JPS63230873A - スパツタ装置 - Google Patents
スパツタ装置Info
- Publication number
- JPS63230873A JPS63230873A JP6724387A JP6724387A JPS63230873A JP S63230873 A JPS63230873 A JP S63230873A JP 6724387 A JP6724387 A JP 6724387A JP 6724387 A JP6724387 A JP 6724387A JP S63230873 A JPS63230873 A JP S63230873A
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- JP
- Japan
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- target
- magnet
- vacuum chamber
- pole
- electrode
- Prior art date
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- Pending
Links
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- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 5
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- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的コ
（産業上の利用分野）
本発明はスフ９ツタ装置に関し、特に半導体集積回路製
造に用いられるマグネトロン方式！ ツタ装置に係わる
。
造に用いられるマグネトロン方式！ ツタ装置に係わる
。
（従来の技術）
従来、ス・ダック法にょｐ形成される金属膜形成には、
主に直流高圧印加法及び成膜速度の有利性からマグネト
ロン方式が用いられている。この方式は、直交電磁界を
利用するもので、プラズマをターゲット近傍の局所的空
間に閉じこめる原理を利用している。
主に直流高圧印加法及び成膜速度の有利性からマグネト
ロン方式が用いられている。この方式は、直交電磁界を
利用するもので、プラズマをターゲット近傍の局所的空
間に閉じこめる原理を利用している。
ところで、こうしたマグネトロン方式を用いたスパッタ
装置においては、互いに平行に配置されたターゲットと
被加工物載置用電極を具備する真空チャンバ内にＡｒガ
スをがス導入口よシ導入し、直ＩＮ、ｔａ力を印加して
ガスを放電せしめ、マグネットによって生ずる磁場に電
子がサイクロイド運動を行う九め密度の高いプラズマが
発生スル。
装置においては、互いに平行に配置されたターゲットと
被加工物載置用電極を具備する真空チャンバ内にＡｒガ
スをがス導入口よシ導入し、直ＩＮ、ｔａ力を印加して
ガスを放電せしめ、マグネットによって生ずる磁場に電
子がサイクロイド運動を行う九め密度の高いプラズマが
発生スル。
しかし、従来のスパッタ装置では、磁場にとじこめられ
たプラズマの幅が狭い九め、第３図に示す如くターゲッ
ト１の局部浸食部２も狭くなり、ターゲット１の消耗が
速く、有効利用率が低い。
たプラズマの幅が狭い九め、第３図に示す如くターゲッ
ト１の局部浸食部２も狭くなり、ターゲット１の消耗が
速く、有効利用率が低い。
また１局部浸食部２に近い部分の膜厚が厚くなる等の問
題があった。
題があった。
（発明が解決しようとする問題点）
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、ターゲット
の使用効率を高めるとともに、均一性の良い膜厚分布を
得られるス・ぐツタ装置を提供することを目的とする。
の使用効率を高めるとともに、均一性の良い膜厚分布を
得られるス・ぐツタ装置を提供することを目的とする。
［発明の構成］
（問題点を解決する念め０手段と作用）本発明は、真空
チャンバ内に夫々平行に配置されたターゲット及び被加
工物載置用電極と、前記ターゲットの裏面側に該ターゲ
ットと対向して配置され九第１のマグネットと、前記被
加工物の裏面側に該被加工物と対向して配置された第２
のマグネットと、前記ターゲットに電圧を印加する手段
とを具備することを要旨とする。本発明圧よれば、ター
ゲットの使用効率を高めるとともに、均一性の良い膜厚
分布を得られる。
チャンバ内に夫々平行に配置されたターゲット及び被加
工物載置用電極と、前記ターゲットの裏面側に該ターゲ
ットと対向して配置され九第１のマグネットと、前記被
加工物の裏面側に該被加工物と対向して配置された第２
のマグネットと、前記ターゲットに電圧を印加する手段
とを具備することを要旨とする。本発明圧よれば、ター
ゲットの使用効率を高めるとともに、均一性の良い膜厚
分布を得られる。
（実施例）
以下、本発明の一実施例に係るマグネトロンスパッタ装
置を第１図を参照して説明する。
置を第１図を参照して説明する。
図中の１１は、真空チャンバである。この真空チャンバ
１１の上部には、ターゲット１２が配置されている。こ
のターゲット１２には、電源１３が接続されている。前
記真空チャンバ１ノの底部には、上部に被加工物１４を
載置した電極１５が設けられている。同真空チャンバ１
ノの側壁には、夫々ガス導入口１６、ガス排気口１７が
設けられている。
１１の上部には、ターゲット１２が配置されている。こ
のターゲット１２には、電源１３が接続されている。前
記真空チャンバ１ノの底部には、上部に被加工物１４を
載置した電極１５が設けられている。同真空チャンバ１
ノの側壁には、夫々ガス導入口１６、ガス排気口１７が
設けられている。
前記真空チャンバ１１の外側でかつターゲット１２の裏
面側には、等間隔の同心円状の第１のマグネット（中心
マグネット、Ｓ極）ｘ８．（外周マグネット、Ｎ極）１
９が配設されている。また。
面側には、等間隔の同心円状の第１のマグネット（中心
マグネット、Ｓ極）ｘ８．（外周マグネット、Ｎ極）１
９が配設されている。また。
前記真空チャンバ１ノの外側でかつ前記被加工物１４の
裏面側には、第２のマグネッ）（Ｓ極）２０が配設され
ている。なお、２ノは絶縁物である。
裏面側には、第２のマグネッ）（Ｓ極）２０が配設され
ている。なお、２ノは絶縁物である。
しかして、本発明に係るスパッタ装置は、第１図に示す
如く前記真空チャンバ１１の外側でかつターゲット１２
の裏面側には等間隔の同心円状の第１のマグネット１８
（Ｓ極）、１９ＣＮ極）を配設し、かつ記真空チャンバ
１１の外側でかつ前記被加工物１４の裏面側にはｊＪ！
２のマグネット（Ｓ極）２０を配設した構造となってい
る。これＫよりターゲット１２上のマグネット１８．１
９のみの磁場構成とは異なり、ターゲット１２上に直流
電圧を印加すると、直交電磁界により電子がサイクロイ
ド運動し、Ａｒガスを放電せしめグラズマ化するが、そ
の領域が拡大するため、第２図に示す如くターゲット１
２の局部浸食部２２も拡大し、ターゲット１２の有効利
用率も大きくなることが確認できた。また、こうしたこ
とから、例えば半導体基板上に金属膜又は合金膜は形成
しようとした場合、均一な膜厚分布が得られる。
如く前記真空チャンバ１１の外側でかつターゲット１２
の裏面側には等間隔の同心円状の第１のマグネット１８
（Ｓ極）、１９ＣＮ極）を配設し、かつ記真空チャンバ
１１の外側でかつ前記被加工物１４の裏面側にはｊＪ！
２のマグネット（Ｓ極）２０を配設した構造となってい
る。これＫよりターゲット１２上のマグネット１８．１
９のみの磁場構成とは異なり、ターゲット１２上に直流
電圧を印加すると、直交電磁界により電子がサイクロイ
ド運動し、Ａｒガスを放電せしめグラズマ化するが、そ
の領域が拡大するため、第２図に示す如くターゲット１
２の局部浸食部２２も拡大し、ターゲット１２の有効利
用率も大きくなることが確認できた。また、こうしたこ
とから、例えば半導体基板上に金属膜又は合金膜は形成
しようとした場合、均一な膜厚分布が得られる。
なお、上記実施例では、中心マグネットをＳ極としかつ
外周マグネットをＮ極とし念が、これに限らず、極性を
逆にしてもよい。
外周マグネットをＮ極とし念が、これに限らず、極性を
逆にしてもよい。
［発明の効果コ
以上詳述した如く本発明によれば、ター！グツトの使用
効率を高めるとともに、均一性の曳い膜厚分布を得られ
る高信頼性のスパッタ装置を提供できる。
効率を高めるとともに、均一性の曳い膜厚分布を得られ
る高信頼性のスパッタ装置を提供できる。
第１図は本発明の一実施例に係るマグネトロンスパッタ
装置の説明図、第２図は同装置に係るターゲットの局部
浸食部の説明図、第３図は従来のマグネトロンスパッタ
装置に係るターゲットの局部浸食部の説明図である。 １１・・・真空チャンバ、１２・・・ターｒツ）、１３
・・・電源、１４・・・被加工物、１６・・・ガス導入
口、１７・・・ガス排気口、１Ｂ、１．９．２０・・・
マグネット、２２・・・局部浸食部。
装置の説明図、第２図は同装置に係るターゲットの局部
浸食部の説明図、第３図は従来のマグネトロンスパッタ
装置に係るターゲットの局部浸食部の説明図である。 １１・・・真空チャンバ、１２・・・ターｒツ）、１３
・・・電源、１４・・・被加工物、１６・・・ガス導入
口、１７・・・ガス排気口、１Ｂ、１．９．２０・・・
マグネット、２２・・・局部浸食部。
Claims (3)
- （１）真空チャンバ内に夫々平行に配置されたターゲッ
ト及び被加工物載置用電極と、前記ターゲットの裏面側
に該ターゲットと対向して配置された第１のマグネット
と、前記被加工物の裏面側に該被加工物と対向して配置
された第２のマグネットと、前記ターゲットに電圧を印
加する手段とを具備することを特徴とするスパッタ装置
。 - （２）前記第１・第２マグネットが、前記真空チャンバ
とは別室にあることを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載のスパッタ装置。 - （３）前記第１のマグネットが、上下機構及び偏芯機構
を備えていることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載のスパッタ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6724387A JPS63230873A (ja) | 1987-03-20 | 1987-03-20 | スパツタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6724387A JPS63230873A (ja) | 1987-03-20 | 1987-03-20 | スパツタ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63230873A true JPS63230873A (ja) | 1988-09-27 |
Family
ID=13339283
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6724387A Pending JPS63230873A (ja) | 1987-03-20 | 1987-03-20 | スパツタ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63230873A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61221363A (ja) * | 1985-03-27 | 1986-10-01 | Fujitsu Ltd | スパツタ装置 |
-
1987
- 1987-03-20 JP JP6724387A patent/JPS63230873A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61221363A (ja) * | 1985-03-27 | 1986-10-01 | Fujitsu Ltd | スパツタ装置 |
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