JPS63237982A - Printing method - Google Patents
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- JPS63237982A JPS63237982A JP7317087A JP7317087A JPS63237982A JP S63237982 A JPS63237982 A JP S63237982A JP 7317087 A JP7317087 A JP 7317087A JP 7317087 A JP7317087 A JP 7317087A JP S63237982 A JPS63237982 A JP S63237982A
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Classifications
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41M—PRINTING, DUPLICATING, MARKING, OR COPYING PROCESSES; COLOUR PRINTING
- B41M1/00—Inking and printing with a printer's forme
- B41M1/10—Intaglio printing ; Gravure printing
Landscapes
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は高精度パターン印刷、例えば半導体集積回路素
子に樹脂よりなる表面保護膜を印刷によって形成する場
合に通用して好適な印刷方法に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a printing method suitable for high-precision pattern printing, for example, when forming a surface protection film made of resin on a semiconductor integrated circuit element by printing.
本発明は凹版の凹部に印刷液を充填し、この印刷液を被
転写物に転写して印刷する印刷方法、いわゆる凹版印刷
方法において、四部に対する印刷液の充填を減圧室内で
行う様にすることにより、凹部内に空気が抱き込まれる
のを回避し、印刷液を凹部内の隅々に完全に充填できる
様にし、良好な高精度パターン印刷、例えば半導体集積
回路素子に対する樹脂よりなる表面保護膜の印刷形成を
高い精度で行うことができる様にしたものである。The present invention is a printing method in which a printing liquid is filled into the concave portion of an intaglio plate and the printing liquid is transferred to an object to be transferred for printing, a so-called intaglio printing method, in which the printing liquid is filled in four parts in a vacuum chamber. This prevents air from being trapped in the recesses and allows the printing liquid to completely fill every corner of the recesses, allowing for good high-precision pattern printing, such as surface protection films made of resin for semiconductor integrated circuit elements. This makes it possible to perform printing with high precision.
凹版印刷装置による凹版印刷は、凹版の表面に印刷パタ
ーンをなす凹部を形成し、この凹部にインクを充填した
後、この凹版に被転写物を押し付け、凹部に充填された
インクを被転写物に転写することによって行われる。ま
た斯る凹版印刷は半導体集積回路素子表面に樹脂よりな
る表面保護膜を印刷形成する場合に利用することができ
る。以下、その−例について説明する。Intaglio printing using an intaglio printing device involves forming recesses forming a printing pattern on the surface of an intaglio plate, filling the recesses with ink, pressing an object onto the intaglio, and applying the ink filled in the recesses onto the object. This is done by transferring. Further, such intaglio printing can be used to print and form a surface protective film made of resin on the surface of a semiconductor integrated circuit element. An example of this will be explained below.
先ず第９図に示す様に半導体ウェーハ（１）を用意し、
この半導体ウェーハ（１）の各チップ部分ごとに半導体
集積回路素子部（２） ｆ２１・・・（２）を形成する
。即ち、各チップ部分ごとに半導体集積回路素子を構成
するに必要な回路素子を集積化すると共に表面全体にオ
ーバコート膜をなすＳｉＮ Ｆ４を形成する。First, as shown in Fig. 9, a semiconductor wafer (1) is prepared,
A semiconductor integrated circuit element portion (2) f21...(2) is formed for each chip portion of this semiconductor wafer (1). That is, the circuit elements necessary to construct a semiconductor integrated circuit element are integrated in each chip portion, and SiN F4, which forms an overcoat film, is formed over the entire surface.
次に同じく第９図に示す様に平板からなる凹版（３）を
用意し、この凹版（３）を半導体ウェーハ（１）と対向
させて配置する。この場合、この凹版（３）には半導体
ウェーハ（１）の各半導体集積回路素子部（２１（２）
・・・（２）に対応して所定パターンの凹部ｔ４１ ＋
４）・・・（４）を設け、この凹部（４１（４）・・・
（４）に印刷液を充填できる様にする。Next, as similarly shown in FIG. 9, an intaglio plate (3) made of a flat plate is prepared, and this intaglio plate (3) is placed facing the semiconductor wafer (1). In this case, this intaglio (3) includes each semiconductor integrated circuit element portion (21 (2)) of the semiconductor wafer (1).
... Corresponding to (2), a predetermined pattern of recesses t41 +
4)...(4) is provided, and this recessed portion (41(4)...
(4) so that it can be filled with printing liquid.
次に同じく第９図に示す様に印刷液供給装置（５）を用
意する。この場合、この印刷液供給装置（５）には印刷
液槽（６）を設け、この印刷液槽（６）にポリイミド樹
脂をＮ〜メチル−スピロリドンに溶解してなる保護膜材
（７）を収納する。また印刷液槽（６）の上方にその下
部を保護膜材（７）に浸すファウンテンロール（８）ヲ
設け、このファウンテンロール（８）によって保護膜材
（７）を引き上げることができる様にする。Next, as shown in FIG. 9, a printing liquid supply device (5) is prepared. In this case, the printing liquid supply device (5) is provided with a printing liquid tank (6), and a protective film material (7) formed by dissolving polyimide resin in N~methyl-spirolidone is provided in the printing liquid tank (6). to store. Further, a fountain roll (8) is provided above the printing liquid tank (6), the lower part of which is immersed in the protective film material (7), so that the protective film material (7) can be pulled up by this fountain roll (8). .
またこのファウンテンロール（８）に接する様にアプリ
ケートロール（９）を設け、ファウンテンロール（８）
によって引き上げられた保護膜材（７）をこのアプリケ
ートロール（９）を介して凹版（３）に供給できる様に
する。また、この印刷液供給装置（５）にはブレードよ
りなるドクター（１０）を設け、凹版（３）に供給され
た余剰の保ＷＬ膿材（７）をこのドクター（１０）によ
って掻き取ることができる様にする。In addition, an applicator roll (9) is provided so as to be in contact with this fountain roll (8), and the fountain roll (8)
The protective film material (7) pulled up by this can be supplied to the intaglio (3) via this applicator roll (9). Further, this printing liquid supply device (5) is provided with a doctor (10) consisting of a blade, and the surplus WL retaining material (7) supplied to the intaglio (3) can be scraped off by this doctor (10). I will make it possible.
次に第１０図に示す様に凹版（３）を印刷液供給装置（
５）のアプリケートロール（９）に押し付けると共に印
刷液供給装置（５）を上方から下方に移動させて凹部（
４） （４）・・・（４）に保！！膜材（７）を充填し
、すべての凹部（４）（４）・・・（４）に保護膜材（
７） （７１・・・（７）を供給した後、第１１図に示
す様に凹版（３）を後方に移動させると共に印刷液供給
装置（５）を上方に移動させる。Next, as shown in Figure 10, the intaglio plate (3) is transferred to the printing liquid supply device (
5) and move the printing liquid supply device (5) from above to below to fill the recess (
4) (4)...Keep it at (4)! ! Fill all the recesses (4) (4) with the protective film material (7).
7) After supplying (71...(7)), as shown in FIG. 11, move the intaglio (3) backward and move the printing liquid supply device (5) upward.
次に第１２図に示す様に凹版（３）を前方に移動し、そ
の表面を半導体ウェーハ（１）の表面に押し付け、凹部
（４） （４）・・・（４）内の保護膜材（７） （？
）・・・（７）を半導体ウェーハ（１）に接触させた後
、第１３図に示す様に凹版（３）を後方に移動させて半
導体ウェーハ（１）から離す。Next, as shown in FIG. 12, the intaglio (3) is moved forward, its surface is pressed against the surface of the semiconductor wafer (1), and the protective film material in the recesses (4) (4)...(4) is (7) (?
)...(7) is brought into contact with the semiconductor wafer (1), and then the intaglio (3) is moved backward and separated from the semiconductor wafer (1) as shown in FIG.
この様にすると、半導体ウェーハ（１）の各半導体集積
回路素子部（２） （２）・・・（２）上に保護膜材（
７） ＋７）・・・（７）が転写されてなる保護膜材層
（１１） （１１）・・・（１１）が形成される。In this way, the protective film material (
7) +7)...(7) is transferred to form a protective film material layer (11) (11)...(11).
次に第１４図に示す様にこの保護膜材層（１１）（１１
）・・・（１１）を加熱してこの保護膜材層（１１）（
１１）・・・（１１）から溶剤であるＮ−メチル−スピ
ロリドンを蒸発させ、硬化されてなるポリイミド層（１
２） （１２）・・・（１２）を形成する。Next, as shown in FIG. 14, this protective film material layer (11) (11
)...(11) is heated to form this protective film material layer (11)(
11)...A polyimide layer (1) obtained by evaporating the solvent N-methyl-spirolidone from (11) and curing it.
2) (12)...(12) is formed.
次に第１５図に示す様に半導体ウェーハ（１）を各チッ
プ毎に分割して半導体集積回路素子（１３）を得る様に
し、この半導体集積回路素子（１３）を接着剤（１４）
を用いてリードフレーム（１５）に固定し、ポンディン
グパッド（１６）とリード（１７）とを金線（１８）で
接続し、更にリード（１７）の先端部分を除き全体をエ
ポキシ樹脂（１９）によってモールドする。尚、この第
１５図において（２０）は５ｉ０２層、（２１）は配線
層、（２２）はＳｉＮ層である。Next, as shown in FIG. 15, the semiconductor wafer (1) is divided into individual chips to obtain semiconductor integrated circuit elements (13), and the semiconductor integrated circuit elements (13) are bonded with adhesive (14).
The bonding pad (16) and the lead (17) are connected with a gold wire (18), and the entire lead (17) is coated with epoxy resin (19) except for the tip of the lead (17). ) to mold. In FIG. 15, (20) is the 5i02 layer, (21) is the wiring layer, and (22) is the SiN layer.
この様にすると半導体集積回路素子（１３）の表面にポ
リイミド層（１２）からなる表面保護膜を有する半導体
集積回路装置を得ることができる。ここに、このポリイ
ミド層（１２）は半導体ウェーハ（１）の裏面研削、分
割、半導体集積回路素子（１３）のボンディング、モー
ルドの各工程でオーバコート膜をなすＳｉＮ ｊｉｉ
（２２）にクラックが発生しない様にし、クランクから
入り込む水分によって配線層（２１）が腐蝕、断線しな
い様にすると共にエポキシ樹脂（１９）のフィシに含有
されているウラン、トリウム等より発生するα線から半
導体集積回路素子（１３）、を保護し、いわゆるソフト
エラーが生じない様にするために設けられるものである
。In this way, it is possible to obtain a semiconductor integrated circuit device having a surface protection film made of the polyimide layer (12) on the surface of the semiconductor integrated circuit element (13). Here, this polyimide layer (12) is a SiN jii layer that forms an overcoat film in each process of back grinding and dividing the semiconductor wafer (1), bonding of the semiconductor integrated circuit element (13), and molding.
(22) to prevent cracks from occurring, to prevent the wiring layer (21) from corroding or breaking due to moisture entering from the crank, and to prevent α generated from uranium, thorium, etc. contained in the fission of the epoxy resin (19). This is provided to protect the semiconductor integrated circuit element (13) from wires and prevent so-called soft errors from occurring.
ところで、この例の様に凹版印刷によりポリイミド層（
１２）を形成する場合には、従来実施されている様に、
スピンコード法によってポリイミド層を全面に形成した
後、このポリイミド層上にレジストを被着形成し、その
後、このレジストを所定のパターンに形成した後、この
レジストをマスクとしてポリイミド層をエツチングして
所定のパターンとする複雑な作業工程を要せず、−回の
印刷工程で所定のパターンを有するポリイミド層（１２
）を形成することができるという利益がある。By the way, as in this example, the polyimide layer (
12), as conventionally practiced,
After forming a polyimide layer on the entire surface by a spin code method, a resist is deposited on this polyimide layer, and then this resist is formed into a predetermined pattern, and the polyimide layer is etched using this resist as a mask to form a predetermined pattern. A polyimide layer (12
).
しかしながら、第９図以下に示した例による印刷方法に
よるときは、半導体ウェーハ（１）上に形成される保護
膜材層（１１）は第１６図に示す様に凹部（４）に対応
した所定パターン（２３）とはならず、このため、この
後、加熱処理してポリイミド層（１２）を形成する様に
しても、このポリイミド層（１２）は設計値通りのパタ
ーンを有するポリイミド層とすることができないという
不都合があった。However, when using the printing method according to the example shown in FIG. 9 et seq., the protective film material layer (11) formed on the semiconductor wafer (1) has a predetermined shape corresponding to the recess (4) as shown in FIG. Therefore, even if a polyimide layer (12) is formed by heat treatment after this, this polyimide layer (12) is a polyimide layer having a pattern as designed. The problem was that I couldn't do it.
本発明者による実験、研究の結果、斯る不都合は、第１
７図に示す様に、印刷液供給装置（５）から保護膜材（
７）が凹版（３）に供給され、この保護膜材（７）が四
部（４）内に充填される際に、空気がこの凹部（４）内
に抱き込まれ、凹部（４）の隅部に空気層（２４）が形
成されてしまい、その後、第１８図に示す様にドクター
（１０）によって余剰の保護膜材（７）を掻き取るとき
に、この空気層（２４）はそのまま残ってしまい、また
場所によってはこの空気層（２４）は更に拡大してしま
い、凹部（４）内に保護膜材（７）が完全に充填されな
い状態が生ずることに起因して起こることが判明した。As a result of experiments and research by the inventor, such inconvenience is
As shown in Figure 7, the protective film material (
7) is supplied to the intaglio (3), and when this protective film material (7) is filled into the fourth part (4), air is trapped in this recess (4) and the corners of the recess (4) are filled. An air layer (24) is formed in the area, and when the excess protective film material (7) is scraped off with a doctor (10) as shown in Fig. 18, this air layer (24) remains as it is. It has been found that this phenomenon occurs because the air layer (24) further expands depending on the location, resulting in a situation where the protective film material (7) is not completely filled in the recess (4). .
本発明は斯る不都合を解消した印刷方法を提供すること
を目的とする。An object of the present invention is to provide a printing method that eliminates such inconveniences.
本発明に依る印刷方法は、例えば第１図〜第５図に示す
様に、凹版（３）の凹部（４）に印刷液（７）を充填し
、この印刷液（７）を被転写物（１）に転写して印刷す
る印刷方法において、
凹部（４）に対する印刷液（７）の充填を減圧室（２５
）内で行う様にしたものである。In the printing method according to the present invention, for example, as shown in Figs. In the printing method of transferring and printing onto (1), the recess (4) is filled with the printing liquid (7) in the vacuum chamber (25).
).
斯る本発明においては、凹部（４）に対する印刷液（７
）の充填は減圧室（２５）内で行われるので、凹部（４
）内に空気が抱き込まれるということはなく、印刷液（
７）は凹部（４）内の隅々にまで完全に充填される。In the present invention, the printing liquid (7) is applied to the recess (4).
) is filled in the decompression chamber (25), so the recess (4
), there is no air trapped in the printing fluid (
7) is completely filled into every corner of the recess (4).
従って、本発明に依れば、良好な高精度パターン印刷を
行うことができる。Therefore, according to the present invention, it is possible to perform high precision pattern printing.
以下、第１図〜第８図を参照して本発明による印刷方法
の一実施例につき説明しよう。本例では半導体集積回路
素子の表面にポリイミド樹脂よりなる表面保護膜を形成
する場合ぐつき説明する。Hereinafter, an embodiment of the printing method according to the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 8. In this example, the case of forming a surface protection film made of polyimide resin on the surface of a semiconductor integrated circuit element will be explained.
尚、この第１図〜第８図において第９図〜第１８図に対
応する部分には同一符号を付す。Note that in FIGS. 1 to 8, parts corresponding to those in FIGS. 9 to 18 are given the same reference numerals.
第１図は本発明による印刷方法の一実施例に供するため
の印刷装置を示し、本例においては、密閉容器（２６）
を用意し、この密閉容器（２６）の内部を減圧室（２５
）となす様にする。即ち、この密閉容器（２６）の側壁
に排気管（２７）を設けると共にこの排気管（２７）に
排気ポンプ（２８）を連結し、減圧室（２５）を減圧で
きる様にする。また減圧室（２５）の底面に基台（２９
）を設け、この基台（２９）の一端に半導体ウェーハ（
１）を支持するための半導体ウェーハ支持体（３０）を
固定すると共にこの基台（２９）の他端に凹版（３）を
支持するための凹版支持体（３１）を取り付ける。この
場合、この凹版支持体（３１）は基台（２９）上を前後
に移動でき、この凹版支持体（３１）に固定する凹版（
３）を半導体ウェーハ支持体（３０）に固定する半導体
ウェーハ（１）に押圧できる様にする。また本例におい
ては、減圧室（２５）内に上下に移動し得る印刷液供給
装置（５）を設ける。この場合、この印刷液供給装置（
５）には印刷液槽（６）を設け、この印刷液槽（６）に
ポリイミド樹脂をＮ−メチル−スピロリドンに熔解して
なる保護膜材（７）を収納する。また印刷液槽（６）の
上方にその下部を保護膜材（７）に浸すファウンテンロ
ール（８）を設け、このファウンテンロール（８）によ
って保護膜材（７）を引き上げることができる様にする
。FIG. 1 shows a printing device for use in an embodiment of the printing method according to the present invention, and in this embodiment, a closed container (26)
is prepared, and the inside of this closed container (26) is placed in a decompression chamber (25).
). That is, an exhaust pipe (27) is provided on the side wall of this closed container (26), and an exhaust pump (28) is connected to this exhaust pipe (27) so that the pressure in the decompression chamber (25) can be reduced. Also, the base (29) is attached to the bottom of the decompression chamber (25).
) is provided, and a semiconductor wafer (
A semiconductor wafer support (30) for supporting 1) is fixed, and an intaglio support (31) for supporting an intaglio (3) is attached to the other end of this base (29). In this case, this intaglio support (31) can move back and forth on the base (29), and the intaglio (31) fixed to this intaglio support (31)
3) so that it can be pressed against the semiconductor wafer (1) which is fixed to the semiconductor wafer support (30). Further, in this example, a printing liquid supply device (5) that can move up and down is provided in the decompression chamber (25). In this case, this printing liquid supply device (
5) is provided with a printing liquid tank (6), and a protective film material (7) made of polyimide resin dissolved in N-methyl-spirolidone is stored in this printing liquid tank (6). Further, a fountain roll (8) is provided above the printing liquid tank (6), the lower part of which is immersed in the protective film material (7), so that the protective film material (7) can be pulled up by this fountain roll (8). .
またこのファウンテンロール（８）に接する様にアプリ
ケートロール（９）を設け、ファウンテンロール（８）
によって引き上げられた保護膜材（７）をこのアプリケ
ートロール（９）を介して凹版（３）に供給できる様に
する。また、この印刷液供給装置（５）にはブレードよ
りなるドクター（１０）を設け、凹版（３）に供給され
た余剰の保護膜材（７）をこのドクター（１０）によっ
て掻き取ることができる様にする。In addition, an applicator roll (9) is provided so as to be in contact with this fountain roll (8), and the fountain roll (8)
The protective film material (7) pulled up by this can be supplied to the intaglio (3) via this applicator roll (9). Further, this printing liquid supply device (5) is provided with a doctor (10) consisting of a blade, and the excess protective film material (7) supplied to the intaglio (3) can be scraped off by this doctor (10). I'll do it like that.
そこで本例においては、斯る印刷装置の半導体ウェーハ
支持体（３０）及び凹版支持体（３１）に夫々半導体ウ
ェーハ（１）及び凹版（３）を固定する。この場合、こ
の半導体ウェーハ（１）には予め各チップ部分ごとに半
導体集積回路素子部（２） ｆ２１・・・（２）を形成
しておく。即ち、各チップ部分ごとに半導体集積回路素
子を構成するに必要な回路素子を集積化すると共に表面
全体にオーバコート膜をなすＳＩＮ Ｍを形成しておく
。この凹版（３）には半導体ウェーハ（１）の各半導体
集積回路素子部＜２） （２１・・・（２）に対応して
所定パターンの凹部（４） （４）・・・（４）を設け
、この凹部ｆ４） （４）・・・（４）に印刷液を充填
できる様にする。Therefore, in this example, a semiconductor wafer (1) and an intaglio plate (3) are fixed to a semiconductor wafer support (30) and an intaglio plate support (31), respectively, of such a printing apparatus. In this case, semiconductor integrated circuit element portions (2) f21...(2) are formed in advance on this semiconductor wafer (1) for each chip portion. That is, in each chip portion, circuit elements necessary to construct a semiconductor integrated circuit element are integrated, and an overcoat film SINM is formed over the entire surface. This intaglio (3) has a predetermined pattern of concave portions (4) corresponding to each semiconductor integrated circuit element portion (21) (21) (2) (4)...(4) of the semiconductor wafer (1). is provided so that printing liquid can be filled into this recess f4) (4)...(4).
次に排気ポンプ（２８）を稼動させて減圧室（２５）内
を排気、減圧する。この場合、減圧室（２５）内の圧力
が例えば１０−２ｍｍ１１ｇ〜１０−’ ｍｍ１１ｇと
なる様にし、続いて、第２図に示す様に凹版支持体（３
１）を前方に移動して凹版（３）を印刷液供給装置（５
）のアプリケートロール（９）に押し付けると共に印刷
液供給装置（５）を上方から下方に移動させて凹部（４
） （４）・・・（４）に保護膜材（７）を充填し、す
べての凹部（４） （４１・・・（４）に保護膜材（７
）を供給した後、第３図に示す様に凹版支持体（３１）
を後方に移動させると共に印刷液供給装置（５）を上方
に移動させる。Next, the exhaust pump (28) is operated to exhaust and reduce the pressure inside the decompression chamber (25). In this case, the pressure in the decompression chamber (25) is set to, for example, 10-2 mm 11 g to 10-' mm 11 g, and then the intaglio support (3
1) forward and the intaglio plate (3) is placed in the printing liquid supply device (5).
) and move the printing liquid supply device (5) from above to below to fill the recess (4).
) (4)...(4) is filled with the protective film material (7), and all recesses (4) (41...(4) are filled with the protective film material (7).
), as shown in Figure 3, the intaglio support (31)
is moved backward and the printing liquid supply device (5) is moved upward.
次に第４図に示す様に凹版支持体（３１）を前方に移動
させて凹版（３）の表面を半導体ウェーハ（１）の表面
に押し付け、凹部（４） （４）・・・（４）内の保護
膜材（７１（７１・・・（７）を半導体ウェーハ（１）
に接触させた後、第５図に示す様に凹版支持体（３１）
を後方に移動させて凹版（３）を半導体ウェーハ（１）
から離す。この様にすると、半導体ウェーハ（１１の各
半導体集積回路素子部（２］ （２１・・・（２）上に
保護膜材（７） （７）・・・（７）が転写されてなる
保護膜材層（１１） （１１）・・・（１１）が形成
される。Next, as shown in FIG. 4, the intaglio support (31) is moved forward and the surface of the intaglio (3) is pressed against the surface of the semiconductor wafer (1), recesses (4) (4)...(4) ) in the protective film material (71 (71...(7)) as a semiconductor wafer (1)
After contacting the intaglio support (31) as shown in FIG.
Move the intaglio (3) backwards and place the semiconductor wafer (1) on the intaglio (3).
away from. In this way, the protective film material (7) (7)...(7) is transferred onto each semiconductor integrated circuit element portion (2) (21...(2) of the semiconductor wafer (11). Membrane material layers (11) (11)...(11) are formed.
次に第１４図に示すと同様にこの保護膜材５！（１１）
（１１）・・・（１１）を加熱してこの保護膜材層（１
１）（１１）・・・（１１）から溶剤であるＮ−メチル
−スピロリドンを蒸発させ、硬化されてなるポリイミド
層（１２） （１２）・・・（１２）を形成する。Next, as shown in FIG. 14, this protective film material 5! (11)
(11)...(11) is heated and this protective film material layer (1
1) N-methyl-spirolidone as a solvent is evaporated from (11)...(11) to form a cured polyimide layer (12) (12)...(12).
次に第１５図に示すと同様に半導体ウェーハ（１）を各
チップ毎に分割して半導体集積回路素子（１３）を得る
様にし１、この半導体集積回路素子（１３）を接着剤（
１４）を用いてリードフレーム（１５）に固定し、ポン
ディングパッド（１６）とリード（１７）とを金線（１
８）で接続し、更にリード（１７）の先端部分を除き全
体をエポキシ樹脂（１９）によってモールドする。この
様にすると半導体集積回路素子（１３）の表面にポリイ
ミド層（１２）からなる表面保ｉ４膜を有する半導体集
積回路装置を得ることができる。Next, as shown in FIG. 15, the semiconductor wafer (1) is divided into individual chips to obtain semiconductor integrated circuit elements (13).
14) to the lead frame (15), and bonding pads (16) and leads (17) using gold wires (14).
8), and then mold the entire lead (17) except for its tip with epoxy resin (19). In this way, it is possible to obtain a semiconductor integrated circuit device having a surface protective i4 film made of a polyimide layer (12) on the surface of the semiconductor integrated circuit element (13).
ここに本実施例においては、ＩＰ２ｍｍ１ｇ〜１０−’
ｍ５１１ｇとされた減圧室（２５）内で凹版（３）に
保護膜材（７）を供給してこの保護膜材（７）を凹部（
４）に充填する様にしているので、第６図及び第７図に
示す様に凹部（４）内に空気が抱き込まれず、この凹部
（４）内に空気層が生ずることはなく、凹部（４）内の
隅々にまで保護膜材（７）が充填される。In this example, IP2mm1g~10-'
A protective film material (7) is supplied to the intaglio (3) in a vacuum chamber (25) with a pressure of 511 g, and the protective film material (7) is applied to the recess (
4), air is not trapped in the recess (4) as shown in FIGS. 6 and 7, and no air layer is formed within the recess (4). The protective film material (7) is filled into every corner of (4).
従って、本実施例においては、凹版（３）を半導体ウェ
ーハ（１１に押し付けて凹部（４）内の保護膜材（７）
を半導体ウェーハ（１）に転写させた場合には、第８図
に示す様に凹部（４）のパターンに対応した良好な保護
膜材層（１１）が形成され、その後、加熱処理すること
によって、設計通りのパターンを有するポリイミドＦｉ
（１２）を形成することができるという利益がある。Therefore, in this embodiment, the intaglio (3) is pressed against the semiconductor wafer (11) to remove the protective film material (7) in the recess (4).
When transferred to the semiconductor wafer (1), a good protective film material layer (11) corresponding to the pattern of the recesses (4) is formed as shown in FIG. 8, and then by heat treatment. , polyimide Fi with a designed pattern
There is the advantage that (12) can be formed.
また本実施例においては、１０−２ｍｍＨｇ〜１０″′
３１ＩＩｌｌＨｇとされた減圧室（２５）内で凹版（３
）の凹部（４）に充填した保護膜材（７１（７）・・・
（７）を半導体ウェーハ（１）に転写して保ｔＪ膜材層
（１１） （１１）・・・（１１）を形成する様にし
ているので、半導体ウェーハ（１）の各半導体集積回路
素子部（２） （２１・・・（２）の表面、即ちＳｉＮ
層（２２）の表面に微細な凹凸があったとしても、この
ＳｉＮ層（２２）の凹部に空気が閉じ込められることが
なく、保護膜材ｍ （１１） （１１）−（１１）
ハＳｉＮ Ｎ（２２）面に密着して形成される。In addition, in this example, 10-2 mmHg to 10'''
An intaglio plate (3
) filled in the recess (4) of the protective film material (71 (7)...
(7) is transferred to the semiconductor wafer (1) to form the tJ film material layer (11) (11)...(11), so that each semiconductor integrated circuit element on the semiconductor wafer (1) Part (2) (21... surface of (2), i.e. SiN
Even if there are minute irregularities on the surface of the layer (22), air will not be trapped in the recesses of this SiN layer (22), and the protective film material m (11) (11)-(11)
It is formed in close contact with the SiN N(22) surface.
従って、本実施例に依れば、保護膜材層（１１）を加熱
処理してポリイミドｊｉ！（１２）を形成する場合にポ
リイミド層（１２）にピンホールが生ずることがなく所
定のパターンを有する良好なポリイミド層（１２）を形
成することができるという利益がある。Therefore, according to this embodiment, the protective film material layer (11) is heat treated to form polyimide ji! When forming (12), there is an advantage that pinholes do not occur in the polyimide layer (12) and a good polyimide layer (12) having a predetermined pattern can be formed.
尚、上述実施例においては、半導体集積回路素子（１３
）上にポリイミド層（１２）を形成する場合につき述べ
たが、本発明はこの上述実施例に限らず、シリコン樹脂
等積々の樹脂による表面保護膜を形成する場合にも適用
でき、この場合にも上述同様の作用効果を得ることがで
きる。Incidentally, in the above embodiment, the semiconductor integrated circuit element (13
), the present invention is not limited to the above-described embodiment, but can also be applied to the case of forming a surface protective film using a layer of resin such as silicone resin. The same effects as described above can also be obtained.
また上述実施例においては、ＳｉＮ層（２２）上にポリ
イミド層（１２）を形成する場合につき述べたが、本発
明はＳｉＮ層（２２）を設けず、配線層（２１）上に直
接ポリイミド層を形成する場合にも通用でき、この場合
にも上述同様の作用効果を得ることができる。Further, in the above embodiment, a case was described in which the polyimide layer (12) was formed on the SiN layer (22), but the present invention does not provide the SiN layer (22) and forms a polyimide layer directly on the wiring layer (21). It can also be applied to the case of forming a , and in this case as well, the same effects as described above can be obtained.
また上述実施例においては、半導体集積回路素子（１３
）の表面に表面保護膜を形成する場合につき述べたが、
本発明は紙、フィルム等に通常の印刷を行う場合にも適
用でき、この場合にも、上述同様の作用効果を得ること
かできる。Further, in the above embodiment, the semiconductor integrated circuit element (13
), we have described the case of forming a surface protective film on the surface of
The present invention can also be applied to ordinary printing on paper, film, etc., and the same effects as described above can be obtained in this case as well.
また上述実施例においては、平板で形成した凹版（３）
を使用した場合につき述べたが、この代わりに、ロール
による凹版を使用しても良く、この場合にも上述同様の
作用効果を得ることができる。Furthermore, in the above embodiment, the intaglio (3) formed of a flat plate
In the above description, an intaglio plate formed by a roll may be used instead, and the same effects as described above can be obtained in this case as well.
また本発明は上述実施例に限らず、本発明の要旨を逸脱
することなく、その他種々の構成が取り得ることは勿論
である。Further, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and it goes without saying that various other configurations may be adopted without departing from the gist of the present invention.
本発明に依れば、印刷液（７）は凹部（４）内の隅々ま
で完全に先議できる様にされているので、良好な高精度
パターン印刷、例えば半導体集積回路素子、（１３）に
対する樹脂よりなる表面保護膜（１２）の形成を高い精
度で行うことができるという利益がある。According to the present invention, the printing liquid (7) can be completely applied to every corner of the recess (4), so that good high-precision pattern printing can be achieved, for example, for semiconductor integrated circuit elements (13). There is an advantage that the surface protective film (12) made of resin can be formed with high precision.
第１図は本発明による印刷方法の実施に供する印刷装置
の一例を示す構成図、第２図、第３図。
第４図及び第５図は夫々本発明による印刷工程の一例を
示す線図、第６図、第７図及び第８図は夫々本発明の説
明に供する線図、第９図、第１０図。
第１１図、第１２図、第１３図及び第１４図は夫々印刷
方法の例を示す工程図、第１５図は半導体集積回路装置
の例を示す構成図、第１６図、第１７図及び第１８図は
夫々第９図〜第１４図に示す印刷工程の説明に供する線
図である。
（１）は半導体ウェーハ、（２）は半導体集積回路素子
部、（３）は凹版、（４）は四部、（５）は印刷液供給
装置、（７）は保護膜材、（１１）は保護膜材層、（１
２）はポリイミド層、（２５）は減圧室、（２６）は密
閉容器、（２８）は排気ポンプ、（２９）は基台、（３
０）は半導体ウェーハ支持体、（３１）は凹版支持体で
ある。FIG. 1 is a block diagram showing an example of a printing apparatus used for carrying out the printing method according to the present invention, and FIGS. 2 and 3. 4 and 5 are diagrams showing an example of the printing process according to the present invention, FIGS. 6, 7, and 8 are diagrams for explaining the present invention, respectively, and FIGS. 9 and 10. . 11, 12, 13, and 14 are process diagrams showing an example of a printing method, FIG. 15 is a block diagram showing an example of a semiconductor integrated circuit device, and FIGS. 16, 17, and FIG. 18 is a diagram for explaining the printing process shown in FIGS. 9 to 14, respectively. (1) is a semiconductor wafer, (2) is a semiconductor integrated circuit element part, (3) is an intaglio plate, (4) is a fourth part, (5) is a printing liquid supply device, (7) is a protective film material, (11) is Protective film material layer, (1
2) is a polyimide layer, (25) is a decompression chamber, (26) is a closed container, (28) is an exhaust pump, (29) is a base, (3)
0) is a semiconductor wafer support, and (31) is an intaglio support.
Claims (1)
転写して印刷する印刷方法において、上記凹部に対する
上記印刷液の充填を減圧室内で行う様にしたことを特徴
とする印刷方法。A printing method in which a printing liquid is filled in a recessed part of an intaglio plate, and the printing liquid is transferred to an object for printing, characterized in that the recessed part is filled with the printing liquid in a reduced pressure chamber. .
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7317087A JP2513216B2 (en) | 1987-03-27 | 1987-03-27 | Printing method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7317087A JP2513216B2 (en) | 1987-03-27 | 1987-03-27 | Printing method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63237982A true JPS63237982A (en) | 1988-10-04 |
| JP2513216B2 JP2513216B2 (en) | 1996-07-03 |
Family
ID=13510409
Family Applications (1)
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| JP7317087A Expired - Fee Related JP2513216B2 (en) | 1987-03-27 | 1987-03-27 | Printing method |
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1987
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