JPS63221967A - 研磨加工後のリンス方法 - Google Patents
研磨加工後のリンス方法Info
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- JPS63221967A JPS63221967A JP62055765A JP5576587A JPS63221967A JP S63221967 A JPS63221967 A JP S63221967A JP 62055765 A JP62055765 A JP 62055765A JP 5576587 A JP5576587 A JP 5576587A JP S63221967 A JPS63221967 A JP S63221967A
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Landscapes
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Weting (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
化学作用を利用してシリコン結晶ウェーハを研磨し、こ
のシリコン結晶ウェーハをリンスする研磨加工において
、研磨加工終了前にこの研磨剤を中和するリンス液を用
いてこのシリコン結晶ウェーハをリンスし、シリコン結
晶ウェーへのエツチングが進行して表面にエツチングむ
らが生じるのを防止する研磨加工後のリンス方法。
のシリコン結晶ウェーハをリンスする研磨加工において
、研磨加工終了前にこの研磨剤を中和するリンス液を用
いてこのシリコン結晶ウェーハをリンスし、シリコン結
晶ウェーへのエツチングが進行して表面にエツチングむ
らが生じるのを防止する研磨加工後のリンス方法。
本発明は、シリコン結晶ウェーハの研磨に係り、特に研
磨加工後のリンス方法の改良に関するものである。
磨加工後のリンス方法の改良に関するものである。
シリコン結晶ウェーへの最終加工工程として研磨は広く
用いられている。
用いられている。
半導体素子の集積度は年々増大しており、これに伴う微
細化が進んでいるために、基板として用いられるシリコ
ンウェーハの加工精度に対する要求が益々厳しくなって
きている。
細化が進んでいるために、基板として用いられるシリコ
ンウェーハの加工精度に対する要求が益々厳しくなって
きている。
以上のような状況からこの高精度の要求を満たすことが
可能な研磨加工後のリンス方法が要望されている。
可能な研磨加工後のリンス方法が要望されている。
従来のシリコン結晶ウェーハの研磨方法は、一般的には
被加工物であるシリコン結晶ウェーハの片面を研磨する
片面研磨方法が用いられているが、集積度の増大に伴い
高精度のウェーハが要求されるようになり、従来の片面
研磨方法では将来要求される高精度のウェーハを研磨す
ることは困難である。
被加工物であるシリコン結晶ウェーハの片面を研磨する
片面研磨方法が用いられているが、集積度の増大に伴い
高精度のウェーハが要求されるようになり、従来の片面
研磨方法では将来要求される高精度のウェーハを研磨す
ることは困難である。
このため、より高精度のウェーハを造ることができると
考えられる両面研磨方法が現在研究されているが、この
両面研磨方法では片面研磨方法に比して研磨終了からウ
ェーハを取り出して水洗するまでに時間を要するために
、研磨剤によるシリコン結晶ウェーハのエツチングが進
行し、研磨加工後３分経過後に取り出したシリコン結晶
ウェーハの表面を微小表面粗さを測定できるクリステツ
ブにより測定すると、シリコン結晶ウェーハの表面粗さ
は、第２図に示すような凹凸が著しいものになる。
考えられる両面研磨方法が現在研究されているが、この
両面研磨方法では片面研磨方法に比して研磨終了からウ
ェーハを取り出して水洗するまでに時間を要するために
、研磨剤によるシリコン結晶ウェーハのエツチングが進
行し、研磨加工後３分経過後に取り出したシリコン結晶
ウェーハの表面を微小表面粗さを測定できるクリステツ
ブにより測定すると、シリコン結晶ウェーハの表面粗さ
は、第２図に示すような凹凸が著しいものになる。
以上説明の従来の研磨加工後のリンス方法で問題となる
のは、研磨終了後にウェーハを取り出して、純水をリン
ス液としてウェーハを水洗する方法では、片面研磨方法
に比して取り出しに時間を要するため、研磨剤によるシ
リコン結晶ウェーハのエツチングが進行してシリコン結
晶ウェーハの表面にエツチングむらが生じ、シリコン結
晶ウェーハの表面が粗くなることである。
のは、研磨終了後にウェーハを取り出して、純水をリン
ス液としてウェーハを水洗する方法では、片面研磨方法
に比して取り出しに時間を要するため、研磨剤によるシ
リコン結晶ウェーハのエツチングが進行してシリコン結
晶ウェーハの表面にエツチングむらが生じ、シリコン結
晶ウェーハの表面が粗くなることである。
本発明は以上のような状況から簡単且つ容易に実施し得
る研磨加工後のリンス方法の提供を目的としたものであ
る。
る研磨加工後のリンス方法の提供を目的としたものであ
る。
上記問題点は、化学作用を利用してシリコン結晶ウェー
ハを研磨し、このシリコン結晶ウェーハをリンスする研
磨加工において、研磨加工終了直前にこの研磨剤を中和
するリンス液を用いて、このシリコン結晶ウェーハをリ
ンスする本発明による研磨加工後のリンス方法によって
解決される。
ハを研磨し、このシリコン結晶ウェーハをリンスする研
磨加工において、研磨加工終了直前にこの研磨剤を中和
するリンス液を用いて、このシリコン結晶ウェーハをリ
ンスする本発明による研磨加工後のリンス方法によって
解決される。
即ち本発明においてはシリコン結晶ウェーハの研磨加工
終了直前に、研磨剤を中和するリンス液を研磨剤に添加
してシリコン結晶ウェーハをリンスするので、酸性或い
はアルカリ性の研磨剤によりシリコン結晶ウェーハがエ
ツチングされて表面にエツチングむらが発生し、シリコ
ン結晶ウェーハの表面が粗くなるのを防止することが可
能となる。
終了直前に、研磨剤を中和するリンス液を研磨剤に添加
してシリコン結晶ウェーハをリンスするので、酸性或い
はアルカリ性の研磨剤によりシリコン結晶ウェーハがエ
ツチングされて表面にエツチングむらが発生し、シリコ
ン結晶ウェーハの表面が粗くなるのを防止することが可
能となる。
以下第１図について本発明の一実施例を、苛性ソーダ（
ＮａＯＨ）をベースにした非常に微粒子のコロイダルシ
リカを含んだ研磨剤でシリコン結晶ウェーハを研磨する
場合において、リンス液として酢酸（ＣＨ３ＣＯＯＨ）
を研磨剤に添加するリンス方法について説明する。
ＮａＯＨ）をベースにした非常に微粒子のコロイダルシ
リカを含んだ研磨剤でシリコン結晶ウェーハを研磨する
場合において、リンス液として酢酸（ＣＨ３ＣＯＯＨ）
を研磨剤に添加するリンス方法について説明する。
研磨中、シリコン結晶ウェーハは次式に示す反応により
研磨されている。
研磨されている。
Ｓｉ＋２０Ｈ−＋ＨｚＯ→５ｉ０３”−＋ ２ Ｈ２研
磨加工終了後も研磨布等に残っている研磨剤により、上
記の反応が起こりウェーハのエツチングが進行する。
磨加工終了後も研磨布等に残っている研磨剤により、上
記の反応が起こりウェーハのエツチングが進行する。
酢酸（ＣＨ３ＣＯＯＨ）を添加したリンス液を研磨加工
の終了直前に供給すると、次式の反応が進行するので、
ＳｉにＯＨ−を供給できなくなり、研磨加工後のシリコ
ン結晶ウェーハのエツチングを防止することができる。
の終了直前に供給すると、次式の反応が進行するので、
ＳｉにＯＨ−を供給できなくなり、研磨加工後のシリコ
ン結晶ウェーハのエツチングを防止することができる。
ＣＨ３ＣＯ０Ｈ→ＣＨ，ＣＯＯ−＋Ｈ”Ｈ”＋ＯＨ−＊
Ｈｚ。
Ｈｚ。
なお、シリコン（Ｓｔ）は酸にもアルカリにも犯される
ので、酢酸（ＣＨ３ＣＯＯＨ）の濃度を研磨剤のアルカ
リの水素イオン濃度に応じて調整することが必要である
。
ので、酢酸（ＣＨ３ＣＯＯＨ）の濃度を研磨剤のアルカ
リの水素イオン濃度に応じて調整することが必要である
。
このように研磨剤を添加する酢酸（ＣＨ３ＣＯＯＨ）に
よって中和し、研磨加工後３分経過後に取り出したシリ
コン結晶ウェーハの表面を微小表面粗さを測定できるク
リステツブにより測定すると、シリコン結晶ウェーハの
表面粗さは、第１図に示すように略Ｏ人になる。
よって中和し、研磨加工後３分経過後に取り出したシリ
コン結晶ウェーハの表面を微小表面粗さを測定できるク
リステツブにより測定すると、シリコン結晶ウェーハの
表面粗さは、第１図に示すように略Ｏ人になる。
以上説明したように本発明によれば極めて簡単なリンス
液の研磨剤への添加により、研磨加工後のシリコン結晶
ウェーハ表面のエツチングむらの発生を防止することが
でき、高品質のシリコン結晶ウェーハを得ることが可能
となる利点があり、著しい経済的及び、信転性向上の効
果が期待でき工業的には極めて有用なものである。
液の研磨剤への添加により、研磨加工後のシリコン結晶
ウェーハ表面のエツチングむらの発生を防止することが
でき、高品質のシリコン結晶ウェーハを得ることが可能
となる利点があり、著しい経済的及び、信転性向上の効
果が期待でき工業的には極めて有用なものである。
第１図は本発明による一実施例のシリコン結晶ウェーへ
の表面粗さを示す図、 第２図は従来の研磨加工後のシリコン結晶ウェーへの表
面粗さを示す図、 である。 走査距離 第 １ 図 第 ２ 図
の表面粗さを示す図、 第２図は従来の研磨加工後のシリコン結晶ウェーへの表
面粗さを示す図、 である。 走査距離 第 １ 図 第 ２ 図
Claims (1)
- 酸性或いはアルカリ性の研磨剤を用い、化学作用を利用
してシリコン結晶ウェーハを研磨し、前記シリコン結晶
ウェーハをリンスする研磨加工において、研磨加工終了
前に前記研磨剤を中和するリンス液を用いて前記シリコ
ン結晶ウェーハをリンスすることを特徴とする研磨加工
後のリンス方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62055765A JPS63221967A (ja) | 1987-03-10 | 1987-03-10 | 研磨加工後のリンス方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62055765A JPS63221967A (ja) | 1987-03-10 | 1987-03-10 | 研磨加工後のリンス方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63221967A true JPS63221967A (ja) | 1988-09-14 |
Family
ID=13007951
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62055765A Pending JPS63221967A (ja) | 1987-03-10 | 1987-03-10 | 研磨加工後のリンス方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63221967A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005098921A1 (ja) * | 2004-04-02 | 2005-10-20 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corporation | 半導体ウェーハの表面粗さ制御用アルカリエッチャント |
| CN109648451A (zh) * | 2018-12-29 | 2019-04-19 | 徐州鑫晶半导体科技有限公司 | 硅晶圆的最终抛光方法和最终抛光装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5641854A (en) * | 1979-07-26 | 1981-04-18 | Pilkington Brothers Ltd | Glass product surface finishing method |
-
1987
- 1987-03-10 JP JP62055765A patent/JPS63221967A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5641854A (en) * | 1979-07-26 | 1981-04-18 | Pilkington Brothers Ltd | Glass product surface finishing method |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005098921A1 (ja) * | 2004-04-02 | 2005-10-20 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corporation | 半導体ウェーハの表面粗さ制御用アルカリエッチャント |
| US7851375B2 (en) | 2004-04-02 | 2010-12-14 | Sumco Corporation | Alkaline etchant for controlling surface roughness of semiconductor wafer |
| CN109648451A (zh) * | 2018-12-29 | 2019-04-19 | 徐州鑫晶半导体科技有限公司 | 硅晶圆的最终抛光方法和最终抛光装置 |
| US11488832B2 (en) | 2018-12-29 | 2022-11-01 | Xuzhou Xinjing Semiconductor Technology Co., Ltd. | Method and apparatus for final polishing of silicon wafer |
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