JP2001135925A - Supplying method and supplying device for flux - Google Patents

Supplying method and supplying device for flux

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JP2001135925A
JP2001135925A JP31364699A JP31364699A JP2001135925A JP 2001135925 A JP2001135925 A JP 2001135925A JP 31364699 A JP31364699 A JP 31364699A JP 31364699 A JP31364699 A JP 31364699A JP 2001135925 A JP2001135925 A JP 2001135925A
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JP
Japan
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flux
flux supply
transfer plate
supply
supply device
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JP31364699A
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Japanese (ja)
Inventor
Nobuaki Takahashi
信明 高橋
Naoharu Senba
直治 仙波
Yuzo Shimada
勇三 嶋田
Takumi Yamamoto
巧 山本
Kazuhiko Futagami
和彦 二上
Akira Hatase
晃 畑瀬
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NEC Corp
Japan EM Co Ltd
Original Assignee
NEC Corp
Japan EM Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a flux supply device as well as flux supply method where flux is supplied at high positional accuracy and high-accuracy transfer amount. SOLUTION: For a flux supply device for supplying a flux 3 to an electrode pad of a substrate, a flux supply pallet 1, where a flux supply hole 2 is formed at a position corresponding to the electrode pad of substrate, and a flux transfer plate 5 where a projection 6 is formed corresponding to the flux supply hole 2, are provided.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、フリップチップ接
続やボールグリッドアレイ等におけるバンプ形成方法に
関し、特に、はんだボールを半導体チップ、配線基板等
に転写する際のフラックスを供給するための装置及び方
法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of forming bumps in flip chip connection and ball grid array, and more particularly to an apparatus and method for supplying a flux when transferring solder balls to a semiconductor chip, a wiring board, or the like. About.

【0002】[0002]

【従来の技術】フリップチップ、チップサイズパッケー
ジ(CSP)、ボールグリッドアレイ(BGA)等のは
んだバンプ電極を、はんだボールを用いて形成する際の
フラックスを供給する方法には、半導体チップや配線基
板の電極パッドに印刷する方法、治具を用いて電極パッ
ドに転写する方法、または、はんだボールに直接転写す
る方法等がある。
2. Description of the Related Art A method of supplying a flux for forming a solder bump electrode such as a flip chip, a chip size package (CSP), a ball grid array (BGA) by using a solder ball includes a semiconductor chip and a wiring board. , A method of transferring to an electrode pad using a jig, a method of directly transferring to a solder ball, and the like.

【0003】印刷による方法は既に広く行われている
が、パッドピッチが狭くなるとメタルマスクの作製が困
難となる。
Although the printing method is already widely used, it is difficult to manufacture a metal mask when the pad pitch is narrow.

【0004】治具を用いて電極パッドに転写する従来の
方法として、例えば、特開平9−82719に記載され
ている(以下、第1の従来技術という)。
[0004] A conventional method of transferring to an electrode pad using a jig is described in, for example, JP-A-9-82719 (hereinafter, referred to as a first conventional technique).

【0005】図5を参照して、第1の従来技術の転写方
法について説明する。
Referring to FIG. 5, a first conventional transfer method will be described.

【0006】図5(a)及び(b)に示すように、転写
対象となるプリント基板15の電極パッド16に対応す
る突起11を有するフラックス転写基板10の突起先端
部分をフラックス浴12に浸す。
As shown in FIGS. 5 (a) and 5 (b), a tip end of a flux transfer substrate 10 having a projection 11 corresponding to an electrode pad 16 of a printed substrate 15 to be transferred is immersed in a flux bath 12.

【0007】そして、図5(c)に示すように、フラッ
クス13を突起11の先端部に付着させる。
[0007] Then, as shown in FIG. 5 (c), the flux 13 is attached to the tip of the projection 11.

【0008】次に、図5(d)に示すように、フラック
ス転写板10を、プリント基板15上に移動させる。
Next, as shown in FIG. 5D, the flux transfer plate 10 is moved onto the printed circuit board 15.

【0009】その後、図5(e)、(f)に示すよう
に、プリント基板15の電極パッド16にそのフラック
ス14を転写する。
After that, as shown in FIGS. 5E and 5F, the flux 14 is transferred to the electrode pads 16 of the printed circuit board 15.

【0010】続いて、図5(g)、(h)及び(i)に
示すように、はんだボール20を転写したフラックス1
7上に搭載する。
Subsequently, as shown in FIGS. 5 (g), 5 (h) and 5 (i), the flux 1 to which the solder ball 20 has been transferred is applied.
7

【0011】このようにして、図5(j)に示すよう
に、電極パッド16にバンプ21を形成する。
In this way, bumps 21 are formed on the electrode pads 16 as shown in FIG.

【0012】次に、はんだボールに直接転写する方法と
して、例えば、特開平11−54516に記載されてい
る(以下、第2の従来技術という)。
Next, as a method of direct transfer to a solder ball, for example, it is described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 11-54516 (hereinafter referred to as a second conventional technique).

【0013】図6を参照して、第2の従来技術について
説明する。
Referring to FIG. 6, a second prior art will be described.

【0014】図6に示すように、第2の従来技術の転写
装置は、金属ボールBを所定の配列位置に吸着保持する
ボール配列基板23と、金属ボールBの配列位置と対応
する位置にフラックス供給孔26aを有するフラックス
供給手段24と、ボール配列基板23を位置決め及び移
動可能な駆動機構(図示せず)とを備える。
As shown in FIG. 6, a transfer device according to the second prior art includes a ball array substrate 23 for attracting and holding metal balls B at a predetermined array position, and a flux at a position corresponding to the array position of the metal balls B. A flux supply means 24 having a supply hole 26a and a drive mechanism (not shown) capable of positioning and moving the ball array substrate 23 are provided.

【0015】このような構成の下、フラックスFを供給
する際、金属ボールBの配列位置と同位置に金属ボール
BごとにフラックスFを供給する。フラックスFを加圧
してフラックス供給孔26aから適度に膨出させる。こ
れにより、金属ボールBの先端部分にのみ適量のフラッ
クスFを適正に塗布することができる。
With such a configuration, when supplying the flux F, the flux F is supplied for each metal ball B at the same position as the arrangement position of the metal balls B. The flux F is pressurized to swell appropriately from the flux supply hole 26a. Thereby, an appropriate amount of the flux F can be appropriately applied only to the tip portion of the metal ball B.

【0016】[0016]

【発明が解決しようとする課題】上記第1の従来技術の
場合、電極パッドが狭ピッチである半導体チップや配線
基板に対応して、転写基板の突起が狭ピッチに形成され
ている場合、突起先端部をフラックス浴へ浸し、フラッ
クスを転写する際、隣接突起間にフラックスが入り込
み、複数の隣接する突起にまたがってフラックスが付着
してしまう可能性がある。
In the case of the first prior art, when the projections of the transfer substrate are formed at a narrow pitch corresponding to the semiconductor chips or the wiring substrates having the narrow pitches of the electrode pads, When the tip is immersed in a flux bath and the flux is transferred, the flux may enter between adjacent projections, and the flux may adhere to a plurality of adjacent projections.

【0017】また、フラックス浴に容易に突起の先端の
みを浸すためには、突起の高さが200μm以上、望ま
しくは、500μm以上必要となる。
In order to easily immerse only the tips of the projections in the flux bath, the height of the projections needs to be 200 μm or more, preferably 500 μm or more.

【0018】第1の従来技術には、例として、断面直径
が50μmで高さが500μmの円柱状の形態が示され
ているが、このような高アスペクト比の治具を作製する
ことは、実際は非常に困難でありコストも高くなる。
In the first prior art, as an example, a columnar shape having a cross-sectional diameter of 50 μm and a height of 500 μm is shown. To manufacture such a jig having a high aspect ratio, In practice it is very difficult and costly.

【0019】また、第2の従来技術の場合、フラックス
とボール配列基板が直接接触することは無いが、フラッ
クスをボールに転写している時も真空吸引によってボー
ル配列基板のボール配列孔に吸引固定しているため、フ
ラックスがボールを伝ってはい上がり、ボール配列孔に
付着してしまう可能性がある。あるいは、フラックスが
真空吸引装置内部に吸い込まれ、不具合が生じる可能性
がある。
In the case of the second prior art, the flux does not come into direct contact with the ball array substrate. However, even when the flux is transferred to the ball, the flux is fixed to the ball array hole of the ball array substrate by vacuum suction. Therefore, there is a possibility that the flux goes up along the ball and adheres to the ball arrangement hole. Alternatively, the flux may be sucked into the vacuum suction device, causing a problem.

【0020】本発明は、上記従来技術の問題点に鑑みて
なされたものであり、その目的とするところは、フラッ
クスを高位置精度でかつ転写量を高精度に供給すること
が可能なフラックス供給装置及びフラックス供給方法を
提供することにある。
The present invention has been made in view of the above-mentioned problems of the prior art, and an object of the present invention is to provide a flux supply device capable of supplying a flux with high positional accuracy and a transfer amount with high accuracy. An object of the present invention is to provide an apparatus and a flux supply method.

【0021】[0021]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明では、基板の電極パッドにフラックスを供給
するためのフラックス供給装置において、上記基板の電
極パッドに対応する位置にフラックス供給孔が形成され
ているフラックス供給パレットと、フラックス供給孔に
対応して突起が形成されているフラックス転写プレート
とを有する。
According to the present invention, there is provided a flux supply apparatus for supplying a flux to an electrode pad of a substrate, wherein a flux supply hole is provided at a position corresponding to the electrode pad of the substrate. And a flux transfer plate in which projections are formed corresponding to the flux supply holes.

【0022】ここで、前記フラックス供給パレットに形
成されたフラックス供給孔に充填されたフラックスを、
前記フラックス転写プレートに形成された突起と接触さ
せることにより突起にフラックスを付着させるようにす
る。
Here, the flux filled in the flux supply holes formed in the flux supply pallet is
The flux is attached to the projections by making contact with the projections formed on the flux transfer plate.

【0023】前記フラックス供給孔へのフラックスの充
填は、スキージを用いて行われるのが好ましい。
The filling of the flux supply holes with the flux is preferably performed using a squeegee.

【0024】あるいは、前記フラックス供給パレットに
は、フラックス供給孔に対応して設けられた貫通孔を有
するフラックス供給装置が接続されており、フラックス
はこの貫通孔を介してフラックス供給孔に充填されるよ
うにしても良い。
Alternatively, a flux supply device having a through hole provided corresponding to the flux supply hole is connected to the flux supply pallet, and the flux is filled into the flux supply hole via the through hole. You may do it.

【0025】前記フラックス転写プレートに形成された
突起の先端部には、フラックスを吸着させるためのフラ
ックス吸着層が設けられていることが好ましい。前記フ
ラックス吸着層は、例えば、多孔質材から成る。
It is preferable that a flux adsorbing layer for adsorbing the flux is provided at the tip of the projection formed on the flux transfer plate. The flux adsorption layer is made of, for example, a porous material.

【0026】代わりに、前記フラックス吸着層は、突起
の先端部に凹凸を形成することにより構成しても良い。
Alternatively, the flux adsorption layer may be formed by forming irregularities at the tip of the projection.

【0027】また、好ましくは、前記フラックス供給パ
レットはシリコン基板から成り、フラックス供給孔は異
方性エッチングまたは等方性エッチングによって形成さ
れている。
Preferably, the flux supply pallet is made of a silicon substrate, and the flux supply holes are formed by anisotropic etching or isotropic etching.

【0028】また、望ましくは、前記フラックス転写プ
レートはシリコン基板から成り、突起は異方性エッチン
グまたは等方性エッチングによって形成されている。
Preferably, the flux transfer plate is made of a silicon substrate, and the projections are formed by anisotropic etching or isotropic etching.

【0029】前記フラックス転写プレートは、弾性を有
する樹脂から成ることが好ましい。
It is preferable that the flux transfer plate is made of an elastic resin.

【0030】この場合、前記弾性を有する樹脂は、少な
くとも、シリコーン系樹脂、テフロン系樹脂、ブタジエ
ン系樹脂、フッ素系樹脂及びポリウレタン系樹脂から選
ばれることが望ましい。
In this case, the resin having elasticity is desirably selected at least from a silicone resin, a Teflon resin, a butadiene resin, a fluorine resin and a polyurethane resin.

【0031】さらに、本発明では、基板の電極パッドに
フラックスを供給するためのフラックス供給方法におい
て、上記基板の電極パッドに対応する位置にフラックス
供給孔が形成されているフラックス供給パレットと、フ
ラックス供給孔に対応して突起が形成されているフラッ
クス転写プレートとを用意し、フラックス供給孔にフラ
ックスを充填し、フラックス転写プレートとフラックス
供給パレットとをフラックス供給孔と突起とが対向する
ように位置合わせし、フラックス供給パレットに形成さ
れたフラックス供給孔に充填されたフラックスをフラッ
クス転写プレートに形成された突起と接触させることに
よりこの突起にフラックスを付着させ、突起に付着され
たフラックスを基板の電極パッドに転写するようにす
る。
Further, according to the present invention, there is provided a flux supply method for supplying a flux to an electrode pad of a substrate, wherein a flux supply pallet having a flux supply hole formed at a position corresponding to the electrode pad of the substrate; Prepare a flux transfer plate with protrusions corresponding to the holes, fill the flux supply holes with flux, and align the flux transfer plate and the flux supply pallet so that the flux supply holes and the protrusions face each other. Then, the flux filled in the flux supply holes formed on the flux supply pallet is brought into contact with the projections formed on the flux transfer plate, whereby the flux is attached to the projections. To be transferred to

【0032】前記フラックス供給孔へのフラックスの充
填は、スキージを用いて行われることが好ましい。
The filling of the flux supply holes with the flux is preferably performed using a squeegee.

【0033】あるいは、前記フラックス供給孔へのフラ
ックスの充填は、フラックス供給装置を用いて加圧によ
り行っても良い。
Alternatively, the filling of the flux supply holes with the flux may be performed by pressurization using a flux supply device.

【0034】[0034]

【作用】本発明では、フリップチップ、CSP、BGA
等のはんだバンプ電極を、はんだボールを用いて形成す
る際のフラックスを供給するフラックス供給装置および
供給方法において、エッチングによりシリコン基板にサ
イズの均一な孔を設け、その孔にスキージ等でフラック
スを充填させる。
According to the present invention, flip chip, CSP, BGA
In a flux supply device and method for supplying flux when forming solder bump electrodes using solder balls, a hole having a uniform size is formed in a silicon substrate by etching, and the hole is filled with a flux using a squeegee or the like. Let it.

【0035】さらに、シリコン、樹脂等から成るフラッ
クス転写プレートの突起部にフラックスを付着し、半導
体チップや配線基板の電極パッドに転写・供給する。
Further, a flux is adhered to a projection of a flux transfer plate made of silicon, resin, or the like, and is transferred and supplied to an electrode pad of a semiconductor chip or a wiring board.

【0036】この結果、フラックスを高位置精度で転写
量を高精度に供給することが可能になる。特に、フラッ
クス転写プレートを、シリコン基板をエッチングするこ
とによって作製した場合、位置精度やフラックス量を更
に高精度に制御可能である。
As a result, it becomes possible to supply the flux with high positional accuracy and the transfer amount with high accuracy. In particular, when the flux transfer plate is manufactured by etching a silicon substrate, the positional accuracy and the amount of flux can be controlled with higher accuracy.

【0037】[0037]

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図面を参照
して説明する。
Embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

【0038】(第1の実施の形態)図1を参照して、本
発明の第1の実施の形態について説明する。
(First Embodiment) A first embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

【0039】ここで、フラックス供給パレット1はシリ
コン基板から成っており、フラックス供給孔2はシリコ
ン基板の片面に異方性エッチング法により形成してあ
る。従って、フラックス供給孔2は四角錐形状となって
いる。
Here, the flux supply pallet 1 is made of a silicon substrate, and the flux supply holes 2 are formed on one side of the silicon substrate by an anisotropic etching method. Therefore, the flux supply hole 2 has a quadrangular pyramid shape.

【0040】なお、フラックス供給孔2は完全な四角錐
形でなくとも良く、その底部は平面となっていても、丸
みを帯びていても良い。
The flux supply hole 2 does not have to be a perfect quadrangular pyramid, and its bottom may be flat or rounded.

【0041】まず、図1(a)に示すように、スキージ
4を用いてフラックス3をフラックス供給孔2に充填さ
せる。
First, as shown in FIG. 1A, the flux 3 is filled in the flux supply hole 2 using the squeegee 4.

【0042】次に、図1(b)に示すように、フラック
ス転写プレート5をフラックス供給パレット1と位置合
わせし、下降させて突起6にフラックス3を接触させた
後上昇させる。これにより、図1(c)に示すように、
突起6にフラックス3を付着させる。
Next, as shown in FIG. 1 (b), the flux transfer plate 5 is aligned with the flux supply pallet 1, lowered and brought into contact with the projections 6, and then raised. As a result, as shown in FIG.
The flux 3 is adhered to the projection 6.

【0043】その後、この突起6先端部に付着させたフ
ラックス3を、半導体チップや配線基板の電極パッド
(図示せず)に転写し供給する。
Thereafter, the flux 3 adhered to the tip of the projection 6 is transferred and supplied to an electrode pad (not shown) of a semiconductor chip or a wiring board.

【0044】これにより、突起6の先端部に付着したフ
ラックス量を精度良く均一にすることができ、従って、
半導体チップや配線基板の電極パッドに転写されるフラ
ックス量も精度良く均一にできる。
As a result, the amount of flux adhering to the tip of the projection 6 can be made uniform with high precision.
The amount of flux transferred to the electrode pads of the semiconductor chip or the wiring board can also be accurately and uniformly made.

【0045】なお、フラックス転写プレート5はシリコ
ン基板から成っており、突起6は異方性エッチング法に
より形成してある。なお、突起6の頂点は尖っていて
も、平面となっていても、丸みを帯びていても良い。
The flux transfer plate 5 is made of a silicon substrate, and the projections 6 are formed by an anisotropic etching method. Note that the apex of the protrusion 6 may be pointed, flat, or rounded.

【0046】また、この方法の場合、フラックス供給パ
レット1を、フラックス供給孔2のサイズが均一で位置
精度も良く、狭ピッチパターンでも高精度で容易に低コ
ストで作製することができる。さらに、フラックス転写
プレート5を、突起6のサイズが均一で位置精度も良
く、狭ピッチパターンでも高精度で容易に低コストで作
製することができる。
In the case of this method, the flux supply pallet 1 can be manufactured easily and at low cost even with a narrow pitch pattern with a uniform size of the flux supply holes 2 and good positional accuracy. Further, the flux transfer plate 5 can be manufactured easily and at low cost with high accuracy even in a narrow pitch pattern, in which the projections 6 have a uniform size and good positional accuracy.

【0047】なお、突起6およびフラックス供給孔2は
異方性エッチング法で形成するとしたが、等方性エッチ
ング法等、精度良く作製できれば他の方法で形成しても
良い。
Although the projections 6 and the flux supply holes 2 are formed by the anisotropic etching method, they may be formed by other methods as long as they can be manufactured with high precision, such as an isotropic etching method.

【0048】また、フラックス転写プレート5およびフ
ラックス供給パレット1はシリコンから成るとしたが、
シリコーン系樹脂等、精度良く作製できれば他の材料で
も良い。例えば、シリコン基板に異方性エッチング法や
等方性エッチング法で孔を形成したものを用いて、シリ
コーン系樹脂等で型取りすれば、突起のサイズ、位置等
の精度の高いフラックス転写プレートを作製できる。
Although the flux transfer plate 5 and the flux supply pallet 1 are made of silicon,
Other materials such as a silicone resin may be used as long as they can be manufactured with high accuracy. For example, if a silicon substrate having holes formed by anisotropic etching or isotropic etching is used and molded with a silicone resin or the like, a flux transfer plate with high accuracy in the size and position of the protrusions can be obtained. Can be made.

【0049】ここで、フラックス転写プレート5は、弾
性を有する樹脂で形成するのが望ましい。例えば、弾性
を有する樹脂としては、シリコーン系樹脂、テフロン系
樹脂、ブタジエン系樹脂、フッ素系樹脂及びポリウレタ
ン系樹脂などが好ましい。
Here, it is desirable that the flux transfer plate 5 is formed of an elastic resin. For example, as the resin having elasticity, a silicone resin, a Teflon resin, a butadiene resin, a fluorine resin, a polyurethane resin, or the like is preferable.

【0050】(第2の実施の形態)図2を参照して、本
発明の第2の実施の形態について説明する。
(Second Embodiment) A second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

【0051】図2において、フラックス供給パレット1
には、シリコン基板を両面から異方性エッチングを施す
ことにより、サイズが均一で位置精度の良いフラックス
供給孔2が形成されている。
In FIG. 2, the flux supply pallet 1
Is formed with a flux supply hole 2 having uniform size and high positional accuracy by performing anisotropic etching on both sides of a silicon substrate.

【0052】フラックス供給パレット1は、フラックス
供給装置7に接続されており、図示しないフラックス供
給源よりフラックス3が供給されるようになっている。
The flux supply pallet 1 is connected to a flux supply device 7 so that the flux 3 is supplied from a flux supply source (not shown).

【0053】図2(a)に示すように、フラックス3は
加圧によりフラックス供給孔(貫通孔)8を通り、フラ
ックス供給孔2に充填された状態となる。
As shown in FIG. 2A, the flux 3 passes through the flux supply hole (through-hole) 8 by pressurization and is filled in the flux supply hole 2.

【0054】第1の実施の形態と同様に作製されたフラ
ックス転写プレート5の突起6とフラックス供給孔2と
を位置合わせした後、図2(b)に示すように、フラッ
クス転写プレート5を下降させ、突起6をフラックス供
給孔2内のフラックス3に接触させる。
After aligning the projections 6 of the flux transfer plate 5 manufactured in the same manner as in the first embodiment with the flux supply holes 2, the flux transfer plate 5 is lowered as shown in FIG. Then, the protrusion 6 is brought into contact with the flux 3 in the flux supply hole 2.

【0055】その後、フラックス転写プレート5を上昇
させれば、図2(c)に示すように、突起6の先端部の
みに一定量のフラックス3が付着した状態が得られる。
Thereafter, when the flux transfer plate 5 is raised, a state in which a certain amount of the flux 3 adheres only to the tip of the projection 6 is obtained as shown in FIG.

【0056】続いて、第1の実施の形態と同様に、突起
6の先端部に付着させたフラックス3を半導体チップや
配線基板の電極パッド(図示せず)に転写し供給する。
Subsequently, as in the first embodiment, the flux 3 attached to the tip of the projection 6 is transferred to a semiconductor chip or an electrode pad (not shown) of a wiring board and supplied.

【0057】なお、突起6およびフラックス供給孔2は
異方性エッチング法で形成するとしたが、等方性エッチ
ング法等、精度良く作製できれば他の方法でも良い。ま
た、フラックス転写プレート5およびフラックス供給パ
レット1はシリコンから成るとしたが、シリコーン系樹
脂等、精度良く作製できれば他の材料でも良い。例え
ば、シリコン基板に異方性エッチング法や等方性エッチ
ング法で孔を形成したものを用いて、シリコーン樹脂等
で型取りすれば、突起のサイズ、位置等の精度の高いフ
ラックス転写プレートを作製できる。
Although the projections 6 and the flux supply holes 2 are formed by the anisotropic etching method, other methods such as an isotropic etching method may be used as long as they can be accurately manufactured. Further, although the flux transfer plate 5 and the flux supply pallet 1 are made of silicon, other materials such as a silicone resin may be used as long as they can be manufactured with high accuracy. For example, if a silicon substrate with holes formed by anisotropic etching or isotropic etching is used and molded with silicone resin or the like, a flux transfer plate with high accuracy in the size and position of the protrusions is manufactured. it can.

【0058】ここで、フラックス転写プレート5は、弾
性を有する樹脂で形成するのが望ましい。例えば、弾性
を有する樹脂としては、シリコーン系樹脂、テフロン系
樹脂、ブタジエン系樹脂、フッ素系樹脂及びポリウレタ
ン系樹脂などが好ましい。
Here, the flux transfer plate 5 is desirably formed of an elastic resin. For example, as the resin having elasticity, a silicone resin, a Teflon resin, a butadiene resin, a fluorine resin, a polyurethane resin, or the like is preferable.

【0059】(第3の実施の形態)図3を参照して、本
発明の第3の実施の形態について説明する。
(Third Embodiment) A third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

【0060】第2の実施の形態と同様に、図2(a)に
おいて、シリコン基板を両面から異方性エッチングを施
すことにより、フラックス供給孔2を形成し、フラック
ス供給パレット1を得る。
In the same manner as in the second embodiment, in FIG. 2A, a flux supply hole 2 is formed by performing anisotropic etching on both sides of a silicon substrate, and a flux supply pallet 1 is obtained.

【0061】その開口部は突起6の形状、サイズに合わ
せて形成しておく。フラックス転写プレート5の突起6
とフラックス供給孔2を位置合わせした後、図2(b)
に示すように、フラックス転写プレート5を下降させ、
突起6をフラックス供給孔2内のフラックス3に接触さ
せる。
The opening is formed in accordance with the shape and size of the projection 6. Projection 6 of flux transfer plate 5
After aligning the flux supply holes 2 with each other, FIG.
As shown in the figure, the flux transfer plate 5 is lowered,
The protrusion 6 is brought into contact with the flux 3 in the flux supply hole 2.

【0062】その際、図3に示す図2(b)のA部拡大
図のように、突起6とフラックス供給孔2を合わせるよ
うにする。こうすることにより、フラックス3に接触す
る突起6の面積を正確に一定にできるので、突起6に付
着するフラックス3の量を精度良く制御することができ
る。
At this time, as shown in an enlarged view of a portion A in FIG. 2B shown in FIG. 3, the projection 6 and the flux supply hole 2 are aligned. By doing so, the area of the projections 6 that come into contact with the flux 3 can be accurately made constant, so that the amount of the flux 3 adhering to the projections 6 can be accurately controlled.

【0063】更に、その際、下方から突起6の方向へ圧
力を与えることが望ましい。その後、圧力を除去し、フ
ラックス転写プレート5を上昇させれば、図2(c)に
示すように、突起6の先端部のみに一定量のフラックス
3が付着した状態が得られる。
At this time, it is desirable to apply pressure in the direction of the projection 6 from below. Thereafter, when the pressure is removed and the flux transfer plate 5 is raised, a state in which a certain amount of the flux 3 adheres only to the tip of the protrusion 6 is obtained as shown in FIG.

【0064】次いで、第1及び第2の実施の形態と同様
に、突起6の先端部に付着させたフラックス3を半導体
チップや配線基板の電極パッド(図示せず)に転写し供
給する。
Next, similarly to the first and second embodiments, the flux 3 attached to the tip of the projection 6 is transferred to an electrode pad (not shown) of a semiconductor chip or a wiring board and supplied.

【0065】なお、突起6およびフラックス供給孔a2
は異方性エッチング法以外の方法で作製しても良い。ま
た、フラックス転写プレート5およびフラックス供給パ
レット1はシリコン以外の樹脂等の材料でも良い。
The protrusion 6 and the flux supply hole a2
May be manufactured by a method other than the anisotropic etching method. Further, the flux transfer plate 5 and the flux supply pallet 1 may be made of a material such as resin other than silicon.

【0066】(第4の実施の形態)図4を参照して、本
発明の第4の実施の形態について説明する。
(Fourth Embodiment) A fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

【0067】図4に示すように、フラックス転写プレー
ト5の突起6の先端部に、フラックス吸着層9が形成し
てある。フラックス吸着層9は、例えば、多孔質材から
成る。
As shown in FIG. 4, a flux adsorption layer 9 is formed at the tip of the projection 6 of the flux transfer plate 5. The flux adsorption layer 9 is made of, for example, a porous material.

【0068】多孔質材中に多数存在する微小な孔に液状
のフラックスが入るため、多孔質材から成るフラックス
吸着層9は、フラックスをより確実に付着させることが
できる。
Since the liquid flux enters into a large number of fine pores in the porous material, the flux adsorbing layer 9 made of the porous material can more reliably adhere the flux.

【0069】または、フラックス吸着層9として、突起
6の先端部を荒らすことにより微細な凹凸を形成しても
同様な効果が得られる。
Alternatively, the same effect can be obtained by forming fine irregularities by roughening the tip of the projection 6 as the flux adsorption layer 9.

【0070】なお、フラックスが付着し易い材料であれ
ば、他の材料を用いても良い。
It is to be noted that other materials to which the flux easily adheres may be used.

【0071】[0071]

【発明の効果】本発明によれば、フリップチップ、CS
P、BGA等のはんだバンプ電極を、はんだボールを用
いて形成する際のフラックスを供給する治具および方法
において、エッチングによりシリコン基板にサイズの均
一な孔を設け、その孔にスキージ等でフラックスを充填
し、フラックス転写プレートの突起部にフラックスを付
着し、半導体チップや配線基板の電極パッドに転写し供
給するので、位置精度や転写量を高精度にフラックスを
供給することができる。
According to the present invention, flip chip, CS
In a jig and a method for supplying flux when forming solder bump electrodes such as P and BGA using solder balls, a hole having a uniform size is formed in a silicon substrate by etching, and a flux is applied to the hole with a squeegee or the like. The flux is applied to the projections of the flux transfer plate, and the flux is transferred to and supplied to the electrode pads of the semiconductor chip and the wiring board, so that the flux can be supplied with high positional accuracy and transfer amount.

【0072】特に、フラックス転写プレートを、シリコ
ン基板を異方性エッチングによって突起を形成すること
によって作製した場合、位置精度やフラックス量を更に
高精度に、転写・供給することができる。
In particular, when the flux transfer plate is manufactured by forming protrusions on a silicon substrate by anisotropic etching, the positional accuracy and the flux amount can be transferred and supplied with higher accuracy.

【0073】また、第2の従来技術のように、はんだボ
ールに直接フラックスを転写する方法ではないので、真
空ポンプ等の内部にフラックスが吸引されて引き起こさ
れる不具合が無い。
Further, since the method is not a method of directly transferring the flux to the solder balls as in the second prior art, there is no problem caused by the suction of the flux into a vacuum pump or the like.

【0074】更に、第1の従来技術のように、フラック
ス転写プレートの隣接する突起間にフラックスが付着す
ることがないので、半導体チップや配線基板の電極パッ
ドのみにフラックスを供給することができる。この結
果、隣接するはんだバンプ電極がショートすることが無
い。
Further, unlike the first prior art, the flux does not adhere between the adjacent projections of the flux transfer plate, so that the flux can be supplied only to the electrode pads of the semiconductor chip and the wiring board. As a result, there is no short circuit between adjacent solder bump electrodes.

【0075】さらに、フラックス転写量を高精度に、か
つ必要量のみ供給できるので、洗浄性も良くなる。
Further, since only the required amount of flux transfer can be supplied with high accuracy, the cleaning performance is improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施の形態によるフラックス供
給方法を説明するための工程図である。
FIG. 1 is a process chart for explaining a flux supply method according to a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明の第2の実施の形態によるフラックス供
給方法を説明するための工程図である。
FIG. 2 is a process diagram illustrating a flux supply method according to a second embodiment of the present invention.

【図3】本発明の第3の実施の形態によるフラックス供
給方法を説明するための工程図である。
FIG. 3 is a process chart for explaining a flux supply method according to a third embodiment of the present invention.

【図4】本発明の第4の実施の形態によるフラックス供
給方法を説明するための工程図である。
FIG. 4 is a process chart for explaining a flux supply method according to a fourth embodiment of the present invention.

【図5】第1の従来技術のフラックス供給方法を説明す
るための工程図である。
FIG. 5 is a process diagram illustrating a flux supply method according to a first conventional technique.

【図6】第2の従来技術のフラックス供給方法を説明す
るための図である。
FIG. 6 is a diagram for explaining a flux supply method according to a second conventional technique.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 フラックス供給パレット 2 フラックス供給孔 3 フラックス 4 スキージ 5 フラックス転写プレート 6 突起 7 フラックス供給装置 8 フラックス供給孔(貫通孔) 9 フラックス吸着層 10 フラックス転写基板 11 突起 12 フラックス浴 13 フラックス 14 突起に付着したフラックス 15 プリント基板 16 電極パッド 17 電極に転写したフラックス 18 配列基板 19 吸着孔 20 ボール 21 バンプ 22 配列ヘッド 23 ボール配列基板 23a ボール配列孔 24 フラックス供給手段 25 フラックス容器 26 基板 26a フラックス供給孔 27 ピストン DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Flux supply pallet 2 Flux supply hole 3 Flux 4 Squeegee 5 Flux transfer plate 6 Projection 7 Flux supply device 8 Flux supply hole (through hole) 9 Flux adsorption layer 10 Flux transfer substrate 11 Projection 12 Flux bath 13 Flux 14 Adhered to projections Flux 15 Printed board 16 Electrode pad 17 Flux transferred to electrode 18 Array substrate 19 Adsorption hole 20 Ball 21 Bump 22 Array head 23 Ball array substrate 23a Ball array hole 24 Flux supply means 25 Flux container 26 Substrate 26a Flux supply hole 27 Piston

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 仙波 直治 東京都港区芝五丁目7番1号 日本電気株 式会社内 (72)発明者 嶋田 勇三 東京都港区芝五丁目7番1号 日本電気株 式会社内 (72)発明者 山本 巧 静岡県浜松市大島町348 ジャパン・イ ー・エム株式会社内 (72)発明者 二上 和彦 静岡県浜松市大島町348 ジャパン・イ ー・エム株式会社内 (72)発明者 畑瀬 晃 静岡県浜松市大島町348 ジャパン・イ ー・エム株式会社内 Fターム(参考) 5E319 CD22  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Naoji Senba 5-7-1 Shiba, Minato-ku, Tokyo Inside NEC Corporation (72) Inventor Yuzo Shimada 5-7-1 Shiba, Minato-ku, Tokyo Japan Inside Electric Company (72) Inventor Takumi Yamamoto 348 Oshima-cho, Hamamatsu-shi, Shizuoka Japan Inside Japan E-M Corporation (72) Inventor Kazuhiko Futami 348 Oshima-cho, Hamamatsu-shi, Shizuoka Japan E-M shares In-company (72) Inventor Akira Hatase 348 Oshima-cho, Hamamatsu-shi, Shizuoka Japan F-term (reference) in Japan IM Co., Ltd. 5E319 CD22

Claims (14)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板の電極パッドにフラックスを供給す
るためのフラックス供給装置において、 上記基板の電極パッドに対応する位置にフラックス供給
孔が形成されているフラックス供給パレットと、 フラックス供給孔に対応して突起が形成されているフラ
ックス転写プレートとを有することを特徴とするフラッ
クス供給装置。
1. A flux supply device for supplying flux to an electrode pad of a substrate, comprising: a flux supply pallet having a flux supply hole formed at a position corresponding to the electrode pad of the substrate; And a flux transfer plate having projections formed thereon.
【請求項2】 前記フラックス供給パレットに形成され
たフラックス供給孔に充填されたフラックスを、前記フ
ラックス転写プレートに形成された突起と接触させるこ
とにより、突起にフラックスを付着させることを特徴と
する請求項1のフラックス供給装置。
2. The method according to claim 1, wherein a flux filled in a flux supply hole formed in the flux supply pallet is brought into contact with a projection formed in the flux transfer plate, thereby causing the flux to adhere to the projection. Item 7. A flux supply device according to Item 1.
【請求項3】 前記フラックス供給孔へのフラックスの
充填は、スキージを用いて行われることを特徴とする請
求項2のフラックス供給装置。
3. The flux supply device according to claim 2, wherein the filling of the flux supply hole with the flux is performed using a squeegee.
【請求項4】 前記フラックス供給パレットには、前記
フラックス供給孔に対応して設けられた貫通孔を有する
フラックス供給装置が接続されており、前記フラックス
はこの貫通孔を介してフラックス供給孔に充填されるこ
とを特徴とする請求項2のフラックス供給装置。
4. A flux supply device having a through hole provided corresponding to the flux supply hole is connected to the flux supply pallet, and the flux is charged into the flux supply hole via the through hole. The flux supply device according to claim 2, wherein the flux supply is performed.
【請求項5】 前記フラックス転写プレートに形成され
た突起の先端部には、前記フラックスを吸着させるため
のフラックス吸着層が設けられていることを特徴とする
請求項1のフラックス供給装置。
5. The flux supply device according to claim 1, wherein a flux adsorption layer for adsorbing the flux is provided at a tip of the projection formed on the flux transfer plate.
【請求項6】 前記フラックス吸着層は、多孔質材から
成ることを特徴とする請求項5のフラックス供給装置。
6. The flux supply device according to claim 5, wherein the flux adsorption layer is made of a porous material.
【請求項7】 前記フラックス吸着層は、前記突起の先
端部に凹凸を形成することにより構成されることを特徴
とする請求項5のフラックス供給装置。
7. The flux supply device according to claim 5, wherein the flux adsorption layer is formed by forming irregularities at the tip of the projection.
【請求項8】 前記フラックス供給パレットはシリコン
基板から成り、前記フラックス供給孔は異方性エッチン
グまたは等方性エッチングによって形成されていること
を特徴とする請求項1のフラックス供給装置。
8. The flux supply device according to claim 1, wherein the flux supply pallet is made of a silicon substrate, and the flux supply holes are formed by anisotropic etching or isotropic etching.
【請求項9】 前記フラックス転写プレートはシリコン
基板から成り、前記突起は異方性エッチングまたは等方
性エッチングによって形成されていることを特徴とする
請求項1のフラックス供給装置。
9. The flux supply device according to claim 1, wherein said flux transfer plate is made of a silicon substrate, and said projections are formed by anisotropic etching or isotropic etching.
【請求項10】 前記フラックス転写プレートが弾性を
有する樹脂から成ることを特徴とする請求項1のフラッ
クス供給装置。
10. The flux supply device according to claim 1, wherein the flux transfer plate is made of an elastic resin.
【請求項11】 前記弾性を有する樹脂は、少なくと
も、シリコーン系樹脂、テフロン系樹脂、ブタジエン系
樹脂、フッ素系樹脂及びポリウレタン系樹脂から選ばれ
ることを特徴とする請求項10のフラックス供給装置。
11. The flux supply device according to claim 10, wherein the resin having elasticity is selected from at least a silicone resin, a Teflon resin, a butadiene resin, a fluorine resin and a polyurethane resin.
【請求項12】 基板の電極パッドにフラックスを供給
するためのフラックス供給方法において、 上記基板の電極パッドに対応する位置にフラックス供給
孔が形成されているフラックス供給パレットと、フラッ
クス供給孔に対応して突起が形成されているフラックス
転写プレートとを用意し、 フラックス供給孔にフラックスを充填し、 フラックス転写プレートとフラックス供給パレットと
を、フラックス供給孔と突起とが対向するように位置合
わせし、 上記フラックス供給パレットに形成されたフラックス供
給孔に充填されたフラックスを、上記フラックス転写プ
レートに形成された突起と接触させることにより突起に
フラックスを付着させ、 この突起に付着されたフラックスを、上記基板の電極パ
ッドに転写することを特徴とするフラックス供給方法。
12. A flux supply method for supplying flux to an electrode pad of a substrate, comprising: a flux supply pallet having a flux supply hole formed at a position corresponding to the electrode pad of the substrate; Preparing a flux transfer plate having protrusions formed thereon, filling the flux supply holes with a flux, aligning the flux transfer plate and the flux supply pallet such that the flux supply holes and the protrusions face each other, The flux filled in the flux supply holes formed on the flux supply pallet is brought into contact with the projections formed on the flux transfer plate to attach the flux to the projections. A flash that is transferred to an electrode pad. To supply methods.
【請求項13】 前記フラックス供給孔へのフラックス
の充填は、スキージを用いて行われることを特徴とする
請求項12のフラックス供給方法。
13. The flux supply method according to claim 12, wherein the filling of the flux supply holes with the flux is performed using a squeegee.
【請求項14】 前記フラックス供給孔へのフラックス
の充填は、フラックス供給装置を用いて加圧により行わ
れることを特徴とする請求項12のフラックス供給方
法。
14. The flux supply method according to claim 12, wherein the filling of the flux supply hole with the flux is performed by pressurization using a flux supply device.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011108948A (en) * 2009-11-19 2011-06-02 Shinko Electric Ind Co Ltd Adhesive supply device and method of manufacturing the same
CN103703551A (en) * 2011-06-03 2014-04-02 豪锐恩科技私人有限公司 Method and systems for semiconductor chip pick & transfer and bonding

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