention is used in the output stage of a meaningful internal clock. In this case as well, the delay and output signal waveform can be changed arbitrarily as in the case of the above embodiment, which is very effective for evaluating device margins and current consumption.
以上説明したように本発明は、外部から容量値を変化さ
せ得る可変容量付加回路を出力端子に接続したことによ
り、インバータ回路の出力信号の立上りと立上りのスピ
ードを任意に遅らせることができるので、デバイスにお
ける遅延の最適化あるいは様々な評価に対して非常に有
効なデータを容易に得ることができるという効果がある
。As explained above, in the present invention, by connecting a variable capacitance addition circuit that can change the capacitance value externally to the output terminal, it is possible to arbitrarily delay the rise and rise speed of the output signal of the inverter circuit. This has the advantage that very useful data can be easily obtained for delay optimization or various evaluations in devices.
第1図は本発明に係わるインバータ回路の一実施例を示
す回路図、第2図はその動作を説明するための信号波形
図、第3図は本発明の第2の実施例を示す回路図、第4
図はその動作を説明するための信号波形図、第5図は従
来のインバータ回路を示す回路図、第6図はその動作を
説明するための信号波形図である。
1.3・・・NチャネルMOSトランジスタ、2・・・
PチャネルMOSトランジスタ、4・・・キャパシタ、
5・・・抵抗、6・・・パッド、T1・・・電源端子、
T2・・・入力端子、T3・・・出力端子、N l −
N 5・・・ノード、E1〜E3・・・グランド端子、
10・・・インバータ回路、20・・・可変容量付加回
路。Fig. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of an inverter circuit according to the present invention, Fig. 2 is a signal waveform diagram for explaining its operation, and Fig. 3 is a circuit diagram showing a second embodiment of the invention. , 4th
The figure is a signal waveform diagram for explaining its operation, FIG. 5 is a circuit diagram showing a conventional inverter circuit, and FIG. 6 is a signal waveform diagram for explaining its operation. 1.3...N channel MOS transistor, 2...
P-channel MOS transistor, 4... capacitor,
5...Resistor, 6...Pad, T1...Power terminal,
T2...Input terminal, T3...Output terminal, Nl-
N5...Node, E1-E3...Ground terminal,
10... Inverter circuit, 20... Variable capacitance addition circuit.
Claims (3)
おいて、外部から容量値を変化させ得る可変容量付加回
路を出力端子に接続したことを特徴とするインバータ回
路。(1) An inverter circuit provided on a semiconductor integrated circuit, characterized in that a variable capacitance addition circuit capable of externally changing the capacitance value is connected to an output terminal.
ドレインが出力端子に接続されゲートが入力端子に接続
されたPチャネルMOSトランジスタと、ソースがグラ
ンド端子に接続されドレインが出力端子に接続されゲー
トが入力端子に接続された第1のNチャネルMOSトラ
ンジスタとを有し、可変容量付加回路は、第2のNチャ
ネルMOSトランジスタと、この第2のNチャネルMO
Sトランジスタのゲートに接続された外部電圧印加用パ
ッドとを有し、前記第2のNチャネルMOSトランジス
タは、グランド端子に一端が接続されたキャパシタの他
端にソースが接続され、グランド端子に一端が接続され
た抵抗の他端にゲートが接続され、前記出力端子にドレ
インが接続されたことを特徴とする特許請求の範囲第1
項記載のインバータ回路。(2) The inverter circuit consists of a P-channel MOS transistor whose source is connected to a power supply terminal, whose drain is connected to an output terminal, and whose gate is connected to an input terminal, and a P-channel MOS transistor whose source is connected to a ground terminal, whose drain is connected to an output terminal, and whose gate is has a first N-channel MOS transistor connected to the input terminal, and the variable capacitance addition circuit has a second N-channel MOS transistor and a first N-channel MOS transistor connected to the input terminal.
the second N-channel MOS transistor has a source connected to the other end of a capacitor which has one end connected to the ground terminal, and one end connected to the ground terminal. Claim 1, characterized in that a gate is connected to the other end of the resistor connected to the resistor, and a drain is connected to the output terminal.
Inverter circuit described in section.
ドレインが出力端子に接続されゲートが入力端子に接続
された第1のPチャネルMOSトランジスタと、ソース
がグランド端子に接続されドレインが出力端子に接続さ
れゲートが入力端子に接続されたNチャネルMOSトラ
ンジスタとを有し、可変容量付加回路は、第2のPチャ
ネルMOSトランジスタと、この第2のPチャネルMO
Sトランジスタのゲートに接続された外部電圧印加用パ
ッドとを有し、前記第2のPチャネルMOSトランジス
タは、電源端子に一端が接続されたキャパシタの他端に
ソースが接続され、電源端子に一端が接続された抵抗の
他端にゲートが接続され、前記出力端子にドレインが接
続されたことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の
インバータ回路。(3) The inverter circuit consists of a first P-channel MOS transistor whose source is connected to a power supply terminal, whose drain is connected to an output terminal, and whose gate is connected to an input terminal; and a first P-channel MOS transistor whose source is connected to a ground terminal and whose drain is connected to an output terminal. The variable capacitance addition circuit includes a second P-channel MOS transistor and an N-channel MOS transistor whose gate is connected to the input terminal.
an external voltage application pad connected to the gate of the S transistor; the second P-channel MOS transistor has a source connected to the other end of a capacitor which has one end connected to the power supply terminal; and one end connected to the power supply terminal. 2. The inverter circuit according to claim 1, wherein a gate is connected to the other end of the resistor connected to the resistor, and a drain is connected to the output terminal.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62082101A JPS63246916A (en) | 1987-04-02 | 1987-04-02 | Inverter circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62082101A JPS63246916A (en) | 1987-04-02 | 1987-04-02 | Inverter circuit |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JPS63246916A true JPS63246916A (en) | 1988-10-13 |
Family
ID=13765022
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62082101A Pending JPS63246916A (en) | 1987-04-02 | 1987-04-02 | Inverter circuit |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63246916A (en) |
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WO1996038912A1 (en) * | 1995-06-02 | 1996-12-05 | Advantest Corporation | Variable delay circuit |
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