JPS63223168A - Target for sputtering - Google Patents

Target for sputtering

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Publication number
JPS63223168A
JPS63223168A JP5580987A JP5580987A JPS63223168A JP S63223168 A JPS63223168 A JP S63223168A JP 5580987 A JP5580987 A JP 5580987A JP 5580987 A JP5580987 A JP 5580987A JP S63223168 A JPS63223168 A JP S63223168A
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JP
Japan
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target
cylindrical
sputtering
substrate
thin film
Prior art date
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Pending
Application number
JP5580987A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Tadashi Kumakiri
熊切 正
Yasushi Maeda
恭志 前田
Kouichirou Akari
孝一郎 赤理
Atsushi Munemasa
淳 宗政
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kobe Steel Ltd
Original Assignee
Kobe Steel Ltd
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Filing date
Publication date
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Publication of JPS63223168A publication Critical patent/JPS63223168A/en
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34Sputtering
    • C23C14/3407Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target

Abstract

PURPOSE:To easily realize a cylindrical target and to permit effective sputtering, by using split pieces having coupling edges in the direction oblique with the plane orthogonal with the axial center to assemble the target. CONSTITUTION:The target is so constituted that the entire part has a cylindrical shape by alternately laminating the annular split pieces 10a, 10b having the coupling edges 20 in the direction oblique with the plane orthogonal with the axial center of the target in a manner as to connect the coupling edges 20 to each other thereby assembling the target. The adjacent split pieces 10a, 10b are constituted by varying the component compsns. with each other. This target is disposed on a target supporting material 5 and spacers 21, 22 are disposed on the top and bottom end part sides which are then pressed and fixed. The easy assembly of the cylindrical target is thereby permitted even if materials having poor workability are used. Effective sputtering is thus permitted.

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、半導体デバイス或は熱転写装置におけるサー
マルヘッド等の表面を改質する為の表面被膜(例えば各
種磁性膜、耐摩耗性膜、硬質膜等)をスパッタ法によフ
て形成する際に用いられるスパッタ用ターゲットに関す
るものである。
[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention is directed to surface coatings (such as various magnetic films, wear-resistant films, hard The present invention relates to a sputtering target used when forming a film (film, etc.) by sputtering.

[従来の技術] 第2図は典型的なスパッタ装置を示す概略説明図であり
、2は真空容器、3は円管状のターゲラL     A
 l+ ロコi矢イ41 trz  jt お;   
 悶 l+ 々 −為ダ 、、 k プi1騙オオ6は
永久磁石、7はガス導入手段、8は高圧電源、9は冷却
管である。当該装置1を使用するに当たっては、ガス導
入手段7によってAr等の不活性ガスを真空容器2内に
導入すると共に該容器2内を減圧して負圧不活性ガス雰
囲気とし、高圧電源8によってターゲット3(陰極)と
基板4(陽極)の間に高電圧を印加することによってグ
ロー放電を発生させ、ここに形成されたプラズマ正イオ
ンをターゲット3に衝突させてターゲット3の表面から
スパッタ粒子を蒸発させると共にこれを基板4上に蒸着
させるものである。又冷却管9内には冷却水が供給され
、この冷却水は冷却管9内を通った後、ターゲット支持
材5と冷却管9に挟まれる空間を通って排出口(図示せ
ず)から出ていく様に構成されている。尚第2図に示し
た装置1は所謂マグネトロン型のものであり、前記永久
磁石6によって電圧と直交する方向に磁界を形成して放
電効率を向上させたものである。スパッタ装置としては
第2図に示したものの他色々のタイプのものが知られて
おり、以下の説明では便宜上マグネトロン型のものを代
表的に取り上げて述べるが、これらはスパッタ装置に共
通する事柄として理解されなければならない。
[Prior Art] FIG. 2 is a schematic explanatory diagram showing a typical sputtering apparatus, in which 2 is a vacuum vessel, and 3 is a cylindrical Targetera LA.
l+ loco i yai 41 trz jt o;
6 is a permanent magnet, 7 is a gas introduction means, 8 is a high-voltage power supply, and 9 is a cooling pipe. When using the device 1, an inert gas such as Ar is introduced into the vacuum container 2 by the gas introduction means 7, and the pressure inside the container 2 is reduced to create a negative pressure inert gas atmosphere. A glow discharge is generated by applying a high voltage between 3 (cathode) and substrate 4 (anode), and the plasma positive ions formed here collide with target 3 to evaporate sputtered particles from the surface of target 3. At the same time, this is vapor-deposited on the substrate 4. Cooling water is supplied into the cooling pipe 9, and after passing through the cooling pipe 9, the cooling water passes through the space between the target support material 5 and the cooling pipe 9, and exits from an outlet (not shown). It is structured as follows. The device 1 shown in FIG. 2 is of a so-called magnetron type, and the permanent magnet 6 forms a magnetic field in a direction perpendicular to the voltage to improve discharge efficiency. Various types of sputtering equipment are known in addition to the one shown in Figure 2, and in the following explanation, for convenience, a magnetron type will be used as a representative example, but these are common to all sputtering equipment. must be understood.

スパッタ装置においては、第2図にも示した様にその原
理上ターゲットが必要であり、従来から色々の構造から
なるターゲットが使用されてきた。ターゲットの形状と
しては以前は平板型のものが最も一般的であり、この様
な平板型ターゲットに関してはその材質や構造等につい
て種々の改良が加えられており、既に市販されているも
のも多数ある。一方スバッタ装置の多様化に伴い、ター
ゲット形状にも改変が加えられ、円筒状のターゲットを
用いる場合も多くなってきている。
As shown in FIG. 2, a sputtering apparatus requires a target in principle, and targets having various structures have been used heretofore. In the past, the most common target shape was the flat plate type, and various improvements have been made to the material and structure of these flat targets, and many of them are already commercially available. . On the other hand, with the diversification of sputtering devices, the shape of the target has also been modified, and cylindrical targets are increasingly being used.

[発明が解決しようとする問題点] 近年の傾向としては、形成する薄膜に対し、絶縁特性や
耐摩耗性の向上等の高性能化が要求される様になってき
ている。その為ターゲツト材の高純度化を図ったり、或
は合金やセラミックス等の広範な材料を使用する必要性
も生じてきている。
[Problems to be Solved by the Invention] In recent years, the thin films formed are required to have higher performance, such as improved insulation properties and abrasion resistance. Therefore, it has become necessary to improve the purity of the target material or to use a wide range of materials such as alloys and ceramics.

この場合平板状のターゲットであれば材質の如何に拘ら
ず比較的容易にこれを製作することができ格別の問題は
ないのであるが、円筒状ターゲットを作成する場合は使
用する材料によって加工性の良否に大きな影響が現われ
てくるという問題が生じる。特にセラミックスの様に加
工性の悪い材料を用いる場合やCr−Mo合金の様に難
削材を用いる場合等には、円筒状ターゲットの製作コス
トが高騰し、時によっては製作不可能という事態に遭遇
することもある。又セラミックス製一体型ターゲットで
は操業中の高熱を受けてターゲットが歪んで割れてしま
うという別の問題もあった。
In this case, if the target is a flat plate, it can be manufactured relatively easily regardless of the material, and there are no particular problems. However, when creating a cylindrical target, workability may vary depending on the material used. A problem arises in that it has a significant effect on quality. In particular, when using materials with poor machinability such as ceramics or difficult-to-cut materials such as Cr-Mo alloys, the cost of manufacturing cylindrical targets increases, and in some cases, it may become impossible to manufacture them. You may come across it. Another problem with ceramic monolithic targets is that they become distorted and crack due to high heat during operation.

更に第2図にも示した様に、ターゲット3はターゲット
支持材5によって支持されるのであるが、両者は接着剤
によって接着されるのが一般的であり、この接着剤がス
パッタリングを受けて基板表面に運ばれ不純物として付
着するという問題もあった。
Furthermore, as shown in FIG. 2, the target 3 is supported by the target support material 5, and the two are generally bonded together with an adhesive, and this adhesive is sputtered and attached to the substrate. There was also the problem that it was carried to the surface and attached as an impurity.

本発明はこうした実情に鑑みてなされたものであって、
その目的とするところは、加工性の良くない材料を用い
た場合であワても筒状ターゲットを容易に実現できると
共に、有効なスパッタリン・グを行ない得るスパッタ用
ターゲットの構造を提供することにある。
The present invention was made in view of these circumstances, and
The purpose is to provide a structure of a sputtering target that can easily realize a cylindrical target even when using materials with poor workability and that can perform effective sputtering. It is in.

[問題点を解決する為の手段] 上記目的を達成し得た本発明のスパッタ用ターゲットと
は、全体形状が筒状であるスパッタ用ターゲットにおい
て、軸心に直交する面に対して傾斜する方向に結合縁を
有する分割片によって組立てられたものである点に要旨
を有するものである。
[Means for Solving the Problems] The sputtering target of the present invention that achieves the above object is a sputtering target whose overall shape is cylindrical, and which has a sputtering target in a direction inclined with respect to a plane perpendicular to the axis. The main point is that it is assembled by divided pieces that have connecting edges at the sides.

[作用] 本発明者らは上述した様な問題を解決する為種々検討し
た結果、まず第3図に示す様に環状の分割片10を軸心
方向に複数積層して全体形状が筒状となるターゲット3
を構成すればよいのではないかとの着想が得られた。即
ち比較的容易に形成できる環状の分割片10を複数組合
わせて筒状ターゲット3を構成することによって、一体
的に形成した場合には製作困難が予想される材料であっ
ても比較的容易に大型の筒状ターゲット3を実現するこ
とができる様になるのではないかと期待されたのである
。第3図に示す構成はその代表例であり、所期の目的を
一応達成し得るものであるため別途特許出願した。
[Function] As a result of various studies to solve the above-mentioned problems, the present inventors first stacked a plurality of annular divided pieces 10 in the axial direction as shown in FIG. 3 so that the overall shape was cylindrical. Naru target 3
I got the idea that it would be a good idea to compose a . That is, by configuring the cylindrical target 3 by combining a plurality of annular divided pieces 10 that can be formed relatively easily, even if the material is made of a material that would be difficult to manufacture if formed integrally, it can be formed relatively easily. It was hoped that it would be possible to realize a large cylindrical target 3. The configuration shown in FIG. 3 is a typical example, and a separate patent application has been filed because it can achieve the intended purpose.

ところが本発明者らが更に研究を進めたところ、未だ改
良すべき若干の技術的課題が残されていた。第3図に示
す構成を採用する効果の一つとしては、積層する分割片
10の成分や厚みを変えることによって各分割片10か
ら独立して発生してきたスパッタ粒子が基板上に複合し
て積層され、あたかも合金のターゲットを用いたかの様
な混合成分組成からなる薄膜が得られるということが挙
げられる。従って例えばCr−Mo合金の様な難削性の
材料を用いてターゲット3を作成しなくとも、Cr製分
割片とMO製分割片を任意の比率で交互積層させておけ
ば希望する合金組成の薄膜が得られる。その際第3図に
示す様な軸心と直交する方向に結合面を有する環状分割
片10を積層した構成であると、基板上に形成される薄
膜の混合成分組成が軸心方向に沿ってばらつきを生じる
。この様な不都合を回避する為には、筒状ターゲット3
又は基板4(基板4は第2図参照)を軸心方向に沿って
運動させる1な機構を設ける必要がある。しかしながら
上述の様な機構をスパッタ装置に設けるには、スパッタ
装置自体が複雑・大型化してしまい、それを実現する為
には多大の技術的困難を伴い、結果的にコストアップに
つながるという事態が生じた。
However, when the present inventors conducted further research, some technical problems still remained to be improved. One of the effects of adopting the configuration shown in FIG. 3 is that by changing the composition and thickness of the laminated divided pieces 10, sputtered particles generated independently from each divided piece 10 are combined and laminated on the substrate. As a result, it is possible to obtain a thin film with a mixed component composition as if an alloy target were used. Therefore, without creating the target 3 using a difficult-to-cut material such as Cr-Mo alloy, you can achieve the desired alloy composition by alternately stacking Cr divided pieces and MO divided pieces in any ratio. A thin film is obtained. At this time, if the structure is such that the annular divided pieces 10 having bonding surfaces in the direction orthogonal to the axis are laminated as shown in FIG. 3, the mixed component composition of the thin film formed on the substrate will be Causes variation. In order to avoid such inconvenience, the cylindrical target 3
Alternatively, it is necessary to provide a mechanism for moving the substrate 4 (see FIG. 2 for the substrate 4) along the axial direction. However, in order to provide the above-mentioned mechanism in a sputtering device, the sputtering device itself becomes complicated and large, and realizing this requires great technical difficulties, which ultimately leads to an increase in costs. occured.

そこで本発明者らは更に鋭意研究した結果、上述した如
く各分割片における相互に連接する結合縁を軸心に直交
する面に対して傾斜する方向となる様に形成すると共に
、ターゲット又は基板を回転させれば、上述した事態が
回避できるとの確証が得られ、ここに本発明を完成した
ものである。
Therefore, as a result of further intensive research, the inventors of the present invention found that, as described above, the mutually connected joint edges of each divided piece were formed in a direction inclined with respect to the plane perpendicular to the axis, and the target or substrate was It was confirmed that the above-mentioned situation could be avoided by rotating it, and the present invention was completed.

即ち各分割片を傾斜させた構成とし、この様な分割片を
組合わせて全体形状が筒状となるターゲットを構成する
と共に、該筒状ターゲット(又は筒状の基板)をその軸
心回りに回転させることによって、基板上に形成される
薄膜中の成分組成の軸心方向におけるばらつきを是正し
、組成的に均一な薄膜を得ることに成功したものである
That is, each divided piece is configured to be inclined, and such divided pieces are combined to constitute a target whose overall shape is cylindrical, and the cylindrical target (or cylindrical substrate) is rotated around its axis. By rotating the substrate, it was possible to correct variations in the composition of components in the thin film formed on the substrate in the axial direction, and successfully obtain a compositionally uniform thin film.

以下本発明を実施例に沿って更に詳細に説明するが、下
記実施例は本発明を限定する性質のものではなく、前・
後記の主旨に徴して適宜設計変更することはいずれも本
発明の技術的範囲に含まれるものである。
The present invention will be described in more detail below with reference to Examples, but the Examples below are not intended to limit the present invention.
Any appropriate design changes based on the gist described below are within the technical scope of the present invention.

[実施例コ 第1図は、本発明の一実施例の概略縦断面図である。第
1図に示した装置におけるスパッタ装置としての基本的
構成は第2図に示した構成と類似しているので、対応す
る部分には同一の参照符号を付すことにより重複説明を
避ける。尚第1図においてlla、llbは環状シール
ド材、12は絶縁材、16は支持プレートを夫々示し、
前記第2図で示した基板4、ガス導入手段7、高圧電源
8等は説明の便宜上省略しである。
Embodiment FIG. 1 is a schematic vertical sectional view of an embodiment of the present invention. The basic structure of the sputtering apparatus in the apparatus shown in FIG. 1 is similar to that shown in FIG. 2, so corresponding parts are given the same reference numerals to avoid redundant explanation. In FIG. 1, lla and llb represent an annular shield material, 12 represents an insulating material, and 16 represents a support plate, respectively.
The substrate 4, gas introduction means 7, high-voltage power supply 8, etc. shown in FIG. 2 are omitted for convenience of explanation.

本発明に係るターゲット3は、該ターゲット3の軸心と
直交する面に対して傾斜する方向に結合1i20を有す
る環状の分割片1oa、1obを、前記結合縁20が相
互に連接される様に交互に積層して組立てることによっ
て全体形状が円筒状になる様に構成される。又隣接する
分割片10a。
The target 3 according to the present invention includes annular divided pieces 1oa and 1ob having a joint 1i20 in a direction inclined with respect to a plane perpendicular to the axis of the target 3, such that the joint edges 20 are connected to each other. By stacking them alternately and assembling them, the overall shape is cylindrical. Also, adjacent divided pieces 10a.

10bは、成分組成を相互に違えて構成される。10b are constructed with mutually different component compositions.

尚第1図に示した各分割片10a、10bは、平面上に
置いたとき楕円状の外観を示す。
The divided pieces 10a and 10b shown in FIG. 1 have an elliptical appearance when placed on a plane.

前記ターゲット3はターゲット支持材5に外挿される様
に配置されるのであるが、その際ターゲット3の上端部
は、スペーサ21を介在させた状態で、ターゲット支持
材5の上端側に螺合する様に配設された締付はナツト1
8によって押圧される。従って各分割片foa、10b
は接着剤を使用することなく押圧固定される。尚ターゲ
ット3の下端部側にも、前記スペーサ21と同様のスペ
ーサ22が配置されている。
The target 3 is placed so as to be fitted onto the target support 5, and the upper end of the target 3 is screwed onto the upper end of the target support 5 with a spacer 21 interposed therebetween. Nut 1
Pressed by 8. Therefore, each divided piece foa, 10b
is fixed by pressing without using adhesive. Incidentally, a spacer 22 similar to the spacer 21 is also arranged on the lower end side of the target 3.

第1図に示した装置1を用いて操業するときの手順は前
記第2図に示した装置とほぼ同様であり詳細は避けるが
、特に本発明の場合はターゲット3又は基板4(基板4
については第2図参照)をその軸心回りに回転させる必
要がある。ターゲット3又は基板4を回転させる様な構
成は、ターゲット3又は基板4を軸心方向に運動させる
構成と比べてスペースが少なくてすみ比較的容易に達成
される。
The operating procedure using the apparatus 1 shown in FIG. 1 is almost the same as the apparatus shown in FIG.
(see Figure 2 for details) must be rotated around its axis. A configuration in which the target 3 or the substrate 4 is rotated requires less space and can be achieved relatively easily compared to a configuration in which the target 3 or the substrate 4 is moved in the axial direction.

本発明に係るスパッタ用ターゲット3を用いて操業を行
なうことによって、基板上に形成される薄膜の成分組成
の軸心方向におけるばらつきを是正し得たのである。又
本発明に係るターゲット3の基本的構成は複数の分割片
10a、10bを組合わせたものであり、且つ各分割片
10a。
By performing the operation using the sputtering target 3 according to the present invention, it was possible to correct variations in the composition of the thin film formed on the substrate in the axial direction. The basic structure of the target 3 according to the present invention is a combination of a plurality of divided pieces 10a and 10b, and each divided piece 10a.

tabは簡単な形状となるので材料の如何に拘らず比較
的容易に作成でき、その結果セラミックス等の加工性の
悪い材料を用いた場合であっても大きさにとられれるこ
となくターゲット3を比較的簡単に形成することができ
る。更に締付はナツト18によってターゲット3を押圧
固定する様にしたので接着剤を使用する必要がなく、分
割片10a、10bに圧縮応力が作用して分割片10a
、10bに割れを生じるのを防止できると共に、接着剤
がスパッタされて薄膜中の不純物となることもない。
Since the tab has a simple shape, it can be made relatively easily regardless of the material, and as a result, even when using a material with poor workability such as ceramics, the target 3 can be made without being limited in size. It can be formed relatively easily. Furthermore, since the target 3 is tightened by pressing the nut 18, there is no need to use adhesive, and compressive stress acts on the divided pieces 10a and 10b, causing the divided piece 10a to tighten.
, 10b can be prevented from cracking, and the adhesive will not be sputtered and become an impurity in the thin film.

一方各分割片10a、10bは、寸法等の具体的形状に
ついて特別の限定を受けるものでなく、その厚さT(軸
心方向の長さ)、軸心と直交する方向とのなす角度θ(
結合縁20の水平面との角度)及び直径等の諸刃子を相
関させつつ適宜決定すればよい。もっともある任意の軸
直角断面をとったときに、その全周に亘って成分組成が
完全に同一となる様な形状は避けることが望ましい。
On the other hand, each of the divided pieces 10a and 10b is not subject to any particular limitations regarding the specific shape such as dimensions, and the thickness T (length in the axial direction) and the angle θ (
It may be determined as appropriate while correlating the double blades such as the angle of the joint edge 20 with the horizontal plane) and the diameter. However, it is desirable to avoid a shape in which the component composition is completely the same over the entire circumference when an arbitrary axis-perpendicular cross section is taken.

即ち第4図(模式図)にハツチングを付して示した領域
を、分割片10a(及び10b)に形成しない様にする
ことが好ましい、その為には少なくとも下記(1)式の
関係を溝たす様にすればよい。
That is, it is preferable not to form the hatched area in FIG. 4 (schematic diagram) in the divided pieces 10a (and 10b).To do this, at least the relationship of equation (1) below should be established in the grooves. You can do it in a folded position.

T≦D tan  θ             ・(
1)(ただしDはターゲット3の直径) 第4図に示した様な全周方向に亘って同一成分組成であ
る領域が存在すると、分割片10a。
T≦D tan θ ・(
1) (where D is the diameter of the target 3) If there is a region having the same component composition over the entire circumference as shown in FIG. 4, the divided piece 10a.

10bの結合縁20を傾斜して形成し且つ筒状ターゲッ
ト3(又は基板4)を回転させるという構成にもかかわ
らず当該領域からスパッタされて形成される薄膜部分が
単一成分組成となる危険が高く、薄膜部分は分割片10
a、10bのどちらか一方の成分になるからである。し
かしスパッタ粒子は上下方向にも拡散する傾向にあるし
、更にターゲットまたは基板を軸方向へ若干運動させる
という構成を併用すればこれらの不都合も解消されるの
で問題はない。尚薄膜を可及的均一に形成するという趣
旨からすれば、各分割片10a。
Despite the configuration in which the bonding edge 20 of 10b is formed at an angle and the cylindrical target 3 (or substrate 4) is rotated, there is a risk that the thin film portion formed by sputtering from the region will have a single component composition. The high and thin film part is divided into 10 pieces.
This is because it becomes a component of either a or 10b. However, sputtered particles tend to diffuse in the vertical direction as well, and if a configuration in which the target or substrate is moved slightly in the axial direction is also used, these disadvantages can be solved, so there is no problem. Furthermore, from the point of view of forming a thin film as uniformly as possible, each divided piece 10a.

tabの厚みTは可能な範囲で小さくすることが推奨さ
れ、例えば1〜10mm程度が好ましい。又厚みTをこ
の程度に設定することによって、前記傾斜角θを小さく
することができ、分割片10a、10bを作成する作業
がより容易になるという利点がある。
It is recommended that the thickness T of the tab be as small as possible, and preferably about 1 to 10 mm, for example. Further, by setting the thickness T to this level, the inclination angle θ can be made small, and there is an advantage that the work of creating the divided pieces 10a and 10b becomes easier.

次に、基板上に形成される薄膜の成分組成比(分割片1
0aの成分Aと分割片10aの成分Bの混合割合)をあ
る値に調整する場合において、各分割片10a、10b
の夫々の厚みTA、”raと傾斜角θの関係について具
体的に説明する。
Next, the component composition ratio of the thin film formed on the substrate (separated piece 1
When adjusting the mixing ratio of component A of 0a and component B of divided piece 10a to a certain value, each divided piece 10a, 10b
The relationship between the thickness TA, ``ra'' and the inclination angle θ will be specifically explained.

まず基板上に形成された薄膜の混合成分組成の比率をA
:B=1:1とする場合を、その−具体例に基づいて説
明する。この場合には第5図(模式図)に示す様に分割
片10a、10bの夫々の厚みTA、T、を同じくし、
ターゲット3の直径をDとすれば、傾斜角θは下記(2
)式で決定される。
First, the ratio of the mixed component composition of the thin film formed on the substrate is A
:B=1:1 will be explained based on a specific example. In this case, as shown in FIG. 5 (schematic diagram), the thicknesses TA and T of the divided pieces 10a and 10b are the same,
If the diameter of the target 3 is D, the inclination angle θ is as follows (2
) is determined by the formula.

υ 上記の様に設定して実際に操業した場合に形成された薄
膜の成分組成比について、筒状ターゲット3の軸心方向
に対応させて第5図に併記した。
υ The component composition ratio of the thin film formed when actually operated with the above settings is also shown in FIG. 5 in correspondence with the axial direction of the cylindrical target 3.

尚このときの薄膜における組成Aの組成已に対する割合
は50±16.5 (%)であった。
The ratio of composition A to the total composition of the thin film at this time was 50±16.5 (%).

次に、基板上に形成される薄膜の混合成分組成の比率を
A:B=1:3とする場合について説明する。この場合
には第6図に示す様に分割片10aの厚みTAを分割片
10bの厚みT6の7分の2とし、傾斜各θを下記(3
)式に従って決定する。
Next, a case will be described in which the ratio of the mixed component composition of the thin film formed on the substrate is A:B=1:3. In this case, as shown in FIG. 6, the thickness TA of the divided piece 10a is set to 2/7 of the thickness T6 of the divided piece 10b, and each inclination θ is set as follows (3
) is determined according to the formula.

TA /2+TB θ= jan−’  □    ・・・(3)上記の様
に設定して実際に操業した場合に形成された薄膜の混合
成分組成比について、筒状ターゲット3の軸心方向に対
応させて第6図に併記した。尚このときの薄膜における
組成Aの組成りに対する割合は24.5±8.5(%)
であった。
TA /2 + TB θ= jan-' □ ... (3) The composition ratio of the mixed components of the thin film formed when actually operating with the above settings is made to correspond to the axial direction of the cylindrical target 3. It is also shown in Figure 6. In addition, the ratio of composition A to the composition in the thin film at this time is 24.5 ± 8.5 (%)
Met.

上述した具体例の如く分割片10a、10bの厚みTA
、TB、傾斜角θ及び直径りの関係から薄膜中における
成分A、Bの割合を任意に設定することができる。但し
上記趣旨は、任意の軸直角断面内に異なる2以上の分割
片10が含まれることを排除するものではない。
As in the specific example described above, the thickness TA of the divided pieces 10a and 10b
, TB, the inclination angle θ, and the diameter, the ratio of components A and B in the thin film can be set arbitrarily. However, the above purpose does not exclude that two or more different divided pieces 10 are included in any axis-perpendicular cross section.

尚上記第1図における実施例では楕円状の分割片10a
、10bを組合わせて全体形状が円筒状となるターゲッ
ト3を示したけれども、分割片10a、10b及びター
ゲット3の形状は第1図に示したものに限定されない。
In the embodiment shown in FIG. 1, the elliptical divided piece 10a is
, 10b are combined to form a cylindrical overall shape, the shapes of the divided pieces 10a, 10b and the target 3 are not limited to those shown in FIG.

例えば第7図に示す様に円形環状の分割片10cを用い
て大略円筒状となるターゲット3を形成する様にしても
よい(ターゲット3の外周表面は階段状となる)或は組
合わせた後のターゲット3の全体形状が例えば6角筒状
の様な角筒状となる構成も本発明の技術的範囲に含まれ
る。更に第1図では本発明に係る筒状ターゲット3をマ
グネトロン型スパッタ装置に適用した場合について示し
たが、本発明の筒状ターゲット3はマグネトロン型スパ
ッタ装置のみに限定して適用されるものでないことは既
に述べた通りである。
For example, as shown in FIG. 7, a substantially cylindrical target 3 may be formed using circular annular divided pieces 10c (the outer circumferential surface of the target 3 has a step-like shape), or after being combined. A configuration in which the overall shape of the target 3 is a rectangular tube shape such as a hexagonal tube shape is also included in the technical scope of the present invention. Further, although FIG. 1 shows the case where the cylindrical target 3 according to the present invention is applied to a magnetron type sputtering device, the cylindrical target 3 of the present invention is not limited to application only to a magnetron type sputtering device. As already stated.

[発明の効果] 以上述べた如く本発明によれば、加工性の良くない材料
を用いた場合であっても容易に実現できるのは勿論のこ
と、効果的にスパッタリングが行ない得る様なスパッタ
用ターゲットが実現できた。
[Effects of the Invention] As described above, according to the present invention, not only can it be easily realized even when using materials with poor workability, but also sputtering can be performed effectively. The target was achieved.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の一実施例を示す概略縦断面図、第2図
は典型的なスパッタ装置を示す概略説明図、第3図は改
良したスパッタ装置の一例を示す概略説明図、第4図は
分割片10aの模式図、第5図及び第6図は薄膜の成分
組成割合を調整する場合を説明する為の図、第7図はタ
ーゲット3の一実施態様を示す概略説明図である。 1・・・スパッタ装置  2・・・真空容器3・・・タ
ーゲット   4・・・基板5・・・ターゲット支持材 6・・・永久磁石    9・・・冷却管10.10a
、10b、1Oc−−−分割片18・・・締付はナツト
  21.22・・・スペーサ第1図 第2図 第3図 第4図
FIG. 1 is a schematic vertical sectional view showing an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a schematic explanatory view showing a typical sputtering device, FIG. 3 is a schematic explanatory drawing showing an example of an improved sputtering device, and FIG. The figure is a schematic diagram of the divided piece 10a, FIGS. 5 and 6 are diagrams for explaining the case of adjusting the component composition ratio of the thin film, and FIG. 7 is a schematic explanatory diagram showing one embodiment of the target 3. . DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Sputtering apparatus 2... Vacuum container 3... Target 4... Substrate 5... Target support material 6... Permanent magnet 9... Cooling pipe 10.10a
, 10b, 1Oc---Divided piece 18...Tighten with a nut 21.22...Spacer Fig. 1 Fig. 2 Fig. 3 Fig. 4

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 全体形状が筒状であるスパッタ用ターゲットにおいて、
軸心に直交する面に対して傾斜する方向に結合縁を有す
る分割片によって組立てられたものであることを特徴と
するスパッタ用ターゲット。
In sputtering targets whose overall shape is cylindrical,
1. A sputtering target, characterized in that the sputtering target is assembled by divided pieces having connecting edges in a direction inclined with respect to a plane perpendicular to the axis.
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