JPS63209102A - 温度センサ - Google Patents
温度センサInfo
- Publication number
- JPS63209102A JPS63209102A JP4198487A JP4198487A JPS63209102A JP S63209102 A JPS63209102 A JP S63209102A JP 4198487 A JP4198487 A JP 4198487A JP 4198487 A JP4198487 A JP 4198487A JP S63209102 A JPS63209102 A JP S63209102A
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- JP
- Japan
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- thin film
- platinum thin
- temperature sensor
- platinum
- ion
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- Pending
Links
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 84
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 44
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 41
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 20
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 17
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 9
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 6
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 4
- 150000003057 platinum Chemical class 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 238000009966 trimming Methods 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は温度センサ、特に白金薄膜抵抗体を用いた温度
センサに関するものである。
センサに関するものである。
従来の技術
従来から高精度、高信頼性の温度センサとして白金温度
センサが使用されており、さらには白金薄膜温度センサ
も開発されている゛。この白金薄膜温度センサは白金薄
膜を使用しているものであるために、薄膜製造技術で容
易に製造でき、高精度、高信頼性を有し、かつ小型で安
価であるという特長をもっている。
センサが使用されており、さらには白金薄膜温度センサ
も開発されている゛。この白金薄膜温度センサは白金薄
膜を使用しているものであるために、薄膜製造技術で容
易に製造でき、高精度、高信頼性を有し、かつ小型で安
価であるという特長をもっている。
この白金薄ＩＩＩ温度センサは、第２図に示すように、
セラミック基板１１に白金薄膜をスパッタ蒸着し、さら
にたとえばレーザトリミング法または湿式エツチング法
などによりジグザグ状の白金薄膜抵抗体１２を形成した
ものである。この白金薄膜抵抗体１２の両端部には電極
端子部１３．１４が形成されており、これらに外部リー
ド線１５゜１６がそれぞれ接続されている。
セラミック基板１１に白金薄膜をスパッタ蒸着し、さら
にたとえばレーザトリミング法または湿式エツチング法
などによりジグザグ状の白金薄膜抵抗体１２を形成した
ものである。この白金薄膜抵抗体１２の両端部には電極
端子部１３．１４が形成されており、これらに外部リー
ド線１５゜１６がそれぞれ接続されている。
温度測定時には、外部リード線１５．１６から一定の電
流を供給し、電極端子部１３．１４間の電圧を測定する
。白金薄膜抵抗体１２はその温度に応じて抵抗値が直線
的に変化するので、電極端子部１３．１４間にそれに応
じた電圧変化が生じる。この電圧変化量を温度変化に換
算することにより、温度を知ることができる。
流を供給し、電極端子部１３．１４間の電圧を測定する
。白金薄膜抵抗体１２はその温度に応じて抵抗値が直線
的に変化するので、電極端子部１３．１４間にそれに応
じた電圧変化が生じる。この電圧変化量を温度変化に換
算することにより、温度を知ることができる。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら、このような従来の白金薄膜温度センサは
、セラミック基板を使用しているものではその小型化に
限界がある。すなわち、セラミック表面の平滑性があま
りよくないので、白金薄膜抵抗体のパターンをより微細
化することができない。また、半導体基板たとえばシリ
コン基板を用いたものでは、絶縁膜に白金薄膜抵抗体を
強固に付着させることがむずかしい。すなわち、白金は
化学的に安定な物質であり、そのため白金薄膜を基板上
に形成しても、それから剥離しやすい。ただ、一部の金
属とよく反応し合金化する性質があるので、絶縁膜と白
金薄膜との間にこの金属の薄膜を介在させて、半導体基
板への接着性を高めることが行われている。しかし、そ
の場合には、この金属が白金薄膜に拡散して、その抵抗
温度係数を低下させてしまう。
、セラミック基板を使用しているものではその小型化に
限界がある。すなわち、セラミック表面の平滑性があま
りよくないので、白金薄膜抵抗体のパターンをより微細
化することができない。また、半導体基板たとえばシリ
コン基板を用いたものでは、絶縁膜に白金薄膜抵抗体を
強固に付着させることがむずかしい。すなわち、白金は
化学的に安定な物質であり、そのため白金薄膜を基板上
に形成しても、それから剥離しやすい。ただ、一部の金
属とよく反応し合金化する性質があるので、絶縁膜と白
金薄膜との間にこの金属の薄膜を介在させて、半導体基
板への接着性を高めることが行われている。しかし、そ
の場合には、この金属が白金薄膜に拡散して、その抵抗
温度係数を低下させてしまう。
本発明は、上記従来品の欠点を解決することを目的とす
るものである。
るものである。
問題点を解決するための手段
本発明の白金薄膜温度センサは、半導体基板の絶縁膜上
に白金薄膜の付着性を高める物質をイオン注入し、この
イオン注入層上に白金薄膜抵抗体を形成してなるもので
ある。
に白金薄膜の付着性を高める物質をイオン注入し、この
イオン注入層上に白金薄膜抵抗体を形成してなるもので
ある。
作用
この構成により、基板が絶縁膜で覆われた半導体基板で
あるため、その表面が平滑であり、またイオン注入層の
介在で白金薄膜抵抗体が基板表面に強固に付着する。
あるため、その表面が平滑であり、またイオン注入層の
介在で白金薄膜抵抗体が基板表面に強固に付着する。
実施例
以下、本発明の一実施例の温度センサについて、第１図
を参照しながら説明する。同図（ａ）はこの実施例の斜
視図、同図（ｂ）はその断面図である。
を参照しながら説明する。同図（ａ）はこの実施例の斜
視図、同図（ｂ）はその断面図である。
図において、１は半導体基板たとえばシリコン基板１で
、その主面上には酸化膜、窒化膜、もしくは他の方法に
よる絶縁膜２が形成されている。
、その主面上には酸化膜、窒化膜、もしくは他の方法に
よる絶縁膜２が形成されている。
３はイオン注入層で、絶縁膜２に白金薄膜の接着性を高
める物質たとえばシリコン、燐および硼素のうちの少な
くともひとつをイオン注入することによって形成されて
いる。４は白金薄膜抵抗体で、イオン注入層３上に白金
薄膜をスパッタ蒸着し、それをレーザトリミング法また
は湿式エツチング法などで所定のパターンに形成された
ものである。５，６は電極、７は酸化シリコンのような
不活性な物質からなる保護膜で、この保護膜７に設けら
れた窓を通して電極５．６が白金薄膜抵抗体４の端部に
接続されている。
める物質たとえばシリコン、燐および硼素のうちの少な
くともひとつをイオン注入することによって形成されて
いる。４は白金薄膜抵抗体で、イオン注入層３上に白金
薄膜をスパッタ蒸着し、それをレーザトリミング法また
は湿式エツチング法などで所定のパターンに形成された
ものである。５，６は電極、７は酸化シリコンのような
不活性な物質からなる保護膜で、この保護膜７に設けら
れた窓を通して電極５．６が白金薄膜抵抗体４の端部に
接続されている。
このように、イオン注入層３を絶縁膜２上に形成し、そ
の上に白金薄膜抵抗体４を形成することによって、白金
薄膜抵抗体４が絶縁膜２ひいてはシリコン基板１に強固
に付着する。
の上に白金薄膜抵抗体４を形成することによって、白金
薄膜抵抗体４が絶縁膜２ひいてはシリコン基板１に強固
に付着する。
一般に、シリコンや燐、硼素と白金とは反応するので、
シリコン基板上に白金薄膜を形成すると、白金薄膜中に
シリコン、燐もしくは硼素が拡散し、白金薄膜の抵抗温
度係数が低下するといわれている。しかしながら、イオ
ン注入法によれば、イオン注入層３は絶縁膜２内にその
表面に沿って形成されるので、表面密度が高く、しかも
イオンの注入量がきわめて微量であるから、イオン注入
層３から白金薄膜への注入原子の拡散がほとんとない。
シリコン基板上に白金薄膜を形成すると、白金薄膜中に
シリコン、燐もしくは硼素が拡散し、白金薄膜の抵抗温
度係数が低下するといわれている。しかしながら、イオ
ン注入法によれば、イオン注入層３は絶縁膜２内にその
表面に沿って形成されるので、表面密度が高く、しかも
イオンの注入量がきわめて微量であるから、イオン注入
層３から白金薄膜への注入原子の拡散がほとんとない。
そのため、白金薄膜の抵抗温度係数が低下するようなこ
とはない。
とはない。
発明の効果
本発明の白金薄膜温度センサにおいては、半導体基板表
面の絶縁膜の表面に白金との結合性の高いイオン注入層
を形成し、さらにその上に白金薄膜抵抗体を形成してい
るので、この白金薄膜抵抗体が半導体基板に強固に接着
する。そして、このイオン注入層は白金薄膜抵抗体の抵
抗温度係数を低下させることがなく、温度特性が良好な
ものである。そして、半導体基板さらにはその上の酸化
膜の表面が平滑であるので、非常に細密なパターンの白
金薄膜抵抗体を得ることができる。
面の絶縁膜の表面に白金との結合性の高いイオン注入層
を形成し、さらにその上に白金薄膜抵抗体を形成してい
るので、この白金薄膜抵抗体が半導体基板に強固に接着
する。そして、このイオン注入層は白金薄膜抵抗体の抵
抗温度係数を低下させることがなく、温度特性が良好な
ものである。そして、半導体基板さらにはその上の酸化
膜の表面が平滑であるので、非常に細密なパターンの白
金薄膜抵抗体を得ることができる。
第１図（ａ）は本発明の一実施例における白金薄膜温度
センサの斜視図、同図（ｂ）はその断面図、第２図は従
来の白金薄膜温度センサの斜視図である。 了 と ・り 乃 ｆ−一一シリコン基２板 第１図 ２−絶像騰 、３−−−イオン８：４ 第２図
センサの斜視図、同図（ｂ）はその断面図、第２図は従
来の白金薄膜温度センサの斜視図である。 了 と ・り 乃 ｆ−一一シリコン基２板 第１図 ２−絶像騰 、３−−−イオン８：４ 第２図
Claims (2)
- （１）半導体基板と、前記半導体基板上に形成されてい
る絶縁膜と、前記絶縁膜に白金薄膜の接着性を高める物
質がイオン注入されて形成されているイオン注入層と、
前記イオン注入層上に形成されている白金薄膜抵抗体と
を有することを特徴とする温度センサ。 - （２）白金薄膜の接着性を高める物質がシリコン、燐お
よび硼素のうちの少なくともひとつであることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の温度センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4198487A JPS63209102A (ja) | 1987-02-25 | 1987-02-25 | 温度センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4198487A JPS63209102A (ja) | 1987-02-25 | 1987-02-25 | 温度センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63209102A true JPS63209102A (ja) | 1988-08-30 |
Family
ID=12623463
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4198487A Pending JPS63209102A (ja) | 1987-02-25 | 1987-02-25 | 温度センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63209102A (ja) |
-
1987
- 1987-02-25 JP JP4198487A patent/JPS63209102A/ja active Pending
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