JPS63207091A - Thin film electroluminescence device - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
この発明は、電界の印加によって発光する薄膜型電界発
光素子に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Technical Field] The present invention relates to a thin film electroluminescent device that emits light upon application of an electric field.
マンガンや希土類弗化物等を添加した硫化亜鉛やセレン
化亜鉛、希土類元素を添加したカルシウムや硫化ストロ
ンチウム等の蛍光体を薄膜化し、両面から電界を印加さ
せることで発光させる薄膜型の電界発光素子がある。こ
のような薄膜型電界発光素子には、上記蛍光体薄膜発光
層を、酸化イツトリウム、酸化シリコン、酸化タンタル
、酸化アルミニウム、窒化シリコン、チタン酸バリウム
、チタン酸鉛、チタン酸ストロンチウム等からなる二つ
の誘電体層で挟んだ高電圧交流型のものから、前記蛍光
体薄膜発光層を直接電極で挟んだ低電圧直流型のものま
で様々なタイプがある。最近では特に、上記低電圧直流
型のものが、駆動方法の選択自由度が広く、その他の素
子との連携も自由であるため、着目されている。Thin-film electroluminescent elements are made by thinning phosphors such as zinc sulfide or zinc selenide doped with manganese or rare earth fluorides, calcium or strontium sulfide doped with rare earth elements, and emitting light by applying an electric field from both sides. be. In such a thin-film electroluminescent device, the above-mentioned phosphor thin-film light-emitting layer is formed by using two materials such as yttrium oxide, silicon oxide, tantalum oxide, aluminum oxide, silicon nitride, barium titanate, lead titanate, and strontium titanate. There are various types, ranging from high-voltage AC types in which the phosphor thin film light-emitting layer is sandwiched between dielectric layers to low-voltage DC types in which the phosphor thin film light-emitting layer is directly sandwiched between electrodes. Recently, the low-voltage direct current type has been attracting attention because it has a wide degree of freedom in selecting a driving method and can be freely linked with other elements.
これら薄膜型電界発光素子の用途の一つに、テレビディ
スプレイ等のＸ−Ｙドツトマトリクスがある。このもの
は、蛍光体薄膜発光層の両面に、互いに交差するよう２
組の帯状電極群を形成してなるもので、両帯状電極群の
所定の帯状電極に電圧を印加すると、蛍光体薄膜発光層
の、電圧が印加された二つの帯状電極に挟まれた部分（
画素部分）が発光し、全体として、所定の表示がなされ
るようになっている。One of the applications of these thin film electroluminescent devices is X-Y dot matrix for television displays and the like. This material is applied to both sides of the phosphor thin film light emitting layer so as to cross each other.
When a voltage is applied to a predetermined band-shaped electrode of both band-shaped electrode groups, the portion of the phosphor thin film light-emitting layer sandwiched between the two band-shaped electrodes to which voltage is applied (
The pixel portion) emits light, and a predetermined display is produced as a whole.
第３図に、そのようなマトリクス状の薄膜型電界発光素
子の一例を示す。この例の薄膜型電界発光素子は、基板
１上に第１の帯状電極群２′・・・が設けられ、その上
に、所定の画素部分の全てにわたる連続した蛍光体薄膜
発光層３が形成され、さらに、その上に第２の帯状電極
群４′・・・が形成されたものである。FIG. 3 shows an example of such a matrix-like thin film electroluminescent device. In the thin film electroluminescent device of this example, a first strip electrode group 2' is provided on a substrate 1, and a continuous phosphor thin film light emitting layer 3 is formed thereon over all predetermined pixel portions. Further, a second band-shaped electrode group 4'... is formed thereon.
ところが、このような構成の薄膜型電界発光素子では、
蛍光体薄膜発光層３の下に形成される第１の帯状電極群
２′・・・が連続的な層でないため、第４図にみるよう
に、その上に形成される蛍光体薄膜発光層３に段差が発
生する。このような段差があると、素子駆動時に、図中
矢印で示したように電界集中が発生ずる。このような電
界集中は、画素の発光を不均一にするばかりでなく、素
子破壊の危険性を高める原因ともなる。However, in a thin film electroluminescent device with such a configuration,
Since the first strip electrode group 2' formed under the phosphor thin film light emitting layer 3 is not a continuous layer, as shown in FIG. 4, the phosphor thin film light emitting layer formed thereon is not continuous. A step occurs in 3. If such a step exists, electric field concentration occurs as shown by the arrow in the figure when driving the element. Such electric field concentration not only makes the light emission of the pixel non-uniform, but also increases the risk of device destruction.
これを防ぐため、段差を小さくすることが考えられるが
、帯状電極群２′・・・は、通常、光取り出しのため透
明導電膜で形成されており、膜厚が薄いと抵抗値が増大
して電圧降下が著しくなり、素子の発光効率の低下を引
き起こすため、この帯状電極群２′・・・の膜厚を薄く
して段差を小さくすることはできない。In order to prevent this, it is possible to reduce the level difference, but the band-shaped electrode group 2'... is usually formed of a transparent conductive film for light extraction, and if the film thickness is thin, the resistance value will increase. Since the voltage drop becomes significant and the luminous efficiency of the device decreases, it is not possible to reduce the thickness of the band-shaped electrode group 2' to reduce the step difference.
この発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、
蛍光体薄膜発光層に段差がないため電界集中が発生せず
、安定した発光を行うことができて素子破壊の危険性も
ない薄膜型電界発光素子を提供することを目的としてい
る。This invention was made in view of the above circumstances, and
It is an object of the present invention to provide a thin film type electroluminescent device that can stably emit light without causing electric field concentration because there is no step difference in the phosphor thin film light emitting layer, and there is no risk of device destruction.
上記目的を達成するため、この発明は、蛍光体薄膜発光
層に、少なくとも一方が透明導電膜である印加電極が上
下両面から接触して複数の画素部分を構成しているとと
もに、これら画素部分に接触する印加電極間にそれぞれ
独立した電界が印加されて各画素部分が別々に発光する
ようになっている薄膜型電界発光素子であって、前記各
画素部分の上には、複数の信号電極からなる信号電極群
のいずれかの信号電極にゲートが繋がれ、複数の動作電
極からなる動作電極群のいずれかの動作電極にソースが
繋がれ、画素部分に接触した一方の印加電極にドレイン
が繋がれた複数の薄膜トランジスタが形成されており、
各画素部分への独立した電界の印加がこの薄膜トランジ
スタからなされるようになっているとともに、もう一方
め印加電極が複数の画素間にわたる連続した層であるこ
とを特徴とする薄膜型電界発光素子を要旨としている。In order to achieve the above object, the present invention comprises a plurality of pixel portions in which application electrodes, at least one of which is a transparent conductive film, are in contact with a phosphor thin film light-emitting layer from both upper and lower surfaces. A thin film type electroluminescent device in which an independent electric field is applied between contacting application electrodes so that each pixel portion emits light separately, and above each pixel portion, a plurality of signal electrodes are provided. A gate is connected to one of the signal electrodes of a group of signal electrodes, a source is connected to one of the working electrodes of a group of working electrodes, and a drain is connected to one of the application electrodes in contact with the pixel part. A plurality of thin film transistors are formed.
A thin film electroluminescent device is provided in which an independent electric field is applied to each pixel portion from this thin film transistor, and the other electrode is a continuous layer extending between a plurality of pixels. This is the summary.
以下に、この発明を、その一実施例をあられす第１図を
参照しつつ、詳しく説明する。Hereinafter, one embodiment of the present invention will be explained in detail with reference to FIG. 1.
図にみるように、基板１上に、第１の印加電極２が設け
られ、その上に、蛍光体薄膜発光層３が形成され、さら
に、その上に複数の第２の印加電極４・・・が形成され
ている。第２の印加電極４は必要とする画素部分の数だ
け設けられており、それによって前記蛍光体薄膜発光層
３に複数の画素部分３ａ（図中破線で囲んだ部分）が構
成されている。第１の印加電極２は、これら複数の画素
部分３ａの全てにわたるよう連続した層で形成されてい
る。このため、この第１の印加電極２上に形成される蛍
光体薄膜発光Ｎ３には段差がなく、電界集中の発生しな
い、安定した発光を行えるものとなるのである。As shown in the figure, a first application electrode 2 is provided on a substrate 1, a phosphor thin film light emitting layer 3 is formed thereon, and a plurality of second application electrodes 4 are further formed thereon.・is formed. The second application electrodes 4 are provided in the number of required pixel portions, thereby forming a plurality of pixel portions 3a (portions surrounded by broken lines in the figure) in the phosphor thin film light emitting layer 3. The first application electrode 2 is formed of a continuous layer so as to cover all of the plurality of pixel portions 3a. Therefore, the phosphor thin film light emitting layer N3 formed on the first application electrode 2 has no steps, and stable light emission can be performed without electric field concentration.
基板１としては、無アルカリガラス等、従来と同様のも
のが使用できる。As the substrate 1, the same materials as conventional ones, such as alkali-free glass, can be used.
第１および第２の印加電極２，４のうち、少なくとも一
方は、素子外に光を取り出す必要から、透明導電膜で形
成される必要がある。もう一方の印加電極は、透明導電
膜であってもよいし、虫なる金属膜であってもよい。こ
の例では、第１の印加電極２が透明導電膜で構成され、
第２の印加電極４が金属膜で構成されている。At least one of the first and second application electrodes 2 and 4 needs to be formed of a transparent conductive film because it is necessary to extract light to the outside of the element. The other application electrode may be a transparent conductive film or a metal film. In this example, the first application electrode 2 is made of a transparent conductive film,
The second application electrode 4 is made of a metal film.
透明導電膜の材料としては、酸化スズ、酸化インジウム
、酸化スズを添加した酸化インジウム（ＩＴＯ）、酸化
亜鉛、酸化アルミニウムを添加した酸化亜鉛等、通常の
ものが使用できる。これら透明導電膜は、高周波スパッ
タリング法や電子ビーム蒸着法等で形成でき、その膜厚
は３０００人程度が好ましい。As the material for the transparent conductive film, common materials such as tin oxide, indium oxide, indium oxide (ITO) added with tin oxide, zinc oxide, zinc oxide added with aluminum oxide, etc. can be used. These transparent conductive films can be formed by a high frequency sputtering method, an electron beam evaporation method, etc., and the film thickness is preferably about 3,000.
金属膜としても、アルミニウム、金等、通常の電極材料
が使用できる。これら金属膜は、真空蒸着法等で形成す
ることができ、その膜圧は２０００人程度が好ましい。As the metal film, ordinary electrode materials such as aluminum and gold can be used. These metal films can be formed by a vacuum evaporation method or the like, and the film thickness is preferably about 2000 people.
蛍光体薄膜発光層３としては、前述したように、動作電
圧が低く直流によって駆動できるタイプのものが好まし
い。その中でも、蛍光体に導電性材料を含ませたものは
、より低電圧で作動できるため、さらに好ましい。この
実施例では、そのような導電性材料が、画素部分３ａに
のみ含まれている。このように、画素部分３ａにのみ導
電性材料を含ませておけば、発光が必要な画素部分３ａ
は導電性が高く、それ以外の部分は導電性が低（なる（
はぼ絶縁状態となる）ため、電流のロスが少なくなり、
効率のよいきれいな発光を行えるようになるのである。As mentioned above, the phosphor thin film light emitting layer 3 is preferably of a type that has a low operating voltage and can be driven by direct current. Among these, those in which the phosphor contains a conductive material are more preferable because they can operate at lower voltages. In this example, such conductive material is included only in the pixel portion 3a. In this way, if the conductive material is contained only in the pixel portion 3a, the pixel portion 3a that needs to emit light can be
has high conductivity, and other parts have low conductivity (
(insulated state), current loss is reduced,
This makes it possible to emit efficient and beautiful light.
そのような蛍光体薄膜発光層３としては、マンガンや希
土類弗化物を添加した硫化亜鉛が主に用いられるが、そ
の他の蛍光体を使用するようであってもよい。上記構成
のものでは、硫化亜鉛に対するマンガン等の添加量は０
．５重量％程度が好ましい。このような、蛍光体薄膜発
光層３の導電性を高める導電性材料としては、たとえば
、銅等の金属材料が挙げられる。蛍光体薄膜発光層３は
、高周波スパッタリング法、電子ビーム蒸着法等で形成
することができ、その膜厚は１〜４μ諺程度が好ましい
。As such a phosphor thin film light emitting layer 3, zinc sulfide added with manganese or rare earth fluoride is mainly used, but other phosphors may also be used. In the above structure, the amount of manganese etc. added to zinc sulfide is 0.
．． It is preferably about 5% by weight. Examples of such a conductive material that increases the conductivity of the phosphor thin film light emitting layer 3 include metal materials such as copper. The phosphor thin film light emitting layer 3 can be formed by a high frequency sputtering method, an electron beam evaporation method, etc., and its film thickness is preferably about 1 to 4 μm.
蛍光体薄膜発光層３の画素部分３ａに銅等の導電性材料
を含ませる（選択拡散させる）には、たとえば、下記の
方法を用いるようにすればよい。In order to include (selectively diffuse) a conductive material such as copper in the pixel portion 3a of the phosphor thin film light emitting layer 3, the following method may be used, for example.
まず、所定の方法で基板１表面に形成された第１の印加
電極２上の、画素に相当する位置に、真空蒸着法、高周
波スパッタリング法等の方法によって３０〜３００人程
度の銅薄膜を堆積させる。First, on the first application electrode 2 formed on the surface of the substrate 1 by a predetermined method, a copper thin film of about 30 to 300 layers is deposited at a position corresponding to a pixel by a method such as a vacuum evaporation method or a high frequency sputtering method. let
つぎに、この上に、電子ビーム蒸着法や高周波スパッタ
リング法等の方法によって、膜厚１〜４ｐ程度の連続し
た蛍光体薄膜発光層３を形成するそして、真空中、ある
いは、アルゴンガス、窒素ガス等の不活性ガス中で６０
０〜６５０度、１〜４時間程度の加熱を行うと、前記銅
が画素部分３ａ中に熱拡散し、そこに含まれるのである
。Next, a continuous phosphor thin film light-emitting layer 3 with a film thickness of about 1 to 4p is formed on this by a method such as electron beam evaporation or high frequency sputtering. 60 in an inert gas such as
When heating is performed at 0 to 650 degrees for about 1 to 4 hours, the copper is thermally diffused into the pixel portion 3a and is contained therein.
なお、銅薄膜の形成と蛍光体薄膜発光層３の形成とは、
逆の順序で行うようであってもよいし、蛍光体薄膜発光
層３の上下に銅薄膜を形成するようであってもよい。Note that the formation of the copper thin film and the formation of the phosphor thin film light emitting layer 3 are as follows:
The steps may be performed in the reverse order, or the copper thin films may be formed above and below the phosphor thin film light emitting layer 3.
蛍光体薄膜発光層３に銅等の導電性材料を含ませる方法
としては、これ以外の方法を用いることもできる。特に
、画素部分３ａと、それ以外の部分とを区別しない場合
には、通常用いられるあらゆる方法を適用できる。たと
えば、銅と蛍光体とを別の蒸発源から同時に基板上に堆
積させる多元蒸着法や、あらかじめ、蛍光体中に銅を含
ませた蒸発材料を用いる電子ビーム蒸着法、高周波スパ
ッタリング法等を用いることができるのである。Other methods may also be used to incorporate the conductive material such as copper into the phosphor thin film light emitting layer 3. In particular, when the pixel portion 3a and other portions are not distinguished, any commonly used method can be applied. For example, a multi-dimensional evaporation method in which copper and phosphor are simultaneously deposited on a substrate from different evaporation sources, an electron beam evaporation method using an evaporation material containing copper in the phosphor in advance, and a high-frequency sputtering method are used. It is possible.
蛍光体薄膜発光層３の上には、各画素部分３ａに対応し
て、複数の薄膜トランジスタＴ・・・が、絶縁層５を介
して形成されている。絶縁層５は、薄膜トランジスタＴ
と印加電極４とを電気的に分離するため、たとえば、酸
化シリコン等で形成されている。A plurality of thin film transistors T... are formed on the phosphor thin film light emitting layer 3 via an insulating layer 5, corresponding to each pixel portion 3a. The insulating layer 5 is a thin film transistor T
In order to electrically isolate the electrode 4 and the application electrode 4, it is made of silicon oxide or the like, for example.
薄膜トランジスタＴは、前記絶縁層５上にクロム等で形
成されたゲート電極６、このゲート電極６を覆うように
窒化シリコン等で形成された絶縁層７、絶縁層７上にア
モルファスシリコン等で形成された不純物濃度の低いｉ
型半導体層８、および、このｉ型半導体層８上に形成さ
れ、前記ゲート電極６に対応する位置で互いに離間され
た比較的不純物濃度の高い半導体層９．１０からなって
いる。そして、前記ｉ型半導体層８をチャネル領域、半
導体層９をソース、半導体層１０をドレインとして、電
界効果トランジスタが構成されているのである。これら
半導体Ｆｉ８，９．１０は、ポリシリコンで形成される
ようであってもよいし、硫化カドミウム等の化合物半導
体で形成されるようであってもよい。The thin film transistor T includes a gate electrode 6 formed of chromium or the like on the insulating layer 5, an insulating layer 7 formed of silicon nitride or the like to cover the gate electrode 6, and an amorphous silicon or the like formed on the insulating layer 7. i with low impurity concentration
It consists of a semiconductor layer 8 and semiconductor layers 9 and 10 formed on the i-type semiconductor layer 8 and having a relatively high impurity concentration and spaced apart from each other at positions corresponding to the gate electrodes 6. A field effect transistor is constructed by using the i-type semiconductor layer 8 as a channel region, the semiconductor layer 9 as a source, and the semiconductor layer 10 as a drain. These semiconductors Fi8, 9, and 10 may be formed of polysilicon, or may be formed of a compound semiconductor such as cadmium sulfide.
半導体層９には電極１１が接続し、半導体層１０には電
極１２が接続している。電極１２は、前記各画素部分３
ａの印加電極４に接続し、それによって薄膜トランジス
タＴのドレインと印加電極４とが１対ｌで繋がれるよう
になっている。An electrode 11 is connected to the semiconductor layer 9, and an electrode 12 is connected to the semiconductor layer 10. The electrode 12 is connected to each pixel portion 3
It is connected to the application electrode 4 of a, so that the drain of the thin film transistor T and the application electrode 4 are connected in a ratio of 1:1.
ゲート電極６は、第２図にみるマトリクスを構成する信
号電極群Ｓ・・・のいずれかに接続されており、ソース
となる半導体層９に接続する電極１１は、同じく動作電
極群Ｄ・・・のいずれかに接続されている。直流型電界
発光素子では、各画素部分３ａ・・・がダイオードに逆
電位をかけたのと同じ特性を示すため、ここでは、それ
をダイオード記号Ｌ・・・であられしている。ダイオー
ドＬ・・・（画素部分３ａ・・・）が繋がれた接地記号
は、前記共通の印加電極２に相当する。印加電極２は、
接地されていてもよいし、一定電位に保たれていてもよ
い。The gate electrode 6 is connected to one of the signal electrode groups S, which constitute the matrix shown in FIG.・Connected to one of the following. In the DC type electroluminescent element, each pixel portion 3a... exhibits the same characteristics as a diode with a reverse potential applied to it, so it is referred to here as a diode symbol L.... The ground symbol to which the diodes L... (pixel portions 3a...) are connected corresponds to the common application electrode 2. The application electrode 2 is
It may be grounded or kept at a constant potential.
以上のように、各画素部分３ａ・・・に１対１で薄膜ト
ランジスタＴ・・・が繋がれた、この発明の薄膜型電界
発光素子は、従来のものと同様、マトリクス信号で作動
させることができる。As described above, the thin film electroluminescent device of the present invention, in which the thin film transistors T... are connected one-to-one to each pixel portion 3a, can be operated by a matrix signal like the conventional ones. can.
たとえば、第２図中Ｌ２□の画素部分を発光させるには
、動作電極Ｄ２に発光動作のための電圧を印加しつつ、
信号電極Ｓ２にトランジスタＴｉｔ点弧のための電圧を
印加する。そうすると、トランジスタＴ。が点弧して、
動作電極Ｄ２がＬ２□の画素部分と接続され、画素部分
Ｌ２□が発光するのである。For example, in order to cause the pixel portion L2□ in FIG. 2 to emit light, while applying a voltage for light emitting operation to the operating electrode D2,
A voltage for firing the transistor Tit is applied to the signal electrode S2. Then transistor T. ignited,
The operating electrode D2 is connected to the pixel portion L2□, and the pixel portion L2□ emits light.
この発明の薄膜型電界発光素子は、以上のようであり、
蛍光体薄膜発光層に、少なくとも一方が透明導電膜であ
る印加電極が上下両面から接触して複数の画素部分を構
成しているとともに、これら画素部分に接触する印加電
極間にそれぞれ独立した電界が印加されて各画素部分が
別々に発光するようになっている薄膜型電界発光素子で
あって、前記各画素部分の上には、複数の信号電極から
なる信号電極群のいずれかの信号電極にゲートが繋がれ
、複数の動作電極からなる動作電極群のいずれかの動作
電極にソースが繋がれ、画素部分に接触した一方の印加
電極にドレインが繋がれた複数の薄膜トランジスタが形
成されており、各画素部分への独立した電界の印加がこ
の薄膜トランジスタからなされるようになっているため
、もう一方の印加電極を複数の画素間にわたる連続した
層で形成することができ、その上に形成される蛍光体薄
膜発光層に段差がないため電界集中が発生せず、安定し
た発光を行うことができて素子破壊の危険性がなくなる
。また、下側の印加電極を分離する工程が不要になると
ともに、その膜厚を充分厚（できるため、素子の発光効
率が低下する恐れもなくなる。The thin film electroluminescent device of the present invention is as described above,
Application electrodes, at least one of which is a transparent conductive film, are in contact with the phosphor thin film light-emitting layer from the upper and lower surfaces to form a plurality of pixel parts, and independent electric fields are created between the application electrodes that contact these pixel parts. A thin film type electroluminescent device in which each pixel portion emits light separately when an applied voltage is applied, and on each pixel portion, a signal electrode is connected to one of a signal electrode group consisting of a plurality of signal electrodes. A plurality of thin film transistors are formed in which the gates are connected, the source is connected to one of the working electrodes of a working electrode group consisting of a plurality of working electrodes, and the drain is connected to one application electrode in contact with the pixel portion, Since an independent electric field is applied to each pixel portion from this thin film transistor, the other application electrode can be formed as a continuous layer between multiple pixels, and the Since there are no steps in the phosphor thin film light emitting layer, electric field concentration does not occur, allowing stable light emission and eliminating the risk of device destruction. In addition, the process of separating the lower application electrode is not necessary, and since the film thickness can be made sufficiently thick, there is no fear that the luminous efficiency of the device will decrease.
第１図はこの発明の薄膜型電界発光素子の一実施例の構
成を模式的にあられす層構成図、第２図はこの実施例を
等測的にあられす回路図、第３図は従来の薄膜型電界発
光素子の一例をあられす斜視図、第４図は従来の薄膜型
電界発光素子における問題点を説明する説明図である。
２．４・・・印加電極 ３・・・蛍光体薄膜発光層 ３
ａ （Ｌ）・・・画素部分 Ｔ・・・薄膜トランジス
タ ６・・・ゲート電極 ９・・・ソース １０・・・
ドレイン Ｄ・・・動作電極 Ｓ・・・信号電極
代理人 弁理士 松 本 武 彦
第４図
］ミ沼にネｓＫ正７）（自発）
１、事件の表示
３、補正をする者
事件との関係 特許出願人
柱 所 大阪府門真市大字門真１０４８番地
名 称 （５８３）松下電工株式会社
代表者 （１１ｍ役 藤 井 貞 夫４、代理人
な し
６、補正の対象 号１皿のとおり
７、補正の内容 別紙のとおり
６、補正の対象
明細書
７、補正の内容
■ 明細書の特許請求の範囲欄の全文を下記のとおりに
訂正する。
一記一
「（■）蛍光体薄膜発光層に、少なくとも一方が透明導
電膜である印加電極ｆｉ面から接触して複数の画素部分
左構成旦、これら画素部分に接触する印加電極間にそれ
ぞれ独立した１正が印加されて各画素部分が別々に発光
するようになっている薄膜型電界発光素子であって、前
記各画素部分の上には、複数の信号電極からなる信号電
極群のいずれかの信号電極にゲートが繋がれ、複数の動
作電極からなる動作電極群のいずれかの動作電極にソー
スが繋がれ、画素部分に接触した一方の印加電極にドレ
インが繋がれた複数の薄膜トランジスタが形成されてお
り、各画素部分への独立した蚕、圧、の印加がこの薄膜
トランジスタからなされるようになっているとともに、
血１の印加電極が複数の画素間にわたる とじて−
の−でで てい−るーことを特徴とする薄膜型電界発光
素子。」■ 明細書第２頁第７行ないし同頁第８行に「
希土類元素を添加したカルシウム」とあるを、「希土類
元素を添加した硫化カルシウム」と訂正する。
■ 明ｌｌ１ｌ書第５頁第２行、第１２頁第１５行の計
２個所に「上下」とあるを、それぞれ削除する■ 明細
書第５頁第２行ないし同頁第３行、第１２頁第１６行の
計２個所に「画素部分を構成しているとともに」とある
を、それぞれ「画素部分が構成され」と訂正する。
■ 明細書第５頁第４行、同頁第１３行、第１２頁第１
８行、第１３頁第６行の計４個所に「電界」とあるを、
それぞれ「電圧」と訂正する。
■ 明細書第５頁第１４行ないし同頁第１５行に「よう
になっている・・・連続した層である」とあるを、下記
のごとくに訂正する。
−記一
「ようになっているとともに、他方の印加電極が複数の
画素間にわたる全体として一枚の膜でできている」
■ 明細書第６頁第８行、第１３頁第８行の計２個所に
「連続した屓」とあるを、それぞれ［全体として一枚の
膜」と訂正する。Fig. 1 is a layer structure diagram schematically showing the structure of an embodiment of a thin film electroluminescent device of the present invention, Fig. 2 is a circuit diagram showing this embodiment isometrically, and Fig. 3 is a conventional circuit diagram. FIG. 4 is a perspective view of an example of a thin film electroluminescent device, and FIG. 4 is an explanatory diagram illustrating problems in the conventional thin film electroluminescent device. 2.4... Application electrode 3... Phosphor thin film light emitting layer 3
a (L)...Pixel portion T...Thin film transistor 6...Gate electrode 9...Source 10...
Drain D... Working electrode S... Signal electrode Agent Patent attorney Takehiko Matsumoto Figure 4] Minuma ni Nes K Masaru 7) (Voluntary initiative) 1. Indication of the incident 3. Person making the amendment and connection with the incident Related Patent applicant Location 1048 Kadoma, Kadoma City, Osaka Name (583) Representative of Matsushita Electric Works Co., Ltd. (11m) Sadao Fujii 4, no representative 6, subject of amendment As per No. 1 plate 7, amendment Contents As shown in Attachment 6, Specification Subject to Amendment 7, Contents of Amendment■ The entire text of the Claims column of the specification is corrected as follows. When the application electrode, at least one of which is a transparent conductive film, has a plurality of pixel parts in contact with each other from the fi surface, an independent positive voltage is applied between the application electrodes in contact with these pixel parts, and each pixel part emits light separately. A thin film type electroluminescent device, in which a gate is connected to one of the signal electrodes of a signal electrode group consisting of a plurality of signal electrodes on each pixel portion, and a gate is connected to one of the signal electrodes of a signal electrode group consisting of a plurality of signal electrodes. A plurality of thin film transistors are formed in which the source is connected to one of the working electrodes of the working electrode group, and the drain is connected to one of the application electrodes in contact with the pixel part, and independent voltage and pressure are applied to each pixel part. , is applied from this thin film transistor, and
The electrode for applying blood 1 extends between multiple pixels.
1. A thin film electroluminescent device characterized by: ” ■ From line 7 of page 2 of the specification to line 8 of the same page: “
"Calcium added with rare earth elements" should be corrected to "calcium sulfide added with rare earth elements." ■ Delete the words "top and bottom" in two places, page 5, line 2 of the book, and page 12, line 15. In two places on the 16th line of the page, the words "consisting of a pixel part" are corrected to "consisting of a pixel part". ■Page 5, line 4 of the specification, page 13, line 1, page 12, line 1
The word "electric field" appears in four places: line 8 and line 6 on page 13.
Correct each to "voltage". ■ The statement ``It is arranged like this...it is a continuous layer'' on page 5, line 14 to line 15 of the same page of the specification is corrected as follows. - Note 1: "The other application electrode is made of a single film that extends between multiple pixels." The words ``continuous membrane'' in two places should be corrected to ``one membrane as a whole.''
Claims (1)
膜である印加電極が上下両面から接触して複数の画素部
分を構成しているとともに、これら画素部分に接触する
印加電極間にそれぞれ独立した電界が印加されて各画素
部分が別々に発光するようになつている薄膜型電界発光
素子であつて、前記各画素部分の上には、複数の信号電
極からなる信号電極群のいずれかの信号電極にゲートが
繋がれ、複数の動作電極からなる動作電極群のいずれか
の動作電極にソースが繋がれ、画素部分に接触した一方
の印加電極にドレインが繋がれた複数の薄膜トランジス
タが形成されており、各画素部分への独立した電界の印
加がこの薄膜トランジスタからなされるようになつてい
るとともに、もう一方の印加電極が複数の画素間にわた
る連続した層であることを特徴とする薄膜型電界発光素
子。(1) Application electrodes, at least one of which is a transparent conductive film, are in contact with the phosphor thin film light emitting layer from the upper and lower surfaces to form a plurality of pixel parts, and the application electrodes that contact these pixel parts are independent from each other. This is a thin film electroluminescent device in which each pixel portion emits light separately when an electric field is applied thereto, and above each pixel portion is one of a signal electrode group consisting of a plurality of signal electrodes. A plurality of thin film transistors are formed in which a gate is connected to a signal electrode, a source is connected to one of the working electrodes of a group of working electrodes consisting of a plurality of working electrodes, and a drain is connected to one application electrode in contact with the pixel portion. A thin film type electric field characterized in that an independent electric field is applied to each pixel portion from this thin film transistor, and the other applying electrode is a continuous layer extending between a plurality of pixels. Light emitting element.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62041710A JPS63207091A (en) | 1987-02-24 | 1987-02-24 | Thin film electroluminescence device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62041710A JPS63207091A (en) | 1987-02-24 | 1987-02-24 | Thin film electroluminescence device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63207091A true JPS63207091A (en) | 1988-08-26 |
| JPH0544157B2 JPH0544157B2 (en) | 1993-07-05 |
Family
ID=12615980
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62041710A Granted JPS63207091A (en) | 1987-02-24 | 1987-02-24 | Thin film electroluminescence device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63207091A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7592984B2 (en) | 2002-11-27 | 2009-09-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device |
| JP2010199176A (en) * | 2009-02-24 | 2010-09-09 | Oki Data Corp | Display apparatus |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0664672U (en) * | 1992-02-17 | 1994-09-13 | 株式会社サアミ | Golf putter |
-
1987
- 1987-02-24 JP JP62041710A patent/JPS63207091A/en active Granted
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7592984B2 (en) | 2002-11-27 | 2009-09-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device |
| JP2010199176A (en) * | 2009-02-24 | 2010-09-09 | Oki Data Corp | Display apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0544157B2 (en) | 1993-07-05 |
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