JPS63240502A - Ａｕ透過型グレ−テイングの製作法 - Google Patents
Ａｕ透過型グレ−テイングの製作法Info
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- JPS63240502A JPS63240502A JP7570287A JP7570287A JPS63240502A JP S63240502 A JPS63240502 A JP S63240502A JP 7570287 A JP7570287 A JP 7570287A JP 7570287 A JP7570287 A JP 7570287A JP S63240502 A JPS63240502 A JP S63240502A
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- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 title claims abstract description 24
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 24
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 23
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims abstract description 20
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims abstract description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 19
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 14
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 13
- XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N Fluoroform Chemical compound FC(F)F XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims abstract description 11
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 11
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims abstract description 11
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 11
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims abstract description 9
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 6
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims abstract description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 11
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims description 2
- 229910018487 Ni—Cr Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 claims 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 claims 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 abstract description 11
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 abstract description 8
- 238000000059 patterning Methods 0.000 abstract description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 4
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 4
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102220479525 Transcription cofactor vestigial-like protein 1_R18E_mutation Human genes 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- XZWYZXLIPXDOLR-UHFFFAOYSA-N metformin Chemical compound CN(C)C(=N)NC(N)=N XZWYZXLIPXDOLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 102000004169 proteins and genes Human genes 0.000 description 1
- 108090000623 proteins and genes Proteins 0.000 description 1
- 238000007665 sagging Methods 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、・軟Ｘ線用ＡＬＩ透過型グレーティングの製
作法に関する。
作法に関する。
（従来の技術）
近年、ＳＯＲやレーザプラズマ等の強力なＸ線源の出現
により軟Ｘ線領域（１人〜数１ｏｏ人）における研究や
応用が拡大しつつある。この分野における応用として、
軟Ｘ線領域での水とたんばく質のＸ線透過率の差を利用
し、生物を生きたままで観察するＸ線顕微鏡や、波長が
可視光に比べて極端に短いため２回折効果の影響が無視
できるほど小さいことを利用して解像度を高めるＸ線露
光装置等９次代の産業を担うような応用ががんがえられ
る。また、この軟Ｘ線領域における物性を調べることに
より、全く新しい応用分野の広がりも期待できる。
により軟Ｘ線領域（１人〜数１ｏｏ人）における研究や
応用が拡大しつつある。この分野における応用として、
軟Ｘ線領域での水とたんばく質のＸ線透過率の差を利用
し、生物を生きたままで観察するＸ線顕微鏡や、波長が
可視光に比べて極端に短いため２回折効果の影響が無視
できるほど小さいことを利用して解像度を高めるＸ線露
光装置等９次代の産業を担うような応用ががんがえられ
る。また、この軟Ｘ線領域における物性を調べることに
より、全く新しい応用分野の広がりも期待できる。
゛ 軟Ｘ線領域においては、波長が可視光に比べて極端
に短いため、全ての物質の屈折率は略１と考えて差支え
なく、また通常の反射率も殆どゼロとなるため、屈折や
反射を利用した光学系を組むことは困難である。そのた
め、この領域における分光素子として可視光のような反
射型のグレーティングを可視領域と同じようには使用で
きず、一般には斜入射で使用するため、光学系が複雑に
なりまた分解能を上げることも難しい。このため、この
領域における分光素子としては軟Ｘ線における吸収帯と
透過帯を交互に配置したすだれ状の透過型グレーティン
グが非常に有望であり、また垂直入射で使用できるため
光学系の配置も簡単であり効果的な分光を期待できる。
に短いため、全ての物質の屈折率は略１と考えて差支え
なく、また通常の反射率も殆どゼロとなるため、屈折や
反射を利用した光学系を組むことは困難である。そのた
め、この領域における分光素子として可視光のような反
射型のグレーティングを可視領域と同じようには使用で
きず、一般には斜入射で使用するため、光学系が複雑に
なりまた分解能を上げることも難しい。このため、この
領域における分光素子としては軟Ｘ線における吸収帯と
透過帯を交互に配置したすだれ状の透過型グレーティン
グが非常に有望であり、また垂直入射で使用できるため
光学系の配置も簡単であり効果的な分光を期待できる。
透過型グレーティングの透過帯には、軟Ｘ線領域全てに
わたって優れた透過率を示す物質がないため、吸収帯だ
けをすだれのような配置、すなわち透過帯の部分は何も
ない中空状態にする必要がある。また、軟Ｘｆｌ領域で
は吸収帯の部分を透過してくる光も無視できなくなる。
わたって優れた透過率を示す物質がないため、吸収帯だ
けをすだれのような配置、すなわち透過帯の部分は何も
ない中空状態にする必要がある。また、軟Ｘｆｌ領域で
は吸収帯の部分を透過してくる光も無視できなくなる。
その効果を考慮した式は、 Ａｐｐｌ、Ｏｐｔ、１６［
４］１０８８（’７７）によれば。
４］１０８８（’７７）によれば。
ｍ次の効率ｎ（′）は。
２８ＸＩ）（−ＱＺｋ）ＣＯ３（ＱＺδ））−・−−−
−−−−・−・−（１）である。ここに、ｄはグレーテ
ィングの周期、ａはグレーティングの開口部の幅、２は
グレーティングの吸収材の厚みであり、δ、にはそれぞ
れｎ＝１−δ＋ｉｋで表される吸収材の屈折率の実数部
と虚数部であり、ｑは波数である。
−−−−・−・−（１）である。ここに、ｄはグレーテ
ィングの周期、ａはグレーティングの開口部の幅、２は
グレーティングの吸収材の厚みであり、δ、にはそれぞ
れｎ＝１−δ＋ｉｋで表される吸収材の屈折率の実数部
と虚数部であり、ｑは波数である。
（１）式を用いて計算したＡｕが吸収帯である場合の波
長と効率の関係を第２図に示す。吸収帯としては、その
加工性の良好さと軟Ｘ線領域全般にわたり吸収率がよい
Ａｕが一般に使用される。
長と効率の関係を第２図に示す。吸収帯としては、その
加工性の良好さと軟Ｘ線領域全般にわたり吸収率がよい
Ａｕが一般に使用される。
ＡＬＪの屈折率は、“Ｈａｎｄｂｏｏｋ ｏｆ ０ｐｔ
ｉｃａｌ Ｃｏｎ５−ｔａｎｔｓ ｏｆ ５ｏｌｉｄ”
、ｐ２９０．Ａｃａｄｅｍｉｃ Ｐｒｅｓｓ、Ｎｅｗ
Ｙｏｒｋ１９８５より引用した。
ｉｃａｌ Ｃｏｎ５−ｔａｎｔｓ ｏｆ ５ｏｌｉｄ”
、ｐ２９０．Ａｃａｄｅｍｉｃ Ｐｒｅｓｓ、Ｎｅｗ
Ｙｏｒｋ１９８５より引用した。
第２図よりＡｕの厚みが薄い場合は、１０λ以下で効率
の著しい低下があり、１０λ以下の波長ではＡＬＪの厚
みは０．５〜０．７μｍ程度がよいことがわかる。さら
に、短波長領域においてはＡｕの厚みはさらに厚いこと
が望まれ、使用波長に最適なグレーティングの吸収帯と
してのＡＬＩの厚みが存在することがわかる。すなわち
、１〜ＩＯＡ近辺で使用できる透過型グレーティングを
製作するためには、吸収帯であるＡＬＩを厚クシ、かつ
最適な厚さに制御することが強く望まれる。さらに、吸
収帯の断面形状も分光性能に強く影響を及ぼすので。
の著しい低下があり、１０λ以下の波長ではＡＬＪの厚
みは０．５〜０．７μｍ程度がよいことがわかる。さら
に、短波長領域においてはＡｕの厚みはさらに厚いこと
が望まれ、使用波長に最適なグレーティングの吸収帯と
してのＡＬＩの厚みが存在することがわかる。すなわち
、１〜ＩＯＡ近辺で使用できる透過型グレーティングを
製作するためには、吸収帯であるＡＬＩを厚クシ、かつ
最適な厚さに制御することが強く望まれる。さらに、吸
収帯の断面形状も分光性能に強く影響を及ぼすので。
原形状のものが強く望まれる。
Ａｕ透過型グレーティング製作法としては、まず元とな
るレジストパターンの製作法に、電子ビーム直接描画（
ＥＢ描画）とホログラフィック露光法とがある。元とな
るグレーティングのレジストパターン製作において、Ｅ
Ｂ描画は描画に要する時間がかかり、大面積で本数が多
くなればなるほど級数的に長くなり、またグレーティン
グの性能に最も影響を与える周期誤差の点でも、ホログ
ラフィック露光法に劣るため、グレーティングパターン
の製作法としては、ホログラフィック露光法が最も適し
ている。
るレジストパターンの製作法に、電子ビーム直接描画（
ＥＢ描画）とホログラフィック露光法とがある。元とな
るグレーティングのレジストパターン製作において、Ｅ
Ｂ描画は描画に要する時間がかかり、大面積で本数が多
くなればなるほど級数的に長くなり、またグレーティン
グの性能に最も影響を与える周期誤差の点でも、ホログ
ラフィック露光法に劣るため、グレーティングパターン
の製作法としては、ホログラフィック露光法が最も適し
ている。
ホログラフィック露光法を用いて、軟Ｘ線用Ａｕ透過型
グレーティングを製作する方法としては。
グレーティングを製作する方法としては。
５ｐａｃｅ Ｓｃｉ、Ｔｎｓｔｒｕａ＋、２３６３（’
７６）やＡｐｐｌ、 Ｏｐｔ、 １６［４］１０８ｇ（
’７７）等によれば、ホログラフィック露光法で作成し
たレジストパターンをそのままメッキ用ステンシルとし
て使用しＡｕ電気メッキを行い。
７６）やＡｐｐｌ、 Ｏｐｔ、 １６［４］１０８ｇ（
’７７）等によれば、ホログラフィック露光法で作成し
たレジストパターンをそのままメッキ用ステンシルとし
て使用しＡｕ電気メッキを行い。
その後膜をはがして支持台に取付けている。この方法に
よれば、ホログラフィック露光法を用いている点は優れ
ているが、アスペクト比が小さく断面形状が正弦波状の
レジストパターンをメッキ用ステンシルとしているため
、第２図かられかるように使用波長１０Ａ以下ではＸ線
の吸収を十分に満たすことができず、また位相格子とし
ての効果を持たして効率を高めることもできない。しか
も。
よれば、ホログラフィック露光法を用いている点は優れ
ているが、アスペクト比が小さく断面形状が正弦波状の
レジストパターンをメッキ用ステンシルとしているため
、第２図かられかるように使用波長１０Ａ以下ではＸ線
の吸収を十分に満たすことができず、また位相格子とし
ての効果を持たして効率を高めることもできない。しか
も。
その断面形状が正弦波状にしかできないこと、ざらには
、Ｓをはがして支持枠に取付けていること等分光性能と
して大きな欠点を有している。
、Ｓをはがして支持枠に取付けていること等分光性能と
して大きな欠点を有している。
（目 的）
本発明は、上記したような欠点をなくすため。
ボログラフィック露光法と反応性イオンビームエツチン
グ、ＡＬＩ電気メッキ、基板の周辺部を支持枠として残
したバックエツチングを行うことによりホログラフィッ
ク露光法の特性を生かして２口径が大きく、十分なＡｕ
の厚みを持った分光特性の優れた軟Ｘ線用透過型グレー
ティングを提供することを目的とする。
グ、ＡＬＩ電気メッキ、基板の周辺部を支持枠として残
したバックエツチングを行うことによりホログラフィッ
ク露光法の特性を生かして２口径が大きく、十分なＡｕ
の厚みを持った分光特性の優れた軟Ｘ線用透過型グレー
ティングを提供することを目的とする。
（構 成）
本発明では、大口径で分光特性の優れた軟Ｘ線用透過型
グレーティングを製作するため、ホログラフィック露光
法を用い、吸収帯であるＡｕに十分な厚みと原形状の断
面を与えるように、ホトレジストとポリイミドの間に中
間層としてＳｉＯ２を介在し、ホトレジストからＳｉＯ
２へのバターニングには、フロロホルム（ＣＨＦ３ ）
反応性イオンエツチングまたは反応性イオンビームエツ
チングを行い、５ｉＱ２からポリイミドのバターニング
には、ｉｖ素（Ｏ２）反応性イオンエツチング又は反応
性イオンビームエツチングを行って作成した垂直側壁の
ポリイミドパターンをメッキ用ステンシルとしてＡｕ電
気メッキを行い、製作したＡＬＪ透過型グレーティング
パターンに適度な緊張を持たせるため、基板の周辺部を
支持枠として残しバックエツチングを行うことを特徴と
するＡＬＪ透過型グレーティングの作製法である。
グレーティングを製作するため、ホログラフィック露光
法を用い、吸収帯であるＡｕに十分な厚みと原形状の断
面を与えるように、ホトレジストとポリイミドの間に中
間層としてＳｉＯ２を介在し、ホトレジストからＳｉＯ
２へのバターニングには、フロロホルム（ＣＨＦ３ ）
反応性イオンエツチングまたは反応性イオンビームエツ
チングを行い、５ｉＱ２からポリイミドのバターニング
には、ｉｖ素（Ｏ２）反応性イオンエツチング又は反応
性イオンビームエツチングを行って作成した垂直側壁の
ポリイミドパターンをメッキ用ステンシルとしてＡｕ電
気メッキを行い、製作したＡＬＪ透過型グレーティング
パターンに適度な緊張を持たせるため、基板の周辺部を
支持枠として残しバックエツチングを行うことを特徴と
するＡＬＪ透過型グレーティングの作製法である。
以下余白
（実施例）
以下２図面に基づいて本発明実施例を説明する、第１図
で、まずＳｉウェーハ１上にＮｉ−Ｃｒを２００人、Ａ
ｕを５０ＯＡ真空蒸着し、Ｎｉ−ＣｒＦ！！２とＡｕ層
３を形成する＊ Ｎ Ｉ−Ｃｒ Ｆｊ ２はＳｉウェー
ハｌとＡｕＦｊ３との密着性を高めるための下地コーテ
ィングである。そして、 ＡｕＦＪＢ上にポリイミド５
Ｐ−５１０を１１．スピンナー塗布した後、ＳｉＯｘを
ＥＢ蒸着して、その上にホトレジストであるマイクロポ
ジット１４００を２０００Å塗布し、ポリイミドＮ４，
ＳｉＯ２層５ホトレジストＮ６を形成する（第１図（１
））。
で、まずＳｉウェーハ１上にＮｉ−Ｃｒを２００人、Ａ
ｕを５０ＯＡ真空蒸着し、Ｎｉ−ＣｒＦ！！２とＡｕ層
３を形成する＊ Ｎ Ｉ−Ｃｒ Ｆｊ ２はＳｉウェー
ハｌとＡｕＦｊ３との密着性を高めるための下地コーテ
ィングである。そして、 ＡｕＦＪＢ上にポリイミド５
Ｐ−５１０を１１．スピンナー塗布した後、ＳｉＯｘを
ＥＢ蒸着して、その上にホトレジストであるマイクロポ
ジット１４００を２０００Å塗布し、ポリイミドＮ４，
ＳｉＯ２層５ホトレジストＮ６を形成する（第１図（１
））。
この試料にＨｅ−Ｃｄレーザ（＝４４１６Ａ）を用いて
、ホログラフィック露光法により１２ここＪいたホログ
ラフィク露光法萱は第３図／に示された光学系であり、
Ｈｅ−ＣｄレーザｌＯからの光束は、ビームスプリッ
タ１１で２光束に分割され、その一方は、対物レンズ１
２で球面波に変換して広げられた後、軸外放物面鏡１３
で平面波に変換され、平面鏡１４により露光台１５に導
かれ気ビームスプリッタで分割されたもう一方の光束も
同様に１２’ 、１３’ 、１４’を経て露光台１５に
導かれ、露光台に取り付けた試料のホトレジスト上に、
２光束の平面波による干渉縞を記録する。ところで、こ
の干渉縞の強度間数布は、正弦間数であるため、露光さ
れたレジストパターンは、かまぼこのような正弦波の上
半分のような形状となるため、その傾斜角は、非常に緩
いものである（第１図（２））。
、ホログラフィック露光法により１２ここＪいたホログ
ラフィク露光法萱は第３図／に示された光学系であり、
Ｈｅ−ＣｄレーザｌＯからの光束は、ビームスプリッ
タ１１で２光束に分割され、その一方は、対物レンズ１
２で球面波に変換して広げられた後、軸外放物面鏡１３
で平面波に変換され、平面鏡１４により露光台１５に導
かれ気ビームスプリッタで分割されたもう一方の光束も
同様に１２’ 、１３’ 、１４’を経て露光台１５に
導かれ、露光台に取り付けた試料のホトレジスト上に、
２光束の平面波による干渉縞を記録する。ところで、こ
の干渉縞の強度間数布は、正弦間数であるため、露光さ
れたレジストパターンは、かまぼこのような正弦波の上
半分のような形状となるため、その傾斜角は、非常に緩
いものである（第１図（２））。
次に、このレジストパターンをエツチングマスクとして
フロロホルム反応性イオンビームエツチング（ＣＨＦ３
ＲＩＢＥ）で５ｉ（ｈＦＪ５をパターニングする（第１
図（３））、次に第１図（３）で作った５ｉＯａパター
ンをエツチングマスクとして酸素反応性イオンビームエ
ツチング（Ｏ２ＲＩＢＥ）を行いポリイミド層４をパタ
ーニングする（第１図（４））、ここでＣＨＦ５ＲＩＢ
Ｅによるマイクロポジット１４００と５ｉｆｔの電流密
度で規格したエツチングレートは、加速電圧５００Ｖ、
垂直入射で、それぞれ１６５（入／ｍ１ｎ）／（ｍ入／
ｃｊ）、６１０（人／ｗｉｎ）／（ｍＡ／ｃｍ）でその
選択比は約４であり、０２ＲＩＢＥによるＳｉＯ２とポ
リイミド５Ｐ５１０のエツチングレートは、上記と同条
件でそれぞれ、６０（入／ｉｉ ｎ）／（ｍＡ／ｃｊ）
、２４００（Ａ／ｎ＋ｉｎ）／（ｍ人／ｃｊ）でその
選択比は、約４０であり、結局マイクロポジット１４０
０と５ｐｓｉｏとは１６０になる。このため、ホログラ
フィック露光で作成した傾斜角のゆるいレジストパター
ンですらイオンビームエツチングの異方性エツチングを
生かして、垂直側壁のポリイミドパターンに変換できる
。
フロロホルム反応性イオンビームエツチング（ＣＨＦ３
ＲＩＢＥ）で５ｉ（ｈＦＪ５をパターニングする（第１
図（３））、次に第１図（３）で作った５ｉＯａパター
ンをエツチングマスクとして酸素反応性イオンビームエ
ツチング（Ｏ２ＲＩＢＥ）を行いポリイミド層４をパタ
ーニングする（第１図（４））、ここでＣＨＦ５ＲＩＢ
Ｅによるマイクロポジット１４００と５ｉｆｔの電流密
度で規格したエツチングレートは、加速電圧５００Ｖ、
垂直入射で、それぞれ１６５（入／ｍ１ｎ）／（ｍ入／
ｃｊ）、６１０（人／ｗｉｎ）／（ｍＡ／ｃｍ）でその
選択比は約４であり、０２ＲＩＢＥによるＳｉＯ２とポ
リイミド５Ｐ５１０のエツチングレートは、上記と同条
件でそれぞれ、６０（入／ｉｉ ｎ）／（ｍＡ／ｃｊ）
、２４００（Ａ／ｎ＋ｉｎ）／（ｍ人／ｃｊ）でその
選択比は、約４０であり、結局マイクロポジット１４０
０と５ｐｓｉｏとは１６０になる。このため、ホログラ
フィック露光で作成した傾斜角のゆるいレジストパター
ンですらイオンビームエツチングの異方性エツチングを
生かして、垂直側壁のポリイミドパターンに変換できる
。
以下余白
次に、このポリイミドパターンをメッキ用ステンシルと
してＡｕ層３をメッキベースとして、ポリイミドパター
ンのくぼんだ部分を埋める様ニュートロネクル３０９で
Ａｕメッキを０．６ 行った（第１図（５））、これ
は、第２図により、使用波長が数Ａ−１０Ａ近辺での効
率が高くなるような、Ａｕメッキ層が０．５〜０．７
程度であることからである。
してＡｕ層３をメッキベースとして、ポリイミドパター
ンのくぼんだ部分を埋める様ニュートロネクル３０９で
Ａｕメッキを０．６ 行った（第１図（５））、これ
は、第２図により、使用波長が数Ａ−１０Ａ近辺での効
率が高くなるような、Ａｕメッキ層が０．５〜０．７
程度であることからである。
次に吸収体であるＡｕのグレーティング部分んの機械的
強度を強めるため、ＰＭＭＡをスピナー塗布した後、電
子ビーム露光で、支持格子用のパターンを露光する（第
１図（７））、この後、このＰＭＭＡの支持格子用のネ
ガパターンをメッキ用シュテンシルとして、第１図（５
）と同様にＡｕ電気メッキを行ってＡｕの支持格子を作
成しＰＭＭＡをプラズマで灰化して除去する（第１図（
８））。この支持格子パターンは、軟Ｘ線領域全般にわ
たって透過率の高い適当な材料がないため透過型グレー
ティングを中空の状態にしなければならず、そのためＡ
ｕのグレーティングパターンのラインの機械的強度を高
めるための支持としていれており、５０Ｘ２５ の閏
隔て巾５ 厚み２ でいれている。
強度を強めるため、ＰＭＭＡをスピナー塗布した後、電
子ビーム露光で、支持格子用のパターンを露光する（第
１図（７））、この後、このＰＭＭＡの支持格子用のネ
ガパターンをメッキ用シュテンシルとして、第１図（５
）と同様にＡｕ電気メッキを行ってＡｕの支持格子を作
成しＰＭＭＡをプラズマで灰化して除去する（第１図（
８））。この支持格子パターンは、軟Ｘ線領域全般にわ
たって透過率の高い適当な材料がないため透過型グレー
ティングを中空の状態にしなければならず、そのためＡ
ｕのグレーティングパターンのラインの機械的強度を高
めるための支持としていれており、５０Ｘ２５ の閏
隔て巾５ 厚み２ でいれている。
以下余白
そして、Ｒ後に、Ｓｉウェーハーの周辺部を透過型グレ
ーティングの支持枠として残すように。
ーティングの支持枠として残すように。
フッ酸と硝酸の混酸でバックエツチングを行う。
なお、ホログラフィク露光装置は上記の光学系に限定さ
れないことはもちろんであり、またホトレジストやポリ
イミドも類似の性質を示すもので、ホトレジストとポリ
イミドで、ポリイミド、５ｉＱ２．ホトレジストを順次
コテイングした構造をなした時、３ｉＱ２を削るのにＣ
ＨＦ５ＲＩＥかＣＨＦ３ Ｒ１８Ｅを用い、ポリイミド
を削るの１、：０２ ＲＩ ＩＪ’０２ ＲＩ ＢＥｌ
］イタ時、所望の垂直側壁のパターンが得られるホトレ
ジストやポリイミドであればよい。また、第１図（７）
で支持格子パターンを作るために使ったＰＭＭＡレジス
トも、他の電子線レジストでもよいし、また支持格子パ
ターンを露光するのにホトレジストとホトリソグラフィ
ーを使ってもよい。また、Ａｕ電気メッキ液もニュー上
ロネクス３０９以外の微細パターンのメッキができるも
のであればよい。また、基板もＳｉウェーハーに限らず
ガラス基板でもよい。要は、ホログラフィク露光で作成
した大面積で周期誤差に優れたレジストパターンをＣＨ
Ｆ５ＲＩＥかＲＩＳＥでＳｉＯ２に置き換え、更にこの
５１０２をエツチングマスクとして０２ＲＩＥかＲＩＢ
Ｅで、ポリイミドの垂直側壁のパターンに変換したもの
をメッキ用ステンシルとしてＡｕ電気メッキを行うこと
により所望の波長領域で最適なＡｕの厚みを持ち、かつ
屈形状の断面形状を持ったグレーティングパターンが得
られることと、基板の周辺部を支持枠として残してバッ
クエツチングをおこなうことで、ＡＬＩ透過型グレーテ
ィング全体に適度な緊張を持たすことにより。
れないことはもちろんであり、またホトレジストやポリ
イミドも類似の性質を示すもので、ホトレジストとポリ
イミドで、ポリイミド、５ｉＱ２．ホトレジストを順次
コテイングした構造をなした時、３ｉＱ２を削るのにＣ
ＨＦ５ＲＩＥかＣＨＦ３ Ｒ１８Ｅを用い、ポリイミド
を削るの１、：０２ ＲＩ ＩＪ’０２ ＲＩ ＢＥｌ
］イタ時、所望の垂直側壁のパターンが得られるホトレ
ジストやポリイミドであればよい。また、第１図（７）
で支持格子パターンを作るために使ったＰＭＭＡレジス
トも、他の電子線レジストでもよいし、また支持格子パ
ターンを露光するのにホトレジストとホトリソグラフィ
ーを使ってもよい。また、Ａｕ電気メッキ液もニュー上
ロネクス３０９以外の微細パターンのメッキができるも
のであればよい。また、基板もＳｉウェーハーに限らず
ガラス基板でもよい。要は、ホログラフィク露光で作成
した大面積で周期誤差に優れたレジストパターンをＣＨ
Ｆ５ＲＩＥかＲＩＳＥでＳｉＯ２に置き換え、更にこの
５１０２をエツチングマスクとして０２ＲＩＥかＲＩＢ
Ｅで、ポリイミドの垂直側壁のパターンに変換したもの
をメッキ用ステンシルとしてＡｕ電気メッキを行うこと
により所望の波長領域で最適なＡｕの厚みを持ち、かつ
屈形状の断面形状を持ったグレーティングパターンが得
られることと、基板の周辺部を支持枠として残してバッ
クエツチングをおこなうことで、ＡＬＩ透過型グレーテ
ィング全体に適度な緊張を持たすことにより。
大面積で分光特性の優れた軟Ｘ線用Ａｕ透過型グレーテ
ィングを製作できるということが重要である。
ィングを製作できるということが重要である。
以下余白
（効果）
本発明によれば、ホログラフィク露光法を用いても、所
望波長領域で最適な厚さで、かつ断面が屈形状の軟Ｘ線
用Ａｕ透過型グレーティングパターンが製作でき、さら
に基板の周辺部を残したバックエツチングを行うことで
、膜のたるみなどの分光特性の劣化をなくすことができ
る。その結果、大面積で周期誤差の少ない高精度のパタ
ーンの露光が短時間でできるという、ホログラフィク露
光法の長所を生かして９分光特性に優れた透過型−グレ
ーティングが製作できる。
望波長領域で最適な厚さで、かつ断面が屈形状の軟Ｘ線
用Ａｕ透過型グレーティングパターンが製作でき、さら
に基板の周辺部を残したバックエツチングを行うことで
、膜のたるみなどの分光特性の劣化をなくすことができ
る。その結果、大面積で周期誤差の少ない高精度のパタ
ーンの露光が短時間でできるという、ホログラフィク露
光法の長所を生かして９分光特性に優れた透過型−グレ
ーティングが製作できる。
以下余白
第１図は本発明の一実施例の製作行程図、第２図はＡｕ
透過型グレーティングのＡｕの厚みを変数に取った時の
波長と効率の関係を表した図、第３図は、第１図実施例
で説明したホログラフィク露光光学系を示す図である。 図中。 １・・・３ｉウエーハー ２・・・Ｎ、ｉ −Ｃｒ層 ３・・・Ａｕ層 ４・・・ポリイミド層 ５・・・ＳｉＯ２層 ６−・・ホトレジスト層 １０・）−１８−Ｃｄレーザ １１・・・ビームスプリッタ １２．１２′・・・対物レンズ １３．１３”・・・軸外放物面鏡 １４．１４−・・・平面鏡 １５・・・露光台 手続補正書 昭和６２年７月ｊ日
透過型グレーティングのＡｕの厚みを変数に取った時の
波長と効率の関係を表した図、第３図は、第１図実施例
で説明したホログラフィク露光光学系を示す図である。 図中。 １・・・３ｉウエーハー ２・・・Ｎ、ｉ −Ｃｒ層 ３・・・Ａｕ層 ４・・・ポリイミド層 ５・・・ＳｉＯ２層 ６−・・ホトレジスト層 １０・）−１８−Ｃｄレーザ １１・・・ビームスプリッタ １２．１２′・・・対物レンズ １３．１３”・・・軸外放物面鏡 １４．１４−・・・平面鏡 １５・・・露光台 手続補正書 昭和６２年７月ｊ日
Claims (1)
- １、基板上に第１層Ｎｉ−Ｃｒ、第２層Ａｕ、第３層ポ
リイミド、第４層ＳｉＯ２、第５層ホトレジストを順次
コーティングした試料にホログラフィック露光法で作成
した正弦波状のホトレジストのライン及びスペースをマ
スクとしてフロロホルム（ＣＨＦ３）反応性イオンエッ
チング又は反応性イオンビームエッチングにより作成し
た第４層ＳｉＯ２パターンをマスクとして酸素（Ｏ２）
反応性イオンエッチング又は反応性イオンビームエッチ
ングにより、作成した第３層ポリイミドパターンをメッ
キ用ステンシルとし、第２層のＡｕをメッキベースとし
てＡｕ電気メッキを行いＡｕグレーティングパターンを
作成した後、適当なレジストを塗布したものに電子ビー
ム露光又は光リソグラフィで作成した支持用のパターン
をステンシルとして、Ａｕメッキを行ったものをＡｒイ
オンエッチング又はイオンビームエッチングでメッキベ
ースとして用いたＡｕを取除き、しかる後基板の周辺部
を支持枠として残し化学エッチングで取除くことを特徴
とするＡｕ透過型グレーティングの製作法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7570287A JPS63240502A (ja) | 1987-03-27 | 1987-03-27 | Ａｕ透過型グレ−テイングの製作法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7570287A JPS63240502A (ja) | 1987-03-27 | 1987-03-27 | Ａｕ透過型グレ−テイングの製作法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63240502A true JPS63240502A (ja) | 1988-10-06 |
Family
ID=13583816
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7570287A Pending JPS63240502A (ja) | 1987-03-27 | 1987-03-27 | Ａｕ透過型グレ−テイングの製作法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63240502A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0428390A2 (en) * | 1989-11-13 | 1991-05-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | Manufacturing method of optical diffraction grating element |
| US5279924A (en) * | 1989-04-04 | 1994-01-18 | Sharp Kabushiki Kaisha | Manufacturing method of optical diffraction grating element with serrated gratings having uniformly etched grooves |
| JPH06242308A (ja) * | 1993-01-29 | 1994-09-02 | Shimadzu Corp | Ａｕ透過型グレーティングの製作法 |
| JP2013050439A (ja) * | 2011-07-29 | 2013-03-14 | Canon Inc | 構造体、その製造方法およびその構造体を用いた撮像装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61174546A (ja) * | 1985-01-29 | 1986-08-06 | Shimadzu Corp | アスペクト比の大きい微細パタ−ンの製作法 |
-
1987
- 1987-03-27 JP JP7570287A patent/JPS63240502A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61174546A (ja) * | 1985-01-29 | 1986-08-06 | Shimadzu Corp | アスペクト比の大きい微細パタ−ンの製作法 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5279924A (en) * | 1989-04-04 | 1994-01-18 | Sharp Kabushiki Kaisha | Manufacturing method of optical diffraction grating element with serrated gratings having uniformly etched grooves |
| EP0428390A2 (en) * | 1989-11-13 | 1991-05-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | Manufacturing method of optical diffraction grating element |
| JPH06242308A (ja) * | 1993-01-29 | 1994-09-02 | Shimadzu Corp | Ａｕ透過型グレーティングの製作法 |
| JP2013050439A (ja) * | 2011-07-29 | 2013-03-14 | Canon Inc | 構造体、その製造方法およびその構造体を用いた撮像装置 |
| US9891327B2 (en) | 2011-07-29 | 2018-02-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Structure, method for manufacturing the same, and image pickup apparatus including the structure |
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