JPS63206014A - 低周波増幅回路 - Google Patents
低周波増幅回路Info
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- JPS63206014A JPS63206014A JP62039441A JP3944187A JPS63206014A JP S63206014 A JPS63206014 A JP S63206014A JP 62039441 A JP62039441 A JP 62039441A JP 3944187 A JP3944187 A JP 3944187A JP S63206014 A JPS63206014 A JP S63206014A
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- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims abstract description 11
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims description 24
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims description 24
- 230000002457 bidirectional effect Effects 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
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- Tone Control, Compression And Expansion, Limiting Amplitude (AREA)
- Control Of Amplification And Gain Control (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、ラジオ受信機付カセットテープレコーダ等の
音響商品における低音域の音量に伴う聴感補正を目的と
した低周波増幅回路に関するものである。
音響商品における低音域の音量に伴う聴感補正を目的と
した低周波増幅回路に関するものである。
従来の技術
第４図は従来の低周波増幅回路の回路構成を示すもので
あり、１は電圧増幅回路、９は電圧増幅回路１の出力端
子、１０は電圧増幅回路１の負帰還入力端子である。Ｒ
１は電圧増幅回路１の出力端子９から負帰還端子１０に
接続される抵抗であシ、Ｃ２はコンデンサ、Ｒ１３は抵
抗、６はシュミレートインダクタであり、コンデンサＣ
２と抵抗Ｒとシュミレートインダクタ６の直列共振回路
が電圧増幅回路１の負帰還入力端子１０とア−ス間に接
続される。０３はコンデンサ、Ｒ７は抵抗、７は演算増
幅器であり、コンデンサＣ３および抵抗Ｒ７１Ｒ４１に
よってシュミレートインダクタ６が構成され、その場合
のインタ゛クタの値Ｌ８はｒ、５＝ｕ７・Ｒ４１・Ｃ３
となる。２は電子ボリューム回路であり、ＳＷｌ はボ
リュームアップスイッチ、ＳＷ２ はボリュームダウン
スイッチであり、８は電子ボリューム回路の減衰量に比
例した直流電圧を出力する減衰量表示用の直流電圧出力
端子である。１１は電子ボリューム回路２の入力端子、
１２は電子ボリューム回路の出力端子である。
あり、１は電圧増幅回路、９は電圧増幅回路１の出力端
子、１０は電圧増幅回路１の負帰還入力端子である。Ｒ
１は電圧増幅回路１の出力端子９から負帰還端子１０に
接続される抵抗であシ、Ｃ２はコンデンサ、Ｒ１３は抵
抗、６はシュミレートインダクタであり、コンデンサＣ
２と抵抗Ｒとシュミレートインダクタ６の直列共振回路
が電圧増幅回路１の負帰還入力端子１０とア−ス間に接
続される。０３はコンデンサ、Ｒ７は抵抗、７は演算増
幅器であり、コンデンサＣ３および抵抗Ｒ７１Ｒ４１に
よってシュミレートインダクタ６が構成され、その場合
のインタ゛クタの値Ｌ８はｒ、５＝ｕ７・Ｒ４１・Ｃ３
となる。２は電子ボリューム回路であり、ＳＷｌ はボ
リュームアップスイッチ、ＳＷ２ はボリュームダウン
スイッチであり、８は電子ボリューム回路の減衰量に比
例した直流電圧を出力する減衰量表示用の直流電圧出力
端子である。１１は電子ボリューム回路２の入力端子、
１２は電子ボリューム回路の出力端子である。
電子ボリューム回路２は一般的にＩＣ化されており、そ
の回路構成を第６図に示す。１４及び１６は双方向シフ
トレジスタであり、ボリュームアップスイッチＳＷ、が
押されることＫより、シフトアップ状態となり、ボリュ
ームダウンＳＷ２が押されることによりシフトダウン状
態となる。１７は双方向シフトレジスタ１６のクロック
信号発信器であり、１−６は双方向シフトレジスタ１４
の最上位ビット、双方向シフトレジスタ１６の最下位ビ
ット、及びクロック信号発信器１７のクロック信号を入
力とするＮＯＲゲートであり、双方向シフトレジスタ１
４、及び１６の相互の関連をコントロールし、連続的な
減衰量の変化を得るものである。３４は電源投入時の双
方向シフトレジスタ１４及び１６のイニシャライズ回路
である。１８は双方向シフトレジスタ１４のデータのラ
ッチ回路、１９は双方向シフトレジスタ１６のラッチ回
路であるＯ Ｒ１５ＪＲ１６’１７’１８ＪＲ１９”２
０’Ｒ２１はアッテネータ抵抗であり、２１，２２゜２
３．２４，２５，２６．２７はラッチ回路１８によって
制御されるアナログスイッチであり、どれか１回路だけ
ＯＮ状態になり、アッテネータ抵抗Ｒ１５〜Ｒ２，の抵
抗比により、第１の減衰量が決定される。また、Ｒ２１
’ Ｒ２２’ Ｒ２３’ Ｒ２４’ Ｒ２５はアッテネ
ータ抵抗であり、２８，２９，３０゜３１．３２，３３
はラッチ回路１９によって制御されるアナログスイッチ
であり、やはりどれか１回路だけＯＮ状態となり、アッ
テネータ抵抗Ｒ２１〜Ｒ２５の抵抗比より第２の減衰量
が決定される。
の回路構成を第６図に示す。１４及び１６は双方向シフ
トレジスタであり、ボリュームアップスイッチＳＷ、が
押されることＫより、シフトアップ状態となり、ボリュ
ームダウンＳＷ２が押されることによりシフトダウン状
態となる。１７は双方向シフトレジスタ１６のクロック
信号発信器であり、１−６は双方向シフトレジスタ１４
の最上位ビット、双方向シフトレジスタ１６の最下位ビ
ット、及びクロック信号発信器１７のクロック信号を入
力とするＮＯＲゲートであり、双方向シフトレジスタ１
４、及び１６の相互の関連をコントロールし、連続的な
減衰量の変化を得るものである。３４は電源投入時の双
方向シフトレジスタ１４及び１６のイニシャライズ回路
である。１８は双方向シフトレジスタ１４のデータのラ
ッチ回路、１９は双方向シフトレジスタ１６のラッチ回
路であるＯ Ｒ１５ＪＲ１６’１７’１８ＪＲ１９”２
０’Ｒ２１はアッテネータ抵抗であり、２１，２２゜２
３．２４，２５，２６．２７はラッチ回路１８によって
制御されるアナログスイッチであり、どれか１回路だけ
ＯＮ状態になり、アッテネータ抵抗Ｒ１５〜Ｒ２，の抵
抗比により、第１の減衰量が決定される。また、Ｒ２１
’ Ｒ２２’ Ｒ２３’ Ｒ２４’ Ｒ２５はアッテネ
ータ抵抗であり、２８，２９，３０゜３１．３２，３３
はラッチ回路１９によって制御されるアナログスイッチ
であり、やはりどれか１回路だけＯＮ状態となり、アッ
テネータ抵抗Ｒ２１〜Ｒ２５の抵抗比より第２の減衰量
が決定される。
全体の減衰量はそれぞれのアッテネータが直列に接続さ
れるため、第１の減衰量と第２の減衰量の和となる。２
０は双方向シフトレジスタ１４及び１５のデータを入力
とし減衰量に応じた直流電圧発生する減衰量表示用直流
電圧発生回路である。
れるため、第１の減衰量と第２の減衰量の和となる。２
０は双方向シフトレジスタ１４及び１５のデータを入力
とし減衰量に応じた直流電圧発生する減衰量表示用直流
電圧発生回路である。
第４図に戻って、３は電力増幅回路、４はスピーカ、６
は電子ボリューム回路２の減衰量表示用直流電圧端子８
からの直流電圧を入力とし、Ｄ、。
は電子ボリューム回路２の減衰量表示用直流電圧端子８
からの直流電圧を入力とし、Ｄ、。
Ｄ２．Ｄ３．Ｄ４．Ｄ６の減衰量表示ＬＥＤを制御する
ＬＥＤ表示回路であり、Ｒ８，Ｒ９，Ｒ，。１Ｒ１１’
Ｒは減衰量表示ＬＥＤＤ１〜Ｄ６の電流を決定する抵抗
であり、１３はＬＥＤ表示回路６の入力端子である。
ＬＥＤ表示回路であり、Ｒ８，Ｒ９，Ｒ，。１Ｒ１１’
Ｒは減衰量表示ＬＥＤＤ１〜Ｄ６の電流を決定する抵抗
であり、１３はＬＥＤ表示回路６の入力端子である。
ＬＥＤ表示回路は一般的ＫＩＣ化されており、第６図に
その回路構成を示す。４０は演算増幅器であり、Ｒ２□
、Ｒ２８は抵抗であり、演算増幅器４０の電圧増幅度を
決定している。３５ 、３６ 。
その回路構成を示す。４０は演算増幅器であり、Ｒ２□
、Ｒ２８は抵抗であり、演算増幅器４０の電圧増幅度を
決定している。３５ 、３６ 。
３７．３８．３９はコンパレータである。４２は定電流
回路であり、ツェナーダイオードＤ６に定電流を流し基
準電圧を得ている。Ｒ３１１Ｒ３２ｊＲ３３ｔ Ｒ３４
、Ｒ３５は前記基準電圧を分圧し各コンパレータ３６〜
３９の比較基準電圧を作る抵抗である。Ｑ３ ｓ Ｑ４
ｔ Ｑ５ 、 Ｑ６ ｍ Ｑ７は各減衰量表示ＬＥＤ
Ｄ１〜ｐ６をドライブするトランジスタであシ、トラン
ジスタＱ３〜Ｑ７のベースは、コンパレータ３６〜３９
の出力で制御される。４１は電源入力端子である。
回路であり、ツェナーダイオードＤ６に定電流を流し基
準電圧を得ている。Ｒ３１１Ｒ３２ｊＲ３３ｔ Ｒ３４
、Ｒ３５は前記基準電圧を分圧し各コンパレータ３６〜
３９の比較基準電圧を作る抵抗である。Ｑ３ ｓ Ｑ４
ｔ Ｑ５ 、 Ｑ６ ｍ Ｑ７は各減衰量表示ＬＥＤ
Ｄ１〜ｐ６をドライブするトランジスタであシ、トラン
ジスタＱ３〜Ｑ７のベースは、コンパレータ３６〜３９
の出力で制御される。４１は電源入力端子である。
減衰量表示用直流電圧が入力端子１３に印加されると、
演算増幅器４ｏで増幅され、コンパレータ３６〜３９に
入力され、その電圧が比較基準電圧よシも高いコンパレ
ータは、出力が電源電圧から、アース電位に変化し、そ
のコンパレータによりペースを制御しているトランジス
タがＯＮＬ、減衰量表示用ＬＥＤが減衰量表示用直流電
圧に応じて点灯する。
演算増幅器４ｏで増幅され、コンパレータ３６〜３９に
入力され、その電圧が比較基準電圧よシも高いコンパレ
ータは、出力が電源電圧から、アース電位に変化し、そ
のコンパレータによりペースを制御しているトランジス
タがＯＮＬ、減衰量表示用ＬＥＤが減衰量表示用直流電
圧に応じて点灯する。
以上のように構成された従来の低周波増幅回路について
、以下その動作について説明する。第４□図において、
電圧増幅回路１の利得は、抵抗Ｒ１と、コンデンサＣと
抵抗Ｒ１３とシュミレートインダクタｅのインダクタン
スＬｓの直列共振回路のインピーダンス比によって決定
され、直列共振周波数の所で、利得が高くなる。電圧増
幅回路１の出力は電子ボリューム回路２に入力され、ボ
リュームアップスイッチＳＷ１ 或いはボリュームダウ
ンスイッチＳＷ２によって必要な減衰量に設定され、電
力増幅回路３に入力され、出力がスピーカ４に印加され
る。またその時の減衰量が減衰量表示ＬＥＤＤ１〜Ｄ５
の点灯数にて表示される。ここで、直列共振回路の共振
周波数を低音域の周波数に設定することにより、第７図
に示す周波数特性をもつ低音での利得を増強した低周波
増幅回路を得ていた。
、以下その動作について説明する。第４□図において、
電圧増幅回路１の利得は、抵抗Ｒ１と、コンデンサＣと
抵抗Ｒ１３とシュミレートインダクタｅのインダクタン
スＬｓの直列共振回路のインピーダンス比によって決定
され、直列共振周波数の所で、利得が高くなる。電圧増
幅回路１の出力は電子ボリューム回路２に入力され、ボ
リュームアップスイッチＳＷ１ 或いはボリュームダウ
ンスイッチＳＷ２によって必要な減衰量に設定され、電
力増幅回路３に入力され、出力がスピーカ４に印加され
る。またその時の減衰量が減衰量表示ＬＥＤＤ１〜Ｄ５
の点灯数にて表示される。ここで、直列共振回路の共振
周波数を低音域の周波数に設定することにより、第７図
に示す周波数特性をもつ低音での利得を増強した低周波
増幅回路を得ていた。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら、上記のような構成では、電子ボリューム
２の減衰量にかかわらず、低音での増強量は一定である
ため、電力増幅回路３において、第７図ａの電源電圧で
決定される最大無歪出力に中・高音部に比べ低音部が早
く達してしまうため、減衰量が少ない場合、すなわち大
音量の場合、低音部が歪み易く、また、等ラウドネス曲
線が示す人の聴覚における特性から、低音の増強量は小
音量の場合に多く、大音量の場合に少なくすべきであり
、従来例の場合には、聴感上不自然であるという問題点
を有していた。
２の減衰量にかかわらず、低音での増強量は一定である
ため、電力増幅回路３において、第７図ａの電源電圧で
決定される最大無歪出力に中・高音部に比べ低音部が早
く達してしまうため、減衰量が少ない場合、すなわち大
音量の場合、低音部が歪み易く、また、等ラウドネス曲
線が示す人の聴覚における特性から、低音の増強量は小
音量の場合に多く、大音量の場合に少なくすべきであり
、従来例の場合には、聴感上不自然であるという問題点
を有していた。
本発明は上記問題点に鑑み、等ラウドネス曲線により小
音量では充分に低音を増強し、大音量では増強量を減ら
せ、電力増幅回路での歪みを発生し難クシた低周波増幅
回路を提供するものである。
音量では充分に低音を増強し、大音量では増強量を減ら
せ、電力増幅回路での歪みを発生し難クシた低周波増幅
回路を提供するものである。
問題点を解決するための手段
上記問題点を解決するために本発明の低周波増幅回路で
は、出力端子から負帰還入力端子へ抵抗が接続され、そ
の負帰還入力端子が、コンデンサとインダクタと電子ボ
リューム回路の減衰量を表示する表示回路の制御電圧を
印加することにより、高位の発光素子が点灯するに従っ
て抵抗値が増大するように構成された切換回路を有する
抵抗回路との直列共振回路を介して接地される電圧増幅
回路を備えたものである。
は、出力端子から負帰還入力端子へ抵抗が接続され、そ
の負帰還入力端子が、コンデンサとインダクタと電子ボ
リューム回路の減衰量を表示する表示回路の制御電圧を
印加することにより、高位の発光素子が点灯するに従っ
て抵抗値が増大するように構成された切換回路を有する
抵抗回路との直列共振回路を介して接地される電圧増幅
回路を備えたものである。
作 用
本発明は、上記した構成によって、減衰量を表示する表
示回路において高位の発光素子が点灯するに従って、す
なわち音量が大きくなるに従って、直列共振回路の抵抗
回路の抵抗値が増大し、直列共振回路のＱが低下するた
め、共振周波数での利得が低下し、低音部の増強量が減
少する。
示回路において高位の発光素子が点灯するに従って、す
なわち音量が大きくなるに従って、直列共振回路の抵抗
回路の抵抗値が増大し、直列共振回路のＱが低下するた
め、共振周波数での利得が低下し、低音部の増強量が減
少する。
つまり、小音量では充分に低音部の増強量が確保でき、
大音量では、増強量を減少させることが可能となる。よ
って、電力増幅回路の大音量での低音部の歪みが改善で
き、等ラウドネス曲線にそった聴感上好ましい低音補正
が可能となる。
大音量では、増強量を減少させることが可能となる。よ
って、電力増幅回路の大音量での低音部の歪みが改善で
き、等ラウドネス曲線にそった聴感上好ましい低音補正
が可能となる。
実施例
以下本発明の実施例の低周波増幅回路について、図面を
参照しながら説明する。
参照しながら説明する。
第１図は本発明の一実施例における低周波回路の構成を
示すものである。第１図において、１゜２．３，４，５
，６，７，８，９，１０，１１ 。
示すものである。第１図において、１゜２．３，４，５
，６，７，８，９，１０，１１ 。
１２．１３及びＲ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｒ７，Ｒ８，Ｒ９，
Ｒ１゜。
Ｒ１゜。
Ｒ１１，Ｒ１２，Ｒ４１，ＳＷｌ、ＳＷ２は従来例と同
じである。Ｃ１はコンデンサ、Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４，Ｒ６
，Ｒ６は抵抗、Ｑｌ、Ｑ２はｐチャンネル型のＦＥＴで
ある。
じである。Ｃ１はコンデンサ、Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４，Ｒ６
，Ｒ６は抵抗、Ｑｌ、Ｑ２はｐチャンネル型のＦＥＴで
ある。
コンデンサＣ１は直流阻止用のコンデンサであυ、一方
の端子は電圧増幅回路１の負帰還入力端子１゜に接続さ
れ、他方の端子は抵抗Ｒ２を介して接地される。またコ
ンデンサＣ１はコンデンサＣ２より充分に大きな容量値
を有する。また、コンデンサＣ１と抵抗Ｒ２の接続点よ
り、抵抗Ｒ３を介してコンデンサＣ２の一方の端子に接
続され、他方の端子はシュミレートインダクタｅに接続
される。
の端子は電圧増幅回路１の負帰還入力端子１゜に接続さ
れ、他方の端子は抵抗Ｒ２を介して接地される。またコ
ンデンサＣ１はコンデンサＣ２より充分に大きな容量値
を有する。また、コンデンサＣ１と抵抗Ｒ２の接続点よ
り、抵抗Ｒ３を介してコンデンサＣ２の一方の端子に接
続され、他方の端子はシュミレートインダクタｅに接続
される。
また抵抗Ｒ３とコンデンサＣ２の接続点より抵抗Ｒ６を
介して接地される。また抵抗Ｒ３と並列に抵抗Ｒ４とＦ
ｌｉ：ＴＱ、の直列回路と、抵抗Ｒ５の直列回路が接続
され、Ｆ Ｅ Ｔ Ｑｌのゲートは減衰量表示用Ｌ Ｅ
Ｄ Ｄ３のカソードと接続され、ＦＥＴＱ２のゲート
は臓衰量表示用ＬＥＤＤ６のカソードと接続される。ま
た抵抗Ｒ２，Ｒ６はＦＥＴＱｌ。
介して接地される。また抵抗Ｒ３と並列に抵抗Ｒ４とＦ
ｌｉ：ＴＱ、の直列回路と、抵抗Ｒ５の直列回路が接続
され、Ｆ Ｅ Ｔ Ｑｌのゲートは減衰量表示用Ｌ Ｅ
Ｄ Ｄ３のカソードと接続され、ＦＥＴＱ２のゲート
は臓衰量表示用ＬＥＤＤ６のカソードと接続される。ま
た抵抗Ｒ２，Ｒ６はＦＥＴＱｌ。
Ｑ２のソース及びドレインを直流的に接地するものであ
り、抵抗Ｒ１に比べて充分に大きな抵抗値を有する。
り、抵抗Ｒ１に比べて充分に大きな抵抗値を有する。
以上のように構成された低周波増幅回路について、以下
第１図、第２図を用いてその動作を説明する。
第１図、第２図を用いてその動作を説明する。
電子ボリューム回路２の減衰量が減小するにつれて、す
なわち音量が上がるにつれて、電子ボリューム回路２の
減衰量表示用直流電圧端子８の直流電圧は高くなり、こ
の直流電圧を入力とするＬＥＤ表示回路６で制御される
減衰量表示用ＬＥＤＤ −Ｄ は、ＤｌからＤ６の順
番で順次点灯する。
なわち音量が上がるにつれて、電子ボリューム回路２の
減衰量表示用直流電圧端子８の直流電圧は高くなり、こ
の直流電圧を入力とするＬＥＤ表示回路６で制御される
減衰量表示用ＬＥＤＤ −Ｄ は、ＤｌからＤ６の順
番で順次点灯する。
電圧増幅回路１の利得は、Ｒ２）＞Ｒ１，Ｒ６）Ｒ１゜
Ｃ＞Ｃの条件のもとで、コンデンサＣ２とシユミレート
インダクタ６のインダクタンスＬｓと抵抗ＲＲＲＦＥＴ
Ｑｌ、Ｑ２より成る抵抗値３＋ ４ｔ ５＊ 切換回路の合成抵抗の直列共振回路のインピーダンスと
抵抗Ｒ１との比で決定される。
Ｃ＞Ｃの条件のもとで、コンデンサＣ２とシユミレート
インダクタ６のインダクタンスＬｓと抵抗ＲＲＲＦＥＴ
Ｑｌ、Ｑ２より成る抵抗値３＋ ４ｔ ５＊ 切換回路の合成抵抗の直列共振回路のインピーダンスと
抵抗Ｒ１との比で決定される。
第２図は本実施例の周波数特性を示すものであるが、前
述の直列共振回路の共振周波数で利得に山ができ、共振
周波数ｆ、は、ｆｌ＝％π９ｆη３’７２であり、共振
周波数ｆ、を低音部に設定することにより、低音部の増
強を行なう。
述の直列共振回路の共振周波数で利得に山ができ、共振
周波数ｆ、は、ｆｌ＝％π９ｆη３’７２であり、共振
周波数ｆ、を低音部に設定することにより、低音部の増
強を行なう。
電子ボリューム回路２の減衰量に伴い、減衰量表示用Ｌ
ＥＤＤ −Ｄ が、Ｄ 或いはり、とＤ２が点灯する
状態ではＤ３及びＤ５が消灯状態であり、抵抗Ｒ１゜及
びＲ８には電圧が発生せず、ＦＥＴＱ、及びＱ２は零バ
イアスとなりＯＮ状態となる。
ＥＤＤ −Ｄ が、Ｄ 或いはり、とＤ２が点灯する
状態ではＤ３及びＤ５が消灯状態であり、抵抗Ｒ１゜及
びＲ８には電圧が発生せず、ＦＥＴＱ、及びＱ２は零バ
イアスとなりＯＮ状態となる。
よって前蓋した直列共振回路の抵抗値切換回路の合成抵
抗は、抵抗Ｒ３とＲ４とＲ６の並列抵抗となって抵抗値
が最小となり、直列共振回路のＱが最大となる。つまり
、低音部の増強量が最大となる。
抗は、抵抗Ｒ３とＲ４とＲ６の並列抵抗となって抵抗値
が最小となり、直列共振回路のＱが最大となる。つまり
、低音部の増強量が最大となる。
次に、ＬＥＤＤ１〜Ｄ３或いはＤ１〜Ｄ４が点灯した状
態では、抵抗Ｒ１゜に電流が流れ、直流電圧が発生し、
ＦＥＴＱ、のゲート印加される。この直流電圧の値をＦ
Ｅ Ｔ Ｑ、のカットオフ電圧以上に設定することに
よってＦ Ｅ Ｔ Ｑｌ はＯＦＦ Ｌ、抵抗値切換
回路の合成抵抗は抵抗Ｒ３とＲ６の合成抵抗になり、Ｌ
Ｅ Ｄ Ｄ、或いはＤｌとＤ２が点灯する場合よりも
合成抵抗が大きくなり、直列共振回路のＱが低下し、よ
って、低音部の増強量が減少する。
態では、抵抗Ｒ１゜に電流が流れ、直流電圧が発生し、
ＦＥＴＱ、のゲート印加される。この直流電圧の値をＦ
Ｅ Ｔ Ｑ、のカットオフ電圧以上に設定することに
よってＦ Ｅ Ｔ Ｑｌ はＯＦＦ Ｌ、抵抗値切換
回路の合成抵抗は抵抗Ｒ３とＲ６の合成抵抗になり、Ｌ
Ｅ Ｄ Ｄ、或いはＤｌとＤ２が点灯する場合よりも
合成抵抗が大きくなり、直列共振回路のＱが低下し、よ
って、低音部の増強量が減少する。
次に、ＬＥＤＤ１〜Ｄ６が全灯した場合、抵抗Ｒ８及び
Ｒ４゜に電流が流れ、直流電圧が発生し、ＦＥＴＱ２及
びＱｌ のゲートに印加される。抵抗Ｒ８に発生する直
流電圧も上記同様にＦＥＴＱ２のカットオフ電圧以上に
設定することによって、ＦＥＴＱ２及びＱ、は０ＦＦＬ
、合成抵抗は最大となり、直列共振回路のＱが最小とな
り、よって低音部の増強量が最少となる。これらの状態
を第２図を用いて説明すると、減衰量表示用ＬＥＤＤ。
Ｒ４゜に電流が流れ、直流電圧が発生し、ＦＥＴＱ２及
びＱｌ のゲートに印加される。抵抗Ｒ８に発生する直
流電圧も上記同様にＦＥＴＱ２のカットオフ電圧以上に
設定することによって、ＦＥＴＱ２及びＱ、は０ＦＦＬ
、合成抵抗は最大となり、直列共振回路のＱが最小とな
り、よって低音部の増強量が最少となる。これらの状態
を第２図を用いて説明すると、減衰量表示用ＬＥＤＤ。
或いはＤｌとＤ２が点灯する場合、つまり小音量の場合
は第２図ｄのような利得になり最も低音が増強される。
は第２図ｄのような利得になり最も低音が増強される。
減衰量表示用Ｌ Ｅ Ｄ Ｄ、〜Ｄ３或いはり、〜Ｄ４
が点灯する場合、つまり中音量の場合には、第２図Ｃの
ような利得になり、上記よりも低音の増強量が減少する
。減衰量表示用Ｌ Ｅ Ｄ Ｄ１Ｄ５が全灯する場合、
つまり、大音量の場合は第２図すのような利得になり、
さらに低音の増強量が減少する。
が点灯する場合、つまり中音量の場合には、第２図Ｃの
ような利得になり、上記よりも低音の増強量が減少する
。減衰量表示用Ｌ Ｅ Ｄ Ｄ１Ｄ５が全灯する場合、
つまり、大音量の場合は第２図すのような利得になり、
さらに低音の増強量が減少する。
以上のように本実施例によれば、出力端子から負帰還入
力端子へ抵抗が接続され、さらに、コンデンサとシュミ
レートインダクタと電子ボリューム回路の減衰量を表示
するＬＥＤ表示回路のＬＥＤの制ｇｉＪ電圧を印加する
ことにより、高位のＩ、ＥＤが点灯するに従って抵抗値
が増大するように構成された切換回路を有する抵抗回路
との直列共振回路を介して前述した負帰還入力端子が接
地される電圧増幅回路を設けることにより、高位のＬＥ
Ｄが点灯するに従って直列共振回路のＱが低下し、従っ
て電圧増幅回路の共振周波数での利得が低下し、低音部
の増強量が減少する。よって、小音量では充分に低音部
の増強量が確保でき、大音量では増強量を減少させるこ
とが可能となり、電力増幅回路の大音量での低音部の歪
みが改善でき、また等ラウドネス曲線にそった聴感上好
ましい低音補正が可能となる。
力端子へ抵抗が接続され、さらに、コンデンサとシュミ
レートインダクタと電子ボリューム回路の減衰量を表示
するＬＥＤ表示回路のＬＥＤの制ｇｉＪ電圧を印加する
ことにより、高位のＩ、ＥＤが点灯するに従って抵抗値
が増大するように構成された切換回路を有する抵抗回路
との直列共振回路を介して前述した負帰還入力端子が接
地される電圧増幅回路を設けることにより、高位のＬＥ
Ｄが点灯するに従って直列共振回路のＱが低下し、従っ
て電圧増幅回路の共振周波数での利得が低下し、低音部
の増強量が減少する。よって、小音量では充分に低音部
の増強量が確保でき、大音量では増強量を減少させるこ
とが可能となり、電力増幅回路の大音量での低音部の歪
みが改善でき、また等ラウドネス曲線にそった聴感上好
ましい低音補正が可能となる。
なお、本実施例では、直列共振回路のインダクタとして
、周波数が低いのでインダクタンスが大きくなるため、
演算増幅器を用いたシュミレートインダクタを使用した
が、スペースが許されればコイルによるインダクタとし
てもよい。
、周波数が低いのでインダクタンスが大きくなるため、
演算増幅器を用いたシュミレートインダクタを使用した
が、スペースが許されればコイルによるインダクタとし
てもよい。
また、直列共振回路のコンデンサの値を大きくすること
でＱを低下させ、第３図に示すような特性としてもよい
。 。
でＱを低下させ、第３図に示すような特性としてもよい
。 。
発明の効果
以上のように本発明は、出力端子から負帰還入力端子へ
抵抗が接続され、さらにコンデンサとインダクタと電子
ボリューム回路の減衰量を表示する表示回路の制御電圧
を印加することにより、高位の発光素子が点灯するに従
って抵抗値が増大するように構成された切換回路を有す
る抵抗回路との直列共振回路を介して、前述した負帰還
式力負子が接地される電圧増幅回路を設けることにより
、高位の発光素子が点灯するに従って、直列共振回路の
Ｑが低下し、従って、電圧増幅回路の共振周波数での利
得が低下し、低音部の増強量が減少する。よって、低位
の発光素子が点灯する状態、つまり小音量時には、充分
に低音部の増強量が確保でき、高位の発光素子が点灯す
る状態、つまり大音量時では、増強量を減少させること
が可能となり、電力増幅回路の大音量時での歪みの改善
ができ、また等ラウドネス曲線にそった聴感上好ましい
低音補正が可能となる。
抵抗が接続され、さらにコンデンサとインダクタと電子
ボリューム回路の減衰量を表示する表示回路の制御電圧
を印加することにより、高位の発光素子が点灯するに従
って抵抗値が増大するように構成された切換回路を有す
る抵抗回路との直列共振回路を介して、前述した負帰還
式力負子が接地される電圧増幅回路を設けることにより
、高位の発光素子が点灯するに従って、直列共振回路の
Ｑが低下し、従って、電圧増幅回路の共振周波数での利
得が低下し、低音部の増強量が減少する。よって、低位
の発光素子が点灯する状態、つまり小音量時には、充分
に低音部の増強量が確保でき、高位の発光素子が点灯す
る状態、つまり大音量時では、増強量を減少させること
が可能となり、電力増幅回路の大音量時での歪みの改善
ができ、また等ラウドネス曲線にそった聴感上好ましい
低音補正が可能となる。
第１図は本発明の一実施例における低周波増幅回路の回
路図、第２図は本発明の一実施例における低周波増幅回
路の周波数特性図、第３図は本発明の一実施例における
低周波増幅回路の回路定数を変更した場合の周波数特性
図、第４図は従来の低周波増幅回路の回路図、第６図は
第４図の電子ボリューム回路の回路図、第６図は第４図
のＬＥＤの表示回路の回路図、第７図は従来の低周波増
幅回路の周波数特性図である。 １・・・・・・電圧増幅回路、２・・・・・・電子ボリ
ューム回路、３・・・・・・電力増幅回路、４・・・・
・・スピーカ、５・・・・・・ＬＥＤ表示回路、６・・
・・・・シュミレートインダクタ、Ｑｌ・Ｑ２・・・・
・・ＦＥＴ０ 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名／−
１ｔ斥増！昌回路 ？−−−電子敢すューム回路 ３−を力噌幅乱隆 ４− スビーｐ Ｓ−ＬＥＤ表示回路 第２図 第３図 馬ｉ皮数◆（Ｈ７−） 第４図 ？ 第５図
路図、第２図は本発明の一実施例における低周波増幅回
路の周波数特性図、第３図は本発明の一実施例における
低周波増幅回路の回路定数を変更した場合の周波数特性
図、第４図は従来の低周波増幅回路の回路図、第６図は
第４図の電子ボリューム回路の回路図、第６図は第４図
のＬＥＤの表示回路の回路図、第７図は従来の低周波増
幅回路の周波数特性図である。 １・・・・・・電圧増幅回路、２・・・・・・電子ボリ
ューム回路、３・・・・・・電力増幅回路、４・・・・
・・スピーカ、５・・・・・・ＬＥＤ表示回路、６・・
・・・・シュミレートインダクタ、Ｑｌ・Ｑ２・・・・
・・ＦＥＴ０ 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名／−
１ｔ斥増！昌回路 ？−−−電子敢すューム回路 ３−を力噌幅乱隆 ４− スビーｐ Ｓ−ＬＥＤ表示回路 第２図 第３図 馬ｉ皮数◆（Ｈ７−） 第４図 ？ 第５図
Claims (1)
- 出力端子から負帰還入力端子へ抵抗が接続され、その負
帰還入力端子がコンデンサとインダクタと外部から直流
制御電圧を印加することにより段階的に抵抗値を変えら
れるように切換回路を有する抵抗回路からなる直列共振
回路を介して接地される電圧増幅回路と、その電圧増幅
回路の出力を入力とし、減衰量増加スイッチ及び減衰量
減少スイッチにより、電気的に減衰量が変えられ、その
減衰量に比例した直流電圧が出力される端子を有する電
子ボリューム回路と、その電子ボリューム回路の出力を
入力とする電力増幅回路と、前記電子ボリューム回路の
減衰量に比例した直流電圧を入力とし、その直流電圧が
高くなるにつれて複数個の発光素子が順番に点灯するこ
とにより、減衰量を表示する表示回路とを備え、その表
示回路の直流電圧を制御電圧として前記直列共振回路の
抵抗回路に印加し、点灯する発光素子が高位になるほど
抵抗値を大きくし、直列共振回路のＱを低下させるよう
に構成したことを特徴とする低周波増幅回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62039441A JPH0787325B2 (ja) | 1987-02-23 | 1987-02-23 | 低周波増幅回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62039441A JPH0787325B2 (ja) | 1987-02-23 | 1987-02-23 | 低周波増幅回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63206014A true JPS63206014A (ja) | 1988-08-25 |
| JPH0787325B2 JPH0787325B2 (ja) | 1995-09-20 |
Family
ID=12553097
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62039441A Expired - Lifetime JPH0787325B2 (ja) | 1987-02-23 | 1987-02-23 | 低周波増幅回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0787325B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2369278A (en) * | 2000-12-27 | 2002-05-22 | Eugueni Sergeyevich Alechine | A method of signal transmission for low frequency sounds |
-
1987
- 1987-02-23 JP JP62039441A patent/JPH0787325B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2369278A (en) * | 2000-12-27 | 2002-05-22 | Eugueni Sergeyevich Alechine | A method of signal transmission for low frequency sounds |
| GB2369278B (en) * | 2000-12-27 | 2003-02-19 | Eugenie Sergeyevich Aleshin | Method of sound channel upgrading |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0787325B2 (ja) | 1995-09-20 |
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