JPS63222765A - アンプルの加工方法 - Google Patents

アンプルの加工方法

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JPS63222765A
JPS63222765A JP5776587A JP5776587A JPS63222765A JP S63222765 A JPS63222765 A JP S63222765A JP 5776587 A JP5776587 A JP 5776587A JP 5776587 A JP5776587 A JP 5776587A JP S63222765 A JPS63222765 A JP S63222765A
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JP
Japan
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ampoule
cut
neck
cutting
ampoules
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JP5776587A
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村田 兼一
池内 福治
上田 達美
海野 富男
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Toshiba Corp
Fujisawa Pharmaceutical Co Ltd
Hitachi Ltd
Original Assignee
Toshiba Corp
Fujisawa Pharmaceutical Co Ltd
Hitachi Ltd
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Publication date
Application filed by Toshiba Corp, Fujisawa Pharmaceutical Co Ltd, Hitachi Ltd filed Critical Toshiba Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 この発明は、アンプルの首部にカット用の傷をつけるた
めのアンプルの加工方法に関する。
従来の技術とその問題点 注射液などが封入されたアンプルには、予め首部にカッ
ト用の傷をつけたいわゆるカットアンプルとカット用の
傷のないいわゆるノーカットアンプルがある。
ノーカットアンプルを使用する場合、ハート形のやすり
で首部に傷をつけてこれを折る必要がある。このため、
ユーザーが使いにくく、しかもカット時にアンプル内に
混入するガラス異物が多いという問題がある。
カットアンプルには、特殊塗料で首部の全周に傷をつけ
たイージーカットアンプルとダイヤモンドで首部の1箇
所に傷をつけたワンポイントカットアンプルなどがあり
、いずれの場合も使用時にそのまま折ることができる。
ところが、従来のイージーカットアンプルの場合、やは
り、カット時にアンプル内に混入するガラス異物が多い
という聞届がある。また、従来のワンポイントカットア
ンプルの場合、イージーカットアンプルに比べてガラス
異物の混入が少なく、現在最も一般的に使用されている
が、それでもがなりの数のガラス異物が混入する。
この発明の目的は、上記の問題を解決し、カット時のガ
ラス異物の混入が少ないアンプルの加工方法を提供する
ことにある。
問題点を解決するための手段 この発明によるアンプルの加工方法は、アンプルの首部
表面にレーザー光を照射してカット用の傷をつけること
を特徴とするものである。
実  施  例 第1図は、この発明の方法により加工したアンプルの1
例を示す。このアンプル(10)は従来のワンポイント
カットアンプルに対応するものであり、首部(10a)
の表面の1箇所にカット用の傷(11)がつけられてい
る。このIn (11)は、アンプル(10)の首部(
10a)の表面にレーザー光を照射することにより加工
される。
第2図は、上記のアンプル(lO)の傷(11)の加工
方法の1例すなわちこの発明の方法の1例を示す。この
方法の場合、レーザー照射部(12)は固定され、アン
プル(10)が走査される。アンプル(10)は、適宜
な手段により、水平にかつ回転しないように支持され、
同図に矢印(A)で示すように軸線と直交する水平方向
に一定速皮で走査される。また、板状のマスク(13)
が、適宜な手段により、アンプル(10)の首部(10
a)の真上に水平に支持され、アンプル(10)と同期
して同方向に同速度で走査される。マスク(13)には
、その走査方向に所定幅を有するスリット(14)が形
成されている。レーザー照射部(12)は、マスク(1
3)の走査径路の真上に下向きに固定されている。そし
て、アンプル(10)とマスク(13)を上記のように
互いに同期して走査させながら照射部(■2)からレー
ザー光(15)を連続照射すると、レーザー光(15)
がマスク(13)のスリット(14)を通過するときに
のみアンプル(10)の首部(10a)に照射され、ス
リット(14)の幅に応じた傷(11)がつけられる。
なお、この傷(11)の大きさく円周方向の長さ)は、
マスク(13)のスリット(14)の幅によって変えら
れる。
たとえば、生理食塩水を充填した白2N溶閉アンプルに
対し、出力260wのCO2レーザーを使用し、マスク
(13)のスリット(14)の幅を2mm、、アンプル
の走査速度を12m/winとして傷の加工を行なった
ところ、カット力が好ましい範囲にありしかもそのばら
つきの小さいワンポイントカットアンプルが得られた。
また、これらのアンプルを実際にカットして内容物に混
入するガラス異物の数を調べた。これを従来のノーカッ
トアンプルおよびワンポイントカットアンプルと比較し
た結果を第7図に示す。なお、従来のノーカットアンプ
ルについては、ハート形のやすりで首部に傷をつけてカ
ットした。
また、エタノール拭きとは、カットする前にエタノール
を含浸した脱脂綿で首部を拭くことを示す。
第7図より、次のことがわかる。
従来のノーカットアンプルの場合、とくにエタノール拭
きを行なわないときに内容物に混入するガラス小異物の
数が非常に多い。従来のワンポイントカットアンプルの
場合、ガラス異物の数はノーカットアンプルでエタノー
ル拭きを行なったときと同程度になり、エタノール拭き
の有無による差は小さくなる。これに対し、この発明の
レーザーによるワンポイントカットアンプルの場合、エ
タノール拭きを行なわなくても、ガラス異物の数は従来
のワンポイントカットアンプルよりかなり少なくなる。
上記の実施例ではレーザー照射部(12)を固定してア
ンプル(10)とマスク(13)を走査しているが、ア
ンプル(10)とマスク(13)を固定してレーザー照
射部(12)を走査し°てもよい。また、上記の実施例
では、レーザー光を連続照射しているので、首部の1箇
所にのみ傷をつけるためにマスクが必要である。しかし
ながら、レーザー光のパルス照射を行なえば、マスクを
使用しなくても首部の1箇所にのみ傷をつけることがで
きる。
第3図は、この発明の方法により加工したアンプルの他
の1例を示し、首部(loa)の約半周にカット用の傷
(11)がつけられている。このようにすれば、ワンポ
イントカットアンプルに比べてカット方向の制約が少な
くなる。
第3図のアンプル(10)の傷(11)は、たとえば第
4図に示す方法により加工される。これは、第2図の方
法からマスク(13)を取除いたものであり、アンプル
(10)を回転させずに走査しながら照射部(12)か
らレーザー光(15)を連続照射することにより、首部
(10a)の上側約半周にレーブー光(I5)が照射さ
れて傷(11)がつけられる。
たとえば、第2図の場合と同じアンプルに対し、出力3
0WのCO2レーザーを使用し、アンプルの走査速度を
12m/+++Inとして傷の加工を行なったところ、
カット力が好ましい範囲にありしかもそのばらつきの小
さい半周カットアンプルが得られた。
第5図は、この発明の方法により加工したアンプルのさ
らに他の1例を示す。このアンプル(lO)は従来のイ
ージーカットアンプルに対応するものであり、首部(l
oa)の全周にカット用の傷(11)がつけられている
。このようにすれば、カット方向の制約が全くなくなる
第5図のアンプル(10)の傷(11)は、たとえば第
6図に示す方法により加工される。この場合、アンプル
(lO)を同図に矢印(B)で示すように軸線を中心に
高速で自転させながら走査する。
他は第4図の方法と同様である。アンプル(10)を自
転させながら走査することにより、首部(lOa)の全
周にレーザー光(15)が照射されて傷(II)がつけ
られる。
たとえば、第2図の場合と同じアンプルに対し、出カフ
0Wの002レーザーを使用し、アンプルの自転速度を
1450rpn+、走査速度を8m/[l1inとして
傷の加工を行なったところ、カット力が好ましい範囲に
ありしかもそのばらつきの小さい全周カットアンプルが
得られた。
発明の効果 この発明によれば、アンプルの首部表面にレーザー光を
照射してカット用の傷をつけるので、上述のように、カ
ット時にアンプル内に混入するガラス異物が少なくなる
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の方法により加工したワンポイントカ
ットアンプルの1例を示す斜視図、第2図は第1図のア
ンプルの傷の加工方法の1例を示す斜視図、第3図はこ
の発明の方法により加工した半周カットアンプルの1例
を示す斜視図、第4図は第3図のアンプルの傷の加工方
法の1例を示す斜視図、第5図はこの発明の方法により
加工した全周カットアンプルの1例を示す斜視図、第6
図は第5図のアンプルの傷の加工方法の1例を示す斜視
図、第7図は従来のノーカットアンプルおよびワンポイ
ントカットアンプルと第1図のワンポイントカットアン
プルについてカット時に混入するガラス異物の数を調べ
た結果を相対的に示すグラフである。 (10)・・・アンプル、(10a)・・・首部、(1
1)・・・傷、(15)・・・レーザー光。 以上 特許出願人  藤沢薬品工業株式会社 同  株式会社東芝 同   株式会社日立製作所

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. アンプルの首部表面にレーザー光を照射してカット用の
    傷をつけることを特徴とするアンプルの加工方法。
JP62057765A 1987-03-12 1987-03-12 アンプルの加工方法 Expired - Lifetime JPH0673538B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62057765A JPH0673538B2 (ja) 1987-03-12 1987-03-12 アンプルの加工方法

Applications Claiming Priority (1)

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JP62057765A JPH0673538B2 (ja) 1987-03-12 1987-03-12 アンプルの加工方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS63222765A true JPS63222765A (ja) 1988-09-16
JPH0673538B2 JPH0673538B2 (ja) 1994-09-21

Family

ID=13064971

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Application Number Title Priority Date Filing Date
JP62057765A Expired - Lifetime JPH0673538B2 (ja) 1987-03-12 1987-03-12 アンプルの加工方法

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JPH0673538B2 (ja) 1994-09-21

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