JPS63239192A - Device for producing diamond film - Google Patents
Device for producing diamond filmInfo
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、ダイアモンド膜製造装置に関し、特に、広い
面積に、良質なダイアモンド膜を成膜せしめることが可
能なダイアモンド膜製造装置に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a diamond film manufacturing apparatus, and particularly to a diamond film manufacturing apparatus capable of forming a high quality diamond film over a wide area.
［従来の技術］
ダイアモンドは、その硬さ、電気的特性、熱伝導性、化
学的安定性など、工業材料として極めて有利な特性を有
している。[Prior Art] Diamond has extremely advantageous properties as an industrial material, such as its hardness, electrical properties, thermal conductivity, and chemical stability.
このダイアモンドを人工的に合成するには、致方気圧、
十数百度という超高圧、高温が必要とされていたため、
その低温（数百度程度）、低圧（大気圧以下）での合成
法の研究が、近年、盛んに行なわれている。特に、低温
、低圧を実現するために水素および炭化水素から合成す
る化学的気相合成法が提唱されている。To synthesize this diamond artificially, it is necessary to
Because ultra-high pressure and high temperatures of tens of hundreds of degrees were required,
Research on synthesis methods at low temperatures (about several hundred degrees Celsius) and low pressures (below atmospheric pressure) has been actively conducted in recent years. In particular, a chemical vapor phase synthesis method for synthesis from hydrogen and hydrocarbons has been proposed to achieve low temperatures and low pressures.
従来、この化学的気相合成法によるダイアモンド膜製造
装置として、大きく分けて、フィラメント熱分解による
ものと、いわゆるプラズマ法によるものがあった。特に
、このプラズマ法による装置として、近年、マイクロ波
プラズマ法と、電子サイクロトロン共鳴プラズマ法（以
下、ＥＣＲ法という。）による装置が盛んに研究されて
いる。Conventionally, diamond film manufacturing apparatuses using this chemical vapor phase synthesis method have been broadly divided into those using filament thermal decomposition and those using the so-called plasma method. In particular, as devices using this plasma method, devices using a microwave plasma method and an electron cyclotron resonance plasma method (hereinafter referred to as ECR method) have been actively researched in recent years.
［解決すべき問題点］
上述した従来のダイアモンド膜製造装置には、次のよう
な問題点があった。[Problems to be Solved] The conventional diamond film manufacturing apparatus described above has the following problems.
フィラメント熱分解による装置では、炭化水素の分解速
度が遅いために、ダイアモンドの析出速度が遅く、加え
てフィラメントの断線等のトラブルを発生しやすいなど
、生産効率の点で問題点があった。Equipment that uses filament pyrolysis has problems in terms of production efficiency, such as the slow rate of decomposition of hydrocarbons, which slows down the rate of diamond precipitation, and also tends to cause problems such as filament breakage.
また、マイクロ波プラズマ法による装置では、プラズマ
を広範囲に安定化させることができないため、ダイアモ
ンド膜を大面積化することができないという問題点があ
った。Furthermore, in the apparatus using the microwave plasma method, the plasma cannot be stabilized over a wide range, so there is a problem that the diamond film cannot be made to have a large area.
さらに、ＥＣＲ法による装置では、現在のところダイア
モンド膜の質の面で満足のいく結果が得られていない。Furthermore, devices using the ECR method have not yet provided satisfactory results in terms of the quality of the diamond film.
本発明は、上記問題点にかんがみてなされたもので、広
い面積にわたって良質なダイアモンド膜を合成すること
ができるダイアモンド膜製造装置の提供を目的とする。The present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and an object of the present invention is to provide a diamond film manufacturing apparatus capable of synthesizing a high-quality diamond film over a wide area.
［問題点の解決手段］
上記目的を達成するため、本発明のダイアモンド膜製造
装置は、反応室と、この反応室に外部から原料ガスを導
入するガス導入手段と、反応室内部で基体を保持する基
体保持手段と、この基体を加熱する加熱手段と、上記反
応室内部にマイクロ波を導入するマイクロ波供給手段と
、上記反応室内部に磁場を形成するにあたり、少なくと
もＥＣＲ条件を満足する強度の２倍以上の強度の磁界を
形成する磁場形成手段とを備えた構成としである。[Means for Solving Problems] In order to achieve the above object, the diamond film manufacturing apparatus of the present invention includes a reaction chamber, a gas introduction means for introducing raw material gas into the reaction chamber from the outside, and a substrate held inside the reaction chamber. a heating means for heating the substrate; a microwave supply means for introducing microwaves into the reaction chamber; This configuration includes a magnetic field forming means for forming a magnetic field with twice the strength or more.
すなわち、本発明のダイアモンド膜製造装置は、発散磁
界に・おいて生じるマイクロ波吸収帯域に、広範囲に亙
って高密度安定化プラズマを発生せしめ、基体上にダイ
アモンドを気相成長させることにより、ダイアモンド薄
膜の大面積化、良質化を可能ならしめるものである。That is, the diamond film manufacturing apparatus of the present invention generates high-density stabilized plasma over a wide range in the microwave absorption band generated in a diverging magnetic field, and grows diamond on a substrate in a vapor phase. This makes it possible to increase the area and improve the quality of diamond thin films.
［実施例］
以下、図面にもとづいて本発明のダイアモンド膜製造装
置について、実験例と併せて詳細に説明する。[Example] Hereinafter, the diamond film manufacturing apparatus of the present invention will be described in detail based on the drawings together with experimental examples.
第１図は、本発明の一実施例に係るダイアモンド膜製造
装置の断面図である。FIG. 1 is a sectional view of a diamond film manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention.
同図において、１は空胴共振器からなる反応室、２は反
応室１内部に強い磁場を形成する電磁石である。３はマ
イクロ波を発生するマグネトロン、４はマイクロ波を反
応室ｌに導く導波管である。In the figure, 1 is a reaction chamber made of a cavity resonator, and 2 is an electromagnet that forms a strong magnetic field inside the reaction chamber 1. 3 is a magnetron that generates microwaves, and 4 is a waveguide that guides the microwaves to the reaction chamber l.
マグネトロン３は、２．４５ＣＩ（ｚのマイクロ波を発
生し、電磁石２は、反応室１内部に２ｋＣ；以上の磁場
を形成する。２−４５ＧＨｚのマイクロ波のＥＣＲ条件
は８７５Ｇであり、本装置の電磁石２は、その２倍以上
の磁場を形成可能であることを特徴とする。なお、発散
磁界によるマイクロ吸収帯域が生じる位置についても制
御可能としである。The magnetron 3 generates a microwave of 2.45 CI (z), and the electromagnet 2 forms a magnetic field of 2 kC or more inside the reaction chamber 1. The ECR condition of the 2-45 GHz microwave is 875 G, and this device The electromagnet 2 is characterized in that it can generate a magnetic field that is more than twice as large.The position where the micro-absorption band due to the divergent magnetic field occurs can also be controlled.
また、５は原料ガス導入管、６は基体を保持する基体ホ
ルダ、７はヒータ、８は試料型（＋ｆｆ室である。基体
ホルダ６およびヒータ７は、反応室１および試料準備室
８の内部を移動可能としである。Further, 5 is a source gas introduction pipe, 6 is a substrate holder that holds the substrate, 7 is a heater, and 8 is a sample mold (+ff chamber). It is movable.
このように、基体ボルダ６およびヒータ７を移動可能と
することにより、プラズマ密度が最も高いと考えられる
位置においてダイアモンド膜の成膜が可能となる。By making the base boulder 6 and the heater 7 movable in this way, it is possible to form a diamond film at a position where the plasma density is considered to be the highest.
試料準備室８は、外部の原料ガスの供給装置、ならびに
真空ポンプに接続されている。そして、この供給装置と
真空ポンプによって必要量の原料ガスを試料準備室８ま
たは反応室１内部に供給する。The sample preparation chamber 8 is connected to an external source gas supply device and a vacuum pump. Then, a necessary amount of raw material gas is supplied into the sample preparation chamber 8 or the reaction chamber 1 using this supply device and the vacuum pump.
次に、上記構成における本発明のダイアモンド膜製造装
置を使用してダイアモンド膜を製造する方法を説明する
。Next, a method for manufacturing a diamond film using the diamond film manufacturing apparatus of the present invention having the above configuration will be described.
■マグネトロン３によって２．４５ＧＨｚのマイクロ波
を発生させ、導波管４を介して反応室ｌ中に解放する。(2) A microwave of 2.45 GHz is generated by the magnetron 3 and released into the reaction chamber l via the waveguide 4.
このとき、反応室ｌ内部には、電磁石２によって２．２
ｋＣ；の磁界がかけられている。この磁界の強さはＥＣ
Ｒ条件を満たす磁界の２倍以上であり、単なる電子サイ
クロトロン共鳴ン去ではないことは明らかである。At this time, 2.2
A magnetic field of kC; is applied. The strength of this magnetic field is EC
This is more than twice the magnetic field that satisfies the R condition, and it is clear that this is not simply electron cyclotron resonance.
■かかる強度の磁界により、反応室１内部には磁束密度
の減少にともなって、ある磁場勾配（発散磁界）が発生
する。そして、この発散磁界において生じるマイクロ波
吸収帯域によってマイクロ波のエネルギーは電子の運動
エネルギーに変換され、大面積の高密度安定化プラズマ
を形成することができる。(2) Due to such a strong magnetic field, a certain magnetic field gradient (divergent magnetic field) is generated inside the reaction chamber 1 as the magnetic flux density decreases. The microwave energy is converted into electron kinetic energy by the microwave absorption band generated in this divergent magnetic field, making it possible to form a large-area, high-density stabilized plasma.
■反応室１内部の圧力は、１〜１００Ｔｏｒｒである。(2) The pressure inside the reaction chamber 1 is 1 to 100 Torr.
本来ならば、この範囲の圧力下では、外壁での異常放電
が生じ、プラズマは安定しない。Normally, under pressure in this range, abnormal discharge would occur on the outer wall and the plasma would be unstable.
ところが、本発明では、磁束密度が減少する磁場勾配で
のマイクロ波吸収帯域においてのみプラズマを集中して
発生させている。つまり、プラズマ発生領域を外部から
制御肱外壁へのプラズマの接触を回避せしめ、プラズマ
の安定化および高密度化を達成することが可能となった
のである。However, in the present invention, plasma is generated in a concentrated manner only in a microwave absorption band with a magnetic field gradient where the magnetic flux density decreases. In other words, it has become possible to avoid plasma from coming into contact with the outer wall of the control arm from the outside of the plasma generation region, thereby achieving stabilization and high density plasma.
ところで、本発明は電子サイクロトロン共鳴法ではない
と考えられる。その理由は、いわゆるＥＣＲ法では、０
．１Ｔｏｒｒ以下の圧力下において成膜を行なうが、本
発明においては、１〜１００Ｔｏｒｒの圧力下で反応せ
しめる。すなわち、１〜１００Ｔｏ ｒ ｒという高い
圧力下では、完全な電子サイクロトロン運動が行なえず
、サイクロトロン共鳴は生じていないと考えられるから
である。By the way, the present invention is not considered to be an electron cyclotron resonance method. The reason is that in the so-called ECR method, 0
．． Although film formation is performed under a pressure of 1 Torr or less, in the present invention, the reaction is performed under a pressure of 1 to 100 Torr. That is, it is considered that under a high pressure of 1 to 100 Torr, complete electron cyclotron motion cannot occur and cyclotron resonance does not occur.
本発明において使用可能なガスとして、炭化水素（例え
ば、ＣＨ，、Ｃ２Ｈ５，Ｃ２Ｈ４、Ｃ２Ｈａ。Gases that can be used in the present invention include hydrocarbons (eg, CH, C2H5, C2H4, C2Ha).
Ｃ３Ｈ，など）、アルコール
ル、エタノール、イソプロピルアルコールなど）、ケト
ン類（例えば、アセトン、メチルエチルケトンなど）、
アミン類（例えば、ジメチルアミン、トリメチルアミン
、ジエチルアミン、トリエチルアミン、アルキルアミン
など）などがあげられる。C3H, etc.), alcohol, ethanol, isopropyl alcohol, etc.), ketones (e.g., acetone, methyl ethyl ketone, etc.),
Examples include amines (eg, dimethylamine, trimethylamine, diethylamine, triethylamine, alkylamine, etc.).
これらのガスは、マイクロ波導入後、Ｈ２ガスともに原
料ガスとして反応室ｌに導入される。After microwave introduction, these gases are introduced into the reaction chamber 1 together with H2 gas as raw material gases.
この原料ガスの混合比は、上記炭化水素ガス等を体積比
において、全容ｆｌ（ｖｏｌ）の０．３〜５％とする（
残りは水素ガス）。炭化水素ガス等がこれより多い場合
は、グラファイトなと望まないものが多くなる。なお、
好ましくは１％以下とするのがよい。The mixing ratio of this raw material gas is 0.3 to 5% of the total volume fl (vol) in terms of the volume ratio of the hydrocarbon gas, etc.
The rest is hydrogen gas). If the amount of hydrocarbon gas is higher than this, there will be a lot of undesirable graphite. In addition,
The content is preferably 1% or less.
また、基体の温度は６００〜１０００℃とする。Further, the temperature of the substrate is 600 to 1000°C.
この範囲から外れると、非晶質部が多くなる。しかし、
好ましくは７００〜９００℃とするのがよい。Outside this range, the amount of amorphous portions increases. but,
The temperature is preferably 700 to 900°C.
次に、実験例によって本発明をさらに詳細に説明する。Next, the present invention will be explained in further detail using experimental examples.
（実験例）
下記の要領で板状の基体上にダイアモンド膜の製造を行
なった。(Experimental Example) A diamond film was manufactured on a plate-shaped substrate in the following manner.
（条件）
・反応室へのガスの導入量
ＦＩ２ガス ° ９ ９ ［ｍ １ ／ｍ ｉ
ＩｌｌＣＨ．ガス ： １ ［ｍｌ／ｍｉ
ｎ］・反応室圧力 ° １０［ Ｔｏｒｔ・
］・基板温度 ：ｓｏｏｃ ℃ ］・
基板面積 ：１００［ｍｍφ ］・プラズマ発
生装置：２．４５［ ＧＨｚ ］・磁場強度
：２．２［ｋＣ； ］（結果）
基板上に２ミクロンの膜状ダイアモンドが形成された。(Conditions) ・Amount of gas introduced into the reaction chamber FI2 gas ° 9 9 [m 1 /m i
IllCH. Gas: 1 [ml/mi
n]・Reaction chamber pressure ° 10[Tort・
]・Substrate temperature: sooc °C]・
Substrate area: 100 [mmφ]・Plasma generator: 2.45 [GHz]・Magnetic field strength
:2.2 [kC; ] (Result) A 2 micron film diamond was formed on the substrate.
・同定ニラマンスペクトル分析を使用したところ、１３
３３ｃｍ−’においてダイアモンドの存在を示すピーク
が現出した。他のピークは存在しなかった。これにより
、グラフフィト非晶質部などは含まず、完全に純粋なダ
イアモンドが形成していることが判明した。・When using identification Niraman spectrum analysis, 13
A peak indicating the presence of diamonds appeared at 33 cm-'. No other peaks were present. This revealed that a completely pure diamond was formed, containing no graphite amorphous parts.
・性質：硬さについては、ビッツノース硬度において８
０００ ｋ ｇ／ｌｎｍ”を示した。・Properties: Hardness: 8 on Bitsnorth hardness
000 kg/lnm".
電気的特性：抵抗値は１ｏ１２Ω・ｃｍであった。Electrical properties: The resistance value was 1012 Ω·cm.
・大きさ：１００ｍｍφの基板上に均一な膜状に形成さ
れた。基板をさらに大きくしても可能であると予想でき
る。従来のマイクロ波プラズマ法では、基板の大きさは
２４ ｍ ｔｎφが限度であったから、本発明によれば
、面積比にして１６倍以上の大面積化を達成することが
できた。・Size: Formed into a uniform film on a 100 mmφ substrate. It is expected that it will be possible to make the substrate even larger. In the conventional microwave plasma method, the size of the substrate was limited to 24 m tnφ, but according to the present invention, it was possible to increase the area by more than 16 times.
なお、本発明は上記実施例に限定されるものでなく、要
旨の範囲内における種々変形例を含むものである。例え
ば、上述の実施例では、反応室として、空胴共振器を使
用しているが、これに限るものではない。また、基体と
して板状物の表面に成膜せしめているが、凹凸を有する
などものなど、形状についてはこれに限るものではない
。It should be noted that the present invention is not limited to the above embodiments, but includes various modifications within the scope of the gist. For example, in the embodiments described above, a cavity resonator is used as the reaction chamber, but the invention is not limited to this. Further, although the film is formed on the surface of a plate-like object as a base, the shape is not limited to this, such as having irregularities.
［発明の効果］
以上説明したように本発明は、広い面積に亙って良質な
ダイアモンド膜の製造が可能となるというという効果が
ある。[Effects of the Invention] As explained above, the present invention has the effect that a high-quality diamond film can be manufactured over a wide area.
第１図は本発明の一実施例に係るダイアモンド膜製造装
置の断面図である。FIG. 1 is a sectional view of a diamond film manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention.
Claims (3)
するガス導入手段と、反応室内部で基体を保持する基体
保持手段と、この基体を加熱する加熱手段と、上記反応
室内部にマイクロ波を導入するマイクロ波供給手段と、
上記反応室内部に磁場を形成するにあたり、少なくとも
ＥＣＲ条件を満足する強度の２倍以上の強度の磁界を形
成する磁場形成手段とを具備することを特徴とするダイ
アモンド膜製造装置。(1) A reaction chamber, a gas introduction means for introducing raw material gas into the reaction chamber from the outside, a substrate holding means for holding the substrate inside the reaction chamber, a heating means for heating the substrate, a microwave supply means for introducing microwaves,
A diamond film manufacturing apparatus comprising: a magnetic field forming means for forming a magnetic field at least twice as strong as an intensity satisfying ECR conditions when forming a magnetic field inside the reaction chamber.
許請求の範囲第１項記載のダイアモンド膜製造装置。(2) The diamond film manufacturing apparatus according to claim 1, wherein the reaction chamber comprises a cavity resonator.
能である特許請求の範囲第１または２項記載のダイアモ
ンド膜製造装置。(3) The diamond film manufacturing apparatus according to claim 1 or 2, wherein the substrate holding means is movable within the reaction chamber.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7093487A JPS63239192A (en) | 1987-03-25 | 1987-03-25 | Device for producing diamond film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7093487A JPS63239192A (en) | 1987-03-25 | 1987-03-25 | Device for producing diamond film |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63239192A true JPS63239192A (en) | 1988-10-05 |
Family
ID=13445834
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7093487A Pending JPS63239192A (en) | 1987-03-25 | 1987-03-25 | Device for producing diamond film |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63239192A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5427827A (en) * | 1991-03-29 | 1995-06-27 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Deposition of diamond-like films by ECR microwave plasma |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6136200A (en) * | 1984-07-25 | 1986-02-20 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Method for vapor-phase synthesis of diamond |
-
1987
- 1987-03-25 JP JP7093487A patent/JPS63239192A/en active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6136200A (en) * | 1984-07-25 | 1986-02-20 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Method for vapor-phase synthesis of diamond |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5427827A (en) * | 1991-03-29 | 1995-06-27 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Deposition of diamond-like films by ECR microwave plasma |
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