JPS63226684A - Electric field light emitting display panel - Google Patents

Electric field light emitting display panel

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Publication number
JPS63226684A
JPS63226684A JP61258458A JP25845886A JPS63226684A JP S63226684 A JPS63226684 A JP S63226684A JP 61258458 A JP61258458 A JP 61258458A JP 25845886 A JP25845886 A JP 25845886A JP S63226684 A JPS63226684 A JP S63226684A
Authority
JP
Japan
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substrate
container
electrode
panel
display panel
Prior art date
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Pending
Application number
JP61258458A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
清 森本
均 土岐
大津 和佳
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Futaba Corp
Original Assignee
Futaba Corp
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Filing date
Publication date
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Publication of JPS63226684A publication Critical patent/JPS63226684A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野コ 本発明は、電界発光表示パネル(以下、ELパネルと略
称する。)に係り、特に、絶縁破壊や蛍光層の輝度劣化
を防止することによって長寿命化を図ったELパネルに
関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to an electroluminescent display panel (hereinafter abbreviated as EL panel), and in particular, the present invention relates to an electroluminescent display panel (hereinafter abbreviated as EL panel), and in particular, by preventing dielectric breakdown and brightness deterioration of a fluorescent layer. This relates to an EL panel that has a longer lifespan.

[従来の技術] 一般にELパネルは、蛍光体を含んだ誘電体層からなる
発光層に強い電界(10’V/cm以上)を加えること
により、蛍光体表面の伝導性の部分と誘電体層との界面
に生じた電子や発光層内に存在している電子を移動させ
、これらを発光中心に衝突させて励起発光させることに
よって表示を行うものである。
[Prior Art] Generally, an EL panel is manufactured by applying a strong electric field (10'V/cm or more) to a light-emitting layer consisting of a dielectric layer containing a phosphor, thereby causing a conductive part on the surface of the phosphor to interact with the dielectric layer. Display is performed by moving electrons generated at the interface with the light-emitting layer and electrons existing in the light-emitting layer, and causing them to collide with the light-emitting center to excite and emit light.

このようなELパネルにおいては、現在種々の形式のも
のが提案されているが、寿命や発光輝度の点から薄膜交
流駆動形のELパネルが有望視されており、一部では実
用化されている。
Currently, various types of EL panels have been proposed, but thin-film AC-driven EL panels are considered promising in terms of lifespan and luminance, and some have even been put into practical use. .

第10図は、典型的なELパネルの構造を示す模式的断
面図である。ここで101は1例えばガラス等の透光性
材料からなる基板であり、この基板101の一方の面(
図中では上面)には、Sn02薄膜あるいはI T O
(Indium−Tin−Oxide)薄膜等の透光性
の電極102が形成されている。そして、この電極10
2上には、Y 203等よりなる第1の誘電体層103
、ZnS:Mn等の蛍光体を含む発光層!04及び第2
の誘電体層105が、真空蒸着法やスパッタリング法、
あるいは電子ビーム蒸着法などの手段によって、順次積
層被着されている。なお、誘電体層を発光層の片面のみ
に設けた構造のELパネルも知られている。さらに、第
2の誘電体層105上には、A1膜等の背面電8i10
6が形成されている。ELパネルによってドツトマトリ
クス表示を行おうとするならば、前記電極102と背面
電極106とは、それぞれストライブ状に形成し、それ
ぞれの配列方向が互いに直交するような構造にすればよ
い。そして、背面電極106と電極102とは、駆動回
路部107等に接続されており、表示信号が与えられる
ように構成されている。
FIG. 10 is a schematic cross-sectional view showing the structure of a typical EL panel. Here, 101 is a substrate made of a transparent material such as glass, and one surface of this substrate 101 (
The top surface in the figure) is coated with a Sn02 thin film or an ITO
A translucent electrode 102 such as a (Indium-Tin-Oxide) thin film is formed. And this electrode 10
2, a first dielectric layer 103 made of Y203 etc.
A light-emitting layer containing a phosphor such as , ZnS:Mn! 04 and 2nd
The dielectric layer 105 is formed by a vacuum evaporation method, a sputtering method,
Alternatively, they are sequentially deposited in layers by means such as electron beam evaporation. Note that EL panels having a structure in which a dielectric layer is provided only on one side of a light emitting layer are also known. Further, on the second dielectric layer 105, a back electrode 8i10 such as an A1 film is provided.
6 is formed. If a dot matrix display is to be performed using an EL panel, the electrode 102 and the back electrode 106 may be formed in the form of stripes, and their arrangement directions may be orthogonal to each other. The back electrode 106 and the electrode 102 are connected to a drive circuit section 107 and the like, and are configured to be supplied with a display signal.

一般に前述のような構成のELパネルは、製造工程で完
全に排除することが難しい微小なゴミ等のために、薄膜
にピンホールやクラックのような欠陥を多数含んでおり
、そのため湿気に対しては非常に弱い。即ち第10図に
示したような多重構造において、薄膜にピンホール等が
あると、ここから水分が浸透することによって層間剥離
を生じてしまうことがある。そして動作時間の経過とと
もに剥離領域は拡大し、発光画素中の非発光点として観
察される。さらに水分の浸透によって絶縁破壊をおこし
てしまうこともある。
In general, EL panels with the above-mentioned configuration have many defects such as pinholes and cracks in the thin film due to minute dust that is difficult to completely eliminate during the manufacturing process, and therefore are difficult to resist moisture. is very weak. That is, in a multilayer structure as shown in FIG. 10, if there are pinholes or the like in the thin film, moisture may penetrate through the pinholes and cause delamination. Then, as the operating time passes, the peeled area expands and is observed as a non-light-emitting point in the light-emitting pixel. Furthermore, penetration of moisture may cause dielectric breakdown.

このような問題点を解決するものとして、EL素子が形
成されている側の基板上にカバーガラスを接着してEL
素子を覆い、このカバーガラスの中にシリコンオイルを
封入してEL素子を湿気等から遮断し、ELパネルの信
頼性を向上させようという試みがなされている。しかし
この手段では、シリコンオイル中にも水分が存在するこ
と、及び基板とガバーガラスとの接着にエポキシ樹脂を
用いていることにより、水分を完全には遮断できず、信
頼性が十分であるとは言い難い。
To solve these problems, a cover glass is glued onto the substrate on which the EL element is formed.
Attempts have been made to improve the reliability of EL panels by covering the EL elements and sealing silicone oil in the cover glass to shield the EL elements from moisture and the like. However, this method cannot completely block out moisture due to the presence of moisture in the silicone oil and the use of epoxy resin to bond the substrate and cover glass, so it is not reliable enough. It's hard to say.

そこで、湿気等によるEL素子の劣化を防ぐ対策として
、本願出願人は、第11図に示すような構造のELパネ
ルを提案している。
Therefore, as a measure to prevent deterioration of EL elements due to moisture, etc., the applicant of the present application has proposed an EL panel having a structure as shown in FIG. 11.

このELパネルは、低融点ソルダーガラスによって基板
201の周辺に背面容器部202を封着して外囲器を構
成し、該外囲器内に電界発光素子203(以下、EL素
子203と略称する。)を封入した構造とされている。
In this EL panel, a rear container part 202 is sealed around a substrate 201 using low melting point solder glass to form an envelope, and an electroluminescent element 203 (hereinafter abbreviated as EL element 203) is placed inside the envelope. ).

そして外囲器の内部は真空とするか、又は乾燥した不活
性ガス等を導入しである。
The inside of the envelope is vacuumed or a dry inert gas or the like is introduced.

この場合、EL素子203に対して、外部から駆動用の
信号を供給する必要上、外部端子が基板201と背面容
器部202との封着部分を貫通することになる。
In this case, since it is necessary to supply a driving signal to the EL element 203 from the outside, the external terminal passes through the sealed portion between the substrate 201 and the rear container portion 202.

いま、このELパネルの外部端子の導出部分を模式的に
拡大して示すと、第12図のようになる。第12図は、
X−Yマトリクス電極タイプでグラフィック表示等を行
うELパネルであり、EL素子203を挟んでX方向の
電極204と、Y方向の電極205とが交差して配設さ
れる。基板201側から表示を観察する場合には、電極
204はS n O2やITO等の材料を用いて透明電
極として形成される。電極205は、一般にAIL蒸着
膜である。
Now, FIG. 12 shows a schematic enlarged view of the lead-out portion of the external terminal of this EL panel. Figure 12 shows
This is an EL panel that uses an X-Y matrix electrode type to display graphics, etc., and an electrode 204 in the X direction and an electrode 205 in the Y direction are arranged to intersect with each other with an EL element 203 in between. When observing the display from the substrate 201 side, the electrode 204 is formed as a transparent electrode using a material such as SnO2 or ITO. Electrode 205 is typically an AIL deposited film.

そして、これらの電極204,205を、そのまま基板
周辺まで延在させ、外部端子としている。そして、この
外部端子上に低融点ソルダーガラス206が図示゛斜線
のように塗布され、背面容器部202が封着される。
These electrodes 204 and 205 are extended as they are to the periphery of the substrate to serve as external terminals. Then, low melting point solder glass 206 is applied onto the external terminals as shown by diagonal lines in the figure, and the rear container portion 202 is sealed.

[発明が解決しようとする問題点] ところが前述のような構成のELパネルにおいては、背
面容器部202を基板201に封着させている低融点ソ
ルダーガラス206が、A1やITO等よりなる電極2
04,205を腐食させて、その電気的特性を悪化させ
てしまうという間層点があった。この原因は、低融点ソ
ルダーガラス206中のPbOが酸化作用を持っている
ため、封着の際液状になったガラス中の成分が、例えば
A 1 Ti極を酸化させ、A2をA It 20 z
のような形でガラス中に拡散させてしまうためであると
考えられる。そしてこの対策としては、AIL電極を厚
くする方法やPbO系以外の低融点ソルダーガラスを用
いること等が考えられる。しかしながらA1電極を厚く
する方法では、第12図からも明らかなように、背面容
器部202の外に導出されている外部端子と電極204
,205とは一括して形成するので、一般に外部端子部
分を厚くすると、電極部分も不必要に厚くなってしまう
[Problems to be Solved by the Invention] However, in the EL panel configured as described above, the low melting point solder glass 206 that seals the rear container portion 202 to the substrate 201 is not connected to the electrode 2 made of A1, ITO, etc.
There was an interlayer point that corroded the 04, 205 and deteriorated its electrical characteristics. The reason for this is that PbO in the low melting point solder glass 206 has an oxidizing effect, and the components in the glass that become liquid during sealing oxidize, for example, the A 1 Ti electrode, converting A2 into A It 20 z
This is thought to be due to the fact that it diffuses into the glass in the form of Possible countermeasures include increasing the thickness of the AIL electrode and using a low melting point solder glass other than PbO. However, in the method of increasing the thickness of the A1 electrode, as is clear from FIG.
, 205 are formed all at once, so if the external terminal portion is made thicker, the electrode portion will also become unnecessarily thicker.

またA1の厚みは11000n以上にする必要があり、
このようにAItを厚くしておくと素子が絶縁破壊を起
こした時に、溶けたAItが下地電極と接触して潰滅的
な絶縁破壊に発展する危険性が大きくなる。EL素子2
03の電極部分はそのままで、外部端子部分だけを厚く
することも考えられるが、工程が複雑になり好ましくな
い。一方、PbO系以外の低融点ソルダーガラスにはZ
nO系等があるが、融点や信頼性の点で現状において使
用可能なものは見当らない。
Also, the thickness of A1 needs to be 11000n or more,
If the AIt is made thick in this manner, when dielectric breakdown occurs in the element, there is a greater risk that the melted AIt will come into contact with the base electrode and develop into a catastrophic dielectric breakdown. EL element 2
It is possible to leave the electrode portion of 03 as is and make only the external terminal portion thicker, but this would complicate the process and is not preferable. On the other hand, Z
Although there are nO-based materials, there are currently no usable materials in terms of melting point or reliability.

また、PbOが少ないガラスを用いてAIL。In addition, AIL using glass with low PbO.

ITO電極上に所謂クロス層を形成し、これら電極が腐
食される程度を軽減させる方法も考えられる。しかし、
この方法では比較的高い温度で熱処理が必要なこと、お
よびこのガラス中にPbOを少なからず含むため前記腐
食に対して根本的な解決にはならないと考えられる。
Another possible method is to form a so-called cross layer on the ITO electrodes to reduce the degree of corrosion of these electrodes. but,
Since this method requires heat treatment at a relatively high temperature and the glass contains a considerable amount of PbO, it is not considered to be a fundamental solution to the corrosion.

[発明の目的] 防湿効果に優れているため寿命が長く、信頼性の高い電
界発光表示パネルを提供することを目的とし、特に基板
と容器部との封着部を貫通している外部端子が、封着に
用いられている低融点ソルダーガラスによってその電気
的特性に悪影響を受けることがないような構造の電界発
光表示パネルを実現することを目的としている。
[Purpose of the invention] The purpose of the invention is to provide an electroluminescent display panel that has a long life and is highly reliable due to its excellent moisture-proofing effect, and in particular, the purpose of the invention is to The object of the present invention is to realize an electroluminescent display panel whose electrical characteristics are not adversely affected by the low melting point solder glass used for sealing.

[問題点を解決するための手段] 本発明の電界発光表示パネルは、電界発光素子が形成さ
れた基板周辺部に容器部を気密に封着し、外部端子を介
して前記電界発光素子に信号を印加することによって表
示を得る電界発光表示パネルであって、前記外部端子は
前記基板と容器部との封着部を気密に貫通するとiもに
、かつその容器内端部が前記電界発光素子の各電極端部
と接触する構成になることを特徴としている。
[Means for Solving the Problems] In the electroluminescent display panel of the present invention, a container portion is hermetically sealed around the periphery of a substrate on which an electroluminescent element is formed, and a signal is transmitted to the electroluminescent element via an external terminal. An electroluminescent display panel that obtains a display by applying a It is characterized by a structure in which it comes into contact with the ends of each electrode.

[実施例] 本発明の実施例を第1図〜第9図によって説明する。[Example] Embodiments of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 9.

第1図に示すように、透明なガラス製の基板3上には、
電界発光表示パネル!(以下、ELパネル1と呼ぶ。)
の発光部分となる電界発光素子2(以下、EL素子2と
呼ぶ。)が形成されている。まず、前記基板3の上面に
は、rTOlliよりなる複数本(図中では2本が示さ
れている。)の透明電極4が被着形成されており、この
透明電極4は帯状で、所定間隔をおいて互いに平行とさ
れている。この透明電極4の上には発光部5が被着形成
されている。詳細は図示はしないが、この発光部5は、
前記透明電極4の上に被着された例えばY 20 )等
よりなる第1の誘電体層と、該誘電体層の上に被着され
た例えばZnS:Mn蛍光体等よりなる発光層と、該発
光層の上に被着された例えばY2O3等よりなる第2の
誘電体層と、によって構成されている。そして発光部5
の第2の誘電体層の上には、アルミニウムの?i1m層
よりなる背面電極6が被着形成されている。この背面電
極6は、所定間隔をおいて互いに平行に配設された帯状
の電極であって、前記透明電極4とは直交する向きに配
設されており、これらの両電極4.6によってX−Yマ
トリクスタイプの電極群が構成されるようになっている
。この背面電極6は、発光部5の側部及び基板3の表面
上に連続して被着形成さ6ているが、基板3の端縁部に
までは延設されていない。即ち背面電極6の端部と基板
3の端縁部との間の基板3表面にはスペースが残されて
あり、後述するように、背面電極6に触れないように容
器部7を基板3に封着固定できるようになっている。ま
た図示はしないが、酵記透明電極4も背面電極6と同様
であって、透明電極4の端部と基板3の端縁部との間の
基板表面には、容器部7を封着固定するためのスペース
が残されている。
As shown in FIG. 1, on the transparent glass substrate 3,
Electroluminescent display panel! (Hereinafter referred to as EL panel 1.)
An electroluminescent element 2 (hereinafter referred to as EL element 2), which serves as a light emitting portion, is formed. First, a plurality of (two are shown in the figure) transparent electrodes 4 made of rTOlli are adhered to the upper surface of the substrate 3, and the transparent electrodes 4 are strip-shaped and spaced apart at predetermined intervals. are parallel to each other. A light emitting section 5 is formed on the transparent electrode 4. Although details are not shown, this light emitting section 5 is
a first dielectric layer made of, for example, Y 20 ), deposited on the transparent electrode 4; a light emitting layer made of, for example, ZnS:Mn phosphor, deposited on the dielectric layer; and a second dielectric layer made of, for example, Y2O3, deposited on the light emitting layer. And the light emitting part 5
On top of the second dielectric layer of aluminum? A back electrode 6 made of an i1m layer is deposited. The back electrodes 6 are band-shaped electrodes arranged parallel to each other at predetermined intervals, and are arranged in a direction perpendicular to the transparent electrode 4. -A Y matrix type electrode group is configured. The back electrode 6 is continuously formed on the side of the light emitting section 5 and the surface of the substrate 3, but does not extend to the edge of the substrate 3. That is, a space is left on the surface of the substrate 3 between the edge of the back electrode 6 and the edge of the substrate 3, and as will be described later, the container part 7 is placed on the substrate 3 so as not to touch the back electrode 6. It can be sealed and fixed. Although not shown, the transparent electrode 4 is also similar to the back electrode 6, and a container portion 7 is sealed and fixed on the substrate surface between the end of the transparent electrode 4 and the edge of the substrate 3. There is space left for.

次に前記基板3のEL素子2が形成さゎている側には、
容器部7が低融点ソルダーガラス8にょって封着固定さ
れており、その内部は高真空状態に保持されている。本
実施例では後述するように外部端子9が基板3と容器部
7との間のスペーサの役目も兼ねているので、容器部7
には平板状のガラス板を用いである。容器部7の材質は
熱膨張係数の関係から基板3と同じ材質の物が好ましい
。また封着材である低融点ソルダーガラス8には、その
融点が基板3や容器部7よりも低く、熱II張係数はこ
わらとほぼ等しい材質のものを用いている。
Next, on the side of the substrate 3 where the EL element 2 is formed,
The container part 7 is sealed and fixed with a low melting point solder glass 8, and the inside thereof is maintained in a high vacuum state. In this embodiment, as described later, the external terminal 9 also serves as a spacer between the substrate 3 and the container part 7, so the container part 7
A flat glass plate is used for this purpose. The material of the container portion 7 is preferably the same as that of the substrate 3 in terms of thermal expansion coefficient. Furthermore, the low melting point solder glass 8, which is a sealing material, is made of a material whose melting point is lower than that of the substrate 3 and the container portion 7, and whose thermal II tensile coefficient is approximately equal to stiffness.

次に、前記低融点ソルダーガラス8の封着部分には、金
属製の外部端子9が気密にに通して固定されている。外
部端子9は細長い金属板てあり、その容器内側10は〈
字形に曲折されて弾力をもたせである。この容器内端部
10は、その自由端10 aが前記容器部7に押圧され
ているため、その曲折部10bの角が前記背面電極6の
端部に所定の弾性力をもワて安定的に接触・導通してい
る。即ちこの外部端子9は、基板3の背面電極6と容器
部7の双方に接触し、共に平板状である基板3と容器部
7との間に所定寸法の隙間を設けるためのスペーサとも
なっている。外部端子9の材質は、例えば基板3等の材
料に並板ガラスを用いた時はこれと熱膨張係数がほぼ等
しい42Ni−6Cr−Fe合金を用いることができる
。また基板3等の材料にアルミノシリケートガラス等、
比較的低膨張のガラスを用いたときは、例えば42N 
1−Fe、29N i−17Co−Fe合金等を用いる
ことができる。また外部端子9は水素処理によフて表面
に酸化物層が形成されており、低融点ソルダーガラス8
になじみやすくなっている。
Next, a metal external terminal 9 is hermetically passed through and fixed to the sealed portion of the low melting point solder glass 8. The external terminal 9 is a long and thin metal plate, and the inside of the container 10 is
It is bent into a letter shape and has elasticity. Since the free end 10a of the inner end portion 10 of the container is pressed against the container portion 7, the corner of the bent portion 10b exerts a predetermined elastic force on the end portion of the back electrode 6 and is stabilized. It is in contact with and conducts to. That is, this external terminal 9 contacts both the back electrode 6 of the substrate 3 and the container portion 7, and also serves as a spacer for providing a gap of a predetermined size between the substrate 3 and the container portion 7, both of which are flat. . The material of the external terminal 9 may be, for example, a 42Ni-6Cr-Fe alloy having a coefficient of thermal expansion substantially equal to that of the glass when the substrate 3 is made of glass. In addition, the material of the substrate 3 etc. is aluminosilicate glass, etc.
When using glass with relatively low expansion, for example, 42N
1-Fe, 29N i-17Co-Fe alloy, etc. can be used. Furthermore, the external terminal 9 has an oxide layer formed on its surface by hydrogen treatment, and is coated with low melting point solder glass 8.
It is becoming easier to get used to.

また外部端子9の厚さは、低融点ソルダーガラス8によ
る腐食に関しては0.002層膿以上あれば十分である
が、後工程(ハンダ付等ン及びプレス成型のしやすさ等
の観点から、0.05〜1謄鐙位に設定するのが適当で
ある。
In addition, the thickness of the external terminal 9 should be 0.002 layers or more for corrosion caused by the low melting point solder glass 8, but from the viewpoint of ease of post-processing (soldering, etc., press molding, etc.), It is appropriate to set it at 0.05 to 1 stirrup.

次に本発明の他の実施例について、第1の実施例と構成
の興なる部分を中心に説明する。第1の実施例と同様の
構成部分については、第1図と同じ符号を付して説明を
省略する。
Next, another embodiment of the present invention will be described, focusing on the parts that differ from the first embodiment. Components similar to those in the first embodiment are given the same reference numerals as in FIG. 1, and description thereof will be omitted.

まず本発明の第2実施例を説明する。第2図に示すよう
に、本実施例のELパネル1aでは、外部端子12と容
器部11の形状が第1実施例と異なってりる。本実施例
の容器部11は下面側が開口した箱形であり、低融点ソ
ルダーガラス8によって基板3の端縁部に封着固定され
ている。モして該低融点ソルダーガラス8を気密に貫通
している外部端子12は、鉤形に形成された容器内端部
13の先端13aを、背面電極6の端部に接触させてい
る。この容器内端部13は、前記実施例のようにプレス
加工でばね性をもたせた形状にしであるわけではないが
、容器部11と基板3の間にはさまれた外部端子12が
容器部11によって押圧された状態で固定されているの
で、背面電極6と安定的に接触・導通した状態にある。
First, a second embodiment of the present invention will be described. As shown in FIG. 2, in the EL panel 1a of this embodiment, the shapes of the external terminals 12 and the container portion 11 are different from those of the first embodiment. The container portion 11 of this embodiment has a box shape with an open bottom side, and is sealed and fixed to the edge portion of the substrate 3 with a low melting point solder glass 8. Furthermore, the external terminal 12 that passes through the low melting point solder glass 8 in an airtight manner brings the tip 13a of the hook-shaped container inner end 13 into contact with the end of the back electrode 6. The inner end portion 13 of the container is not press-worked into a springy shape as in the previous embodiment, but the external terminal 12 sandwiched between the container portion 11 and the substrate 3 is connected to the inner end portion 13 of the container. Since it is fixed in a pressed state by 11, it is in a state of stable contact and conduction with the back electrode 6.

次に本発明の第3実施例を説明する。第3図に示すよう
に、本実施例のELパネル!bの容器部7aは第1実施
例と同じ平板状であり、細長い薄板状の外部端子14が
、この容器部7aと基板3aとの封着部分を気密に貫通
して容器部7a内の背面″iHM6の端部に接触・導通
している。外部端子!4の容器内端pHt sはく字形
にプレス成型されてばね性が付与されており、曲折部の
角部15bが容器部7aの内面に当接して押圧された状
態であるため、容器内端部15の末端部15aは背面電
極6の端部に確実に接触している。
Next, a third embodiment of the present invention will be described. As shown in FIG. 3, the EL panel of this example! The container portion 7a of FIG. b has the same flat plate shape as in the first embodiment, and an elongated thin plate-like external terminal 14 hermetically passes through the sealed portion between the container portion 7a and the substrate 3a and is connected to the rear surface inside the container portion 7a. "iHM6 is in contact with and conductive to the end of the container. The inner end of the container pHt s of the external terminal!4 is press-molded into a dogleg shape to provide spring properties, and the corner 15b of the bent portion is connected to the container part 7a. Since it is in a state where it is in contact with the inner surface and pressed, the end portion 15a of the inner end portion 15 of the container is securely in contact with the end portion of the back electrode 6.

次に以上説明したELパネル1.la、lbの製造工程
について、前記第2実施例のELパネル1aを例にとっ
て説明する。
Next, EL panel 1 explained above. The manufacturing process of la and lb will be explained by taking the EL panel 1a of the second embodiment as an example.

まず、基板3上にITO膜よりなる複数本の透明電極4
を被着形成させる。そして電子ビーム蒸着法等の手法に
よって前記透明電極4の上にY2O3の薄膜を被着させ
、第1の誘電体層を形成する。そして、この上にZnS
:Mn蛍光体を高周波スパッタ蒸着法によって被着させ
て発光層を形成する。発光層の形成においては、Arガ
ス雰囲気中で基板3を200℃に加熱し、高周波出力を
150Wとした。発光層を形成した後、該発光層を活性
化させるために、真空中又は中性ガス雰囲気中において
約500℃で1時間、基板3を加熱処理する。(この操
作をアニールという。)そして発光部の上にY 20 
:lの薄膜を被着させ、第2の誘電体層を形成する。そ
して、さらに第2の誘電体層上に八1を真空蒸着させて
背面電極6を形成する。
First, a plurality of transparent electrodes 4 made of ITO film are placed on a substrate 3.
is deposited and formed. Then, a thin film of Y2O3 is deposited on the transparent electrode 4 by a technique such as electron beam evaporation to form a first dielectric layer. And on top of this, ZnS
:Mn phosphor is deposited by high frequency sputter deposition method to form a light emitting layer. In forming the light emitting layer, the substrate 3 was heated to 200°C in an Ar gas atmosphere, and the high frequency output was set to 150W. After forming the light-emitting layer, the substrate 3 is heat-treated at about 500° C. for 1 hour in vacuum or in a neutral gas atmosphere in order to activate the light-emitting layer. (This operation is called annealing.) Then, place Y20 on the light emitting part.
:1 thin film is deposited to form a second dielectric layer. Then, 81 is further vacuum-deposited on the second dielectric layer to form a back electrode 6.

次に第4図に示すように、基板3と外部端子12の密着
性をよくするため、基板3と容器部11の封着部分に接
着固定される外部端子12の一部分に、あらかじめ低融
点ソルダーガラス8を塗布し仮焼成を行っておく。また
第6図に示すように、基板3に接着される容器部11の
開口端面にも、あらかじめ低融点ソルダーガラス8を塗
布し仮焼成を行っておく。なお、前記第1実施例のよう
な構成のELパネル1を製造する場合にも、第5図及び
第7図に示すように、外部端子9と容器部7の所要部分
に低融点ソルダーガラス8を塗布して仮焼成しておく。
Next, as shown in FIG. 4, in order to improve the adhesion between the board 3 and the external terminals 12, a low melting point solder is applied in advance to a part of the external terminals 12 that will be adhesively fixed to the sealed part of the board 3 and the container part 11. Glass 8 is applied and pre-fired. Further, as shown in FIG. 6, a low melting point solder glass 8 is also applied in advance to the open end surface of the container portion 11 to be bonded to the substrate 3, and pre-firing is performed. Note that even when manufacturing the EL panel 1 having the structure as in the first embodiment, as shown in FIGS. Coat and pre-fire.

次に第8図に示すように、EL素子2が形成された基板
3と、開口端面に低融点ソルダーガラス8が塗布された
容器部11とを、真空チャンバー16内に配置する。真
空チャンバー16にはロータリポンプ17とデフニージ
ョンポンプ18よりなる真空排気系19が接続されてい
る。また、真空チャンバー16には内部にガスを導入す
るための導入管20が接続連通されており、真空チャン
バー16外の導入管20には、脱湿材21とバルブ22
が設けられている。また真空チャンバー16の内部には
、ヒータ23を有する固定台24と、該固定台24の上
方で上下動自在とされた可動台25と、加熱用のハロゲ
ンランプ26とが設けられている。
Next, as shown in FIG. 8, the substrate 3 on which the EL element 2 is formed and the container part 11 whose open end surface is coated with low melting point solder glass 8 are placed in a vacuum chamber 16. A vacuum evacuation system 19 consisting of a rotary pump 17 and a differential pump 18 is connected to the vacuum chamber 16 . Further, an inlet pipe 20 for introducing gas into the vacuum chamber 16 is connected and communicated with the inlet pipe 20 outside the vacuum chamber 16, and a dehumidifying material 21 and a valve 22 are connected to the inlet pipe 20 outside the vacuum chamber 16.
is provided. Further, inside the vacuum chamber 16, there are provided a fixed table 24 having a heater 23, a movable table 25 which is vertically movable above the fixed table 24, and a halogen lamp 26 for heating.

さて、EL素子2が上面となるように前記基板3を固定
台24の凹部24aに据付ける。そして固定台24上面
の固定ビン24bに各外部端子12を取付け、基板3上
にある複数の透明電極又は背面電極の端部に容器内端部
13の各先端13aをそれぞれ接触させると共に、各外
部端子12にあらかじめ塗布しておいた低融点ソルダー
ガラス8が基板3と容器部11の封着位置にくるように
する。そして、低融点ソルダーガラス8が塗布された開
口端部が下を向くように、容器部11を可動台25に取
付ける。そして、真空排気系19を駆動して真空チャン
バー16の内部を高真空状態にし、ヒータ23及びハロ
ゲンランプ26を用いて低融点ソルダーガラス8が軟化
する手前の温度まで基板3と容器部11を加熱して説ガ
スを行う。一般にガラス中に吸蔵されているガスは90
%以上が水分であり、並板ガラスで200℃、無アルカ
リガラス(はうけい酸ガラスなど)で300℃前後の温
度において最も多くのガスが発生すると言われている。
Now, the substrate 3 is installed in the recess 24a of the fixing base 24 so that the EL element 2 faces upward. Then, each external terminal 12 is attached to the fixed bin 24b on the upper surface of the fixed base 24, and each tip 13a of the container inner end 13 is brought into contact with the end of the plurality of transparent electrodes or back electrodes on the substrate 3, and each external terminal The low melting point solder glass 8 applied to the terminal 12 in advance is placed at the position where the substrate 3 and the container part 11 are sealed. Then, the container part 11 is attached to the movable base 25 so that the open end coated with the low melting point solder glass 8 faces downward. Then, the vacuum evacuation system 19 is driven to bring the inside of the vacuum chamber 16 into a high vacuum state, and the substrate 3 and the container part 11 are heated using the heater 23 and the halogen lamp 26 to a temperature just before the low melting point solder glass 8 becomes soft. and preach gas. Generally, the gas occluded in glass is 90
% or more is water, and it is said that the largest amount of gas is generated at a temperature of 200°C for lined glass and around 300°C for non-alkali glass (silicate glass, etc.).

すなわち、上記脱ガス温度は300℃以上が望ましい。That is, it is desirable that the degassing temperature is 300° C. or higher.

また、この脱ガス処理において、基板3の方だけ、温度
を500℃程に高めれば、EL素子製作上必要であるア
ニールをこの工程で同時に行うことができ、工数を削減
することができる。
Further, in this degassing treatment, if the temperature of only the substrate 3 is raised to about 500° C., annealing necessary for manufacturing the EL element can be performed at the same time in this step, and the number of steps can be reduced.

この後、ヒータ23及びハロゲンランプ26を用いて容
器部11・基板3・外部端子12を低融点ソルダーガラ
ス8の軟化点以上の温度に上げる。そして、可動台25
を下方に移動させ、容器部11を基板3に押付けて両者
を封着する。その後温度を下げて低融点ソルダーガラス
8を固化させる。
Thereafter, using the heater 23 and the halogen lamp 26, the temperature of the container portion 11, the substrate 3, and the external terminals 12 is raised to a temperature equal to or higher than the softening point of the low melting point solder glass 8. And the movable table 25
is moved downward, and the container portion 11 is pressed against the substrate 3 to seal them together. Thereafter, the temperature is lowered to solidify the low melting point solder glass 8.

また、気密容器が大形化する場合には、耐圧性をもたせ
るために、ELパネルla内に所定圧のガスを導入する
ようにしてもよい。この場合は、封着にさきたちパルプ
22を開き、導入管20を介して、真空チャンバー16
内にアルゴン、窒素等の不活性ガスや、炭酸ガス、酸素
等を導入する。この際、導入するガスは液化ガスを気化
した湿気の極めて少ないもの、高圧に圧縮して水分を除
去したもの、あるいはモレキュラシーブ・活性アルミナ
などの吸湿材21中を通過させて脱湿したものを使用す
る。導入するガスの圧力は1.0〜3気圧程度あればよ
い。しかる後封着工程を行うことによりELパネルla
内を0.4〜1.6気圧程度に保つことができ、耐圧性
にすぐれたパネルとすることができる。な右この場合に
は、封着後低融点ソルダーガラス8が固まる温度になる
までは、容器部11の内外で気圧差が生じないように、
真空チャンバ−16内部の圧力を適宜に:1Ji2iす
る必要がある。
Further, when the airtight container is enlarged, gas at a predetermined pressure may be introduced into the EL panel la in order to provide pressure resistance. In this case, the pulp 22 is opened before sealing, and the pulp 22 is passed through the vacuum chamber 16 through the introduction pipe 20.
Inert gas such as argon or nitrogen, carbon dioxide gas, oxygen, etc. are introduced into the chamber. At this time, the gas to be introduced is one that has been vaporized from liquefied gas and has extremely low moisture, one that has been compressed to high pressure to remove moisture, or one that has been dehumidified by passing through a moisture absorbing material 21 such as molecular sieve or activated alumina. do. The pressure of the introduced gas may be about 1.0 to 3 atm. After that, by performing a sealing process, the EL panel la
The internal pressure can be maintained at approximately 0.4 to 1.6 atmospheres, resulting in a panel with excellent pressure resistance. In this case, after sealing, until the temperature at which the low melting point solder glass 8 hardens is reached, the temperature difference between the inside and outside of the container section 11 should be avoided.
It is necessary to appropriately adjust the pressure inside the vacuum chamber 16 to 1Ji2i.

以上説明した各実施例及び製造工程の一例において、多
数の外部端子9,12.14を独立部品として形成し、
それぞれ組立てるのは手間のかかる作業である。そこで
第9図に示すように、プレス加工等によって各外部端子
27を共通のフレーム28につなげられた状態となるよ
うに一体に形成しておけば、基板30上の各電極端部に
対する各外部端子27の位置決め作業がきわめて容易に
なる。そして容器部29と基板30を封着して各外部端
子27の位置を固定した後、第9図に示す一点鎖線の位
置で各外部端子27とフレーム28との連結部を切断・
除去すれば、各外部端子27を電気的に独立したものと
することができる°。
In each embodiment and an example of the manufacturing process described above, a large number of external terminals 9, 12, 14 are formed as independent components,
Assembling each piece is a time-consuming task. Therefore, as shown in FIG. 9, if each external terminal 27 is integrally formed by pressing or the like so that it is connected to a common frame 28, each external terminal 27 can be connected to the end of each electrode on the board 30. The positioning work of the terminal 27 becomes extremely easy. After sealing the container portion 29 and the substrate 30 and fixing the positions of the external terminals 27, the connecting portions between the external terminals 27 and the frame 28 are cut at the positions indicated by the dashed-dotted lines in FIG.
If removed, each external terminal 27 can be made electrically independent.

[発明の効果] 本発明のELパネルは、外部端子が基板と容器部の封着
部分を気密に貫通し、該容器部の内部でEL素子の電極
端部に接触・導通する構造になっている。従って本発明
によれば、次の°ような効果がある。
[Effects of the Invention] The EL panel of the present invention has a structure in which the external terminal hermetically penetrates the sealed portion between the substrate and the container, and contacts and conducts with the electrode end of the EL element inside the container. There is. Therefore, according to the present invention, there are the following effects.

(1)Al1.ITO等よりなるEL素子の電極が腐食
せず、また防湿効果に優れているため寿命が長い、信頼
性の高いELパネルを実現できる。
(1) Al1. Since the electrodes of the EL elements made of ITO or the like do not corrode and have excellent moisture-proofing effects, a highly reliable EL panel with a long life can be realized.

(2)Al  tTo等の薄膜よりなるEL素子の電極
を容器部の外に直接引き出しているのではなく、該電極
に接触する外部端子を容器部外に引き出して、EL素子
に信号を加えるようになっているので、従来に比べて外
部回路との接続が容易になり、また接続部分の機械的強
度も増すため、信頼性が向上する。
(2) The electrode of the EL element made of a thin film such as Al tTo is not directly drawn out of the container, but the external terminal that contacts the electrode is drawn out of the container to apply a signal to the EL element. This makes it easier to connect to external circuits than in the past, and the mechanical strength of the connection area is also increased, improving reliability.

(3)基板と容器部のスペーサとして外部端子を使用で
きるため、容器部の形状は単なる平板状でもよい。
(3) Since an external terminal can be used as a spacer between the substrate and the container, the shape of the container may be a simple flat plate.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図〜第3図は、それぞれ本発明の第1〜第3実施例
のELパネルを示す断面図、第4図は同第1実施例のE
Lパネルにおける組立て前の外部端子の拡大図、第5図
は同第2実施例のELパネルにおける組立て前の外部端
子の拡大図、第6図は同第1実施例のELパネルにおけ
る組立て前の容器部の断面図、第7図は同第2実施例の
ELパネルにおける組立て前の容器部の断面図、第8図
は実施例の製造工程を示す模式図、第1θ図は典型的な
ELパネルの構造を示す模式的断面図、第11図は従来
のELパネルを示す断面図、第12図は第11図におけ
る外部端子部の容器部外への導出部分を示す模式的な拡
大斜視図である。 1、la、lb−電界発光表示パネル(ELパネル)、
2・−電界発光素子(EL素子)、3.3a、30一基
板、4−電界発光素子の電極である透明電極、6−電界
発光素子の電極である背面電極、8−低融点ソルダーガ
ラス、7.7a。 11.29−容器部、9,12,14.27−外部端子
、10,13.15−容器内端部。 特許出願人  双葉電子工業株式会社 代理人・弁理士  西  村  教  光m1図 72図 第3図 〜ざ− 第4図 第6図 第 7 図。 ア 第 101’り 第11図 手  続  補  正  書(方式) 昭和 6’!、、4Pj19E
1 to 3 are cross-sectional views showing the EL panels of the first to third embodiments of the present invention, respectively, and FIG. 4 is the EL panel of the first embodiment of the present invention.
FIG. 5 is an enlarged view of the external terminals of the L panel before assembly, FIG. 5 is an enlarged view of the external terminals of the EL panel of the second embodiment before assembly, and FIG. 6 is an enlarged view of the EL panel of the first embodiment before assembly. FIG. 7 is a cross-sectional view of the container section before assembly in the EL panel of the second embodiment, FIG. 8 is a schematic diagram showing the manufacturing process of the embodiment, and FIG. 1θ is a typical EL panel. FIG. 11 is a schematic cross-sectional view showing the structure of the panel, FIG. 11 is a cross-sectional view showing a conventional EL panel, and FIG. 12 is a schematic enlarged perspective view showing the portion of the external terminal in FIG. 11 extending out of the container. It is. 1, la, lb-electroluminescent display panel (EL panel),
2.-Electroluminescent device (EL device), 3.3a, 30-substrate, 4-transparent electrode that is the electrode of the electroluminescent device, 6-back electrode that is the electrode of the electroluminescent device, 8-low melting point solder glass, 7.7a. 11.29-container part, 9,12,14.27-external terminal, 10,13.15-container inner end. Patent applicant Norimitsu Nishimura, agent/patent attorney for Futaba Corporation. A No. 101' and Figure 11 Procedures Amendment (Method) Showa 6'! ,,4Pj19E

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] (1) 電界発光素子が形成された基板周辺部に容器部
を気密に封着し、外部端子を介して前記電界発光素子に
信号を印加することによって表示を得る電界発光表示パ
ネルにおいて、前記外部端子は前記基板と容器部との封
着部を気密に貫通するとともに、かつその容器内端部が
前記電界発光素子の各電極端部と接触する構成になる電
界発光表示パネル。
(1) In an electroluminescent display panel that obtains a display by airtightly sealing a container part around the periphery of a substrate on which an electroluminescent element is formed and applying a signal to the electroluminescent element via an external terminal, the external An electroluminescent display panel, wherein a terminal hermetically passes through a sealed portion between the substrate and the container, and an inner end of the terminal contacts an end of each electrode of the electroluminescent element.
(2) 前記基板と容器部とは、低融点ソルダーガラス
により封着される構成になる特許請求の範囲第1項記載
の電界発光表示パネル。
(2) The electroluminescent display panel according to claim 1, wherein the substrate and the container portion are sealed with low melting point solder glass.
(3) 前記外部端子は、Ni−Feを主成分とする合
金材料から形成される特許請求の範囲第1項又は第2項
記載の電界発光表示パネル。
(3) The electroluminescent display panel according to claim 1 or 2, wherein the external terminal is formed from an alloy material containing Ni-Fe as a main component.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH034613U (en) * 1989-06-05 1991-01-17
JP2000036384A (en) * 1998-07-17 2000-02-02 Nec Corp Manufacture of organic thin film el device
JP2002324663A (en) * 2001-04-25 2002-11-08 Toshiba Corp Electric field luminous lamp and its manufacturing method

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